PECVD简介
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PECVD工序段学习汇报
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精选资料，欢迎下载 目录
1. PECVD设备概况
2. 工作流程介绍
3. 工艺步骤介绍
4. 工艺配方的学习
5. 常见的异常及原因
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精选资料，欢迎下载 1. CentrothermPECVD设备概况
Centrotherm设备的基本功能单元包括：硅片装载区域、热风排风柜、炉体、气体系统、真空系统；同时，在装载区域配备了垂直层流系统，用于净化空气，设备的简要示意图如下图所示：
俯视图
平视图
2.工作流程介绍 操作控制单元 硅片装载区
炉体 特气柜 热风排风柜
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在CVD工艺中用一部推车来手动将工艺舟移入设备中进行加工，以及在加工结束后将工艺舟移除设备，推车锁定在设备中用作加工后冷却工艺舟的存放处。
（1）当一个工艺结束，那个炉管的软着陆系统（SiC桨）会进入石英管中，把装有镀过膜硅片的石墨舟取出；（2）提升系统会将石墨舟从SiC上取下，放入存储位置，进行冷却，同时滑轨会把一个新工艺舟用作来在热化学工艺过程中作为硅片的机械承载器，为石墨舟。
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精选资料，欢迎下载 装满的石墨舟由硅片装载系统送入石墨舟装载位置；（3）提升系统会将新装满的石墨舟送到SiC桨上；（4）软着陆系统会把石墨舟送入石英管，然后桨退出，关闭炉门，工艺开始允许；（5）之后，提升系统把刚刚在存储位置冷却的石墨舟送到滑轨上，由滑轨送到外界的自动硅片装载系统中。
全自动硅片装载系统，通过石墨舟传输系统可以把石墨舟送到自动化系统中，包括以下组件：石墨舟提升、石墨舟存储、石墨舟传输系统。
3.工艺步骤介绍
1. 工艺开始（processing started ）
2. 充氮（fill tube with N2）
3. 桨在高位进舟loading boat (paddle in upper position)
4. 桨降至低位paddle moves downwards
5. 桨在低位移出管外move out (paddle in lower position )
6. 管内抽真空并作压力测试（evacuate tube and pressure test）
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精选资料，欢迎下载 7. 通过高频电源用氨气预清理和检查（plasma preclean and check
with NH3）
8. 清洗管路1（purge cycle 1 ）
9. 测漏（leak test）
10. 恒温（wait until all zones are on min temperature）
11. 通过高频电源用氨气清理ammonia plasma preclean
12. 镀膜（deposition）
13.结束镀膜（end of deposition）
14. 抽真空及测试压力（evacuate tube and pressure test）
15. 清洗管路2（purge cycle 2）
16. 充氮（fill tube with N2）
17. 桨在低位进入管内（move in paddle – lower position）
18. SLS移到高位（SLS moving to upper position）
19. 退舟（unloading boat）
20.结束工艺（end of process）
4.工艺配方的学习
;
; c e n t r o t h e r m
;
; CESAR
;
; Name: pb\src\A1-NY.PRZ
;
; Date: 06/14/2014 17:57:38
;
Author = ctu
Comment = PE-SiN 156mm2 test-216 MC double layer n1/n2=2.3/2.05
。
精选资料，欢迎下载 CoolingTime = 2
LoadOrder = Default
Version = 603
LoadMap =
Begin
; Version 21.07.2010_beta
; Tool: PECVD XXL
; Loading: 216 wafer, 6" multi, XXL
; Target: Test recipe for depositing double layer AR-coatings.
; The bottem layer will be about 10 nm thick with an RI of 2.3, the top
layer with an RI of 2,05
; is matched for best cell efficiency in the module.
;
Library SOFTLAND
Library T5Z97
Library STANDARD
Library NITPESTD
Library VACUUM10
Library SCRUBBER
;
;
***************************************************************************************
; please do not change
Variable TMIN = 395 ℃
;
;
-----------------------------------------------------------------------------------------
; Process parameters deposition first layer N=2.3 T=10nm 18,2% SiH4
;
; Deposition pressure
Variable PRESS1 = 1600 mTor
; NH3 flow
Variable NH3FL1 = 4.2 slm
; SiH4 Flow
Variable SIH4FL1 = 1100 sccm
; Deposition power
Variable HFPOWER1 = 6500 Watt
; Maximum current during deposition
Variable MAXCURR1 = 20 A
; Time pulse on
Variable PULSON1 = 4 ms 依次调用的程序
第一层膜的折射率为2.3，厚度为10nm；炉管压强为1600 mTor；氨气流量为4.2 slm，硅烷流速为1100
sccm；射频功率为6500 Watt；最大电流为20 A；占空比为4/52；沉积时间为180 s。
。
精选资料，欢迎下载 ; Time pusle off
Variable PULSOFF1 = 48 ms
; Deposition time
Variable PTS1 = 180 sec
;
;
-----------------------------------------------------------------------------------------
; Process parameters deposition second layer N=2.05 T=75nm
;
; Deposition pressure
Variable PRESS2 = 1600 mTor
; NH3 flow
; Variable NH3FL2 = 4.4 slm
Variable NH3FL2 = 7.2 slm
; SiH4 Flow
; Variable SIH4FL2 = 500 sccm
Variable SIH4FL2 = 800 sccm
; Deposition power
Variable HFPOWER2 = 7500 Watt
; Maximum current during deposition
Variable MAXCURR2 = 24 A
; Time pulse on
Variable PULSON2 = 5 ms
; Time pusle off
Variable PULSOFF2 = 35 ms
; Deposition time
Variable PTS2 = 375 sec
;
;
-----------------------------------------------------------------------------------------
; Process parameters deposition second layer N=2.05 T=75nm
;
; Deposition pressure
Variable PRESS3 = 2600 mTor
; NH3 flow
; Variable NH3FL2 = 4.4 slm
Variable NH3FL3 = 0 slm
; SiH4 Flow
; Variable SIH4FL2 = 500 sccm
Variable SIH4FL3 = 0 sccm
; Deposition power
Variable HFPOWER3 = 6500 Watt 第二层膜的折射率为2.05，厚度为75nm；炉管压强为1600 mTor；氨气流量为7.2 slm，硅烷流速为800
