RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例

【开关电源】RCD尖峰吸收电路的⼆极管速度计算前⾔
从电源芯⽚的开关频率，对变压器初级的RCD电路⼆极管和次级输出⼆极管进⾏选型。

例如：电源芯⽚LNK625的开关频率是100kHz，可以⽤作RCD吸收电路和次级整流的有哪些？
普通⼆极管，反向恢复速度不⾜。

肖特基⼆极管，反向耐压不⾜，但可⽤作次级整流。

快和超快恢复⼆极管，都可以⽤作RCD和次级整流⼆极管。

普通⼆极管1N4007的反向恢复时间＞5us（2kHz）
快恢复⼆极管RS1M 反向恢复时间150ns~500ns（2MHz~6.7MHz）
超快恢复⼆极管ES1B反向恢复时间15ns（67MHz）
肖特基⼆极管SS34反向恢复时间ps级别（100MHz以上），且反向耐压较低，⼀般200V以内。

文章题目：深度解析rcd吸收电路的工作原理及参数计算方法一、引言在现代电子电路中，rcd吸收电路是一个非常重要的电路结构，它可以帮助保护电路中的元件免受电压尖峰的影响，起到稳定电路工作状态的作用。

本文将深度解析rcd吸收电路的工作原理及参数计算方法，帮助读者全面理解和掌握这一关键电路结构。

二、rcd吸收电路的工作原理1. rcd吸收电路的基本构成rcd吸收电路由电阻（R）、电容（C）和二极管（D）三个基本元件构成。

在电路中，rcd吸收电路通常连接在电源端和负载端之间，起到消除电压尖峰的作用。

2. rcd吸收电路的工作过程当电路中出现电压尖峰时，电容会瞬间充电或放电，起到缓冲作用，使得电路中的其他元件不受到电压尖峰的冲击。

二极管会将过高的电压尖峰导通，分流至地端，防止其影响电路正常工作。

3. rcd吸收电路的作用rcd吸收电路的主要作用是保护电路中的其他元件不受到电压尖峰的损害，保证电路的稳定工作。

三、rcd吸收电路的参数计算方法1. 电容参数的计算电容的计算是rcd吸收电路设计中的关键一步。

根据电路的工作频率、电压尖峰的幅值等参数，可以使用下式计算电容的数值：C = I *Δt / ΔV，其中C为电容值，I为负载电流，Δt为电压尖峰的持续时间，ΔV为电压尖峰的幅值。

2. 电阻参数的选择电阻的选择需要考虑电路中的功率损耗，以及对电压尖峰的阻尼效果。

一般来说，电阻的阻值应该足够大，以限制电流的流动，同时也不能过大，否则会影响电压尖峰的消除效果。

3. 二极管参数的选取二极管的选择需要考虑其导通能力和反向击穿电压等参数。

一般来说，选择反向击穿电压较大、导通能力较强的二极管能更好地保护电路。

四、个人观点与理解rcd吸收电路作为保护电路的重要组成部分，在实际电路设计中起着至关重要的作用。

合理设计和选取rcd吸收电路的参数，可以有效保护电路中的其他元件，延长其使用寿命，提高整个电路系统的稳定性和可靠性。

在实际工程中，需要根据电路的具体需求和环境条件，综合考虑各个参数的影响，进行科学的参数选择和计算。

开关电源rc吸收电路参数计算
开关电源RC吸收电路参数计算
开关电源RC吸收电路是一种电路，用于在开关电源输出时缓冲过电流和减小反射电压，其充当“滤波功能”的作用。

当开关电源导通时，由于开关电源输出电压瞬间改变，输出电流发生剧烈变化，而RC吸收电路可以将输出电流缓慢改变以减小过电流和反射电压，达到减小射频干扰的作用。

RC吸收电路参数计算的方法有很多种，其中最基本的方法是用公式法，即根据所选电路结构计算出R，C等参数。

经过简单的计算可以得到：
（1）RC吸收电路的上升时间：
上升时间tR=CR
（2）RC吸收电路的下降时间：
下降时间tD=CR
（3）RC吸收电路的输出延时时间：
输出延时时间tL=CR
（4）RC吸收电路的输出频率：
输出频率F=1/CR
（5）RC吸收电路的滤波电容：
滤波电容C=CR
（6）RC吸收电路的滤波电阻：
滤波电阻R=1/CR
以上就是关于RC吸收电路参数计算的介绍，希望对您有帮助。

RCD 丈嶂滋冲渥及电路参数针愆举1、 再黑总压器初仏钱圈漏感LS 的讨算层煖式科詬査庄器的漏感一潑都比筱尢，漏感彫初爼钱圈 电感之比，尢乡数都右2~5%之向。

漏感的尢J 主長与盘压器 初、次依钱圈的佬法、狭拎和席冬的倨构，以乞冬隐尢J 等痞 敌侖詬，込与滋逼密廈取侥的尢J 忘詬，0筠滋逼倉廈取爲越 尢，导越率就舍越J,漏感枸对也殳f 曾尢。

