非常齐全用于IGBT驱动和IPM Drivers的光耦型号推荐

飞兆半导体提供FOD3120 和 FOD3150 输出电流分别为 2.5A 和 1.0A 的门极驱动光耦，能够驱动 1200V/20A 的 IGBT 和MOSFET ，适用于太阳能逆变器、电动机驱动以及感应加热等应用场合。

这两种光耦具有同类产品中最好的共模抑制能力，使产品具有更好的抗干扰性能。

由于 FOD3120 和 FOD3150 的脉宽失真度非常小 (100ns)，可以使滤波器尺寸减小，并提高功效，而且能够承受 1414V 的峰值工作电压，适应 1200V IGBT 的开关动作。

这些 MOSFET/IGBT 门极驱动光耦充实了飞兆半导体分立功率 MOSFET 和 IGBT 产品系列，为飞兆客户提供了一站式采购服务。

这联合解决方案在一次回路与二次回路之间提供了 mW 到 kW 的电气隔离。

特征和优势• 宽工作电压范围：15V 到 30V • 高输出电流能力： • FOD3120 – 2.5A • FOD3150 – 1.0A• 5000V 隔离电压等级• 1414V （峰值）工作电压 (UIORM)• 高共模抑制能力：• FOD3120 – 35,000 V/µs 最小值 • FOD3150 – 20,000 V/µs 最小值• 低电源电流 (I CCH , I CCL )• FOD3120 – 3.8mA 最大值 • FOD3150 – 5mA 最大值• 大于 8mm 的爬电距离和电气间隙• 引线间距选项 ‘TV’，表示通孔，DIP 封装• 引线间距选项 ‘TSV’，表示表面贴装，DIP 封装Saving our world, 1mW at a time ™应用领域太阳能逆变器• 电动机传动• 感应烹饪• CC 0201EEANODE CATHODE 12348765商标、服务标志和注册商标属于飞兆半导体或其各自所有者。

关于飞兆半导体商标及相关资料清单，请参阅：/legalLit. No. 100010-001SC © 2008 飞兆半导体，版权所有。

几种用于IGBT驱动的集成芯片2. 1 TLP250（TOSHIBA公司生产）在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。

同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。

因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。

这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。

这里主要针对TLP250做一介绍。

TLP250包含一个GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。

适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。

图2为TLP250的内部结构简图，表1给出了其工作时的真值表。

TLP250的典型特征如下：1）输入阈值电流（IF）：5 mA（最大）；2）电源电流（ICC）：11 mA（最大）；3）电源电压（VCC）：10～35 V；4）输出电流（IO）：± 0.5 A（最小）；5）开关时间（tPLH /tPHL）：0.5 μ s（最大）；6）隔离电压：2500 Vpms（最小）。

表2给出了TLP250的开关特性，表3给出了TLP250的推荐工作条件。

注：使用TLP250时应在管脚8和5间连接一个0.1 μ F的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作，提供的旁路作用失效会损坏开关性能，电容和光耦之间的引线长度不应超过 1 cm。

图3和图4给出了TLP250的两种典型的应用电路。

在图4中，TR1和TR2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V时，TR1和TR2的Icmax≥ 24/Rg。

图5给出了TLP250驱动IGBT时，1 200 V/200 A的IGBT上电流的实验波形（50 A/10 μ s）。

可以看出，由于TLP250不具备过流保护功能，当IGBT过流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。

常用光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

IGBT/MOSFET驱动光耦FOD3120、FOD3150、FOD3180
标签：IGBT驱动，MOSFET驱动，驱动光耦
目前IGBT已经广泛应用在电力电子系统中，比如变频器，电机驱动控制，UPS不间断电源，逆变焊机等产品中，因为其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的特性，故可使用MOSFET 驱动技术进行驱动。

由于IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，使用光耦进行隔离具有体积小、结构简单、应用方便等优点。

当IF输入H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此VO=Vcc – Vtr1=H
此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路
当IF输入L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时VO=Vgnd+Vtr2=L
此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT
逻辑关系如下：
FOD3120具有2.5A的电流输出能力，FOD3150具有1.0A的电流输出能力，而FOD3180不仅具有2.0A的电流输出能力，还具有最大200ns极低延迟的高速特性。

高速光耦型号大全光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL －2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

变频器驱动电路常用的几种驱动IC变频器驱动电路中常用IC，共有为数不多的几种。

可以设想一下，变频器电路的通用电路，必定是主电路（包括三相整流电路和三相逆变电路）和驱动电路，即便是型号的功率级别不同的变频器，驱动电路却往往采用了同一型号的驱动IC，甚至于驱动电路的结构和布局，是非常类似的和接近的。

早期的和小功率的变频器机种，经常采用TLP250、A3120（HCPL3120）驱动IC，部电路简单，不含IGBT保护电路；以后被大量广泛采用的是PC923、PC929的组合驱动电路，往往上三臂IGBT采用PC923驱动，而下三臂IGBT则采用PC929驱动。

