场效应管试验测试

场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

场效应管的主要参数意义及其测试方法场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种三端器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。

场效应管的主要参数包括漏极-源极电流（IDSS）、漏极-源极截止电压（VGS(Off)）、漏极电阻（RDS(On)）和跨导（Transconductance），其测试方法主要包括IDSS测试、VGS截止测试、RDS测试和跨导测试。

1.漏极-源极电流（IDSS）：IDSS是指在给定源极-栅极电压下，场效应管的漏极电流。

它反映了场效应管的导通能力，通常单位为毫安（mA）。

IDSS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，将源极-漏极电压保持为0V，测量漏极电流。

2. 漏极-源极截止电压（VGS(Off)）：VGS(Off)是指在给定漏极电流下，场效应管的截止电压。

它反映了场效应管在关闭状态下的电压阈值，通常单位为伏特（V）。

VGS(Off)测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将漏极电流维持在预定值，测量栅极-源极电压。

3.漏极电阻（RDS(On)）：RDS(On)是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的漏极电阻。

它反映了场效应管的导通状态下的电阻情况，通常单位为欧姆（Ω）。

RDS测试方法为：将场效应管的源极和栅极短接，连接好漏极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电阻。

4. 跨导（Transconductance）：跨导是指在给定栅极-源极电压下，场效应管的斜率。

它反映了场效应管的输入导通能力，通常单位为毫安/伏特（mA/V）。

跨导测试方法为：将场效应管的源极和漏极短接，连接好栅极回路，并将栅极-源极电压维持在预定值，测量漏极电流对应的变化。

场效应管测量方法
场效应管（Field Effect Transistor，FET）的测量方法包括静态参数测试和动态参数测试。

静态参数测试是指测量场效应管的静态电气参数，主要包括栅极漏电流、栅极截止电压、输出导通电流等。

其中，栅极漏电流可以通过将栅源端短路，然后测量栅极到源极之间的电流来测量；栅极截止电压可以通过将栅源端短路，然后在栅极和源极之间施加一系列电压并测量对应的输出电压来测量；输出导通电流可以通过在栅极和源极之间施加一定的栅极电压，同时测量输出电流来测量。

动态参数测试是指测量场效应管的动态电性能，主要包括开关时间、开关损耗、放大增益等。

其中，开关时间可以通过在输入端施加一个快速的信号，然后测量输出端的响应时间来测量；开关损耗可以通过测量在开关过程中的功率消耗来测量；放大增益可以通过在输入端施加一个小信号，然后测量输出端的变化来测量。

总之，场效应管的测量方法涉及到静态参数测试和动态参数测试，通过测量这些参数可以评估场效应管的性能和可靠性。

场效应管的检测方法
嘿，大家知道不，场效应管这玩意儿在电子领域里可是很重要的角色呢！那咱今天就来聊聊怎么检测它。

记得有一次，我在摆弄一个电子小制作，突然发现有个地方不太对劲，怀疑是场效应管出了问题。

我就开始了我的检测之旅。

先来说说第一种方法，用万用表来测。

把万用表调到合适的挡位，然后去测它的引脚电阻啥的。

就像医生给病人看病，量量这儿，测测那儿，看看有没有啥不正常的。

要是电阻值不对，那可能就有问题啦。

还有一种方法呢，就是给它加个电压，看看它的反应。

就好像逗逗小猫小狗，看看它们会不会欢快地回应。

如果它没反应或者反应很奇怪，那可能就有毛病咯。

再就是可以通过观察它的外观，有没有损坏、烧焦的痕迹。

这就像我们看一个人脸上有没有伤疤一样明显。

要是有这些情况，那肯定不太正常呀。

总之，检测场效应管就像是给它做一次全面的体检，各种方法都用上，才能准确判断它是不是健康。

所以呀，咱可得好好掌握这些检测方法，不然电子设备出了问题都不知道咋解决呢！这不就是在说场效应管的检测方法嘛！哈哈！。

场效应管检测方法
场效应管（也叫MOSFET）的检测方法如下：
1. 使用万用表检测场效应管的极性。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数没有变化或者非常小，说明场效应管是P型的；如果示数明显有变化，说明场效应管是N型的。

2. 使用万用表检测场效应管导通。

将万用表调至二极管测量档位，将黑表笔连接到TO（源/栅/发射）引脚，然后将红表笔依次接触与TO引脚相连的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

