南京邮电大学模电总复习PPT

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模拟电子技术基础(复习)PPT课件

3. 通频带 4. 定量计算
9
❖第2章基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对象是动态信号，却要晶体管在信号为零时有合适的直流
动态信号驮载在静态之上
电流和极间电压？设置合适的静态工
与iC变化方向相反
作点，首先要解决失真问题，但Q点几乎影响着所有的动态参数！
3
❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
4
❖第1 章常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
8
❖第2章基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
12
❖第2章基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射大
β 中大窄
共集小于1 1＋β
大小中
共基大
α 小大宽
13
第三章多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级

《模拟电路总复习》课件

信号干扰问题
总结词
信号干扰是模拟电路中常见的问题之一，可能导致信号失真或电路性能下降。
详细描述
信号干扰的原因可能包括电磁干扰、电源噪声、接地不良等。解决这个问题的方法是采取相应的抗干扰措施，如增加滤波器、使用屏蔽线、优化电路板布局和接地设计等。此外，还可以通过软件算法对信号进行去噪和补偿，提高信号的稳定性和可靠性。
详细描述
模拟电路在通信领域中用于信号的传输和处理，如调制解调器、滤波器等；在电子领域中用于音频、视频信号的处理和放大；在电力领域中用于电源管理、电机控制等；在控制领域中用于模拟控制系统的设计和实现。
模拟电路的发展趋势
要点一
总结词
模拟电路的发展趋势包括集成化、智能化和绿色化。
要点二
详细描述
随着集成电路技术的发展，模拟电路正朝着集成化的方向发展，越来越多的功能被集成在一个芯片上。同时，随着人工智能和物联网技术的发展，模拟电路正朝着智能化的方向发展，具有自适应、自学习等功能。此外，随着环保意识的提高，模拟电路的设计和生产也正朝着绿色化的方向发展，注重节能减排和环保。
03 模拟电路分析方法
交流分析方法
交流分析方法定义
交流分析方法重要性
交流分析方法主要研究模拟电路在交流信号作用下的动态特性。
交流分析方法是模拟电路分析中的重要环节，对于理解电路的工作原理和设计优化具有重要意义。
交流分析方法应用
通过交流分析方法，可以确定电路的增益、输入输出阻抗、频率响应等参数，评估电路的性能。
谢谢聆听
二极管、晶体管
二极管
二极管是一种具有单向导电性的半导体元件，它只允许电流在一个方向上流动。常见的二极管有硅管和锗管。
晶体管

南邮模电c期末复习第三章

0.02m
ICQ IBQ 100 0.02 2m
UCEQ UCC ICQ RC 12 2 3 6V
2. 静态工作点的图解分析法
直流图解分析是在晶体管特性曲线上，用作图的方法确定出直流工作点，并求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。
以左图为例，说明如何通过图解分析法确定放大电路的静态工作点。
地收集载流子。
c
c
2. 外部条件
b
b
NPN
PNP
发射结(eb结)正偏集电结(cb结)反偏
e
e
UC ＞ UB＞ UE UC ＜ UB ＜ UE
共射输出特性曲线可分为4个区域(饱和区、放大区、截
止区、击穿区)。
iC/mA uCE=uBE
饱4
和区3
放
击
大
2
区
1
穿区
0
5
10 15 截止区
iB=-ICBO uCE/V
RC=RL=2kΩ, RE=1kΩ, UCC=12V, β=80, rbb′=100Ω, Rs=0.6kΩ, 试求直流工作点ICQ, UCEQ及Au, Ri, Ro和Aus 等项指标。
直流通路
解: 画出直流通路，用估算法计算静态工作点Q：
UB

RB 2 RB1 RB2
U CC

25 12 75 25
c 集电极 collector
NPN
b
c
N
集电区
base
集电结
e
b
P
基极
基区
N+
发射区
发射结
发射极箭头方向是指发射结正偏时的电流方向
PNP

模拟电子技术基础-总复习最终版

R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章基本放大电路
知识点： 1、放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计

《模拟电子技术》期末总复习PPT课件

{ 硅管： IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管： IsA级
•电压当量（室温下）： UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻：
rD
26mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM； • 反向电流IR； • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件： • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max，(或偏压大于稳压电压） • 加限流电阻R
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移
•导通电压硅（Si）: U 0.6 ~ 0.8V
锗（Ge）： U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）
正向电流
I
I eU D /UT s
（2）加反向电压：扩散<漂移，（耗尽层变宽）
《模拟电子技术》期末总复习
总要求：抓住基本概念基本知识和基本分析方法；注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 • 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂
'
(RL ' RC / /RL )(需看射极是否有偏置电阻及旁路电容）

