灌晶工序培训教材43页PPT

1-2 前工序流程
插片
PI固烤
摩擦
PR前清洗
PI印刷 TOP印刷
涂感光胶
PI/TOP前清洗
TOP固烤
前烘 脱膜
丝印胶边 丝印银点
胶边预烘 银点预烘
喷粉
曝光 蚀刻
贴合
显影 后烘
热压
1-3 后工序流程
玻璃分割
分片入条
切偏光片
贴偏光片
过压喷码
真空灌晶
LCM邦定
外表丝印 QC检查
整形 封口
COG测试
光台检查
• 注意事项：
– 脱泡起泡严重的液晶， 需不上玻璃先脱泡至无泡状态，注意不可让 液晶溢出灌晶条
– 上玻璃后再次脱泡，脱泡时注意液晶不可沾到液晶口；脱泡时间大 于2分钟，新上海绵条脱泡时间大于5分钟，直至无泡状态
– 起泡严重的液晶型号：E234，E300，E310，84D6110-000， 84D6100-000，MLC15690 …
4-2 上灌晶架
1.将灌晶架放入炉内，确认灌晶架必须放置平稳，若有倾斜， 调节架子底部螺丝，直至水平
2.接通电源 3.检查灌晶架上升与下降运作处于正常状态 4.将灌晶条或海绵条放在灌晶架上（已上好液晶）
注意事项
• 1.更换产品或液晶型号时，需用无尘布（纸）清洁灌晶炉 四壁，清洁顺序：由上至下，由内至外。
4-12 过滤操作
注意事项
• 1）操作过程中需佩带乳胶手套。 • 2）过滤不同液晶型号后，需对过滤器进行清洗，并更换过滤膜。 • 3）过滤后，液晶需使用干净液晶瓶装，标示清楚，并做好相应的过滤
记录。 • 4）过滤器为玻璃器皿，操作时应轻拿轻放。
4-12 过滤操作
• 过滤治具清洗

指点原那么 例一：推进5S管理，塑造5S一流企业 例二：告别昨日，应战自我，塑造公
司新笼统 例三：于纤细之处着手，塑造公司新
笼统 例四：规范现场、现物，提升
(tíshēng)人的质量 方针的制定要结合企业详细状况，要
有召唤力。方针一旦制定，要广为宣传。 目的制定： 为了便于活动进程中反省效果，作为
努力方向应先设定希冀目的。 例一：第4个月各部门考核到达90分
设对 任务，对职场的满意度不高，就不能够彻底推进5S。
３〕．5S反映了职场的管理水平 5S反映了职场的管理水平。能否实在做好了信息 的整理(zhěnglǐ)、
整理(zhěnglǐ)，是实施管理的重要条件。必需将管理 需求的信息做好明
确的标识，真正做到易取、易懂。所以说5S反映了职 ４〕场．的5S管的理习气化、固化是十分重要的 水平过硬。的5S就是要习气化、固化。短时间的一阵风似的5S
素养 (习惯)
清扫
养成规定的事情就按规 定的去办的习惯。
清洁
清扫干净，清除垃圾、 脏污，同时要进行彻底 的点检。
彻底实施整理、整顿、清 扫，保持没有脏污的整洁 状态。
3、5S的特征(tèzhēng)
１〕．所谓5S，就是用正确的方法去做正确的事情 5S，就是用正确的方法去做正确的事情。这个说起来复杂做起
◆清扫用具的管理〔数量管理、摆放的方法规则、清扫用具的设计与改造〕
3、透明化阶段
◆合理化的建议，或合理化的提案 ◆看板管理 ◆识别管理 ◆目视管理的片面导入 ◆树立改善的档案，甚至树立完善的博物馆 ◆数据库，网络的运用
推进5S继续改善循环图
1.政策方针
2.组织
4.量度表 现及检讨
3.方案与实施
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板书课件
听讲
2分钟
引入
大片玻璃在切割成小块时，它的里面是没有被灌入液晶的；液晶是在大片玻璃切割成小块后才灌入的。
讲授提问
课件演示
听讲
5分钟
新
课
讲
解
切割原理
切割工艺流程
液晶灌注的工艺原理
液晶灌注工艺方法、工艺流程
封口的工艺原理和工艺方法、工艺流程
讲授
板书
课件演示
听讲
68分钟
训练
划玻璃的深度？
玻璃切割流程？
灌晶原理？Biblioteka 灌晶的工艺过程？封口的过程
封口前为什么要冷冻？
什么是大裂片和小裂片
提问讲解
指导
课堂
练习
15分钟
总结
切割工艺、灌注液晶及封口工艺
答疑讲授
板书课件
发问
3分钟
预告
液晶显示器制造后工艺
讲授
1分钟
作业
1、请简述液晶灌注的原理？
2、请简述封口的工艺过程？
3、封口前为什么要冷冻？有没有其他方法可以达到同样的目的？
多媒体讲授
课外作业
1.液晶灌注原理
2.液晶灌注的工艺过程
3.切割工艺流程
4.再排向的目的及方法.
课后体会
教学过程设计
教学
步骤
教学内容：
教学
方法
教学
手段
学生
活动
时间
分配
复习
提问
复习:丝印制盒工艺过程
提问：1、边框胶的调配方法？
2、喷粉的方法和过程?
提问
回答
问题
5分钟
告知
切割工艺、灌注液晶及封口工艺
讲授

单晶炉控制系统主要包括速度控制单元、加热控制 单元、等径生长控制单元、水温和设备运行巡检及状 态报警、继电控制单元等部分。
1）速度控制单元对晶升、埚升、晶转、埚转的速度进 行控制。
2）温度传感器从加热器上取得的信号与等径控制器的 温度控制信号叠加后进入欧陆控制器，经分析调整控 制加热器电压，达到控制加热温度与直径的目的。
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零位错的晶体。 （４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐
渐增大到所需的大小。 （５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可
使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。 单晶硅片取自于等径部分。 （６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那 么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必 须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为 尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生 长周期。
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加工工艺
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 （１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂
质种类有硼，磷，锑，砷。 （２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使
之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上， 将多晶硅原料熔化。 （３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体 场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长 是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与 生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生