漏感J 孑2%或尢孑 15%的科歩卷压器，典铭构一殽都比殓筋殊。

科歩盍屁器初余钱圈电感蚤的尢J,主殳与科詬电密的3 仔频卑侖詬，込$3仔电屁和鏑出功率的尢J 侖矣。

一潑编出 功率越尢，M 仔频率就越傾，电感逻枸应也殳f 曾尢；而3仆电 庄越京，电感蚤也越尢。

為矣生/i 器初依銭圈的电感L 如漏感 Ls 的尢J 可以用仪恚盍谑測逻，一潑3杵频率筠30〜50kHz, 工仆电压彩AC110V 〜220V 的科詬査庄器，豐初依钱圈的电感 蚤尢的为：300~looo 微疼，漏感尢a io~loo 微扌；针愆 时，可血3~6%的比例来取伍逬的传算。

例A ： L=1000uH,刪 可取 Ls = 30 ~ 60uH o2、 火吟蘇冲渥换电宕器宕逻的讨算蔑计:M 丈吟滋冲渥仮电房器房逻，首免殳讨算流过盍屁器 初依钱圈电浅的蟲尢侥。

皆艮浅过査庄器初依钱圈的蟲尢电泓 Im 可幅堀乌歩电懣的聂.尢能r 入功率Pm 来传算。

电烷Im 可枢腸 科歩电澎的是尢猗入功率Pm 来仗算。

傕驚（26 ）式，比第出 功率一宝时，鏑入电压右一宝的范⑥内，浅过盘压器初広钱圈 的是尢电泓Im 知歸出电压Uo 基本县稳宝的；总压器初、次佩 钱圈巫魔鏑出电压的半侬年佝僅也基本县稔宝的，与编入电庄 的尢J 元菲，便对应不同的鏑入电压0须対应彳同的&空比， 痞看（41 ）、（42）式。

省浅过科菲査庄器初依銭圈的是尢电流術宝之后，支垮碌 冲渥仮电房器房蚤创作：欧阳体以冬电宕克电时电庄饨蚤的敌侦就可以总（33）~（36）弍逬紂讨算。

RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算举例之欧阳体创编首先，需要确定RCD电路的工作电压和输出电流。

根据实际应用需求，我们假设RCD电路的工作电压为24V，并且需要能够输出最大电流为2A。

接下来，需要计算电容（C）的数值。

电容的数值决定了电路的储能能力，可以通过以下公式进行计算：C=I/(ΔV/Δt)其中，C为电容的数值（单位为法拉），I为输出电流的数值（单位为安培），ΔV为尖峰脉冲的电压变化范围（单位为伏特），Δt为尖峰脉冲的时间变化范围（单位为秒）。

假设ΔV为6V，Δt为10μs，将输出电流数值代入计算，则有：C=2A/(6V/(10μs))=(2*10^-6)/(6*10^-6)=1/3法拉因此，选取1/3法拉的电容器可以满足要求。

接下来，需要计算电阻（R）的数值。

电阻的数值决定了电阻对尖峰脉冲的吸收能力，可以通过以下公式进行计算：R=ΔV/I将ΔV和I的数值代入计算，则有：R=6V/2A=3欧姆因此，选取3欧姆的电阻可以满足要求。

最后，需要选择合适的二极管（D）来完成电路的设计。

二极管需要满足能够承受工作电压和输出电流的要求。

假设工作电压为24V，输出电流为2A，可以选择具有2A额定电流和30V反向电压的二极管。

综上所述，通过计算可选取1/3法拉的电容器、3欧姆的电阻和2A 额定电流、30V反向电压的二极管来完成RCD尖峰脉冲吸收电路的参数设计。

总结起来，RCD尖峰脉冲吸收电路参数计算严密且重要。

通过以上的计算实例，我们可以了解到如何根据实际需求选择合适的电容、电阻和二极管。

在实际应用中，还需要根据具体情况进行参数的微调和调试，以确保电路的正常运行和满足抑制尖峰脉冲干扰的要求。

RCD吸收计算一种有效的反激钳位电路设计方法0 引言单端反激式开关电源具有结构简单、输入输出电气隔离、电压升／降范围宽、易于多路输出、可靠性高、造价低等优点，广泛应用于小功率场合。

