下载文档原格式
令人生畏的中国激光武器一、中国的激光理论和技术在世界上处于领先地位我国的激光技术发展迅速，无论是数量还是质量，中国的激光理论和技术在世界上处于领先地位。
1、注重理论研究带动激光技术的发展激光科技事业从一开始就得到了领导和科学管理部门的高度重视。
当时中国科学院副院长张劲夫提出建立专业激光研究所的设想，很快得到国家科委、国家计委的批准。
主管科技的聂荣臻副总理还特别批示：研究所要建在上海，上海有较好的工业基础，有利于发展这一新技术。
1964年，我国第一所，也是当时世界上第一所激光技术的专业研究所——中国科学院上海光学精密机械研究所（简称“上海光机所”）成立。
2、借助重点项目的支撑，带动激光技术的发展1964年启动的“6403”高能钕玻璃激光系统、1965年开始研究的高功率激光系统和核聚变研究，以及1966年制定的研制15种军用激光整机等重点项目，由于技术上的综合性和高难度，有力地牵引和带动了激光技术各方面在中国的发展。
我国的激光科技事业，虽然也遭遇了“文革”十年浩劫，但借助于重点项目的支撑，仍艰难地生存了下来并取得可贵的进展。
（1）.“6403”高能钕玻璃激光系统1964年启动，最后从技术上判定热效应是根本性技术障碍，于1976年下马。
这一项目对发展高能激光技术有历史贡献是不可忽视的，它使我国激光技术的水平上了一个台阶。
其成果主要表现在：（1）建成了具有工程规模的大口径（120毫米）振荡—放大型激光系统，最大输出能量达32万焦耳；改善光束质量后达3万焦耳。
（2）实现了系统技术集成，成功地进行了打靶实验，室内10米处击穿80毫米铝靶，室外2公里距离击穿0.2毫米铝耙，并系统地研究了强激光辐射的生物效应和材料破坏机理。
（3）第一次揭示了强光对激光系统本身的光损伤现象和机制。
（4）第一次深入和理解激光光束质量的重要性和物理内涵，采用了一系列提高光束质量的创新性技术，如万焦耳级非稳腔激光器、片状激光器、振荡—扫瞄放大式激光系统、尖劈法光束质量诊断等。
量子点激光器工作原理量子点激光器是一种基于量子点材料的激光器，其工作原理是通过量子点材料的特殊能带结构和量子效应实现的。
量子点是一种尺寸在纳米尺度的半导体结构，其尺寸约为1-10纳米。
量子点材料具有独特的光学和电学性质，使其在激光器领域具有广泛的应用前景。
量子点激光器的工作原理可以分为三个主要步骤：激发、载流子注入和辐射。
首先，通过外部能源的激发，如光激发或电激发，将量子点材料中的载流子激发到激发态。
这个过程可以通过吸收外部光线或施加电场来实现。
接下来，通过载流子注入，使激发态的载流子在量子点材料中形成高浓度。
载流子注入可以通过电压施加或电流注入来实现，其中电流注入是最常用的方法。
注入的载流子会在量子点材料中形成电子空穴对，这些电子空穴对会在量子点材料中快速扩散和重新组合。
由于量子点材料的能带结构和量子效应的存在，电子空穴对在扩散和重新组合的过程中会发生辐射。
这种辐射过程会产生具有特定波长和相干性的光，形成激光输出。
量子点材料的能带结构决定了激光的波长，而量子效应则决定了激光的相干性和输出功率。
量子点激光器相比传统的激光器具有许多优点。
首先，量子点材料具有宽广的发射波长范围，可以实现从紫外到红外的全波段覆盖。
其次，量子点材料具有窄的发射谱线宽度，可以实现高光谱纯度的激光输出。
此外，量子点激光器具有高的发光效率和低的激光阈值，可以实现高功率和高效率的激光输出。
量子点激光器在众多领域中具有广泛的应用。
在通信领域，量子点激光器可以用于光纤通信、无线通信和光存储等。
