栅极驱动IR2103

IR2110驱动IGBT的电路图
如图是IR2110驱动IGBT的电路。

如图（b）为IR21l0内部等效电路；如图（a）电路采用自举驱动方式，VD1为自举二极管，C1为自举电容。

接通电源，VT2导通时Cy通过VDt进行充电。

这种电路适用于驱动较小容量的IGBT。

对于IR2110，当供电电压较低时具有使驱动器截止的保护功能。

自举驱动方式支配着VT2的导通电压，因此电压较低的保护功能是其必要条件。

若驱动电压较低时驱动IGBT，则IGBT就会发生热损坏。

VD1选用高速而耐压大于600V的ERA38-06、ERB38-06等二极管。

C1容量可
根据下式进行计算
式中，QG为VT1的电荷量，Ucc为低压端电压，UCES（ON）为VT2的导通电压，U L为。

基于IR2130的MOSFET驱动电路设计张加岭; 李善波; 侯颖钊; 赵杰; 张宁; 苗飞【期刊名称】《《电气传动自动化》》【年(卷),期】2017(039)006【总页数】5页(P32-35,44)【关键词】MOSFET; 驱动电路; IR2130; 设计【作者】张加岭; 李善波; 侯颖钊; 赵杰; 张宁; 苗飞【作者单位】国网徐州供电公司江苏徐州221000【正文语种】中文【中图分类】TM711 引言电力电子装置的小型化对功率开关器件的工作频率提出了越来越高的要求，各种全控型功率器件相继出现，已经在开关变换器中得到了广泛应用。

MOSFET是一种单极性器件，没有少数载流子的存储效应，工作频率可达几十kHz至MHz，具有驱动功率小、功率容量大等优点。

应用在逆变器上的MOSFET能比其他功率元件提供更好效益，其中包括高载流能力，并能与逆并联二极管配合使用。

本文提出了一种工作频率为16kHz且具有较强负载驱动能力和抗干扰能力的MOSFET隔离性驱动电路[1]。

2 MOSFET工作原理金属－氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor，MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET根据其“通道”极性的不同分为“N 型”和“P型”两大类。

MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，因此它的第一个显著特点是驱动电路简单，需要的驱动功率小。

其第二个显著特点是开关速度快，工作频率高。

图1 平面N沟道增强型MOSFET要使增强型N沟道MOSFET工作，需在 G、S之间加正电压 VGS，在D、S之间加正电压VDS，则可产生正向工作电流ID。

改变VGS的电压可控制工作电流ID。

若先不接VGS（即VGS＝0），在D与S极之间加一正电压VDS，则漏极D与衬底之间的PN结处于反向，漏源之间不能导电。

3 IR2110驱动电路设计
IR2110是一种高压高速功率MOSFET 驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内部 功能原理框图如图1所示。

它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压保护和自举电路等部分。

各引出端功能分别是：1端(LO)是低通道输出；2端(COM)是公共端；);3端(VCC)是低端固定电源电压；5端(US)是高端浮置电源偏移电压；6端(UB)是高端浮置电源电压；7端(HO)是高端输出；9端(VDD)是逻辑电路电源电压；10端(HIN)是高通道逻辑输入；11端(SD)是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护；12端(LIN)是低通道输入；13端(VSS)是逻辑电路的地端。

如图所示：在BUCK 变换器中只需驱动单个MOEFET ，因此仅应用了IR2110的高端驱动，此时将12端(LIN)低通道输入接地、1端(LO)低通道输出悬空。

5端(US)和6端(UB)间连接一个自举电容C1，自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用。

正常工作时，电源对自举电容C1的充电是在续流二级管D1的导通期间进行。

此时，MOEFET 截止，其源极电位接近地电位，,+12v 电源通过D2给C1充电，使C1上的电压接近+12v ，当MOEFET 导通而D1截止时，C1自举，D2截止，C1上存储电荷为IR2110的高端驱动输出提供电源。

