模拟电子技术基础期末复习
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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题(每空1分,共32分)1、自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。
2、PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。
3、扩展运动形成的电流是()电流,漂移运动形成的电流是()。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是()控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC(),电流放大系数β()。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用()负反馈。
为了稳定输出电流,采用()负反馈。
8、负反馈使放大电路增益(),但()增益稳定性。
9、()称为负反馈深度,其中F=( ),称为()。
10、差模信号是大小(),极性(),差分电路不抑制()漂移。
11、甲乙类互补功率放大器,可以消除()类互补功率()失真。
12、用低频信号去改变高频信号的()称为调幅,高频信号称为()信号。
13、当频率升高时,晶体管电流放大系数()共基极电路比共射极电路的高频特性(),fδ=()fβ14、振荡电路的平衡条件是(),正反馈才能保证振荡电路的()。
15半波整流电路电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2分,共30分)1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是()A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()能力。
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
该复习资料,不一定适用于本校,但有比没有要好。
第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管,锗管。
*开启电压------硅管,锗管。
分析方法------ ----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路或压降;若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
三、稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件)CBO CEO B CBC)(1I I i iIIβββ+=∆∆==其中I CEO是穿透电流(越小越好),I CBO是集电极反向电流。
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是:Vb=-12.3V,Ve=-12V,Vc=-18V。
则三极管的工作状态为()。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路,要求R i大,输出电流稳定,应选()。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应()。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=()Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示,该管为()。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示,该管为()。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中,电阻RE的主要作用是()。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的()组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中()发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路,在Re上并联交流旁路电容Ce后,其电压放大倍数将()。
A. 减小;B. 增大;C. 不变;D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. ()负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. ()任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通,即,极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。
(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。
(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业: 1.3 2. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。
哪个二只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。
(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握 Ic=βIb )(2)掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级,必然就有 BE 间的输入, CE 间的输出,所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
区之间的区别3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
4)理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业:主要是饱和区和截止 1.9, 1.12 , Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
2)掌握结型场效应管 (N 沟道 )的转移特性和输出特性的意义。
3)掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。
二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 (静态工作点稳定电路) 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。
(1)熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。
一、填空1. 二极管最主要的特性是(),反映正向特性的的两个主要参数是()。
2. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
3. 场效应管从结构上分成()和()两大类型,它属于()控制型器件。
4. 集成运算放大器是一种采用()耦合方式的放大电路,最常见的问题是()。
5. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的()作用和对共模信号的()作用。
6. 小功率直流稳压电源由变压器、()、()、()四部分组成。
7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和1.8KΩ,产生这种现象的原因是。
8. 测得某NPN管的VBE=0.7V,VCE=0.2V,由此可判断它工作在区。
9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。
10. 在放大电路中为了稳定静态工作点,应引入反馈,稳定放大倍数,应引入反馈,改输入和输出电阻,应引入反馈,展宽频带应引入反馈。
11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波。
12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。
14. 在直流稳压电路中,变压的目的是,整流的目的是,滤波的目的是,稳压的目的是。
15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。
当有用信号频率低于500Hz时,宜选用;当希望抑制50Hz交流电源干扰时,宜选用;当希望抑制1KHz以下的信号时,宜选用。
16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大,可选用组态,若希望带负载能力强,应选用组态,若希望从信号源索取电流小,应选用组态,若希望高频性能好,应选用组态。
17. 电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路;前者的作用是,后者的作用是。
18. 差分放大电路有种输入输出连接方式,其差模电压增益与方式有关,与方式无关。
19. 已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为,反馈系数为。
20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别,前者通常工作在状态或状态,因此,它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。
22. 多级放大电路与单级放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都。
