聚合工艺作业-判断题 特种作业人员危险化学品安全作业聚合工艺作业1 [ 对 ] 1、干燥机发生断料后,如果是洗涤水泵跳闸所致,应立即打开洗胶罐补水阀,先恢复干燥机的正常进料。 [ 错] 2、汽提是直接通入水蒸汽,水蒸气既作为惰性气体,又作为加热介质的一种脱吸方法。 [ 对 ] 3、爆炸并不是在达到着火的临界条件时就立即发生。 [ 错 ] 4、石油化工装置检修现场,可以用汽油等易挥发性物质擦洗设备或零部件。 [ 对 ] 5、生产中在聚合压力很低情况下,提高聚合压力,聚合反应温度则会有明显增高。 [ 对 ] 6、聚合车间和岗位严禁携带移动、照相机和录像机进入。 [ 对 ] 7、油品从液体变为固体的过程为凝固。 [错 ] 8、防护罩、安全阀不属于安全防护装置。 [ 错 ] 9、仪表风就是压缩空气。 [ 对 ] 10、密封油泵不能空运转。 [ 对 ]11、在对接地连接系统的维护工作中,应重点检查螺栓紧固接点,及时更换腐蚀了的垫片。 [ 对 ] 12、用沸腾床干燥聚合物时,由于多数聚合物的热稳定性小,密度小,粒度细,因而限制了干燥气的流速和温度。 [ 对 ]13、安全阀进行校验和压力调整时,调整及校验装置用的压力表精度等级应不低于Ⅰ级。 [错 ] 14、自由基聚合反应根据引发的方式不同,可分为热引发、光引发、辐射引发、引发剂引发和链引发。 [ 对 ] 15、聚合度越大,聚合物的分子量越大。 [ 错 ] 16、往复泵也可以用安装出口阀门的方法来调节流量。 [ 对 ] 17、凝胶渗透色谱法(GPC)较为常用的各种平均分子量及分子量分布宽度的测试方法。 [ 错 ] 18、在列管换热器中腐蚀性流体应走壳程。 [ 对 ] 19、装置停工大检修就是对装置进行全面检查、检修和工艺改造等。 [ 对 ] 20、吹扫的标准:空气吹扫时,首先是保证气源的压力和吹扫时的流速,当吹扫时从排出口流体中见不到颜色、混浊固体物,或者对塔槽类来说,其部无沉淀物、异物,其吹扫即可停止。 [错] 21、生产中膨胀干燥机突然断料,极易引起聚合物塑化着火,其原因是断料后膨胀干燥机压力直线上升所致。 [ 错 ] 22、当聚合釜系统出现超压时,必须打开事故阀。 [ 错 ] 23、演练要素中宜明确应急演练的规模、方式、频次、围、容、组织、评估、总结等容。 [ 错] 24、生产经营单位应当制定本单位的应急预案演练计划,根据本单位的事故预防重点,每半年至少组织一次综合应急预案演练或者专项应急预案演练。 [ 错 ] 25、单位要根据需要,没有必要引进、采用先进适用的应急救援技术装备。 [ 对 ] 26、现场处置即根据事故情景,按照相关应急预案和现场指挥部要求对事故现场进行控制和处理。 [ 错 ] 27、对于危险性较大的重点设备、重点岗位和重点场所,生产经营单位应当制定重点工作岗位的现场处置方案。 [ 对 ] 28、二氧化硫会引起酸雨。 [ 对 ] 29、设备出厂检修,应进行充分置换,以防治污染物转移。 [ 对 ] 30、接触危险化学品的废包装物应作为危险废物处置。 [ 对 ] 31、工业废水包括生产废水和生产污水。 [ 对 ] 32、氧含量高于40%时,会造成氧中毒,长期吸入可能发生眼损害甚至失明。
食品工艺学复试题库 《食品工艺学》复试题库－罐藏部分 (1) 《食品工艺学》复试题库－干制部分 (15) 《食品工艺学》复试题库－冷藏部分 (19) 《食品工艺学》复试题库－气调贮藏部分 (25) 《食品工艺学》复试题库－辐射与化学保藏 (29) 《食品工艺学》复试题库－腌渍题库部分 (37) 食品工艺学－综合试卷一 (43) 食品工艺学－综合试卷二 (45) 食品工艺学－综合试卷三 (49)