模电总复习PPT课件

（3）求解（A或uf
）A。usf
U i U f （串联负反馈） Ii If （并联负反馈）
X i 0
（若是串联反馈将反馈网络与输入端连接处断开，求出反馈电压；若是并联反馈，将反馈网络与输入端连接处接地，求出反馈电流。）
第19页/共33页
三、负反馈对放大电路性能的影响及引进合适负反馈的方法 ⒈负反馈对放大电路性能的影响
①有从输入到输出的放大通路； ②有从输出回到输入的反馈通路；或输入输出回路有公共元件（支路）。
第16页/共33页
⒉ 判是交流、直流还是交直流反馈
方法：画交直流通路。
直流反馈：交流反馈：交直流反馈：
只存在于直流通路中的反馈；只存在于交流通路中的反馈；在交直流通路中都存在的反馈。
⒊ 判是电压还是电流反馈—输出端
五、乘法器电路的分析必须要保证在电路中引入负反馈
六、熟练掌握滤波器的概念及一阶低通滤波器电路的分析。
低通滤波器（LPF）
整流滤波
高通滤波器（HPF）
阻容耦合
带通滤波器（BPF）
通信电路
带阻滤波器（BEF）
抗已知频率的干扰
第24页/共33页
1、滤波器的对偶性
将LPF的电阻和电容互换，就可得一阶HPF、简单二阶HPF、压控电压源二阶HPF电路。
瞬时极性简易法：先假定输入信号处于某一瞬时极性，然后判断出电路中其它有关各点信号的瞬时极性，
①对于串联反馈，如果反馈端的瞬时极性与输入端瞬时极性相同，为负反馈；否则，为正反馈。
② 对于并联反馈，如果反馈端的瞬时极性与输入端瞬时极性相同，为正反馈；否则，为负反馈。
场效应管的三个电极极性与晶体管一致
重要分析题型一、二极管电路分析方法

模拟电子技术复习.ppt

I E
(4) 共基极直流电流放大系数α。

IC
IE
• 温度对少数载流子影响明显，温度升高时，少数载流子增加。
• ＩＣＢＯ是由少数载流子形成的。故当温度上升时, ＩCBO也上升。
• 温度对ＵＢＥ、ＩＣＢＯ、β的影响, 将严重影
响三极管的工作状态。
• 《学习指导与题解》典型题举例。 • 作业
• 简单电压比较器的传输特性，会分析输入、输
出波形
－∞
uI
＋
＋
uO
UR
－∞
UR
＋
＋
uO
uI
(a) 反相比较器
(b) 同相比较器
uO UOH
uO UOH
O
UR
uI
O
UR
uI
－ UOL
－ UOL
(a) 图 7-32a()的传输特性
(b) 图 7-32b()的传输特性
uI UR O uO ＋UOH
– 对输出电阻的影响
• 电压负反馈使输出电阻减小 • 电流负反馈使输出电阻增大
– 减小非线性失真和抑制干扰、噪声
第五章集成运算放大器
• 产生零点漂移的原因 • 差动放大电路的特性 • 恒流源的特性 • 了解放大器组成及各元件的作用
• 零漂产生的原因，是因为三极管的参数受温度的影响。
• 差动放大电路靠电路的对称性来消除零漂。
（2）共集电路具有电压跟随的特点（电压放大倍数小于1），输入电阻很高，输出电阻很低。利用它的输入电阻高的特点，用做多级放大电路的输入级，可以减小对信号源的影响；还可以放在多级放大电路的中间，起隔离作用。另外，利用它的输出电阻低、带负载能力强的特点，作输出级。

模电总复习最终PPT课件

1、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
2.73k
Au
(Rc ∥RL ) rbe (1 )Rf
7.7
Ri Rb1 ∥Rb2 ∥[rbe (1 )Rf ] 3.7k
Ro Rc 5k
（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；
A u 减小，
Au
RL' Rf Re
≈－1.92。
5.（电1）路求如解图Q4所点示、，A u晶、体Ri管和的Ro；＝60，r bb ' =100Ω。
解：（1）√ （2）× （3）√ （4）×
2、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
（2）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83
B. 91
C. 100
解：（1）A ，C （2）A （3）C
4、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号上中下
放大电路的输出都毫无变化；（）

模拟电路复习提纲PPT课件

5.对于电压放大器来说，( )越小，电路的带负载能力越强。
A、输入电阻 B、输出电阻 C、电压增益
D、电流增益
6.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是( )放大电路。
A、共射极
B、共集电极 C、共基极
D、共射-共基
第2章自测题（三）
7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的PN结【】。 A、必须正偏 B、必须反偏 C、可以任意偏置 D、与漏源电压极性一致 8.某场效应管的转移特性如下图所示，则该管是【】场效应管。 A、增强型NMOS B、耗尽型NMOS C、增强型PMOS D、耗尽型PMOS
则电流ID约为( )。
A、11mA
B、20mA
C、10.1mA
D、20.1mA
6.如右图所示电路中，已知电源电压 E=4V 时,I=1mA。那么当电源电压 E=8V 时,
电流I的大小将是( )。
A、I =1mA B、I >1mA C、1mA <I <2mA D、I >2mA
7.二极管整流电路是利用（
PCM,最大集电极电流ICM和极间反向击穿电压UCBO、UCEO、UEBO
第2章三极管及其放大电路基础
放大电路：放大电路放大的本质是能量的控制与转换，是在输入信号的作用下，通过放大电路将直流电源的能量转换成负载所获得的能量。放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。能够控制能量的元件称为有源器件。
8.场效应管按结构可分
、
料可分为
、
。
；从工作性能可分、
；从基片材
9.结型场效应管利用栅源极间所加的 (反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压UGS为 (正值、负值、零) 。