实际应用中，逻辑电源VDD 接+5V ，低端固定电源电压VCC 接+12V ；对驱动电路测试时需将VS 端接地。

自举电容C1的值不能太小，否则其上的自举电压达不到12V ，驱动脉冲的幅值不够！自举电容通常为1F μ和0.1F μ并联使用或（105）1F μ。

ir2110驱动电路原理
IR2110是一种高电压高速引脚互补MOSFET驱动IC，适用于驱动具有高开关速度和高电流能力的功率MOSFET。

它提供了一个高性能的H桥驱动器，可用于单个H桥或者连接成半桥或全桥配置。

IR2110的工作原理如下：
1. 控制信号输入：IR2110通过输入引脚VIN和低侧引脚COM 接收来自控制器的输入信号。

VIN接收控制器提供的PWM信号，用以控制上下通道的切换；COM引脚连接到地。

2. 上下通道驱动：IR2110有两个独立的通道，分别用于驱动上通道和下通道的MOSFET。

MOSFET的源极分别连接到电源和地，源极电压由高侧引脚VCC提供，这样可以有效地驱动MOSFET的开关动作。

3. 高低侧驱动：IR2110在高低侧通道都使用了互补驱动，以实现更高的开关速度和驱动性能。

高侧通道通过引脚HO和LO驱动上通道的N沟道MOSFET，低侧通道通过引脚HO和LO驱动下通道的P沟道MOSFET。

4. 死区控制：IR2110内置了一个死区控制器，用于避免上下通道同时开启或关闭导致的短路。

死区时间由外部电阻和电容控制。

5. 输出：上通道和下通道的驱动信号可以通过引脚HO和LO
输出，用于连接到功率MOSFET的栅极。

通过以上原理，IR2110能够提供高效的驱动电路，实现高速、高电流的功率MOSFET的开关控制。

三相逆变桥的驱动选用IGBT 作为逆变器件，开关频率高，导通损耗小，电压型器件，驱动信号一般要十几V 才能都驱动管子。

方案一、IR2111IR2111是功率MOSFET 和IGBT 专用栅极驱动集成电路，采用一片IR2111可完成两个功率元件的驱动任务，其内部采用自举技术，使得功率元件的驱动电路仅需一个输入级直流电源即可实现对同相两个逆变器件的驱动，非常适合作为三相全控桥的驱动电路。

IR2111的引脚图如图3-16所示。

图3-16 IR2111引脚图引脚介绍如下：（1）CC V ：IR2111供电电源，以15V 为最佳。

CC V 降低至10V ，IR2111也能工作，但会增加IGBT 的开关损耗。

（2）IN ：控制信号的输入端，输入等效电阻很高，可直接连接来自微处理器、光耦或其它控制电路发出的信号。

逻辑输入信号与CMOS 电平兼容，在Vcc 是15V 时，0～6V 的电压为逻辑0；6.4～15V 的电压为逻辑1。

输入端电压为逻辑1时，IR2111输出端HO 输出高电平，驱动上管；输出端LO 输出低电平，关闭下管。

输入端电压为逻辑0时，情况正好相反。

IR2111内部设置了700ns 的死区时间（Deadtime ），可防止上下管直接导通造成短路事故。

（3）COM ：接地端，直接和下管MOSFET 的源极S 或IGBT 的发射极相连。

HO 、LO 分别是上、下管控制逻辑输出端，逻辑正时输出典型电流为250mA ，逻辑负时输出典型电流为500mA ，输出延迟时间不会超过130ns 。

（4）HO 、LO ：分别是上、下管控制逻辑输出端，逻辑正时输出典型电流为250mA ，逻辑负时输出典型电流为500mA ，输出延迟时间不会超过130ns 。

（5）B V 、S V ：B V 是为高压侧悬浮电源端，S V 是高压侧悬浮地，它们的电位会随上管的导通、截止而变化，变化幅度可高达约600V [23]。

V IN图3-17 IR2111驱动IGBT 典型电路IR2111的典型电路图如图3-17所示，图中上管HO 接到高电压端的IGBT ，下管LO 接到低电压端的IGBT 。

ir2101strpbf是一种电子元件，常用于驱动高压IGBT或MOSFET。

它具有双通道、高速和低反转波形失真的特点，在各种工业应用中被广泛使用。

在本文中，我们将介绍ir2101strpbf的使用方法，帮助您更好地理解和应用这一元件。

一、ir2101strpbf的基本性能参数ir2101strpbf是一种双通道驱动器，具有以下基本性能参数：1. 工作电压：10V至20V2. 最大输出电流：210mA3. 输出峰值电流：2A4. 输出峰值电压：20V5. 工作温度范围：-40℃至125℃二、ir2101strpbf的引脚功能和连接方式ir2101strpbf的引脚一共有8个，分别为HO, LO, VS, COM, VB, VCC, IN和SD。