PC929含IGBT检测保护电路等；智能化程度比较高的专用驱动芯片A316J，也在大量机型中被采用。

通过熟悉驱动IC的引脚功能和掌握相关的检测方法，达到对驱动电路进行故障判断与检测的能力，以及能对不同型号的驱动IC应急进行代换与修复。

一、TLP250和HCPL3120驱动IC：8 Vcc 7 Vo 6 Vo5 GND8 Vcc7 Vo6 Vo5 GND8 Vcc7 Vo6 NcTLP250 HCPL3120/ J312 HCNW3120图1 三种驱动IC的功能电路图TLP250：输入IF电流阀值5mA，电源电压10∽35V，输出电流±0.5A，隔离电压2500V，开通/关断时间（t PLH/t PHL）0.5μs。

可直接驱动50A1200V的IGBT模块，在小功率变频器驱动电路中，和早期变频器产品中被普遍采用。

HCNW3120（A3120）：与HCPL3120、HCPLJ312部电路结构相同，只是因选材和工艺的不同，后者的电隔离能力低于前者。

输入IF电流阀值2.5mA，电源电压15∽30V，输出电流±2A，隔离电压1414V，可直接驱动150A/1200V的IGBT模块。

三种驱动IC的引脚功能基本一致，小功率机型中可用TLP250直接代换另两种HCNW3120和HCPL3120，大多数情况下TLP350、HCNW3120可以互换，虽然它们的个别参数和部电路有所差异，如TPL250的电流输出能力较低，但在变频器中功率机型中，驱动IC往往有后置放大器，对驱动IC的电流输出能力就不是太挑剔了。

1Mbps高速光耦TLP104，TLP2404，TLP714，TLP754 IPM驱动光耦东芝提供非常适合应用于智能功率模块（IPM）隔离接口的光耦。

IPM驱动光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。

因此，您可找到最适合您需求的光耦，可满足驱动IPM 的各种输入配置（电平等级）。

1Mbps IPM驱动光耦：TLP104(SO6)，TLP2404(SO8)，TLP714(SDIP6)，TLP754(DIP8)TLP109，TLP719，TLP7595Mbps IPM驱动光耦：TLP2355，TLP2405，TLP715，TLP2955TLP2358，TLP2408，TLP718，TLP2958IPM驱动光耦的特点：具有低电平和高电平IPM接口共模抑制（CMR）达20kV/µs传播延迟为200ns的快速开关1．具有低电平和高电平IPM接口市场上有售的IPM或有一个高电平控制输入（当高电平时打开一个内部IGBT）也或者具有一个低电平控制输入（当低电平时打开一个内部IGBT）。

东芝提供的IPM驱动光耦，能为高电平IPM提供同相输出（当LED输入打开时产生高输出）也能为低电平IPM 提供反相输出（当LED输入打开时产生低输出）。

您可以使用具有适当输出配置的光耦对系统板进行改编以适合不同的IPM，而无需使用一个干扰逆变器IC。

省略片上逆变器IC即可使得不同产品能共用相同的板设计。

2．保证共模抑制达20kV/µs因为IPM控制输入会随着dv/dt的大小而变，所以用于直接驱动的光耦要求共模抑制高于10kV/µs。

在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。

为提供高于10kV/µs的共模抑制，东芝的多数IPM驱动光耦在光电探测器芯片中有一个屏蔽层。

这些光耦非常适合应用于IPM控制信号的接口。

特别是TLP2355和TLP2358，能提供高达20kV/µs的共模抑制。

高速光耦型号大全(转贴）默认分类 2009-03-30 11:04 阅读2507 评论5 字号：大大中中小小光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光耦简介及常见型号光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。