在显示领域，量子点激光器可以用于显示屏的背光源，可以实现更高的色彩饱和度和更广的色域。
此外，量子点激光器还可以应用于生物医学、光电子学和光学传感等领域。
然而，量子点激光器也存在一些挑战和限制。
首先，量子点激光器的制备和工艺相对复杂，需要高精度的材料生长和器件制备技术。
其次，量子点材料的发光特性受到温度和环境的影响较大，需要有效的温度控制和环境隔离措施。
高功率固体激光器的研究与制造近年来，高功率固体激光器在科技领域中的应用越来越广泛，它已经深刻地影响和改变了我们的生活和生产方式。
固体激光器相比于其他类型的激光器，具有能量密度高、波长多样性、偏振可控性强、精度高等优点，因此具有不可替代的地位。
然而，高功率固体激光器的研究与制造并非易事，涉及许多科学原理和技术难题。
本文将全面分析高功率固体激光器的研究与制造现状，并展望其未来的发展趋势。
一、高功率固体激光器研究现状1.1 固体激光器的产生原理通常，固体激光器的产生是靠将电能转化为光能，这一过程被称为泵浦，泵浦的方式很多，例如氙灯泵浦、二极管泵浦、光纤泵浦等。
所产生的激光通过激光共振腔改变光程，增强输出功率。
对于固体激光器来说，它通常由一个激光材料、电源和多个齐次反射镜组成。
激光材料通过泵浦产生激发态，然后被反射镜全反射，由于反射次数增多，激发态的电子在发射光子时与其他原子的发光相干而放大，最终形成纵向模式共振，从激光器输出激光束。
1.2 高功率固体激光器的制造难题高功率固体激光器的制造过程中存在很多科学和技术难题，包括以下几个方面：(1) 激光能量密度问题高功率固体激光器的输出能量非常强，达到了几千瓦，这个过程中需要处理的问题是如何应对高能量密度引起的各种问题，比如材料的熔化、气化降低其抗性、反射镜的损耗等。
对此，科学家采用的方法是不断开发新的材料和新的工艺、精确计算和管理，以降低激光能量密度对设备和人员的危害。
(2) 温度问题高功率固体激光器的温度控制是非常重要的，因为激光器需要在非常高的温度下运行，这将导致材料的热膨胀和抗性降低。
在解决这些问题的同时，科学家还需要保证激光器的性能和安全性，并避免损坏激光器的陀螺效应。
(3) 技术落后问题制造固体激光器所需要的技术实力非常高，由于制造难度大，对工艺流程、材料、设备精度等方面的要求也很高，而目前中国在这方面的研究和发展尚属较落后。
因此，在不断改进技术流程、提高材料质量等方面的努力中，在中国固体激光器的制造领域有很大的空间。
量子点1.量子点简介1.1量子点的概述量子点(quantum dot, QD)是一种细化的纳米材料。
纳米材料是指某一个维度上的尺寸小于100nm的材料，而量子点则是要求材料的尺寸在3个维度都要小于100nm[1]。
更进一步的规定指出，量子点的半径必须要小于其对应体材料的激子波尔半径，其尺寸通常在1-10nm左右[2]。
由于量子点半径小于对应体材料的激子波尔半径，量子点能表现出明显的量子点限域效应，此时载流子在三个方向上的运动受势垒约束，这种约束主要是由静电势、材料界面、半导体表面的作用或是三者的综合作用造成的。
量子点中的电子和空穴被限域，使得连续的能带变成具有分子特性的分离能级结构[1]。
这种分离结构使得量子点有了异于体材料的多种特性以及在多个领域里的特殊应用。
1.2量子点的特性由于量子点中载流子运动受限，使得半导体的能带结构变成了具有分子原子特性的分离能级结构，表现出与对应体材料完全不同的光电特性。
