AOD409替代型号DMPH6050SK3
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ao3401驱动电路5v的电流倒灌问题ao3401驱动电路5v的电流倒灌问题是一个重要且有挑战性的主题。
在本文中,我将全面评估这个问题,并从简到繁、由浅入深地探讨其原因和解决方法。
1. 了解ao3401驱动电路ao3401是一种常见的场效应管,可用于电路中的电压转换和电流控制。
它具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各种电子设备中。
然而,尽管ao3401具有许多优点,却存在着5V供电电路中的电流倒灌问题。
2. 电流倒灌问题的原因在5V供电电路中,通过ao3401的电流如果在关断状态下出现倒灌,会对电路的性能和稳定性产生负面影响。
电流倒灌的原因主要有以下几个方面:a. 外部电源或信号线上的噪声干扰;b. 电感元件中的瞬态电流;c. 线路布局不合理。
3. 影响和解决ao3401电流倒灌问题的因素针对以上原因,我们需要考虑一些因素来解决电流倒灌问题,包括:a. 使用滤波电容来抑制外部噪声干扰;b. 在电感元件两端添加反向并联二极管以消除瞬态电流;c. 优化线路布局,减少因相互干扰而产生的倒灌问题。
4. 解决方法的具体实施为了进一步解决ao3401驱动电路5V电流倒灌问题,我们可以采取以下方法:a. 在ao3401的控制端添加电流限制电阻,以限制电流的倒灌;b. 使用高频率的PWM调制,减少电流倒灌的可能性;c. 选择合适的电容、电感和二极管等元件,以提高电路的稳定性和抗电流倒灌能力。
5. 个人观点和理解对于ao3401驱动电路5V电流倒灌问题,我认为解决这一问题需要全面的技术知识和实践经验。
在设计电路时,我们应该注重细节,合理运用各种技术手段来解决电流倒灌问题。
我们也应该加强对电流倒灌原理和机制的理解,以便更好地应对类似的问题。
总结和回顾:本文深入探讨了ao3401驱动电路5V电流倒灌问题的原因和解决方法。
通过分析影响因素和解决方案的实施,我们可以更好地理解这一问题的本质。
在解决电流倒灌问题时,我们需要注意电路布局和元件选择,同时也需要注重细节和实践经验的积累。
k08t120场效应管参数k08t120场效应管是一种常用的功率场效应管,具有以下参数:1. 最大漏源电压(VDS max):k08t120场效应管的最大漏源电压是120V,这意味着在正常工作条件下,电压不能超过这个值,超过可能会损坏管子。
2. 最大漏源电流(ID max):k08t120场效应管的最大漏源电流是8A,这表示在正常工作条件下,电流不能超过这个值,超过可能会导致过载或烧毁。
3. 静态漏源电阻(RDS on):静态漏源电阻是指在特定工作条件下,k08t120场效应管的漏源电阻值。
这个参数越小,表示管子的导通能力越好,功耗也越小。
4. 输入电容(Ciss):输入电容是指k08t120场效应管的输入端与输出端之间的电容。
这个参数越小,表示管子对输入信号的响应能力越好。
5. 输出电容(Coss):输出电容是指k08t120场效应管的输出端与源极之间的电容。
这个参数越小,表示管子对输出信号的响应能力越好。
6. 反馈电容(Crss):反馈电容是指k08t120场效应管的栅极与漏极之间的电容。
这个参数越小,表示管子的稳定性越好,对高频信号的响应能力也越好。
k08t120场效应管作为一种功率场效应管,广泛应用于电力电子领域。
它具有高电压、高电流和低导通电阻的特点,适用于各种功率放大、开关和逆变等应用。
在实际应用中,我们需要根据具体的工作条件选择合适的k08t120场效应管,以确保电路的稳定性和可靠性。
同时,我们还需要注意管子的散热问题,避免过热引起损坏。
总结起来,k08t120场效应管具有高电压、高电流和低导通电阻等特点,适用于各种功率电子应用。
在选择和使用时,需要关注其最大漏源电压、最大漏源电流、静态漏源电阻、输入电容、输出电容和反馈电容等参数,以确保电路的正常工作和稳定性。
此外,还需要注意管子的散热问题,避免过热引起损坏。
HB2023A 万用空调遥控器IC简介: 该空调万能遥控器是具有全速自动搜索适用机型功能的万能遥控器,适用于世界绝大部分不同品牌、不同型号、不同时期制造的空调机。
¾内置2010年最新代码,适用机型更多,使用范围更广¾品牌直通车¾免设置¾恢复出厂设置¾童锁¾生产自检,方便工厂大批量生产¾真定时开/关机¾时钟¾背光功能¾环保功能方案比较表:IC性能特点 浩博高科技 其他公司 真正省掉发射三极管,内置大功率发射管,为目是 否前市面上驱动电流最大,发射距离最远的IC省掉发射三级管基极电阻是 否省掉复位电路,不用邦定复位脚,也不用接电容是 否省掉发射电路限流电阻(画板可用碳膜代替)是 否 省掉电源VDD 与VSS 间滤波电容 是 否掉电不掉码,按键也不丢码,超长保存时间 是 否无论跌落试验,电池频繁插拔,都永不死机 是 否大厂代工,良率高,性能一致性好,交期稳定 是 否功能说明一, 品牌直通车1、接通空调电源,将遥控器正对着空调机;2、按住对应的品牌键不放, 当听到空调“嘀”的一声开启时立刻松手;3、检查其它功能按键是否工作正常,若正常,则完成设置;如果不正常,请重复步骤2,直到找到最合适的代码。