光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。

非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。

线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。

开关电源中常用的光耦是线性光耦。

如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。

由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

同时电源带负载能力下降。

在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。

PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。

常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。

经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。

光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。

几种用于IGBT驱动的集成芯片之袁州冬雪创作2. 1 TLP250（ TOSHIBA公司生产）在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等 . 同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中 IGBT实现过流保护等功能 . 因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低 . 这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的 TLP250，夏普公司生产的 PC923等等 . 这里主要针对 TLP250做一介绍 .TLP250包含一个 GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器， 8脚双列封装结构 . 适合于 IGBT 或电力 MOSFET栅极驱动电路 . 图 2为 TLP250的内部结构简图，表 1给出了其工作时的真值表 .TLP250的典型特征如下：1）输入阈值电流（IF）： 5 mA（最大）；2）电源电流（ICC）： 11 mA（最大）；3）电源电压（VCC）： 10～ 35 V；4）输出电流（IO）：± 0.5 A（最小）；5）开关时间（tPLH /tPHL）：0.5 μ s（最大）；6）隔离电压：2500 Vpms（最小）.表2给出了TLP250的开关特性，表3给出了TLP250的推荐工作条件.注：使用 TLP250时应在管脚 8和 5间连接一个0.1 μ F的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作，提供的旁路作用失效会损坏开关性能，电容和光耦之间的引线长度不应超过 1 cm.图 3和图 4给出了 TLP250的两种典型的应用电路 .在图 4中， TR1和 TR2的选取与用于 IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V 时，TR1和 TR2的Icmax≥ 24/Rg.图 5给出了 TLP250驱动 IGBT时，1 200 V/200 A的IGBT上电流的实验波形（50 A/10 μ s） . 可以看出，由于TLP250不具有过流呵护功能，当 IGBT过流时，通过节制信号关断 IGBT， IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击 . 这将会产生很大的 di/dt和开关损耗，而且对控制电路的过流保护功能要求很高 .TLP250使用特点：1） TLP250输出电流较小，对较大功率 IGBT实施驱动时，需要外加功率放大电路 .2）由于流过 IGBT的电流是通过其它电路检测来完成的，而且仅仅检测流过 IGBT的电流，这就有可能对于 IGBT的使用效率产生一定的影响，比如 IGBT在安全工作区时，有时出现的提前保护等 .3）要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快，一般由过电流发生到 IGBT可靠关断应在10 μ s以内完成 .4）当过电流发生时， TLP250得到控制器发出的关断信号，对 IGBT的栅极施加一负电压，使 IGBT 硬关断 . 这种主电路的 dv/dt比正常开关状态下大了许多，造成了施加于 IGBT两端的电压升高很多，有时就可能造成 IGBT的击穿 .2.2 EXB8..Series（ FUJI ELECTRIC公司生产）随着有些电气设备对三相逆变器输出性能要求的提高及逆变器自己的原因，在现有的许多逆变器中，把逆变单元 IGBT的驱动与呵护和主电路电流的检测分别由不同的电路来完成 . 这种驱动方式既提高了逆变器的性能，又提高了 IGBT的工作效率，使 IGBT更好地在安全工作区工作 . 这类芯片有富士公司的 EXB8..Series、夏普公司的 PC929等 . 在这里，我们主要针对EXB8..Series做一介绍 .EXB8..Series集成芯片是一种专用于 IGBT的集驱动、保护等功能于一体的复合集成电路 . 广泛用于逆变器和电机驱动用变频器、伺服电机驱动、 UPS、感应加热和电焊设备等工业领域 . 