《食品工艺学》复试试题库－罐藏部分 一、名词解释(每小题2分,共10分) 1.罐头食品(Canned Food/Tinned Food):就是指将符合标准要求的原料经处理、调味后装入金属罐、玻璃罐、 软包装材料等容器,再经排气密封、高温杀菌、冷却等过程制成的一类食品。 2.商业无菌: 罐头食品经过适度的热杀菌后,不含有对人体健康有害的致病性微生物(包括休眠体),也不含 有在通常温度条件下能在罐头中繁殖的非致病性微生物。 3.铁溶出值(ISV): 指一定面积的镀锡薄板在一定温度的酸液中保持一定时间浸出的铁的数量。 4.酸浸时滞值:指镀锡板的钢基在保持一定温度的酸液中达到一定的溶解速度时为止所需要的时间。 5.真空膨胀:食品放在真空环境中,食品组织间隙内的空气膨胀导致的食品体积膨胀现象。 6.真空吸收:真空密封好的罐头静置20-30min后,其真空度下降(比刚封好时的真空度低)的现象。 7.平盖酸坏:指罐头外观正常而内容物却在平酸菌活动下发生腐败,呈现轻微或严重酸味的变质现象。 8.平酸菌:导致罐头食品出现平盖酸坏变质腐败的细菌。即该类细菌代谢有机物质产酸而不产气。 9.D值:指在一定的条件与热力致死温度下,杀死原有菌数的90%所需要的杀菌时间。 10.Z值:在一定条件下,热力致死时间呈10倍变化时,所对应的热力致死温度的变化值。 11.TDT值:(Thermal Death Time,TDT)热力致死时间,就是指热力致死温度保持不变,将处于一定条件下的食 品(或基质)中的某一对象菌(或芽孢)全部杀死所必须的最短的热处理时间。 12.TRT值:热力指数递减时间(Thermal Reduction Time,TRT)在任何热力致死温度条件下将细菌或芽孢数减 少到某一程度(如10-n)时所需的热处理时间(min)。 13.顶隙:罐头食品上表面表与罐盖之间的垂直距离。 14.叠接率:指卷边内身钩与盖钩重叠的程度。 15.二重卷边:用两个具有不同形状的槽沟的卷边滚轮依次将罐身翻边与罐盖沟边同时弯曲、相互卷合,最后 构成两者紧密重叠的卷边,达到密封的目的。 16.临界压力差:杀菌时开始形成铁罐变形或玻璃罐跳盖时罐内与杀菌锅间的压力差。 17.假封:就是指盖钩自行折迭并紧压在折迭的身钩上,但两者并没有相互钩合起来形成二重卷边。 18.暴溢:就是采用高速真空封罐机进行罐头食品的排气密封时,因罐内顶隙的空气压力瞬间降低,罐内汤汁突 然沸腾,汁液外溢的现象。 19.反压冷却:为防止玻璃罐跳盖或铁罐变形,而需增加杀菌锅内的压力,即利用空气或杀菌锅内水所形成的补 充压力来抵消罐内的空气压力,这种压力称为反压力。 20.硫臭腐败:就是由致黒梭状芽孢杆菌(Clostridium nigrificans)分解含硫蛋白质并产生唯一的H2S气体,H2S 与罐内壁铁质反应生成黑色的FeS,沉积于罐内壁或食品上,使食品发黑并呈有臭味,此现象称黒变或硫臭腐败。 三、填空题(每小题2分,共分) 1.根据原料类型,可将罐头食品分为肉类、禽类、水产品、水果、蔬菜等五种主要类型。 2.对罐藏容器的要求有对人体无害、良好的密封性、良好的耐腐蚀性能、适合工业化生产。 3.镀锡薄钢板的抗腐蚀性能包括:铁溶出值、酸浸时滞值、合金-锡电偶值、锡层晶粒度、锡层与合金层厚度等五项指标。 4.罐头内壁涂料中最重要的组分就是树脂与溶剂。 5.杀菌锅上排气阀的作用主要就是排除空气,它应在升温灭菌时关闭;泄气阀的作用就是促进蒸汽对流,它可在降温时关闭。 6.二重卷边的外部技术指标包括卷边顶部、卷边下缘、卷边轮廓;其内部技术指标中的“三率”就是指叠接率、紧密度(皱纹度)、接缝卷边完整率。 7.低酸性食品常以pH值4、6 来划分,低酸性罐头食品常用高压方式进行杀菌处理,并以肉毒梭菌
1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？ 答：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。 2、切片可决定晶片的哪四个参数/ 答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。 3、硅单晶研磨清洗的重要性。 答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率 45、什么是低K材料？ 答：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料 46、与Al 布线相比，Cu 布线有何优点？ 答：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。 4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？ 