品牌表模式 格力,长虹风量 美的/东芝,海信手动(上下)风向 松下/乐声,日立自动(左右)风向 志高,三菱,扬子定关 科龙/华宝,奥克斯定开 海尔,富士通快冷 夏普/声宝,惠而浦快热 大金,LG时钟 杂牌机睡眠 华凌,TCL,格兰仕电加热 三洋,NEC,春兰强力 新科,澳柯玛空清 伊莱克斯,三星经济 乐华,开利灯光 约克,麦克维尔二, 自动搜索1.接通空调电源,将遥控器正对着空调机;2.按住【开/关】键不放,代码号开始变化时松手,观察空调机状况,如果空调开启则立即按任意键退出。
3.检查其它功能按键是否工作正常,若正常,则完成设置;如果不正常,请重复步骤2,直到找到最合适的代码。
mcu失去基准电压-回复mcu失去基准电压常见于使用单片机的电子设备中。
基准电压是指为了提供稳定的工作条件而设置的固定电压值。
当基准电压失去时,整个系统的稳定性和功能会受到严重影响。
本文将详细介绍mcu失去基准电压的原因、影响和可能的解决方法。
第一部分:基准电压的重要性在单片机中,基准电压被用来确定其他部分电源电压的参考值,以确保系统正常工作。
基准电压提供给ADC(模数转换器)和DAC(数字模拟转换器)的参考电压,以及时钟电源等各种模块。
这样,基准电压的稳定性将直接影响整个系统的可靠性和精度。
第二部分:失去基准电压的原因mcu失去基准电压的原因可能有多种。
以下是一些常见的原因:1. 电源故障:当mcu的电源电压不稳定或中断时,基准电压也会受到影响。
例如,电池电量耗尽、电源适配器故障、电池接触不良等都可能导致电源故障。
2. 外部干扰:如果mcu周围存在电磁干扰源,例如高功率电磁场或电源线噪音,也可能导致基准电压失去。
3. 元件故障:mcu内部的电容、电阻等元件可能会失效或老化,导致基准电压的变化。
第三部分:失去基准电压的影响mcu失去基准电压将引发一系列严重问题,如下所示:1. 系统稳定性下降:基准电压的丧失将导致整个系统电源电压的不稳定,从而影响各个模块的正常工作。
2. 数据准确性下降:ADC和DAC的参考电压丢失,将导致模拟信号转换的精确度下降,从而影响数据的准确性。
3. 时钟失效:时钟电源通常由基准电压提供,如果基准电压失去,时钟信号将无法正常产生,导致整个系统的时序错误。
4. 功耗增加:由于基准电压失去,各个模块可能会尝试不断重新启动或自动重置,这将增加系统的功耗。
第四部分:解决方案针对mcu失去基准电压的问题,我们可以采取以下解决方案:1. 电源管理:选择质量可靠的电源,并确保电源线路的连接良好。
检查并更换电池或适配器(如果有必要),以确保电源供应正常。
2. 外部滤波:使用电源滤波器或变压器等外部滤波设备,以保持mcu稳定的电源供应,并抵抗外部干扰源的影响。
SIMATICET 200SP 数字量输出模块DQ 4x24VDC/2A HS(6ES7132-6BD20-0DA0)设备手册05/2021A5E32855699-ADSiemens AG Digital Industries Postfach 48 48 90026 NÜRNBERG 德国A5E32855699-ADⓅ 04/2021 本公司保留更改的权利Copyright © Siemens AG 2015 - 2021.保留所有权利法律资讯警告提示系统为了您的人身安全以及避免财产损失,必须注意本手册中的提示。
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合格的专业人员本文件所属的产品/系统只允许由符合各项工作要求的合格人员进行操作。
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必须注意相关文件中的提示。
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ao3401驱动电路5v的电流倒灌问题文章标题:深度解析AO3401驱动电路5V电流倒灌问题1. 引言在电子领域中,AO3401作为一种常见的场效应管,在各种电路中都有着重要的作用。
然而,在使用AO3401驱动电路时,我们常常会遇到5V电流倒灌的问题,这不仅影响了电路的稳定性,还可能对整个系统造成严重的损害。
了解和解决AO3401驱动电路中的5V电流倒灌问题显得尤为重要。
2. AO3401驱动电路概述让我们简要了解一下AO3401在驱动电路中的作用。
AO3401是一种N沟道场效应管,具有低漏极电流和低电压,常用于低压、低功耗的电路中。
在一些场合,我们需要使用AO3401驱动电路来控制一些设备或执行一些动作,但很多时候,会出现5V电流倒灌的问题。
3. 5V电流倒灌问题的原因接下来,让我们来深入分析一下5V电流倒灌问题的原因。
在AO3401驱动电路中,如果不合理地设计电路或者连接方式,就有可能会导致5V电源的电流倒灌,从而影响电路的正常工作。
其中,最主要的原因可能源于电路中的反向电压,以及AO3401的特性和工作方式。
4. 解决5V电流倒灌问题的措施针对5V电流倒灌问题,我们需要采取一系列的措施来解决。
可以考虑在电路中添加反向电压保护器件,以防止5V电流倒灌对AO3401的损害。
合理设计电路连接方式、加入滤波电容等手段也是解决5V电流倒灌问题的有效途径。
对于AO3401本身的工作特性和参数,也需要进行充分的了解和分析,以避免5V电流倒灌问题的发生。
5. 个人观点和总结AO3401驱动电路中的5V电流倒灌问题是一个需要引起重视的技术难题。
只有深入理解问题的根源,采取有效的解决措施,并注重电路设计的合理性,才能有效地避免和解决这一问题。
在实际应用中,我们应当充分考虑AO3401的特性和工作环境,并结合个人实际情况进行合理的选择和优化,以确保电路的稳定性和可靠性。