1.2.1 量子尺寸效应纳米粒子中的载流子运动由于受到空间的限制，能量发生量子化，连续能带变为分立的能级结构，带隙展宽，从而导致纳米颗粒的吸收和荧光光谱发生变化[3]。
这种现象就是典型的量子尺寸效应。
研究表明，随着量子点尺寸的缩小，其荧光将会发生蓝移，且尺寸越小效果越显著[4]。
1.2.2 表面效应纳米颗粒的比表面积为，也就是说量子点比表面积随着颗粒半径的减小而增大。
量子点尺寸很小，拥有极大的比表面积，其性质很大程度上由其表面原子决定。
当其表面拥有很大悬挂键或缺陷时，会对量子点的光学性质产生极大影响[5]。
1.2.3 量子隧道效应量子隧道效应是基本的量子现象之一。
简单来说，即当微观粒子(例如电子等)能量小于势垒高度时，该微观粒子仍然能越过势垒。
当多个量子点形成有序阵列，载流子共同越过多个势垒时，在宏观上表现为导通状态。
因此这种现象又称为宏观量子隧道效应[6][7]。
1.2.4 介电限域效应上世纪七十年代Keldysh等人首先发现了介电限域效应[8]。
化合物半导体器件有哪些在当今世界高科技领域中，化合物半导体器件作为一种重要的电子器件类型，被广泛应用于各种领域，如电子、光电子、通信和能源等。
化合物半导体器件具有许多优异的性能特点，如高速、高频、高功率密度和低噪声等，因此备受关注。
本文将介绍几种常见的化合物半导体器件。
1. 量子点器件量子点器件是一种基于半导体纳米结构的器件，利用量子点的量子效应进行电子传输和操控的器件。
量子点器件主要包括量子点发光二极管（QLED）、量子点激光器（QL）、以及量子点太阳能电池等。
由于量子点的量子效应和尺寸效应，这类器件具有高色纯度、高量子效率和调控性能好的特点。
2. 磷化镓器件磷化镓器件是一类基于磷化镓（GaP）材料制备的半导体器件，主要包括GaP发光二极管、GaP太阳能电池等。
磷化镓材料具有宽直接能隙和高载流子迁移率等优异特性，因此在光电器件领域有着广泛的应用。
3. 合金半导体器件合金半导体器件是指利用两种或多种半导体材料的合金形成的器件，如氮化镓（GaN）/磷化铟（InP）合金器件等。
合金半导体器件综合了各种半导体材料的优点，具有优良的性能表现，广泛应用于高频、高功率、高温等领域。
4. 氮化硅器件氮化硅器件是一种基于氮化硅（SiN）材料制备的半导体器件，主要包括氮化硅发光二极管、氮化硅光伏电池等。
氮化硅材料具有优异的热稳定性和光学性能，适用于高温环境和光电器件中。
综上所述，化合物半导体器件涵盖了众多种类，包括量子点器件、磷化镓器件、合金半导体器件和氮化硅器件等。
这些器件在不同领域都有着重要的应用，为高科技产业的发展做出了积极的贡献。
量子点激光器
量子点是由少量原子所构成的体积很小的固体材料，量子点的尺寸一般在100纳米以下，外观恰似一极小的点状物，其三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下。
量子点内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子局限效应特别显著。
量子局限效应会导致类似原子的不连续电子能阶结构，故量子点可用来作激光器的工作物质，而量子点也因此被称为“人造原子”。
在一般块材料中，电子的波长远小于块材料尺寸，因此量子局限效应不显着。
如果将某一个维度的尺寸缩到小于一个波长，此时电子只能在另外两个维度所构成的二维空间中自由运动，这样的系统我们称为量子阱；如果我们再将另一个维度的尺寸缩到小于一个波长，则电子只能在一维方向上运动，我们称为量子线；当三个维度的尺寸都缩小到一个波长以下时，就成为量子点。