其中，HO和LO为驱动输出端，VS和COM为高、低侧驱动器的电源端，VB为反相器的电源端，VCC为逻辑输入端的电源端，IN为接受逻辑输入的端口，SD为关断保护引脚。

在使用ir2101strpbf时，需要按照以下连接方式进行连接：1. 将HO连接至高侧功率MOSFET或IGBT的门极，LO连接至低侧功率MOSFET或IGBT的门极。

2. VS和COM需要接入电源电压，VB接入反相器的电源电压。

3. VCC接入逻辑输入端的电源电压，IN接收逻辑输入信号。

4. SD接入一个适当的电阻用于关断保护。

三、ir2101strpbf的使用注意事项在使用ir2101strpbf时，需要注意以下事项：1. 确保连接的电源电压在规定范围内，避免过高或过低的电压对元件造成损害。

2. 确保逻辑输入信号的幅值和频率符合规格书中的要求，避免过大或过小的信号对元件造成损害或性能下降。

3. 在布局和连接时，要注意防止电磁干扰和电源噪声对驱动器的影响，保证整个系统的稳定性和可靠性。

4. 对于高压、高频率和高功率的应用，需要特别注意元件的散热和安全问题，避免过热和短路等情况的发生。

四、ir2101strpbf的应用领域ir2101strpbf可广泛应用于各种需要高速、低失真的功率开关控制电路中，例如：1. 三相逆变器2. 电机驱动器3. 换流电源4. 频率变换器5. 电力因数校正器6. 太阳能逆变器在这些应用中，ir2101strpbf可以有效地驱动功率开关器件，提高系统的运行效率和稳定性。

驱动芯片IR2110功能简介您现在的位置是：主页>>>电子元器件资料>>>正文在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

IR2110引脚功能及特点简介内部功能如图4.18所示:LO（引脚1）:低端输出COM（引脚2）:公共端Vcc（引脚3）:低端固定电源电压Nc（引脚4）: 空端Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压VB (引脚6):高端浮置电源电压HO（引脚7）:高端输出Nc（引脚8）: 空端VDD（引脚9）:逻辑电源电压HIN（引脚10）: 逻辑高端输入SD（引脚11）:关断LIN（引脚12）:逻辑低端输入Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0VNc（引脚14）:空端IR2110的特点：（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有V的便移量。

（5）工作频率高，可达500KHz。

（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。

（7）图腾柱输出峰值电流2A。

IR2110的工作原理IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入；电平平移及输出保护。

如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。

尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。

高端侧悬浮驱动的自举原理：IR2110驱动半桥的电路如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC的滤波电容。

假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1 VCC）。

当HIN为高电平时如图4.19 ：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。

ir2110strpbf 使用方法
IR2110STRPBF是英飞凌（Infineon）的一款栅极驱动IC，也是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低侧参考输出通道。

这款IC的使用方法需要根据具体的应用场景和电路设计进行确定，具体的步骤可能会因应用而异。

一般来说，使用IR2110STRPBF需要遵循以下步骤：
1. 确定应用需求：根据具体的应用需求，确定需要驱动的功率器件（如MOSFET或IGBT）以及所需的驱动电路参数（如输入电压范围、输出电压范围、输出电流等）。

2. 电路设计：根据应用需求进行驱动电路的设计，包括选择合适的电容器、电阻器和二极管等元件，以及确定电路的布线和布局。

3. 配置IR2110STRPBF：根据电路设计，配置IR2110STRPBF的输入和输出引脚以及相关参数。

具体的配置方法可以参考英飞凌（Infineon）提供的官方数据手册或技术指南。

4. 测试和调试：在将IR2110STRPBF应用于实际电路之前，需要在测试平台上进行测试和调试。

测试内容包括验证驱动电路的功能、检查
IR2110STRPBF的输出波形和性能指标等。

5. 应用与维护：将调试通过的IR2110STRPBF应用到实际电路中，并根据需要进行定期维护和检查。

需要注意的是，具体的使用方法可能会因应用而异，因此建议在使用前仔细阅读英飞凌（Infineon）提供的官方数据手册和技术指南，并遵循其推荐的使用方法和注意事项。

如有需要，可以寻求专业工程师的帮助和支持。

IR2102是一款高性能双路低侧驱动器，专为驱动MOSFET和IGBT而设计。

其高速和高电流驱动能力使其适用于各种应用领域，如电机驱动、逆变器和电源等。

以下是IR2102使用手册的简介：
一、产品特性
1.高速驱动能力：IR2102具有高达500V/ns的峰值输出电流能力，能够快速
驱动MOSFET和IGBT，提供高效的开关速度。