具有以下的特点：1）不同的系列（标准系列可用于达到 10 kHz开关频率工作的 IGBT，高速系列可用于达到40 kHz开关频率工作的 IGBT） .2）内置的光耦可隔离高达 2 500 V/min的电压 .3）单电源的供电电压使其应用起来更为方便 .4）内置的过流保护功能使得 IGBT能够更加平安地工作 .5）具有过流检测输出信号 .6）单列直插式封装使得其具有高密度的安装方式 .常用的 EXB8..Series 主要有：标准系列的EXB850和 EXB851，高速系列的 EXB840和 EXB841. 其主要应用场合如表 4所示 .注： 1）标准系列：驱动电路中的信号延迟≤ 4 μ s2）高速系列：驱动电路中的信号延迟≤ 1.5 μ s图 6给出了 EXB8..Series的功能方框图 .表 5给出了 EXB8..Series的电气特性 .表6给出了 EXB8..Series工作时的推荐工作条件 .表 6 EXB8..Series工作时的推荐工作条件图 7给出了 EXB8..Series的典型应用电路 .EXB8..Series使用分歧的型号，可以达到驱动电流高达400 A，电压高达1200 V的各种型号的IGBT.由于驱动电路的信号延迟时间分为两种：尺度型（EXB850、EXB851）≤ 4μs，高速型（ EXB840、 EXB841）≤ 1 μ s，所以标准型的 IC适用于频率高达 10 kHz的开关操作，而高速型的 IC适用于频率高达 40 kHz的开关操作 .在应用电路的设计中，应注意以下几个方面的问题：—— IGBT栅射极驱动电路接线必须小于 1 m；—— IGBT栅射极驱动电路接线应为双绞线；——如想在IGB集电极发生大的电压尖脉冲，那末增加IGBT栅极串联电阻（ Rg）即可；——应用电路中的电容 C1和 C2取值相同，对于 EXB850和 EXB840来说，取值为33 μ F，对于EXB851和 EXB841来说，取值为47 μ F. 该电容用来吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化 . 它不是电源滤波器电容 .EXB8..Series的使用特点：1） EXB8..Series的驱动芯片是通过检测 IGBT在导通过程中的饱和压降 Uce来实施对 IGBT的过电流保护的 . 对于 IGBT的过电流处理完全由驱动芯片自身完成，对于电机驱动用的三相逆变器实现无跳闸控制有较大的帮助 .2） EXB8..Series的驱动芯片对 IGBT过电流保护的处理采用了软关断方式，因此主电路的 dv/dt 比硬关断时小了许多，这对 IGBT的使用较为有利，是值得重视的一个优点 .3） EXB8..Series驱动芯片内集成了功率放大电路，这在一定程度上提高了驱动电路的抗干扰能力 .4） EXB8..Series的驱动芯片最大只能驱动 1 200V /300 A的 IGBT，并且它本身并不提倡外加功率放大电路，另外，从图 7中可以看出，该类芯片为单电源供电， IGBT的关断负电压信号是由芯片内部产生的－ 5 V信号，容易受到外部的干扰 . 因此对于 300 A以上的 IGBT或者 IGBT并联时，就需要考虑别的驱动芯片，比如三菱公司的M57962L等 .图 8给出了 EXB841驱动 IGBT时，过电流情况下的实验波形 . 可以看出，正如前面介绍过的，由于 EXB8..Series芯片内部具备过流保护功能，当 IGBT过流时，采用了软关断方式关断IGBT，所以 IGBT中电流是一个较缓的斜坡下降，这样一来， IGBT关断时的 di/dt明显减少，这在一定程度上减小了对控制电路的过流保护性能的要求 .2. 3 M579..Series（ MITSUBISHI公司生产）M579..Series是日本三菱公司为 IGBT驱动提供的一种 IC系列，表 7给出了这种系列的几种芯片的基本应用特性（其中有＊者为芯片内部含有Booster电路） .在 M579..Series中，以 M57962L为例做出一般的解释 . 随着逆变器功率的增大和结构的复杂，驱动信号的抗干扰能力显得尤为重要，比较有效的办法就是提高驱动信号关断 IGBT时的负电压，M57962L的负电源是外加的（这点和EXB8..Series不同），所以实现起来比较方便 . 它的功能框图和图 6所示的 EXB8..Series功能框图极为类似，在此不再赘述 . 图 9给出了 M57962L在驱动大功率 IGBT模块时的典型电路图 . 在这种电路中， NPN和 PNP构成的电压提升电路选用快速晶体管（tf≤ 200 ns），并且要有足够的电流增益以承载需要的电流 .在使用 M57962L驱动大功率 IGBT模块时，应注意以下三个方面的问题：1）驱动芯片的最大输出电流峰值受栅极电阻 Rg的最小值限制，例如，对于 M57962L来说，Rg的允许值在 5 Ω 左右，这个值对于大功率的IGBT来说高了一些，且当 Rg较高时，会引起 IGBT 的开关上升时间 td(on)、下降时间 td(off)以及开关损耗的增大，在较高开关频率（ 5 kHz以上）应用时，这些附加损耗是不可接受的 .2）即便是这些附加损耗和较慢的开关时间可以被接受，驱动电路的功耗也必须考虑，当开关频率高到一定程度时（高于 14 kHz），会引起驱动芯片过热 .3）驱动电路缓慢的关断会使大功率 IGBT模块的开关效率降低，这是因为大功率 IGBT模块的栅极寄生电容相对比较大，而驱动电路的输出阻抗不够低 . 还有，驱动电路缓慢的关断还会使大功率 IGBT模块需要较大的吸收电容 .以上这三种限制可能会产生严重的后果，但通过附加的 Booster电路都可以加以克服，如图9所示 .从图 10（ a）可以看出，在 IGBT过流信号输出以后，门极电压会以一个缓慢的斜率下降 . 