答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型 清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干 5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？ 答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染 腐蚀方式：喷淋及浸泡 6、CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？ 答：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光 7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？ 答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。 8、何谓掺杂？ 答：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。 9、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？ 答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松 10、氧化硅的主要作用有哪些？ 答：1、作为掩膜，2、作为芯片的钙化和保护膜，3、作为电隔离膜，4、作为元器件的组成部分。 11、SiO2中杂质有哪些类型？ 答：替代式杂质、间隙式杂质 12、热氧化工艺有哪些？ 答：有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化 13、影响氧化速率的因素有？ 答：温度、气体分压、硅晶向、掺杂 14、影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施? 答：1）可动离子电荷（Qm）：加强工艺卫生方可以避免Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂 2）固定离子电荷Qf ：（1）采用干氧氧化方法（2）氧化后，高温惰性气体中退火
1、【判断题】搪玻璃设备可以用碱清洗。（×） 2、【判断题】根据《生产安全事故报告和调查处理条例》的规定,事故发生单位主要负责人未依法履行安全生产管理职责,导致发生一般事故的,处上一年年收入30%的罚款。（√） 3、【判断题】特种设备安全监督管理部门应当制定特种设备应急预案。特种设备使用单位应当制定事故应急专项预案,并定期进行事故应急演练。（√） 4、【判断题】生化处理系统为厌氧-好氧工艺,使各项指标达到污水排放标准的三级指标。（√） 5、【判断题】为了控制明火,可以用水蒸气、导生油、熔盐等间接加热。（√） 6、【判断题】吸附常用活性炭或煤渣作吸附剂,苯乙烯-二乙烯苯类聚合物不能作为吸附剂。（×） 7、【判断题】硝化产生的废气主要是硝烟。（√） 8、【判断题】硝基苯的蒸气与空气混合形成爆炸性混合物。（√） 9、【判断题】火灾发生后,如果逃生之路已被切断,应退回室内、关闭通往燃烧房间的门窗,并向门窗上泼缓火势发展,同时打开未受烟火威胁的窗户,发出求救信号。（√） 10、【判断题】吸声材料对高频噪声的吸收较有效。（√） 11、【判断题】棉尘病属于尘肺病。（×）
12、【判断题】在静电危险场所,避免梳头、穿脱衣服和剧烈活动。（√） 13、【判断题】硝酸与醋酐可以任意比例混溶。（√） 14、【判断题】三不动火的原则之一是没有经批准的动火作业票不动火。（√） 15、【判断题】危险化学品重大危险源是指长期地或临时地生产、加工、使用或储存危险化学品,且危险化学品的数量小于临界量的单元。（×） 16、【判断题】安全阀的承压件材料,应当适应工作介质、最高操作压力、最高和最低操作温度,以便保证安全阀可靠运行。（√） 17、【判断题】精炼石油产品制造属于职业病危害严重的行业。（√） 18、【判断题】离心泵内无液体时不能启动使之运转。（√） 19、【判断题】凡进入有受限空间必须佩戴防毒面具等个人防护用品,不得盲目施救。（√） 20、【判断题】生化处理系统为厌氧工艺。（×） 21、【判断题】现场演练可以在会议室进行。（×） 22、【判断题】输送含有剧毒物质的正压风管,不得通入其他房间。（√） 23、【判断题】甲苯硝化生产梯恩梯,甲苯与混酸逆向流动。（√） 24、【判断题】以四氯化碳为溶剂时，硝酸产生NO??较快。（× ） 25、【判断题】参加应急预案评审的人员应当包括应急预案涉及的政府部门工作人员和有关安全生产及应急管理方面的专家。（√）