2.低侧驱动：IR2102是一款低侧驱动器，适用于低侧开关拓扑。

3.高电流驱动：IR2102能够提供高电流输出，以满足各种大功率应用的需
求。

二、使用步骤
1.引脚排列与连接：根据需要连接MOSFET或IGBT的引脚，并按照正确的引脚
排列进行连接。

2.电源与接地：将IR2102的电源与接地引脚正确连接到电源和地线。

3.输入信号：将控制信号输入到IR2102的输入引脚，以控制MOSFET或IGBT
的开关状态。

4.配置与调整：如有需要，可以通过配置引脚来调整IR2102的工作模式和参
数。

三、注意事项
1.确保电源电压与IR2102的额定电压相匹配，避免过电压或欠电压情况。

2.在连接MOSFET或IGBT时，确保其额定参数与实际应用相匹配，以避免过流
或过热情况。

3.在使用过程中，注意避免任何形式的机械应力或振动，以免对IR2102造成
损坏。

电调的损坏现象有所不同，但不管电调是什么样的损坏现象，我们检测和维修的步骤是大同小异的。

电调的损坏部位一般有以下几个地方，BEC ，单片机的供电，推动马达驱动（MOS），对于PCB已经烧焦掉的，建议报废，电调损坏，最常见的是MOS烧坏，所以第一步就应该检查并更换损坏的MOS，建议更换同一批次的，这样一致性比较好。

只有先修复MOS驱动部分，才可以继续维修其他部分，否则插电就冒烟，你怎么继续修？？除非你有额外的MOS驱动板，才可以先检查前级板。

有的电调烧后，明显可以看到MOS烧坏的痕迹，有的不明显甚至看不出来，最好的方法是用热风拆焊台把全部MOS拆下来，逐个检查好坏，当然也可以用功率比较大的烙铁，但这样比较麻烦。

MOS的检测方法：业余条件下MOS的检测可以用以下方法，对于N沟道MOS SO8封装的，1-3脚是并联的4脚是信号 7-8脚是并联的，万用表在二极管档，黑表棒接7-8任意脚，红表棒接1-3任意脚，应该有500-600左右（各种型号略有差异）的正向导通压降，如果反过来红接7-8，黑接1-3，则为不导通，显示无穷大，这和检测方法和结果二极管黑是一样的，接下来黑表棒不变，红表棒接4脚，等于给MOS一个触发信号，这时候MOS就应该导通，再把红表棒接到1-3脚的任意脚，这时候的导通压降应该是0了。

也就是说MOS导通了，反过来，如果这时候把红表棒接7-8 黑表棒接4，则MOS应该关闭，1-3 与7-8之间又会回到500-600的正向压降，这样的MOS就是好的。

一般烧坏的MOS检测的时候，7-8与4脚表现为导通，应该是不导通的，只要7-8与4导通，这个MOS就一定是坏的所有N沟道的MOS都是可以这样检测的，如果对脚位不了解，可以上alldatasheet 查找您的MOS型号的详细PDF资料，P沟道的检测与N的相反，现在MOS部分已经修好了，我们可以上电了1：接好马达，这里讲的马达可以使用普通的小功率马达，比如2208之类的，不要直接把要使用的马达接上，以免因为电调工作不正常而烧毁马达，但这种情况不常见，不过还是谨慎点的好。

这⾥带你了解IR2104驱动电路Ir2014驱动电路及⾃举电容的应⽤以前做智能车的时候⽤H桥驱动电路，驱动芯⽚就是⽤的，MOS管⽤的IR7843，想把以前的知识总结⼀下。

1、为什么需要H桥电路? 因为驱动电机正反转，我们⽤的是有刷直流电机，如果要电机反转，只需要将电源线和地线调换⼀下顺序即可，调换顺序之后，线圈在磁场中的受⼒⽅向和以前相反，因此电机反转，可以根据初中学的通电导体在磁场中的受⼒⽅向来分析。

