mosfet 大功率场效应管

电视发射机的全固态化技术发展依赖于大功率场效应管制造技术的突破，在全固态电视发射机的功放级广泛地采用金属氧化物半导体场效应管即MOS-FET。山东电视台发射台引进的法国汤姆逊公司TVV2000HP系列全固态电视发射机的功率放大器采用场效应管放大，引用先进的功率合成技术，使单个模块实现千瓦级功率输出，本文结合该机运行五年来情况，阐述一下维护大功率场效应管的经验。

一 全固态功率放大器场效应管放大电路分析

本功率放大器增益为60dB，当输入信号为2dBm时，输出1.6KW。为确保功率放大器的线性指标，其前级预防单元工作于甲类放大状态，而从功率输出能力和效率角度考虑，其后级功放管（BLF278）工作在甲乙类线性放大状态。由图一可见，其中功放管BLF278为场效应管，它与一对平衡/不平衡网络构成了推挽功率合成电路；然后采用3dB耦和器和两路BLF278组成正交合成宽放电路，这个单元输出功率为600W；输入功率分配器和输出功率合成器为同相功分和功合网络，实现信号的分配和合成功能，将三路600W放大单元合成1600W峰值功率输出。

+50V

+12V

射频输入

C22

C21

C35

R9

R12

C39

C15

R7

R13

C20

R15

L5

L6

C18

L7

L8

L9

L10

C17 C19

R8

C16

C38

R10

R11

C13

R1

R2

R6

C12

R3

R4

R5

C14

A

A

Q1

L1

C44

C43

+

+

+

+

La

Lc

Ld

Lb

C5

C6

C7

C4

C37

C8

C3

C2

C9

L4

L3

C1

C33

C32

C31 C10

C11

C25

C26

C27

射频输出

图一 全固态功率放大器场效应管放大电路原理图

作为功率放大器中放大环节，其放大单元选用PHILIPS公司的BLF278，该管为双管芯平衡封装结构，其与不平衡/平衡输入、平衡式输入匹配网络、平衡式输出匹配网络和平衡/不平衡输出组成推挽功率合成电路。

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-1

实验三 功率场效应晶体管(MOSFET)特性

与驱动电路研究

一．实验目的：

1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法

2．掌握MOSEET对驱动电路的要求

3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法

二．实验内容

1．MOSFET主要参数：开启阀值电压VGS(th),跨导gFS,导通电阻Rds 输出特性ID=f（Vsd）等的测试

2．驱动电路的输入,输出延时时间测试.

3．电阻与电阻、电感性质载时，MOSFET开关特性测试

4．有与没有反偏压时的开关过程比较

5．栅-源漏电流测试

三．实验设备和仪器

1．MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分

2．双踪示波器（自配）

3．毫安表

4．电流表

5．电压表

4、实验线路

见图2—2

五．实验方法

1．MOSFET主要参数测试

（1）开启阀值电压VGS(th)测试

开启阀值电压简称开启电压，是指器件流过一定量的漏极电流时（通常取漏极电流ID=1mA)的最小栅源电压。 百度文库 - 好好学习，天天向上

-2 在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表，测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。

将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阀值电压VGS（th）。

读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表2—6。

表2—6

ID（mA） 1

Vgs（V）

（2）跨导gFS测试

双极型晶体管（GTR）通常用hFE（β）表示其增益，功率MOSFET器件以跨导gFS表示其增益。

跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=△ID/△VGS。

IRF9610场效应管参数

1. 简介

IRF9610是一种N沟道MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

Transistor）场效应管。它是国际整流器公司（International Rectifier）生产的一款功率MOSFET，广泛应用于各种电子设备中。

2. 参数说明

IRF9610的参数可以分为静态参数和动态参数两类。

2.1 静态参数

2.1.1 阈值电压（Vth）

阈值电压是指在栅极-源极间施加零偏压时，漏极电流达到一定值的栅极-源极电压。IRF9610的阈值电压通常在-1V到-3V之间。

2.1.2 最大漏源电流（Id）

最大漏源电流是指在给定的栅极-源极电压下，允许通过场效应管的最大漏源电流。IRF9610的最大漏源电流通常为4A。

2.1.3 最大耗散功率（Pd）

最大耗散功率是指在给定的散热条件下，允许场效应管耗散的最大功率。IRF9610的最大耗散功率通常为40W。

2.2 动态参数

2.2.1 输入电容（Ciss）

输入电容是指当栅极-源极电压变化时，所需的输入电荷。IRF9610的输入电容通常为1500pF。

2.2.2 输出电容（Coss）

输出电容是指当漏极-源极电压变化时，所需的输出电荷。IRF9610的输出电容通常为350pF。

2.2.3 反转传输比（Crss）

反转传输比是指当栅极-源极和漏极-源极之间施加反向偏置时，从漏极流向栅极的导纳。IRF9610的反转传输比通常为25pF。 3. 特性曲线

IRF9610的特性曲线可以用来描述其在不同工作条件下的性能表现。

3.1 静态特性曲线

静态特性曲线描述了IRF9610的漏源电流与栅极-源极电压之间的关系。通过这些曲线可以了解到在不同工作点下，场效应管的导通状态。

3.2 动态特性曲线

动态特性曲线描述了IRF9610在不同频率下的输入电容、输出电容和反转传输比。通过这些曲线可以了解到场效应管在高频率下的性能表现。

交流电用的mos管

交流电用的MOS管通常指的是功率MOS场效应管，也称为功率MOSFET。MOSFET是一种主要用于功率放大和开关控制的半导体器件。它具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度和低导通电阻等特点，因此在交流电路中得到了广泛的应用。

在交流电路中，功率MOSFET可以用作开关，用于控制大电流的通断。例如，在交流电源变换器中，MOSFET用于将直流电转换为交流电，或者将电源从一个电路切换到另一个电路。此外，功率MOSFET还可以用于交流电机驱动、逆变器、变频器、电力调节等领域。

另外，功率MOSFET也常用于交流电路的功率放大器中，用于放大信号。在音频放大器、射频功率放大器等设备中，功率MOSFET可以提供高效的功率放大功能。

总的来说，功率MOSFET作为一种重要的半导体器件，在交流电路中扮演着关键的角色，其特点和应用使其成为交流电路中不可或缺的部分。