如果万用表的示数为低阻值，说明场效应管导通；如果示数为高阻值，说明场效应管截止。

3. 使用数字万用表或示波器检测场效应管的漏极/集电极电压和栅极/基极电压。

将黑表笔接触到场效应管的TO（源/栅/发射）引脚，将红表笔依次接触到场效应管的D（漏极/集电极）和G（栅极/基极）引脚。

通过读取数字万用表上的电压示数或示波器上的波形变化，可以确定场效应管所处的工作区域（截止、饱和或放大）。

以上是常用的场效应管检测方法，具体方法可以根据具体的测试设备和需求进行适当的调整。

如何测试判断场效应管好坏？1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。

主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

场效应管耐压测试方法场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。

为了确保场效应管的正常工作和可靠性，耐压测试是必不可少的环节。

本文将介绍场效应管耐压测试的方法。

场效应管耐压测试的目的是检测器件在额定电压下的耐压能力，以确保其在实际工作中不会发生击穿或损坏。

耐压测试通常在制造过程的最后阶段进行，以确保产品的质量和可靠性。

一种常用的场效应管耐压测试方法是直流耐压测试。

该方法通过施加一定的直流电压，检测场效应管是否能够在规定的电压范围内正常工作。

具体步骤如下：1. 准备测试设备：包括直流电源、电压表、电流表和测试夹具等。

2. 将场效应管正确连接到测试夹具上，确保引脚连接正确、无短路或接触不良等问题。

3. 设置测试参数：根据场效应管的规格书和要求，设置测试电压和测试电流的数值。

4. 施加测试电压：通过直流电源施加规定的测试电压，同时记录电流表的读数。

5. 观察测试结果：在规定的测试时间内，观察场效应管是否正常工作，是否有异常现象如漏电流过大、温升过高等。

6. 记录测试数据：记录测试电压、电流以及观察到的异常情况等数据。

7. 分析测试结果：根据测试数据进行分析，判断场效应管是否通过耐压测试。

如果测试结果正常，说明场效应管具有良好的耐压能力；如果测试结果异常，需要进一步分析原因并采取相应的措施。

除了直流耐压测试，还有一种常用的方法是交流耐压测试。

该方法通过施加一定频率和幅值的交流电压，检测场效应管在交流电压下的耐压能力。

交流耐压测试可以更全面地评估场效应管的绝缘性能和耐压能力。

在进行场效应管耐压测试时，需要注意以下几点：1. 测试环境应符合规定的温度和湿度条件，以保证测试结果的准确性。

2. 测试设备应经过校准和验证，确保测试结果的可靠性。

3. 测试过程中应注意安全，避免电击和其他意外事故的发生。

4. 测试数据应进行记录和保存，以备后续分析和追溯。

实验六场效应管放大器一、实验目的1、了解结型场效应管的性能和特点2、进一步熟悉放大器动态参数的测试方法二、实验仪器1、双踪示波器2、万用表3、信号发生器三、实验原理实验电路如下图所示：场效应管是一种电压控制型器件。

按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。

由于场效应管栅源之间处于绝缘或反向偏置，所以输入电阻很高(一般可达上百 兆欧)又由于场效应管是一种多数载流子控制器件，因此热稳定性好，抗辐射能 力强，噪声系数小。

加之制造工艺较简单，便于大规模集成，因此得到越来越广 泛的应用。

1、结型场效应管的特性和参数场效应管的特性主要有输出特性和转移特性。

图6-2所示为N 沟道结型场效应管3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线。

其直流参数主要有饱和漏极电表6-1列出了 3DJ6F 的典型参数值及测试条件。

表6-1 参数名称 饱和漏极电流 I (mA) -------- DSS -------------------夹断电压 U (V) ----- P -------- 跨 导 g (A/V) 测试条件U Ds =10VU Gs = 0VU DS =10V I DS = 50M U DS =10V I DS = 3mA f=1KHz 参数值 1〜3.5 <|-9 1>100 流's ' 夹断电压U 等；交流参数主要有低频跨导 Pg 二 三 m AUGSU DS =常数 图6-2 3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线2、场效应管放大器性能分析图6 — 1为结型场效应管组成的共源级放大电路。

其静态工作点U = U - U = —R gi—U -1 RGS G S R + R DD D S g1 g2I = I （1 -鼠）2 D DSS UP中频电压放大倍数A v=_g m R「=—g m R D〃耳输入电阻R i = R G+R gi〃R g2输出电阻R产R D式中跨导g m可由特性曲线用作图法求得，或用公式2I门Ug =——DSS（1 - -^S）m U P U P计算。

场效应管的测试方法
场效应管那可是电子世界的小明星啊！咱先说说咋测试它吧。

嘿，你想知道不？把万用表拨到合适的档位，先测一下各个引脚之间的电阻值。

这就像给场效应管做个体检，看看它有没有啥毛病。

要是电阻值不对头，那可就有问题啦！接着呢，可以给场效应管加个电压，看看它的反应。

这就好比给它点动力，看它能不能跑起来。

在测试的时候可得小心哦，别弄短路了，不然那可就悲剧啦！那安全性和稳定性咋保证呢？你想想，要是不小心把场效应管弄坏了，那多心疼啊！所以一定要仔细操作，按照正确的方法来。

场效应管的应用场景那可多了去了。

就像一个万能小助手，在各种电子设备里都能发挥大作用。

比如在电源电路里，它可以高效地控制电流，让设备稳定运行。

在放大器里呢，它能把小信号放大得超级厉害。

它的优势也很明显啊！功耗低，速度快，这多牛啊！就像一个短跑冠军，跑得又快又省力。

给你举个实际案例吧。

我有个朋友修一台电脑，发现主板上的场效应管坏了。

他按照正确的方法测试了一下，确定是哪个坏了，然后换了一个新的。

嘿，电脑马上就好啦！这效果，杠杠的。

所以啊，场效应管真是个好东西，测试方法也不难，只要小心操作，就能让它发挥大作用。

实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量一、实验设备（1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001）二、实验目的1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理；2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法；3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。

三、MOS 晶体管特性参数的测量原理1、实验仪器实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。

尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。

因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。

存放时，要将管子三个电极引线短接。

2、参数定义（1）、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。

在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。

转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。

由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。