可以通过⼀下视频来更详细的了解。

⽽我们需要电机正反转则需要切换电机两端电源的⽅向，因此H桥电路是⼀个很好的选择。

2、IR2104 的的驱动电压是12V，当初电池供电只有8V，所以⽤了MC34063做了升压电路对它供电。

IR2104引脚定义SD信号为使能信号，SD 上⾯有个横杠，代表低电平，也就是说，当SD为低电平的时候，Logic input for shutdown(输⼊被禁⽌)。

因此SD为⾼电平时，芯⽚才可以正常⼯作。

IN为⾼电平时HO为⾼电压(VS+ VB)，LO为低(接近于0)；IN为低电平时，HO为低，LO为⾼电平。

我们的PWM信号就是在这⾥输⼊，输⼊信号为5V（这个要注意，单⽚机的输出电平最⾼为3.3V，因此采⽤74HC7408D做了电平转换）输⼊逻辑⾼和低：Vb是⾼侧浮动电源输⼊脚，HO是⾼侧门极驱动输出，Vs是⾼侧浮动电源回流。

这三个控制上半桥的MOS导通。

Vcc是电源输⼊脚，LO是低侧门极驱动输出，COM是低侧回流（公共回路）。

这三个控制下半桥的MOS导通。

⾃举电路1.A状态为默认状态，此时开关A闭合，开关B断开，Q1导通，C1负极与地导通，电流从电源V1出发，通过S1，经过C1，经过Q1，再流回电源V1。

达到稳态后，由于⼆极管的PN结0.7V压降，电容上端对地电压为5.3V，下端对地电压为0V。

2.当开关B闭合，开关A断开，Q1截⽌，电容下端电压相对于地来说是电源电压6V。

由于电容两端电压不能突变，电容上端相对电容下端，电压为5.3V，因此电容上端相对于地的电压为5.3V + 6V =11.3V，与电压探针测得值基本⼀致。

IR2110的应用摘要：介绍了IR2110 的内部结构和特点，高压侧悬浮驱动的原理和自举元件的设计。

针对IR2110 的不足提出了几种扩展应用的方案，并给出了应用实例。

关键词：悬浮驱动；栅电荷；自举；绝缘门极1 引言在功率变换装置中，根据主电路的结构，其功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。

采用隔离驱动方式时需要将多路驱动电路、控制电路、主电路互相隔离，以免引起灾难性的后果。

隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种方式。

光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。

快速光耦的速度也仅几十kHz。

电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快（脉冲的前沿和后沿），原副边的绝缘强度高，dv/dt 共模干扰抑制能力强。

但信号的最大传输宽度受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。

而且最大占空比被限制在50％。

而且信号的最小宽度又受磁化电流所限。

脉冲变压器体积大，笨重，加工复杂。

凡是隔离驱动方式，每路驱动都要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，增加了电路的复杂性。

随着驱动技术的不断成熟，已有多种集成厚膜驱动器推出。

如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065 等等，它们均采用的是光耦隔离，仍受上述缺点的限制。

美国IR 公司生产的IR2110 驱动器。

它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

2 IR2110 内部结构和特点IR2110 采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS 制造工艺，DIP14 脚封装。

具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns；图腾柱输出峰值电流为2A。

IR2101是双通道、栅极驱动、高压高速功率驱动器，该器件采用了高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性。

同时上管采用外部自举电容上电，使驱动电源数目较其他IC驱动大大减少，在工程上减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。

IR2101采用HVIC和闩锁抗干扰制造工艺，集成DIP、SOIC封装。

其主要特性包括：悬浮通道电源采用自举电路；功率器件栅极驱动电压范围10～20 V；逻辑电源范围5～20 V，而且逻辑电源地和功率地之间允许+5 V的偏移量；带有下拉电阻的CNOS施密特输入端，方便与LSTTL和CMOS电平匹配；独立的低端和高端输入通道。

IR2101的内部结构框图如图1所示。

图1 IR2101的内部结构框图图1中，HIN为逻辑输入高；LIN为逻辑输入低；VB为高端浮动供应；HO为高边栅极驱动器输出；Vs为高端浮动供应返回；Voc为电源；LO为低边栅极驱动器输出；COM为公共端.因为上桥臂的MOS 管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压。