然而，由于漏感影响，反激变换器功率开关管关断时将引起电压尖峰，必须用钳位电路加以抑制。

由于RCD钳位电路比有源钳位电路更简洁且易实现，因而在小功率变换场合RCD钳位更有实用价值。

1 漏感抑制变压器的漏感是不可消除的，但可以通过合理的电路设计和绕制使之减小。

设计和绕制是否合理,对漏感的影响是很明显的。

采用合理的方法，可将漏感控制在初级电感的2％左右.设计时应综合变压器磁芯的选择和初级匝数的确定,尽量使初级绕组可紧密绕满磁芯骨架一层或多层。

绕制时绕线要尽量分布得紧凑、均匀，这样线圈和磁路空间上更接近垂直关系，耦合效果更好。

初级和次级绕线也要尽量靠得紧密。

2 RCD钳位电路参数设计2。

1 变压器等效模型图1为实际变压器的等效电路，励磁电感同理想变压器并联，漏感同励磁电感串联。

励磁电感能量可通过理想变压器耦合到副边，而漏感因为不耦合，能量不能传递到副边，如果不采取措施,漏感将通过寄生电容释放能量，引起电路电压过冲和振荡，影响电路工作性能，还会引起EMI问题，严重时会烧毁器件,为抑制其影响，可在变压器初级并联无源RCD钳位电路，其拓扑如图2所示。

2。

2 钳位电路工作原理引入RCD钳位电路，目的是消耗漏感能量,但不能消耗主励磁电感能量，否则会降低电路效率.要做到这点必须对RC参数进行优化设计,下面分析其工作原理：当S1关断时，漏感Lk释能,D导通，C上电压瞬间充上去,然后D截止，C通过R放电。

就是反射电压实验表明，C越大，这儿就越平滑均是将反射电压吸收了部分实验表明R或C值越小就会这样，R太小，放电就快，C太小很快充满，小到一定程度就会这样回到零。

1）若C 值较大,C 上电压缓慢上升，副边反激过冲小，变压器能量不能迅速传递到副边，见图3(a);2)若C 值特别大,电压峰值小于副边反射电压,则钳位电容上电压将一直保持在副边反射电压附近，即钳位电阻变为死负载，一直在消耗磁芯能量，见图3(b ）;3）若RC 值太小，C 上电压很快会降到副边反射电压,故在St 开通前,钳位电阻只将成为反激变换器的死负载，消耗变压器的能量，降低效率,见图3（c ）：4)如果RC 值取得比较合适，使到S1开通时，C 上电压放到接近副边反射电压,到下次导通时，C 上能量恰好可以释放完，见图3(d ），这种情况钳位效果较好，但电容峰值电压大，器件应力高。

开关电源RCD吸收电路解析RCD电路在电源中能够较大程度的吸收电阻，从而起到降低损耗的作用。

但是开关电源当中的RCD吸收电路较为复杂，如果想要新手在短时间内掌握是比较困难的，所以本文就将对开关电源当中的RCD吸收设计进行讲解，希望能对大家有所帮助。

MOS电压尖峰的吸收电路有很多种，比如RCD，RDTVS，RCD TVS等，但常用的是前两者，所以本文将着重讲一下前面两种形式的参数设计。

即如下图形式：开始设计电路参数之前，我们先定义一下变量含义以便下面描述：Lr：初级漏感电感量：Vcmax、Vcmin、Vcavg、△Vc：RCD中C(如上图1种的C1)两端的峰值电压，谷底电压，平均电压，峰值电压和谷底电压的差值，(由定义有，△Vc=Vcmax-Vcmin：Vcavg=Vcmin △Vc/2)Vtvs：如上图2中的TVS的击穿电压。

f:开关电源的工作频率(已知)Ipk：变压器初级峰值电流(关于Ipk的确定，我们在设计变压器时已定下，当然也要在低压满载情况下实测，某些IC自带限流点则简单点)Vdsmax：主开关管MOS的最大额定电压。

Vor：次级反射到初级的反射电压。

有了以上变量定义，下面我们开始转入正题：1、测量主变压器的初级漏感电感量Lr这两种钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主开关管的电压应力，既然是吸收漏感的能量，显然我们要知道变压器的漏感能量有多大。

然而，需要知道漏感能量有多大，需要知道漏感多大，因此第一步我们就要测量变压器的漏感Lr。

2、计算漏感能量EE=1/2*Lr*Ipk23、确定Vcmax或Vtvs一般我们至少要给MOS电压应力留有10%的裕量，保守情况留有20%的裕量，尤其是没有软启动切功率相对较大的电源里，这里我们取20%的裕量。

所以就有Vcmax(Vtvs)=80%*Vdsmax-√2*Vinmax。

4、确定△Vc，Vcavg，Vcmin(TVS方案无此步骤)RCD电路中C1两端电压是变化的，主开关关断时漏感能量迅速将其充电至Vcmax，然后通过R慢慢放电到Vcmin。