图 10（ b）及图 10（ c）给出了 IGBT短路时的软关断过程（集电极－发射极之间的电压 uCE和集电极电流 iC的软关断波形）0 引言随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管(IGBT)已广泛应用于开关电源、变频器、电机节制以及要求疾速、低损耗的范畴中.IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET和GTR的优点：输入阻抗高，驱动功率小，通态压降小，工作频率高和动态响应快.今朝，市场上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高压、功率大的特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置的首选功率器件.1 驱动呵护电路的原则由于是电压节制型器件，因此只要节制ICBT的栅极电压便可使其守旧或关断，而且守旧时维持比较低的通态压降.研究标明，IGBT 的平安工作区和开关特性随驱动电路的改变而变更.因此，为了包管IGBT靠得住工作，驱动呵护电路至关重要.IGBT驱动呵护电路的原则如下.(1)动态驱动才能强，能为栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲；(2)守旧时能提供合适的正向栅极电压(12~15V)，关断时可以提供足够的反向关断栅极电压(一5V)；(3)尽量少的输入输出延迟时间，以提高工作效率；(4)足够高的输入输出电气隔离特性，使信号电路与栅极驱动电路绝缘；(5)出现短路、过流的情况下，具有活络的呵护才能.今朝，在实际应用中，普遍使用驱动与呵护功能合为一体的IGBT专用的驱动模块.2 集成驱动模块为了处理IGBT的靠得住驱动问题，世界上各厂家丌发出了众多的IGBT集成驱动模块.如日本富士公司的EXB系列，三菱电机公司的M57系列，三社电机公司的GH系列，美国国际整流器公司的TR系列，Unitrode公司的UC37系列以及国产的HL系列.以下是几种典型的集成驱动模块.2.1 EXB841模块的分析EX841高速驱动模块为15脚单列直插式布局，采取高隔离电压光耦合器作为信号隔离，外部布局图如图l所示，其工作频率可达40 kHz，可以驱动400 M600 V以内及300 A/l200 V的IGBT管，其隔离电压可达2500AC/min，工作电源为独立电源20±1V，外部含有一5V稳压电路，为ICBT的栅极提供+15V的驱动电压，关断时提供一5V的偏置电压，使其靠得住关断.当脚15和脚14有10 mA电畅通过时，脚3输出高电平而使IGBT在1μs内导通；而当脚15和脚14无电畅通过时，脚3输出低电平使IGBT关断；若ICBT导通时因承受短路电流而退出饱和，Vce迅速上升，脚6悬空，脚3电位在短路后约3．5μs后才开端软降.EXB841典型应用图如图2所示，电容C1、C2用于吸收高频噪音.当脚3输出脉冲的同时，通过疾速二极管D1检测IGBT的C—E间的电压.当Vce>7V时，过流呵护电流节制运算放大器，使其输出软关断信号，在10μs内将脚3输出电平降为O.因EXB841无过流自锁功能，所以外加过流呵护电路，一旦发生过流，可通过外接光耦TLP521将过流呵护信号输出，颠末一定延时，以防止误动作和包管停止软关断，然后由触发器锁定，实现呵护.缺点：EXB84l过流呵护阀值过高，Vce>7V时动作，此时已远大于饱和压降；存在呵护肓区；在实现止常关断时仅能提供一5V偏压，在开关频率较高、负载过大时，关断就显得不成靠；无过流呵护自锁功能，在短路呵护时其栅压的软关断过程被输入的关断信号所打断.2．2 M57962L模块的分析M57962AL是一种14脚单列直捕式布局的厚膜驱动模块，其外部布局图如图3所示.它由光耦合器、接口电路、检测电路、定时复位电路以及门关断电路组成，驱动功率大，町以驱动600A/600V及400A/l200V等系列IGBT模块.M5796AL具有高速的输入输出隔离，绝缘电压也可达到AC2500V/min；输入电平与TTL电平兼容，适于单片机节制；外部有定时逻辑短路呵护电路，同时具有延时呵护特性；采取双电源供电方式，相对于EXB84l来讲，虽然多使用一个电源．但IGBT可以更靠得住地通断.典型应用图如图4所示.当驱动信号通过脚14和脚13时，颠末高速光耦隔离，由M57962AL内置接口电路传输至功率放大极，在M57962AL的脚5发生+15V开栅和一10V关栅电压，驱动IGBT通断.当脚1检测到电压为7V时，模块认定电路短路，当即通过光耦输出关断信号，使脚5输出低电平，从而将IGBT的G—E两头置于负向偏置，靠得住关断.同时，输出误差信号使故障输出端(脚8)为低电平，从而驱动外接的呵护电路工作.延时2～3s后，若检测到脚13为高电平，则M57962AL恢复工作.稳压管DZ1用于防止D1击穿而损坏M57962AL，Rg为限流电阻，DZ2和DZ3起限幅作用，以确保靠得住通断.比较：与EXB841相比，M57962AL需要双电源(+15V，一1OV)供电，外周电路复杂.而正是因为M57962AL可输出一10V的偏压，使得IGBT靠得住地关断；别的，M57962AL具有过流呵护自动闭锁功能，而且软关断时间可外部调节，而EXB84l的软关断时间无法调节.所以M57962AL较EXB841更平安、靠得住.2.3 HL402模块的分析HL402是17脚单列直插式布局，内置有静电屏蔽层的高速光耦合器实现信号隔离，抗干扰才能强，响应速度快，隔离电压高.它具有对IGBT停止降栅压、软关断双重呵护功能，在软关断及降栅压的同时能输出报警信号，实现封锁脉冲或分断主回路的呵护.它输出驱动电压幅值高，正向驱动电压可达15～17V，负向偏置电压可达10～12V，因而可用来直接驱动容量为400A/600V及300A/1200V以下的IGBT.HL402布局图如图5所示.图5中，VL1为带静电屏蔽的光耦合器，它用来实现与输入信号的隔离.