一般约10V 左右，才能使MOS 管导通时的内阻达到其额定值。

此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS 管。

当上桥臂MOS 管导通时，其内阻Rds 很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。

造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS 管也就不可以很好的导通了。

解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S 极，作为驱动电压的参考点。

将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。

不用自举电路是不行的。

在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.在控制回路电压与电源电压相等或接近的情况下，“将VS接地”上半桥MOS管可以导通，但不能饱和导通。

驱动电路IR2110的特性及应用功率变换装置中的功率开关器件，根据主电路的不同，一般可采用直接驱动和隔离驱动两种方式。

其中隔离驱动可分为电磁隔离和光电隔离两种。

光电隔离具有体积小，结构简单等优点，但同时存在共模抑制能力差，传输速度慢的缺点。

快速光耦的速度也仅有几十kHz。

电磁隔离用脉冲变压器作为隔离元件，具有响应速度快(脉冲的前沿和后沿)，原副边的绝缘强度高，dv／dt共模干扰抑制能力强等特点。

但信号的最大传输宽度有受磁饱和特性的限制，因而信号的顶部不易传输。

而且最大占空比被限制在50％。

同时信号的最小宽度也要受磁化电流的限制。

同时脉冲变压器体积也大，而且笨重，工艺复杂。

凡是隔离驱动方式，每路驱动都需要一组辅助电源，若是三相桥式变换器，则需要六组，而且还要互相悬浮，因而增加了电路的复杂性。

随着驱动技术的不断成熟，现已有多种集成厚膜驱动器推出。

如EXB840／841、EXB850／851、M57959L／AL、M57962L／AL、HR065等等，它们均采用的是光耦隔离，而光耦隔离仍受到上述缺点的限制。

而美国IR公司生产的IR2110驱动器则兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。

1? IR2110的结构特点IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS工艺制造，DIP14脚封装。

该器件具有独立的低端和高端输入通道。

其悬浮电源采用自举电路，高端工作电压可达500 V，dV／dt=±50 Wns，15 V下的静态功耗仅116 mW。

IR2110的输出端f脚3，即功率器件的栅极驱动电压)电压范围为10～20 V，逻辑电源电压范围(脚9)为5～15 V，可方便地与TTL、CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5 V的偏移量；此外，该器件的工作频率可达500 kHz，而且开通、关断延迟小(分别为120 ns和94 ns)，图腾柱输出峰值电流为2 A。

常用mos管驱动芯片MOS管驱动芯片是一种电子器件，用于控制MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的开关和驱动。

MOS管驱动芯片可以提供高电流、高速度和低功耗的驱动信号，使得MOSFET能够正确工作。

MOS管驱动芯片的常用型号有TC4420、IR2110、MIC4422等。

这些芯片具有许多相似的特性和功能，但也有一些不同的特点，适用于不同的应用场合。

以下是常见的MOS管驱动芯片的介绍。

首先是TC4420芯片，它是一款高速驱动器，能够提供高电流（9A），适用于高频率的交流电源和驱动MOSFET的应用。

它具有低输出电平的短路功率保护、输入阻抗高、互补输出、输入电压范围广等特点，可广泛应用于直流-直流电源转换器、直流-交流逆变器、电机驱动器等领域。

IR2110是一款高低侧驱动芯片，能够提供高电流（2A）和高电压（600V），广泛用于电机驱动和逆变器等高电压应用。

它具有超低导通和反向恢复电流、输入电阻高、输出极速驱动等特点，在高功率和高速度应用中表现出色。

MIC4422是一款低功耗驱动芯片，具有低输入电流（80μA）和低输出阻抗（2Ω），适用于低功率和低电压应用。

它可以提供高电流（9A）和高电压（18V），具有热关断和集电极飞行时间控制等特点，适用于电力管理、电机驱动和自动化控制等领域。

除了以上介绍的芯片，还有许多其他类型的MOS管驱动芯片，如TC4427、IRS2153、TC4440等。

这些芯片都有着各自的特点和应用领域，可以根据具体的应用要求选择合适的芯片。

总结起来，MOS管驱动芯片是一种用于控制MOSFET开关和驱动的电子器件，具有不同的特点和功能，适用于不同的应用场合。

选择合适的芯片可以提高驱动效果和工作稳定性，确保电路的正常运行。