2018高考专题工艺流程综合题型探究 河南省淮阳县第一高级中学高三复习部 【备考策略】 在全国近几年的高考中，主要考查物质的制备和提纯的工艺流程，其中涉及元素及其化合物的性质、离子反应、氧化还原反应、电池反应等。在2018年的备考中，应关注元素化合物知识与生产、生活的联系，善于从基本概念和反应原理的角度分析流程图试题中的元素化合物知识。解答这类试题要注意循环经济、原子经济、节能环保等要求。 【考情分析】[ 年份试题知识点分值 2013 第27题电极反应式、化学方程式、电池总反应式的 书写，物质的回收，环境保护 15分 2015 第27题化学方程式的书写，加快浸出速率的措施， 物质的分离提纯，电子式的书写 15分 2016 第26题物质的制备、实验基本操作、盐类水解、实验 方案的设计与评价、元素及其化合物的性质 14分 2017 第27题反应速率，离子、化学方程式，沉淀溶解平 衡，计算 14分
化学工艺流程题的解题要领 解题时首先要粗读试题，尽量弄懂流程图。要明确流程图中箭头方向和代表的含义。流程图中箭头进入的是反应物(投料)，箭头出去的是生成物(产物、副产物)，返回的箭头一般是“循环利用”的物质。图中一般会出现超纲知识，要读懂流程图以外的文字描述、表格信息、后续设问中的提示性信息，并在下一步分析和解题中随时进行联系和调用。所以一定要关注题目的每一个字眼，但不必将每一个物质都推出，问什么推什么。其次要带着问题去精心研究某一步或某一个物质。在答题时应注意前后问题往往没有连带效应，即前一问不能回答没关系，不影响后面回答问题。遇到做不出来的问题要及时放弃，以免影响其他问题的作答。最后，作答时一定要看清所提问题，不能答非所问，注意语言表达的科学性。 1. 常见的化工术语 关键词释义 研磨、雾化将块状或颗粒状的物质磨成粉末或将液体雾化，增大反应物接触面积，以加快反应速率或使反应更充分 灼烧(煅烧) 使固体在高温下分解或改变结构、使杂质高温氧化、分解等。如煅烧石灰石、高岭土、硫铁矿 浸取向固体中加入适当溶剂或溶液，使其中可溶性的物质溶解，包括水浸取、酸溶、碱溶、醇溶等 浸出率固体溶解后，离子在溶液中的含量的多少 酸浸在酸性溶液中使可溶性金属离子进入溶液，不溶物通过过滤除去的过程 水浸与水接触反应或溶解 过滤固体与液体的分离 滴定定量测定，可用于某种未知浓度物质的物质的量浓度的测定 蒸发结晶蒸发溶剂，使溶液由不饱和变为饱和，继续蒸发，过剩的溶质就会呈晶体析出蒸发浓缩蒸发除去部分溶剂，提高溶液的浓度 水洗用水洗去可溶性杂质，类似的还有酸洗、醇洗等 酸作用溶解、去氧化物(膜)、抑制某些金属离子的水解、除去杂质离子等 碱作用去油污，去铝片氧化膜，溶解铝、二氧化硅，调节pH、促进水解(沉淀)
《食品工艺学》复习题库 河南科技大学食品与生物工程学院 《食品工艺学》课程组
一、名词解释16分 1.软饮料； 2. 果味型碳酸饮料； 3. 原糖浆； 4. 调味糖浆； 5. 碳酸化； 6.果肉饮料； 7. 混合果肉饮料； 8.果蔬汁饮料； 9. 乳饮料；10. 配制型含乳饮料；11. 发酵型含乳饮料； 12. 植物蛋白饮料； 15. 酪蛋白；16.酸乳；17. 异常乳；18. 乳粉；19.乳清；20.配制乳粉；21.灭菌纯牛乳；22.酸奶发酵剂；23.纯酸牛乳；24. 乳清蛋白；25.牛乳的滴定酸度； 26.巴氏杀菌乳；27.纯酸脱脂牛乳；28.灭菌脱脂纯牛乳； 29.焙烤食品；30中种发酵法； 31. 湿面筋；32.面包陈化；33. 面团醒发；34. 酶促褐变； 二、填空题20 分 1. 按软饮料的加工工艺，可以将其分为采集型、提取型、_____和_____四类。 2.天然水中的杂质主要包括_____、胶体物质和_____和_____三部分。 3.