6. 回顾性总结在本文中,我们对AO3401驱动电路中的5V电流倒灌问题进行了深入的分析和探讨,从原因、解决措施、个人观点等多个角度进行了全面的论述。
单片机io口灌电流-回复单片机的IO口是指微控制器芯片上的引脚,它们可用于输入和输出数据。
IO口的使用非常广泛,可以用于连接各种外围设备,如传感器、显示屏、LED灯等。
在单片机应用中,IO口的灌电流是一个重要的概念。
在本文中,我们将一步一步地回答有关单片机IO口灌电流的问题,并深入探讨其原理和应用。
首先,什么是灌电流?灌电流是指通过单片机IO口的电流。
在正常工作状态下,IO口的电平可以是高电平(比如5V)或低电平(比如0V),而灌电流则是指当IO口处于高阻态时,由于一些外部因素的影响,电流会通过IO口流入或流出。
这种电流可能是由于电磁干扰、静电放电或其他原因引起的。
灌电流可能对单片机的正常工作产生不良影响,因此我们需要理解并控制它。
那么,为什么会有灌电流产生?灌电流的产生是由于IO口的绝缘电阻和外部电路之间存在微小的电容效应。
当IO口处于高阻态时,外部电路的电源电压的微小变化会引起电流的流入或流出。
这种电流非常小,通常以微安为单位,但在一些特殊应用中,比如精密测量或低功耗设计中,灌电流可能成为一个需要特别关注的因素。
接下来,我们将探讨如何测量和控制IO口的灌电流。
首先,测量灌电流需要使用示波器或电流表等仪器。
我们可以将示波器的探头连接到IO口,并将示波器设置为直流耦合模式。
然后,我们可以观察到IO口上的灌电流波形。
如果我们想要控制灌电流,可以采取一些措施,如增加外部电阻、使用滤波电路或调整IO口的驱动能力等。
这些方法可以有效地降低灌电流的大小,以保证单片机的正常工作。
最后,我们将讨论IO口灌电流的应用。
在一些高精度测量应用中,灌电流可能会引入误差。
为了避免灌电流对测量结果的影响,我们可以采取一些补偿方法,如反向测量电流、定期校准或使用特殊的外部电路。
对于低功耗设计,灌电流可能会导致能量消耗过高的问题。
为了节省能源,我们可以通过优化IO口驱动能力或设计低功耗的外部电路来降低灌电流的大小。
在总结中,单片机的IO口灌电流是一个需要关注的问题。
让我们了解一下什么是ao3401驱动电路和电流倒灌问题。
AO3401是一种常用的P沟道场效应管,常用于电源管理电路中。
在一些特定的电路中,当使用AO3401作为开关管来控制5V电压时,可能会出现电流倒灌的问题。
电流倒灌是指当开关管关闭时,电路中的负载电流反向流向电源,导致电源电压异常。
这一现象可能会对电路和系统的稳定性造成影响,因此需要我们深入探讨和解决。
接下来,我们将从以下几个方面来全面评估和探讨AO3401驱动电路5V电流倒灌问题的解决方法。
1. AO3401驱动电路的基本原理AO3401是一种P沟道场效应管,常用于电源管理电路中,具有低导通电阻和高开启速度的特点。
在正常工作状态下,当控制引脚施加高电平时,AO3401导通,从而控制电路中的负载电流;当控制引脚施加低电平时,AO3401截止,电路中的负载电流停止。
然而,当控制引脚突然由高变为低时,可能会出现电流倒灌的问题。
2. 电流倒灌问题的危害和原因分析电流倒灌问题可能会导致电路中的负载电流反向流向电源,造成电源电压异常。
这一问题的主要原因是在AO3401关闭时,电路中的电感或负载的能量无法立即释放完毕,导致负载电流反向流向电源。
这对电路和系统的稳定性造成了影响。
3. 解决电流倒灌问题的方法针对AO3401驱动电路5V电流倒灌问题,可以采取以下几种方法来解决:a. 添加反向并联二极管在AO3401的负载端串联反向并联二极管,可以有效防止电流倒灌问题。
当AO3401关闭时,反向并联二极管能够迅速导通,释放电路中的能量。
这一方法简单易行,成本较低,适用于一般场合。
b. 添加瞬态电压抑制器(TVS)在AO3401的负载端串联TVS,同样可以有效抑制电流倒灌问题。
TVS具有快速响应的特点,能够迅速导通并吸收电路中的能量,防止负载电流反向流向电源。
这一方法适用于对电路稳定性要求较高的场合。
c. 优化布局和设计在电路设计中,合理布局电感和负载,减小电感的大小,加大负载的扼流圈,可以有效减少电流倒灌现象的发生。
单片机adc基准电压-回复单片机ADC基准电压是指在单片机中用于模拟量信号转换为数字量信号的参考电压。
在单片机中,ADC(Analog to Digital Converter)模块是常用的模拟信号转换模块,它可以将连续变化的模拟信号转换成离散的数字信号,供单片机进行数字处理。
在ADC模块中,基准电压是非常重要的参数。
它用来确定ADC模块测量输入电压时的量化精度。
基准电压可以是内部基准电压或外部基准电压,不同的单片机芯片可能具有不同的基准电压选项。
本文将从选择基准电压的原因、不同类型的基准电压以及如何使用基准电压等方面进行详细阐述。
首先,选择基准电压的原因是为了提高ADC的准确度和可靠性。
单片机的ADC模块测量输入电压时,会将其分成不同的量化电平。
这些量化电平的划分是通过参考电压来确定的,即基准电压。
如果基准电压不准确或不稳定,将导致ADC模块输出的数字值不准确或不可靠。
因此,选择适当的基准电压对于获取准确的模拟信号转换是至关重要的。
其次,基准电压可以分为内部基准电压和外部基准电压两种类型。
内部基准电压是由芯片内部提供的,可以通过设置相关的寄存器来选择使用。
内部基准电压的优点是不需要外部电路,大大简化了系统设计。