反激式开关电源RCD吸收电路的设计对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。

而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。

（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）在讨论前我们先做几个假设，①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；②RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

有了以上几个假设我们就可以先进行计算：一﹑首先对MOS管的V D进行分段：ⅰ，输入的直流电压V DC；ⅱ，次级反射初级的V OR；ⅲ，主MOS管V D余量V DS；ⅳ，RCD吸收有效电压V RCD1。

二﹑对于以上主MOS管V D的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压V DC。

在计算V DC时，是依最高输入电压值为准。

如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

V DC＝V AC *√2ⅱ，次级反射初级的V OR。

V OR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo=5.25V计算），二极管V F为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下V F值）．V OR＝(V F+V o)*Np/Nsⅲ，主MOS管V D的余量V DS．V DS是依MOS管V D的10%为最小值．如KA05H0165R的V D=650应选择DC65V．V DS＝V D* 10%ⅳ，RCD吸收V RCD．MOS管的V D减去ⅰ，ⅲ三项就剩下V RCD的最大值。

实际选取的V RCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。

V RCD＝(V D-V DC -V DS)*90%注意：①V RCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．②V RCD必须大于V OR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的V D值选择就太低了）③MOS管V D应当小于V DC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的V D值就过大了）④如果V RCD的实测值小于V OR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。

RCD吸收电路的设计（含计算）反激式开关电源RCD吸收电路的设计对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。

而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。

（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）在讨论前我们先做几个假设，①开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；②RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；③在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

有了以上几个假设我们就可以先进行计算：一﹑首先对MOS管的V D进行分段：ⅰ，输入的直流电压V DC；ⅱ，次级反射初级的V OR；ⅲ，主MOS管V D余量V DS；ⅳ，RCD吸收有效电压V RCD1。

二﹑对于以上主MOS管V D的几部分进行计算：ⅰ，输入的直流电压V DC。

在计算V DC时，是依最高输入电压值为准。

如宽电压应选择AC265V，即DC375V。

V DC＝V A C *√2ⅱ，次级反射初级的V OR。

V OR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo=5.25V计算），二极管V F为0.525V （此值是在1N5822的资料中查找额定电流下V F值）．V OR＝(V F+V o)*Np/Nsⅲ，主MOS管V D的余量V DS．V DS是依MOS管V D的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．V DS＝V D* 10%ⅳ，RCD吸收V RCD．MOS管的V D减去ⅰ，ⅲ三项就剩下V RCD的最大值。

实际选取的V RCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。

V RCD＝(V D-V DC -V DS)*90%注意：①V RCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．②V RCD必须大于V OR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的V D值选择就太低了）③MOS管V D应当小于V DC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的V D值就过大了）④如果V RCD的实测值小于V OR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。

RCD吸收电路计算RCD（Residual Current Device）是一种用于防止漏电的电气安全设备。

它可以在电流泄露时立即切断电路，从而保护人们免受电击的危险。

RCD吸收电路是一种特殊的电路，通过其电路参数的设计可以实现对漏电电流的测量和切断。

在本文中，我们将讨论RCD吸收电路的计算方法。

首先，我们需要了解RCD吸收电路的一些基本概念和理论知识。

1. 漏电电流（Residual Current）：指电流未完全回到电源的电路中，而是通过其他路径流回地面或其他导体的电流。

漏电电流可能由于电气设备绝缘损坏、线路短路等原因产生。

2. RCD额定漏电动作电流（Rated Residual Operating Current）：指RCD启动并切断电路的漏电电流阈值。

根据不同的应用场合和需求，RCD的额定漏电动作电流可以选择不同的数值。

3. RCD额定电压（Rated Voltage）：指RCD能够正常工作的电压范围。

根据不同国家和地区的电力分布系统的电压等级，RCD的额定电压也有所不同。

现在，我们来讨论RCD吸收电路的计算方法。

1.确定漏电电流阈值：根据实际应用需求，确定RCD的额定漏电动作电流。

通常情况下，漏电电流阈值的选择应考虑到保护人身安全的同时，尽量减少误动作和误切断的可能性。

2.选择RCD的额定电压：根据不同国家和地区的电力分布系统的电压等级，选择合适的RCD额定电压。

3.计算RCD的额定漏电电流动作特性：根据电路参数和电气设备的特性，计算RCD的额定漏电电流动作特性。

一般情况下，根据人体对电流的感知能力以及电流对人身安全的影响程度，计算出RCD的额定漏电电流动作特性。

4.设计RCD吸收电路：根据实际应用需求，设计RCD吸收电路的参数。

这包括选择合适的电路元件，如电阻、电容等，以及确定各个元件的数值和连接方式。

5.计算RCD的灵敏度和响应时间：根据RCD吸收电路的参数，计算出RCD的灵敏度和响应时间。