南邮模电课件-第1章--晶体二极管及其基本电路

28
第1章半导体二极管及其基本电路
耗尽区
耗尽区
P＋
N
P
N＋
(a)
(b)
图1―8不对称PN结
29
第1章半导体二极管及其基本电路
1―2―2 PN 一、PN结加正向电压— forward bias
IF P 区
外电场
N区内电场
限流电阻
外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。
及外加电场的强度等因素决定。
21
第1章半导体二极管及其基本电路
二、扩散电流（扩散运动） 1．定义：因某种原因使半导体中的载流子的浓度分布不均匀时，载流子从浓度大的地方向浓度小的地方作扩散运动，形成的电流。 2．扩散电流主要取决于载流子的浓度差（即浓度梯度）。浓度差越大，扩散电流越大，而与浓度值无关。
18
第1章半导体二极管及其基本电路
nn pn ni2
pn
ni2 nn
ni2 ND
对P型半导体，多子pp与少子np有
pp np ni2
np
ni2 pp
ni2 NA
(1―2a)
(1―2b) N型半导体，施
主浓度
(1―3a)
(1―3b) P型半导体，受
主浓度
19
第1章半导体二极管及其基本电路
本征半导体受外界能量（热、电、光等能量）激发，同时产生电子、空穴对的过程称为本征激发。
二、本征载流子浓度 1．复合：在本征半导体中，由于本征激发，不断产生
电子、空穴对，使载流子密度增加。与此同时，又会有相反的过程发生。由于正负电荷相吸引，电子会填入空穴成为价电子，同时释放出相应的能量，从而消失一对电子、空穴，这一过程称为复合。

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典型习题： 8-2， 8-4
第9章直流稳压电源
复习要点（1）整流、滤波、串联反馈型线性稳压电路的工作原理和三端稳压器的使用。（2）单相半波整流电路、全波整流电路，桥式整流电路相关电压电流的计算。典型习题： 9-1，9-2
复习要点
（1）场效应管的工作原理、特性和参数。（2）场效应管的小信号模型。（3）MOS场效应管组成的三种基本组态放大器的
电路组成、工作原理以及主要的性能特点。（4）图解分析法和解析法（等效电路分析法）
典型习题： 2-5，2-10，2-12
3
第三章双极型晶体管及其放大电路
复习要点
（1）双极型晶体管的工作原习要点（1）负反馈的概念。（2）会判断级间反馈的反馈极性，反馈类型。（3）会分析负反馈对放大电路性能的影响；（4）会计算深度负反馈放大器的性能指标。
典型习题： 6-1，6-9，6-15
第7章集成运算放大器的应用
复习要点（1）理想集成运放的概念及其“虚短”和“虚断” 的两个重要特性。（2）信号模拟运算的结构、工作原理和分析方法。（3）电压比较电路的结构、工作原理和分析方法。
（2）双极型晶体管的直流模型和交流小信号电路模
型。（3）双极型晶体管组成的三种基本组态放大器的电路组成、工作原理以及主要的性能特点。（4）图解分析法和等效电路分析法。（5）计算放大器的增益、输入输出阻抗。（6）分析和计算多级放大器的性能指标。（7）分析直流工作点与放大器非线性失真的关系
典型习题：3.18，3.23，3.34
4
第四章频率响应
复习要点（1）频率响应的概念（2）放大器的低频、中频和高频等效电路（3）晶体管频率参数、共射电路频率响应
典型习题： 4-1，4-4
5
第5章集成运算放大器电路
复习要点（1）集成运放的组成和基本特点。（2）集成运放中常用的镜像电流源、比例电流源等基本单元电路的结构、工作原理和分析方法。（3）差分放大电路的电路组成、分析方法及性能特点。典型习题： 5-2， 5-4 ， 5-6
2017-2018-1 模拟电子线路A
总复习
第一章半导体二极管及其应用复习要点
（1）晶体二极管的工作原理、特性和参数。（2）晶体二极管的大信号和小信号模型。（3）晶体二极管和稳压管构成的基本电路的组成、
工作原理及分析方法。
典型习题
1-4，1-7 ，1-10
2
第二章场效应管及其放大电路
典型习题： 7-1，7-8 ，7-20
第8章功率放大器
复习要点（1）功率放大电路的特点、分类及工作状态（静态工作点，导通角）。（2）OCL（较多）、OTL电路各项性能指标的计算以及极限参数的计算，包括输出功率，最大输出功率，电源提供的功率，转换效率和最大管耗的参数计算。（3）甲类功率放大电路各项性能指标的计算。