但是,内部基准电压往往精度有限,通常不能满足一些特殊应用场景的要求。
外部基准电压可以由外部电路提供,通常是通过电压参考源芯片或精密稳压器来实现。
外部基准电压相对于内部基准电压来说,精度更高,稳定性更好,可以满足一些对精度要求较高的应用场景。
但是,使用外部基准电压需要额外的电路设计和布局,增加了系统的复杂性和成本。
然后,如何使用基准电压也是一项关键的任务。
在选择基准电压后,需要将其设置到ADC模块中。
不同的单片机芯片具有不同的设置方式,可以通过写入相关的寄存器或使用特定的API函数来完成。
在设定基准电压后,ADC模块将使用该电压作为参考进行模拟信号转换。
需要注意的是,基准电压的选择应该合理,不过高或过低的基准电压都会导致ADC精度下降。
D409场效应管参数的替代方法在电子工程领域,场效应管(Field-Effect Transistor,FET)是一种至关重要的电子元件,用于放大电信号、开关电路以及其他应用。
D409场效应管作为一种特定型号的FET,在许多电路中被广泛使用。
然而,有时候我们需要替代D409场效应管,可能因为供应问题或性能要求的变化。
在本文中,我们将探讨替代D409场效应管参数的方法,以及一些可用的替代元件。
1. 理解D409场效应管在考虑替代方法之前,我们首先需要了解D409场效应管的参数和特性。
D409是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于低功耗、高频率和低噪声电路。
以下是D409的一些关键参数:1.1 阈值电压(Threshold Voltage)D409的阈值电压是激活其导电特性所需的最小控制电压。
通常,它在1到2伏之间。
1.2 最大漏极电流(Maximum Drain Current)这是D409能够承受的最大漏极电流,通常在数毫安到数十毫安之间。
1.3 开启电阻(On-Resistance)D409的开启电阻是指在导通状态下的电阻值。
它会影响到电路的功耗和效率。
1.4 噪声系数(Noise Figure)对于一些特定应用,尤其是接收机和放大器,D409的噪声系数是一个关键参数。
它决定了信号处理中的噪声水平。
1.5 工作频率范围D409通常适用于高频电路,其工作频率范围在几百兆赫兹到数千兆赫兹之间。
2. 替代D409场效应管参数的方法当需要替代D409场效应管时,我们可以采用多种方法。
下面列出了一些替代方法:2.1 选择类似型号的FET首选的替代方法是选择与D409类似的FET。
这些FET可能具有相似的参数和特性,因此可以在电路中直接替代。
在选择替代型号时,需要注意以下参数:•阈值电压:选择一个阈值电压接近D409的替代型号,以确保相似的控制特性。
•最大漏极电流:确保替代型号的最大漏极电流满足电路要求。
Features∙ Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments∙ 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application∙ Low Q g – Minimizes Switching Loss∙Low R DS(ON) – Minimizes On State Loss∙ Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)∙ Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ∙ Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability∙An Automotive-Compliant Part is Available Under Separate Datasheet (DMPH6050SK3Q )Description and ApplicationsThis new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.∙ Load Switch∙ DC-DC Converters ∙ Motor DrivingTO252 (DPAK)Mechanical Data∙ Case: TO252 (DPAK)∙ Case Material: Molded Plastic, ―Green ‖ Molding Compound; UL Flammability Classification Rating 94V-0 ∙Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020∙ Terminal Finish - Matte Tin Annealed over Copper Leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ∙Weight: 0.315 grams (Approximate)GTop ViewPin Out Top ViewSEquivalent CircuitOrdering Information (Note 4)Notes:1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant. All applicable RoHS exemptions applied.2. See /quality/lead_free.html