由于它具有静电屏蔽，因而显著提高了HL402抗共模干扰的才能.图5中U1为脉冲放大器，S1、S2实现驱动脉冲功率放大，U2为降栅压比较器，正常情况下由于脚9输入的IGBT集电极电压VCE不高于U2的基准电压VREF，U2不翻转，S3不导通，故从脚17和脚16输入的驱动脉冲信号经S2整形后不被封锁.该驱动脉冲经S2、S2放大后提供给IGBT使其导通或关断，一旦IGBT退饱和，则脚9输入集电极电压给IGBT使其导通或关断，而且脚9输入的集电极电压采样信号VCE高于U2的基准电压VREF，比较器U2翻转输出高电平，使S3导通，由稳压管DZ2将驱动器输出的栅极电压VGE降低到10V.此时，软关断定时器U3在降栅压比较器U2翻转达到设定的时间后，输出正电压使S4导通，将栅极电压软关断降到IGBT的栅射极门限电压，给IGBT提供一个负的驱动电压，包管IGBT靠得住关断.HL402典型应用图如图6所示.在实际电路中，C1、C2、C3、C4需尽量地接近H1402的脚2、脚l、脚4装置.为了防止高频耦合及电磁干扰，由HL402输出到被驱动IGBT栅射极的引线需要采取双绞线或同轴电缆屏蔽线，其引线长度不超出1m.脚9和脚13接至IGBT集电极的引线必须分开走，不得与栅极和发射极引线绞合，以免引起交叉干扰.光耦合器L1可输入脉冲封锁信号，当L1导通时，HLA02输出脉冲当即被封锁至-10V.光耦合器L2提供软关断报警信号，它在躯动器软关断的同时导通光耦合器L3，提供降栅压报警信号.使用中，通过调整电容器C5、C6、C7的值，可以将呵护波形中的降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率时间调整至合适的值.在高频应用时，为了防止IGBT受到多次过电流冲击，可在光耦合器L2输出数次或1次报警信号后，将输入脚16和脚17间的信号封锁.小结：以上三者中，M57962AL和HL402都采取陶瓷基片黑色包装，EXB841采取覆铜板黄色包装，由于陶瓷基片的散热性能和频率特性比覆铜板好，HL402的负载才能和散热性能最好，加之合理的规划设计，在三者中的工作频率最高，呵护功能最全，而EXB841和M57962AL都没有降栅压呵护功能.别的，HL402和M57962AL提供负偏压的稳压管，放于外部，既有矫捷性又提高了靠得住性，而EXB841的稳压管在外部，常常因稳压管的损坏而失效.因此，HL402凭借其优越的性能可以补偿别的二者的缺陷.2．4 GH-039模块的分析GH-039采取单列直插式12脚封装，功耗低、工作中发热很小，可以高密度使用它采取单电源工作，内置高速光耦合器，带有软关断过流呵护电路，过流呵护除闭锁自身输出外，还给出供用户使用的同步输出端.它可以用来直接驱动300A/600V以下的IGBT模块.其外部布局图如图7所示，工作原理与EXB和M57系列模块相近似，这里不再赘述.而与EXB系列和M57系列的模块分歧的是该模块已含有呵护后发送报警或动作信号的光耦合器，所以使用中不需要像EXB和M57系列的模块外接光耦合器，因而更加方便，其性能比EXB 和M57系列的模块在呵护性能上更加优越；在靠得住性方面，由于GH-039是单电源供电，不克不及提供负偏压，从而导致ICBT不克不及靠得住地关断.与HL402相比，CH-039呵护功能还不完善，它也同EXB841和M57962AL一样无降栅压呵护.因此，GH-039驱动模块也是有缺陷的.GH-039典型接线图如图8所示.工作电源VCC为26V；为了坚持电压稳定，滤波电容器应尽量接近GH一039模块装置和使用，且其电容值不克不及小于10μF，并应选用高质量的电容；串入GH-039脚12与ICBT集电极之间的二极管D1，应选超疾速恢复二极管，而且要包管其反向耐压不低于ICBT的集电极与栅极之间的额定电压；为防止所毗连的过流呵护端子光电隔离器的误动作，应在D1与GH一039的脚12之间串入100Ω的电阻；接于脚lO与脚12之间的D2选用超疾速恢复二极管，其反向耐压可以低于IGBT的集射极间耐压. 2．5 其他驱动器(1)IR系列驱动器 IR系列驱动器主要是为驱动桥臂电路而设计的，该芯片具有14脚，DIP封装.它具有过流呵护和欠压呵护功能，特别是它具有自举浮动电源大大简化了驱动电源的设计，只用一路电源即可驱动多个功率器件.其缺点是自己不克不及发生负偏压，当用于驱动桥式电路时，由于米勒效应的作用，在守旧与关断时刻，容易在栅极上发生干扰，造成桥臂短路；别的IR系列驱动器采取了不隔离的驱动方式，在主电路的功率器件损坏时，高压能够直接串入驱动器件，致使驱动模块及前极电路损坏.(2)UC37系列驱动器该系列驱动器一般由UC3726和UC3727两片芯片配对使用，其工作频率较高，但在两芯片之间需增加脉冲变压器，给电路的使用和设计带来方便，因此该系列驱动器在我同并未得到推广.3 结语通过以上分析比较，可得到如下结论.(1)以上6个系列的驱动器均能实现对IGBT的驱动与呵护；(2)EXB84l外周电路简单，仅需单电源供电，是最早进入我国市场的ICBT驱动模块，技术成熟，应用广泛；(3)EXB841与M57962AL在IGBT关断期间均能在栅极上施加负电压，进一步包管了IGBT的靠得住关断；(4)EXB841、M57962AL、GH一039和HL402都是自身带有对IGBT 停止退饱和及过流呵护功能的ICBT驱动模块，且都是通过检测IGBT 集射极间的电压来完成呵护功能的.但EXB841、M57962AL、GH一039在ICBT出现退饱和或过流时，仅可停止软关断的呵护.而HL402不单能停止软关断呵护，还可停止降栅压呵护.因此，HL402是四者中呵护功能最强，呵护功能设计最合理和呵护性能使用最方便的IGBT驱动器；(5)驱动相同个数的IGBT功率开关时，IR系列所需工作电源最少，但不具有负偏压，容易造成桥臂短路，适用于小功率驱动场合.。