级数愈多则上限频率越。
23. 由于在功放电路中,功放管常常处于极限工作状态,因此,在选择功管时要特别注意、和三个参数。
24. 电流源作为放大电路的有源负载,主要是为了提高,因为电流源的大。
25. 当电路的闭环增益为40dB时,基本放大器的增益变化10%,反馈放大器的闭环增益相应变化1%,则此时电路的开路的开环增益为 dB。
26. 单限比较器只有个门限电压值,而迟滞比较器则有个门限电压值。
27. 在串联型石英晶体振荡电路中,晶体等效为。
28. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
29. 3种基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。
30. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合多级放大电路相比,低频响应。
31. 集成运放中,由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象称为,主要原因是造成的。
32. 例运算电路的输入电阻R i很大,而比例运算电路的输入电阻很小。
33. 在电容滤波和电感滤波中,适用于大电源负载,的直流输出电压高。
34. 三极管工作在三个区域的条件是:放大区(),饱和区()截止区()。
35. 在放大电路中为了稳定静态工作点,应引入反馈,稳定放大倍数,应引入反馈,改输入和输出电阻,应引入反馈,展宽频带应引入反馈。
二、选择题1. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以()。
A. 减小温漂B.增大放大倍数C. 提高输入电路D. 减小噪声2. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联3. 欲实现Au=-100的放大电路,应选用()电路。
A.反相比例运算B. 同相比例运算C. 加法运算D. 微分运算5. 场效应管是一种()的器件。
A.电压控制电压B. 电压控制电流C. 电流控制电压D. 电流控制电流6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()A.电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 晶体管参数受温度影响D. 电流电压不稳定7. 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联8. 功率放大电路中的转换效率是指()。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B. 最大输出功率与电流提供的平均功率之比C. 晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D. 输出功率与输入功率之比9. 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是()。
A.基准电压B. 取样电压C. 取样电压与基准电压之差D. 输出电压10 反馈放大电路的含义是()。
A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路11 为了放大缓慢变化的微弱信号,放大电路应采用()耦合方式。
A. 阻容B. 直接C. 变压器D. 光电12 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益是()。
A.增加一倍B. 为双端输入时的1/2C. 不变D. 不确定13 负反馈放大电路产生自激振荡的条件是()。
A. AF=0B. AF=1C. AF=∞D. AF=-114 当PN结加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层()。
A.变宽B. 变窄C. 不变D. 不确定15 单管放大电路中,若输入电压为正弦波,用示波器观察U O和U i的波形,当放大电路为共射电路时,则V O和V i的相位。
()A. 同相B. 反相C. 相差90oD. 不变16 三级放大电路中,A u1=A u2=30Db,A u3=20dB,则总的电压增益为()dB。
A. 180 dBB. 80 dBC. 60 dBD. 50 dB17 多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重和一级是()。
A.输入级B. 中间级C. 输出级D. 增益最高的一级19 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
A. 电阻阻值有误差B. 晶体管参数的分散性C. 参数受温度影响D. 电源电压不稳定20 欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入()负反馈。
A.电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联21 欲将方波电压转换成三角波电压,应选用()。
A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 微分运算电路D. 积分运算电路22 若要组成输出电压可调,最大输出电流为3A的直流稳压电源,则应采用()。
A. 电容滤波稳压管稳压电路B. 电感滤波稳压管稳压电路C. 滤波串联型稳压电路D. 电感滤波串联型稳压电路23 可以放大电压,但不能放大电流的是( )组态放大电路。
A. 共射B. 共集C. 共基D. 不定28 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。
A.温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷30 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()负反馈。
A. 电压串联B. 电压并联C. 电流串联D. 电流并联三、判断题1. 只有电路即放大电压又放大电流,才称其有放大作用。
()2. 现测得两个共射放大电路载时的放大倍数为-100,将它们连两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
()3. 若放大电路引入负反馈,则负载变化时,输出电压基本不变。
()4. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
()5. 在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。
()1. 处于线性工作状态下的集成运放,反相输入端可按“虚地”来处理。
()2. 负反馈只能改善反馈环路内的放大性能,对反馈环路之外无效。
()3. 功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的电压信号。
()4. 桥式整流电路在接入电流滤波后,输出直流电压将减小。
()5. 反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
()7. 直流负反馈是指直流通路中的负反馈。
()10 差动放大电路的基本功能是实现对共模信号的放大作用。
()11 集成运算放大器实质上是一种采用阻容耦合的多级放大器。
()12 同相比例运算电路可实现A u<0的放大。
()13 由于功放管的输入电压、电流幅值均很大,功放管特性的非线性不可忽略。
()14 整流电路利用二极管的单向导电性,使交流电变为单向脉动直流电。
()15 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
()16直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
()17 放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
()18 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
()19电路中一般均引入负反馈。
()20 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()21 可以说任何放大电路都有功率放大作用。
()22 阻容耦合多级放大电路Q点相互独立,它只能放大交流信号。
()25 放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
()四、分析计算2. 同相输入放大电路如图所示,A为理想运放,电位器Rw用来调节输出直流电位。
① 当Ui=0时,调节电位器,输出直流电压Vo 的可调范围是多少? ② 电路的Auf=?A2MRW 100k1k+15v-15vUiUo3. 电路如图所示,β=100,VBE=0.6V,rbb’=100Ω.试求:① 静态工作点, ② Au, Ri, Ro.Rb1100kRs 4kRc 3kRL3k +-US+VCC++Uic1c2CeRb233k Rf33kRe1.8kUo4. 在图示电路中,A1和A2均为理想运放,试写出Uo 的表达式。
R1R1R2A1A2R2R2R2R2Ui1Ui2Ui3Uo1Uo5. 图示电路中,A 1,A 2,A 3均为理想运放。
① A 1,A 2,A 3分别组成何种基本运算电路; ② 列出V O1,V O2,V O3的表达式。
A100k200k 50k 33kA u o100k100k50k50kA200k100k 50kUi1Ui2Ui3Uo1Uo27. 电路如图所示:① 判断级间反馈组态;② 写出深度负反馈时的电压增益表达式。
A1A2R1R2R3R4RfUoUi9、试说明如下电路中存在哪些反馈支路,并判断其反馈的极性和组态,要求在电路中标出瞬时极性。
10、电路如图所示:1、画出下列电路的交流通路。
2、画出下列电路的直流通路。
3、画出下列电路的微变等效电路。