fo r more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen - and Antimony-free, "Green" and Lead-free.3. Halogen- and Antimony-free "Green‖ products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.4. For packaging details, go to our website at h ttp:///products/packages.html.Marking InformationTO252 (DPAK)= Manufacturer’s MarkingH6050S = Product Type Marking Code YYWW = Date Code MarkingYY = Last Two Digits of Year (ex: 15 = 2015) WW = Week Code (01 to 53)H6050S AOD409替代型号DMPH6050SK3Maximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Notes: 5. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.6. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.7. I AS and E AS rating are based on low frequency and duty cycles to keep T J = +25°C.8. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.9. Guaranteed by design. Not subject to product testing.)A (T N E R R UC N A I RD , D IR D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (Ω)30.025.020.015.010.05.0V GS = -10V V GS = -5.0VV GS = -4.5VV GS = -2.8VV GS = -4.0VV GS = -3.5VV GS = -3.0V30V DS = -5.0V25201510 T A = 175°C T A = 150°C5T A = 125°CT A = 85°C T A = 25°C T A = -55°C0.01 2 3 4 5V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE (V) Figure 1 Typical Output Characteristics11.5 22.5 33.5 44.5 5V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 2 Typical Transfer Characteristics0.090 0.20.180.0800.160.0700.0600.0500.040V GS = -4.5VV GS = -10V0.140.120.1 0.08 0.060.040.0305 10 15 20 25 30I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A) 0.02V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 3 Typical On-Resistance vs. Drain Current and Gate VoltageFigure 4 Typical Transfer Characteristics0.1 0.090.08V GS = -10VT A = 150︒CT A = 175︒C2.221.8V GS = -10V I D = -7A0.070.06 T A = 125︒CT A = 85︒C1.61.4V GS = -4.5V I D = -7A0.05 0.04 0.030.02T A = -55︒CT A = 25︒C1.2 10.80.60.015 10 15 20 25 30I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A) Figure 5 Typical On-Resistance vs. Drain Current and Temperature0.4-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175T J , JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Figure 6 On-Resistance Variation with TemperatureR D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (Ω)R D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (Ω)I D , D R