小体积高隔离能力的IGBT驱动光耦FOD8320、FOD8321
关键词：IGBT驱动光耦，小体积IGBT驱动光耦
FOD8320/FOD8321是仙童的一款IGBT驱动光耦，输出电流能达到2.5A,由于采用了SO 5L 封装，因此它具有和DIP封装的光耦一样，达到5000 VRMS的隔离能力，因为其具有10mm 以上的爬电距离，并且采用了平面式的封装技术。

通常状况下为了缩小产品体积，一般采用SOP封装，但其隔离能力为3750 VRMS，这对于一些要求较高的安规可能比较难过，因此只得选用DIP封装FOD3120，FOD3120的隔离能力能打到5000 VRMS，但庞大的体积使它不利于在一些空间较小封装的产品中使用，因此，像这种情况，采用FOD8320是合适的。

相比DIP封装的FOD3120，SO 5L封装的FOD8320具有相同的隔离能力，但是它具有更小的体积。

节省PCB面积占用空间减少隔离能力
FOD8320比FOD3120 25% 50% 相同（5000 VRMS）
FOD8320和FOD8321能输出2.5A的电流，因而适合用来驱动一些大、中功率的IGBT和MOSFET，故可应用在工业变频器和家电用变频器、各种电源中等。

下图是一个FOD8320驱动IGBT模块中其中一个IGBT的原理图：。

变频器常用光耦1：输入控制模块可采用普通晶体管输出的光耦对操作模块与单片机进行隔离，能有效的提高抗干扰与安全性能，晶体管输出的典型型号有EL817，EL357N,EL3H7等型号供选择。

2：IGBT逆变模块可使用IGBT驱动光耦直接对IGBT进行驱动，使得电路特别简单，可选型号有HCPL316J,HCPL3120，PC923,PC929,TLP250等。

3：检测与保护在变频器工作过程中，需要实时对电流，电压，温度等一系列参数进行监控，HCPL-7840，TLP559，6N136，6N137等高速光耦具有极快的转换速度，非常适合电压电流实时检测。

利用光耦6N137和电阻降压电路采集逆变器U、V、W三相输出对直流环节负极N的电压信号，这样三相信号都变为单极性SPWM电压脉冲，便于与单向光耦匹配。

单极性SPWM脉冲电压经小电容滤波后便成为如图所示的比较平滑的正弦半波信号，它反映了逆变器交流电压(半波)的瞬时值，然后送相应的CPU或ASIC处理，根据需要既可以得到电压的瞬时值，也可以计算出电压的有效值。

既能满足控制的需要，又可以满足显示计量的需求。

例如，日本Sanken公司研究的电压矢量控制变频器就是利用这种电路完成对交流输出电压的测量，控制效果良好。

同时，在电源缺相和接地故障检测以及过热检测电路中也有光耦的应用。

电源缺相和接地故障检测常用的方法是通过套在主回路(输入或输出)上的电流互感线圈检测三相电流平衡程度来实现的，其原理图见上图。

正常时光耦截止输出为1。

当某相电源对地漏电或缺相时，由于三相电流不平衡检测线圈会感应出电势，光耦P512导通，发出故障信号。

功率稍大的风冷式变频器中的散热系统一般都是由多个散热器组成，并配备轴流风机。

每一块散热器上各安装一只热敏元件，如图中所示的PTH1~PTH3，有些变频器在主控板上也安装一只热敏元件，如图16中所示的PTH4。

四只热敏元件串联后接光耦元件EL817。

正常状态下，热敏元件为常闭触点，光耦导通输出信号为0;当散热片过热时热敏元件断开，光耦截止，输出信号为1，该信号经RC滤波后去关闭IGBT的驱动信号并通知CPU发出过热报警信号。

