二、基本概念和理论知识点
1、氢原子可见光谱（巴尔末系），玻尔氢原子理论假设（三点假设）。
巴尔末系
,4,3
,)
1
2
1
(
1
2
2
=
-
=
=n
n
R
λ
σ
三点假设：
假设一电子在原子中，可以在一些特定的轨道上运动而不辐射电磁波，这时原子处于稳定状态（定态），并具有一定的能量.
假设二电子以速度在半径为的圆周上绕核运动时，只有电子的角动量等于的整数倍的那些轨道是稳定的.
假设三当原子从高能量Ei的定态跃迁到低能量
2、实物粒子德布罗意波的统计观点（概率波）及实验验证（电子衍射试验）。
3、泡利不相容原理和能量最小原理（多电子原子中电子排布的基本原则）。
4、单晶Si和Ge的晶格结构（晶格类型和价键特点），GaAs的晶格结构（晶格类型和价键特点）。
硅、锗：共价半导体晶体结构：金刚石型结构
结构特点：每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原子处于正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键结构。
GaAs：两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线方向彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。（共价键，具有离子键成分）
5、金属、半导体和绝缘体的不同（禁带宽度和导带电子填充程度）。
6、半导体有效质量的特点（正负，大小与内外层电子的关系）。
有效质量的正负与位置有关。
能带底部附近，有效质量为正；能带顶部附近，有效质量为负。
有效质量的大小与共有化运动的强弱有关。
能带越窄，二次微商越小，有效质量越大（内层电子的有效质量大）；能带越宽，二次微商越大,有效质量越小（外层电子的有效质量小）。
7、半导体中载流子种类（电子和空穴，空穴重点）。
8、半导体中杂质存在形式（替位式和间隙式）。
9、半导体中施主杂质和受主杂质，重点浅杂质能级。
施主杂质有效玻尔半径
H n r D
a m m a *0ε=
受主杂质有效玻尔半径
H p r A a m m a *0ε=
10、本征半导体的费米能级的推导过程（普适公式和电中性条件）。
11、非简并半导体，导电机制（以杂质电离为主还是以本征激发为主）的五个温区。
1，低温弱电离区 2，中间（等）电离区 3，强电离区 4，过渡区：（强电离区→本征激发） 5，高温本征激发区
12、半导体的主要散射机构（电离杂质中心散射和晶格振动散射）。
13、扩散流密度S ，扩散电流密度J ，二者关系（概念）。 ()n n d n x S
D dx ∆=- dx x p d D S p
p )(∆-=
扩散电流密度J:()p p
d p x J qD dx ∆=- ()n n d n x J qD dx ∆=
14、pn 结的动态平衡过程（平衡pn 结的建立过程）（几点重要内容）。
扩散流密度S:
P区和N区的空穴和电子浓度相差很大，形成扩散运动；
扩散运动导致过渡区域产生空间电荷区（耗尽区）；
空间电荷区导致接触电位差和内建电场；
接触电位差和内建电场使电子和空穴作漂移运动，漂移运动的方向与扩散运动相反；
内建电场的强度恰好使扩散运动和漂移运动的速度相等，达到动态平衡，形成平衡PN结。
15、pn结的三种击穿机理。
雪崩击穿（与电场强度和势垒区宽度有关）
隧道击穿（齐纳击穿）
热电击穿（反向饱和电流随温度的升高而迅速增大）
16、理想MIS结构的模型，MIS结构的五种表面电场效应。
（1）金属与半导体间的功函数差为零；
（2）在绝缘层内没有任何电荷，且绝缘层完全不导电；
（3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。
17、半导体的两种本征吸收模式（直接跃迁和间接跃迁，参与粒子）。
只有光子参与电子跃迁时，跃迁前后电子波矢相等，称为直接跃迁或垂直跃迁
间接带跃迁：电子、光子和声子共同参与跃迁过程
18、半导体的光吸收，光电导和光生伏特效应（基本概念）。
1，电子吸收光子能量后在不同能量状态之间跃迁
2，本征吸收产生电子-空穴对，从而引起光电导
3，用适当波长的光照射非均匀半导体（例如pn结），由于势垒区中内建电场的作用（不加外电场），依据外回路电阻的大小，可以检测出光生电流，或者得到光生电压。这种由内建电场引起的光电效应，称为光生伏特效应。