A I N C U R R E N T (A )R D S (O N ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (N O R M A L I Z E D )I D , D R A I N C U R R E N T (A )-7A)V ( E G A T L O V D L O H S E R H T E T A G , H ) TS ( GVA ) (T N E R R U C E C R U O S , S IA) n ( TN E R R U CE G A K A E L , S S DIf = 1 M HzC oss C rss= 17 5°CT A = -55° C= 125°CT A = 25°C I D S S , L E A K A G E C U R R E N T (n A )0.110.10.09 0.080.070.06 0.050.040.03 2.62.42.221.81.61.41.20.02T J , JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Figure 7 On-Resistance Variation with Temperature 1-50 -250 25 50 75 100 125 150 175 T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)Figure 8 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature00.6 0.9 V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V) Figure 9 Diode Forward Voltage vs. Current5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)Figure 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage10864100210V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 11 Typical Junction CapacitanceQ g , TOTAL GATE CHARGE (nC) Figure 12 Gate-Charge CharacteristicsGS = = -4.5 -7AV10V I D= -7AV GS = -T A = 175 °CT A = 150°CT A = 1 25°C= 85°CT A = 2 5°CT A-I D =1mA - I D = 250µA R D S (o n ), D R A I N -S O U R C E O N -R E S I S T A N C E (Ω)C T , J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )I S , S O U R C E C U R R E N T (A )V G S (T H ), G A T E T H R E S H O L D V O L T A G E (V )V G S , G A T E -S O U R C E V O L T A G E (V )θJA = 2.8癈/W t1, PULSE DURATION TIMES (sec) Figure 14 Transient Thermal Resistance 1001010.10.010.11 10100V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V) Figure 13 SOA, Safe Operation Area10.10.011E-061E-051E-040.001 0.01 0.1110t1, PULSE DURATION TIME (sec) Figure 14 Transient Thermal Resistance= 1µsD = 0.7 D = 0.5 D = 0.3D = 0 .1 D = 0.05D = 0.02D = 0 .01 D = 0 .00 5R θJ A (t ) = r(t) * R θJ Singl e P u l s eDut y Cy c l e , D = t1 / t 2D = 0.9 AR θJA = 2.8°C/W I D , D R A I N C U R R E N T (A )r (t ), T R A N S I E N T T H E R M A L R E S I S T A N C EDMPH6050SK36 of 7July 2016DMPH6050SK3LPackage Outline DimensionsPlease see /package-outlines.html for the latest version.TO252 (DPAK)0.508Gauge Plane2.74REFA1Suggested Pad LayoutPlease see /package-outlines.html for the latest version.TO252 (DPAK)DMPH6050SK37 of 7July 2016DMPH6050SK3。