图1一般块材料、量子阱、量子线及量子点能级比较关系示意图
量子点激光器是由一个激光母体材料和组装在其中的量子点以及一个激发并使量子点中粒子数反转的泵浦源所构成。
一个实际量子点激光器（砷化镓铟量子点激光器）的结构如下图所示。
图2量子点激光器示意图
对于不同维度的电子体系,许多独特的光学性质来源于它们的态密度。
态密度是指单位体积在能量E附近单位能量间隔内的电子态数。
每一个量子态可被自旋向上和向下的两个电子所占据。
半导体激光器从三维到二维、再到一维、零维,这种不断发展变化的内因在于不同维度材料的态密度不同,从而激光器的性能不断改善。
对于零维的量子点而言，体系在x、y、z三个方向受限，载流子的能量在三个方向上都是量子化的，不存在能量的连续分布。
所以，量子点的态密度与能量的关系表示为δ函数的形式，即
ρ3D(E)=∑δ(E-E i)
其中Ei是体系的能量可取值，可表示为
由此可以得出量子点的能态为分离线，如下图所示。
图3量子点能级图
量子点有源区的高能态和基态的能级间距△足够大(即满足△E>>kBT)，器件的阈值电流密度对温度的依赖就会完全消失；量子点中态密度函数的尖锐化，也使得其峰值增益变窄。
同常规的激光器相比，由于有源区为量子结构，器件特性便具有下列新特点：(1)态密度线状分布，导带中第一个电子能级E1c。
高于原价带中第一个空穴能级E1，低于原价带顶Ev，因此有E1c-E1v>Eg，所产生的光子能量大于材料的禁带宽度．相应地，其发射波长出现了蓝移。
(2)量子激光器中，辐射复合主要发生在E1c和E1v之问，这是两个能级之间电子和空穴参与的复合，不同于导带底附近和价带顶附近的电子和空穴参与的辐射复合，因而量子激光器的光谱的线宽明显地变窄了。
(3)在量子激光器中，由于尺寸通常小于电子和空穴的扩散长度，电子和空穴还未来得及扩散就被势垒限制在势阱之中，产生很高的注入效率，易于实现粒子数反转，其增益大为提高，甚至可高达两个数量级．
早在80年代初，理论就已预言量子点激光器的性能与量子阶激光器或量于线激光器相比，具有更低的阂值电流密度，更高的特征温度和更高的增益等优越特性。
这主要由于在量子点材料中，载流子在三个运动方向上受到限制，载流子态密度与能量关系为δ函数因而具有许多独特的物理性质，如量子效应、量子隧穿、非线性光学等，极大地改善了材料的性能。
因此，不但在基础物理研究方面意义重大，而且在新型量子器件等方面显示出广阔的应用前景。
目前，零维材料
结构及其应用为国际上最前沿的研究领域之一，仍处于探索阶段。
90年代初，利用MBE和MOCVD技术，通过Stranski—Krastanow(S—K)模式生长In(Ga)As ／GaAs自组装量子点等零维半导体材料有了突破性的进展，生长出品格较完整，尺寸较均匀，且密度和发射率较高的InAs量子点，并于1994年制备出近红外波段InGaAs／GaAs量子点激光器。
2004年在斯德哥尔摩举行的欧洲光通讯会议上东京大学和富士通报道，试制成功了工作在1.3um波长、可将温度导致的光功率变动幅度控制到原来1/6左右的量子点激光器。
在20~70度，不需调整电流对温度导致的光功率变动进行补偿就能稳定地发送10Gb/s的光信号。
由于不需要温度补偿的外部电路，因此有利于降低光发送器的体积和生产成本。
虽然量子点激光器的性能与理论预测相比仍有较大的差距，但对于其的研制近年内取得了长足进步，已经向传统半导体激光器开始了强有力的挑战，可以预测在不久的将来量子点激光器必将成为激光器家族的重要一员。