台湾光宝光耦型号光宝达林顿输出光耦型号如下:LTV-355T-V，LTV-352T-V，LTV-352T-TP，LTV-352T，LTV-725FS-TA1，LTV-355T，LTV-852S，LTV-852S-TA1，LTV852STA1-V，LTV852S-V，LTV8D52-V，LTV-715F，LTV852M-V，LTV-852，LTV-845S，LTV-845，LTV-815S-TA1，LTV-815S，LTV-815M，LTV-815，LTV-8141S-TA1，LTV-8141S，LTV-8141，LTV-725VS，LTV-8D52S-TA1，LTV8D52M-V，LTV-8D52M，LTV-8D52，LTV-825S-TA1，LTV-825M，LTV-825，LTV-725VS-TA1，LTV-715FM，LTV-725FM，LTV-715FS，LTV-725F，LTV-725VM，LTV-725FS，LTV-725V，LTV852-V，LTV-8141M，LTV8D52S-V，LTV8D52STA1-V，LTV-825S，LTV-8D52S，LTV-845M，LTV-852M光宝高速输出光耦型号如下:6N135-L，6N139-L，6N138-L，6N137-L，6N136-L光宝晶体管输出光耦型号如下:6N136-L ，CNY17-2S，CNY17-2M，CNY17-2，CNY17-1M，CNY17-1，CNY17-3S，4N37-V，4N37S-V，4N37S-TA1-V，4N35-V，4N35S-V，4N35S-TA1-V，4N35S-TA1，CNY17F-1M-V，CNY17F-2S-TA1，CNY17F-2S，CNY17F-2M，CNY17F-1-V，CNY17F-1STA-V，CNY17-3-V，CNY17F-1M，CNY17F-1，CNY17-4S-TA1，CNY17-4M，CNY17-4，CNY17F-2STA1-V，LTV-851，4N25S-TA1，4N25S，4N25M-V，4N25M，LTV-851S，4N25S-V，LTV-819-2S-TA1，LTV-819-2S，LTV-819-2，LTV-819-1S-TA1，LTV-819-1M，4N35S，4N27M，4N35M-V，4N35，4N28S-TA1，4N27S，4N25-V，4N26-V，4N26S-V，4N26S-TA1-V，4N26M，4N26，LTV-819-1，LTV-4N37，LTV-702FS-TA1，LTV-702FS，LTV702FM-V，LTV-702FM，LTV-702F，LTV702FSTA1-V，LTV-4N28S-TA，H11D1S-TA1，H11D1M，H11A5S-TA，H11A5S，H11A5，LTV-724FM，LTV-733S-TA1，LTV-733M，LTV-733HS-TA1，LTV-733HS，LTV-733，LTV702F-V，LTV-724F，LTV702V-V，LTV702VSTA1-V，LTV-702VS，LTV-702V，CNY17F-2STA-V，CNY17F-3S-TA1，CNY17F-4S-TA1，CNY17F-4M，CNY17F-3-V-V，CNY17F-3S-V，CNY17F-3STA-V，CNY17F-4-V，CNY17F-3S，CNY17F-3M-V，CNY17F-3M，CNY17F-2-V，CNY17F-2S-V，H11A4M，H11A3，H11A4，H11A3S-TA，H11A3S，H11A3M，H11A1M，H11A2S-TA1，H11A2S-TA，H11A2S，H11A1S-TA，H11A1S，4N27，LTV-844，LTV844-V，LTV844S-V，LTV-844S，LTV844M-V，LTV-844M，LTV-844HS，LTV-844H，LTV-846，LTV-829S-TA1，LTV-829M，LTV827-V，LTV827S-V，LTV827STA1-V，LTV-827S，LTV827M-V，LTV826-V，LTV847-V，LTV-814HS，LTV-814HM，LTV-814H，LTV-814，LTV-849S，LTV-849M，LTV-849，LTV-846M，LTV-847S，LTV-847M，LTV-847，LTV846-V，LTV846S-V，LTV-846S，LTV846M-V，LTV-814HS-TA1，LTV-357T-B，LTV-357T-TP1，LTV-357T-G，LTV-357T-D-G，LTV-357T-D，LTV-357T-C-G，LTV-357T-C，LTV-357T-B-G，LTV-357T-V，LTV-357T-A-G，LTV-357T，LTV-356T-V，LTV-356T-TP1，LTV-356T-G，LTV-356T，LTV-354T-TP1，LTV826STA1-V，LTV824STA1-V，LTV-826S-TA1，LTV-826S，LTV826M-V，LTV-826，LTV824-V，LTV824S-V，LTV-358T，LTV-824S-TA1，LTV-824S，LTV-824M，LTV-824HS-TA1，LTV-824HM，LTV-824H，LTV-358T-V，LTV817X-V，LTV816M-V，LTV817XA-V，LTV-817X-A，LTV814S-V，LTV-817S-TA1，LTV-814X，LTV-817X，LTV-816S-TA，LTV-816-AT，LTV-816S-TA1，LTV816STA1-V，LTV-817S-TP-B，LTV-816-CT，LTV817M-V，LTV-816-DT，LTV-817S，LTV-817X-D，LTV814M-V，LTV817XL-V，LTV-817X-L，LTV816X-V，LTV-814S，LTV817XD-V，LTV817XB-V，LTV817XC-V，LTV-817S1-TA，LTV-817X-C，LTV814STA1-V，LTV-816S，LTV-702VM，LTV702VM-V，LTV702VS-V，4N28，LTV702FS-V，LTV-826M，4N27S-TA1，LTV-826S-TA，4N28M，4N28S，LTV826S-V，LTV-4N26，LTV-827M，LTV817S-V，LTV-819-1S，LTV-819-2M，LTV-851M，LTV-851S-TA1，4N25，LTV-817X-B，4N25S-TA1-V，LTV817-V，LTV-824，LTV817STA1-V，LTV-733S，LTV-824HS，4N26S，LTV-733HM，LTV-733H，4N26S-TA1，LTV-724FS-TA1，LTV-724FS，LTV824M-V，LTV-817S-TP-A，LTV-814M，CNY17-1S，LTV847M-V，CNY17F-3，LTV814-V，CNY17-1S-TA1，CNY17F-3STA1-V，CNY17-2S-TA1，LTV-816-BT，CNY17F-4，CNY17F-4M，CNY17F-4S，CNY17F-4STA1-V，CNY17F-4STA-V，LTV-814S-TA1，CNY17-4S，CNY17F-1S，CNY17F-1S-TA1，CNY17F-1STA1-V，CNY17F-1S-V，LTV847S-V，CNY17F-2，CNY17-3S-TA1，CNY17F-2M-V，CNY17-3M，CNY17-3，H11D1S，H11A5M，LTV-829，H11A4S，H11A4S-TA，H11A4S-TA1，LTV816S-V，H11A3S-TA1，LTV816-V，4N35M，H11A5S-TA1，H11D1，LTV-816X，CNY17F-4S-V，H11A1S-TA1，H11A1，4N37S-TA1，4N37S，4N37M-V，LTV-829S，H11A2，H11A2M，4N37M，LTV-844HM，4N37光宝三级与SCR输出光耦型号如下:MOC3022，MOC3021，MOC3083S-TA1，MOC3022S-TA1，MOC3052，MOC3023S-TA1，MOC3023M，MOC3023，MOC3052M，MOC3022S，MOC3022-A，MOC3021S-TA1，MOC3021S，MOC3021M，MOC3083M，MOC3063S，MOC3083，MOC3063-V，MOC3063S-V，MOC3063STA1-V，MOC3063S-TA1，MOC3052M-A，MOC3063M-V，MOC3063M，MOC3052S-TA1，MOC3022M，MOC3023S，MOC3052S，MOC3083S。