水的硬度分为____、____和非碳酸盐硬度。 4.总硬度是____硬度和___硬度之和。 5.水处理中最常用的混凝剂是___和___。 6.离子交换膜按透过性能分为_____和_____。 7.目前常用的阳离子交换膜为_____型，阴离子交换膜为_____。 8.按所带功能基团的性质，一般将离子交换树脂分为_____和_____交换树脂两类。 9.常用的水消毒的方法有____、____和____。 10. 可乐型汽水使用的着色剂是____，酸味剂主要是____。 11.我国将含乳饮料分为____和____二类。 12.乳成分中受其它因素影响变化最大的是___,其次为，不易变化的为和。 13.速溶乳粉加工的两个特殊工艺是___和___。 14.全脂牛乳进行均质处理时，常需控制___和___两个条件。 15.乳清的主要成分是___、___、___、无机盐和水溶性维生素。 16.制备母发酵剂培养基所用的灭菌方法是____或___。 17.正常牛乳的酸度为 _o T，密度（20℃）为。 18.脱脂乳加酸或凝乳酶处理可得到和 2部分。 19.脱脂速溶乳粉一般采用方法加工，全脂速溶乳粉一般采用方法加工。 20.乳房炎乳的值升高，降低。 21.加工巴氏杀菌乳时，当原料乳脂肪不足时要添加或分离。 22. 加工巴氏杀菌乳是时，当原料乳脂肪过高时要添加或分离。 23.当使用75％的酒精判断牛乳的新鲜度时，若呈阴性，则说明牛乳的酸度低于o T，牛乳的酸度与牛乳的和有关。 24.酸奶发酵剂按其制备过程分类，可将其分为、、中间发酵剂和。25果蔬取汁的方式有____和___。 26.果蔬浸提取汁的方法可以采用____法和___法。 27.粗滤的方式主要有____和___两种。 28. 导致果蔬汁混浊的因素主要包括两类____和___二类。 29 面筋含量在35%以上的面粉适合加工；面筋含量在26~35%以上的面粉适合加工；面筋含量在26%以下的面粉适合加工。 30.为使面包膨松柔软，可在面包中加入、、碳酸氢氨及。 31. 小麦面粉中的蛋白质主要包括面筋性蛋白质，主要是_____________、_____________，和非面筋性蛋白质主要是清蛋白、球蛋白、糖类蛋白及核蛋白。
电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高
1．什么是锻造？锻造与其他成形方法相比最显著的特点在哪里？ 答：锻造是利用金属的塑性，使坯料在工具（模具）的冲击或压力作用下，成为具有一定形状，尺寸和组织性能的工件的加工方法。（1）综合力学性能好（2）节约材料（3）生产效率高锻造比是锻件在锻造成形时，变形程度的一种表示方法。 2．什么叫计算毛坯？其特点和作用 答：等截面的原毛坯不能保证金属充满非等截面的模膛，因此需要毛坯体积重新分布，得到一种中间坯料，使它沿轴线每一截面面积等于相应部位锻件截面积与飞边截面积之和，这样的中间坯料即为计算毛坯 计算毛坯法？ （2）计算毛坯法的步骤 1）作最能反映锻件截面变化的锻件图的一个视图，沿该视图的轴线，选取若干具有代表性的截面，如：最大、最小、首尾和过渡（拐点）截面等。 2）作各截面的截面图。计算毛坯各截面的截面积： A计=A锻+A飞=A锻+2ηA飞 式中：A计——计算毛坯截面积（mm2），如A计1、A计2、… A锻——锻件截面积（mm2），如A锻1、A锻2、… A飞——飞边截面积(mm2)； η——飞边充填系数，简单形状锻件取0.3~0.5；复杂形状锻件取0.5~0.8. 3）在锻件图下作轴线平行的相对应的计算毛坯截面图： 式中：h计——截面图中各截面的高度（mm），如h计1、h计2、… M——缩尺比，通常取M=20~50 mm2/mm 以计算毛坯截面图的轴线作横坐标，h计为纵坐标，将计算出的各截面h计绘制在坐标图上，并连接各点成光滑曲线。 计算毛坯截面图的每一处高度代表了计算毛坯的截面积，截面图曲线下的整个面积就是计算毛坯的体积。 V计=MS计 式中：V计——计算毛坯体积（mm2）； S计——计算毛坯截面图曲线下的面积（mm2）。 4）作计算毛坯直径图 计算毛坯任一截面的直径： 式中：d计——计算毛坯各截面的直径，如d计1、d计2、… 方截面毛坯： 式中：B计——方截面计算毛坯边长（mm）。 以计算毛坯长度为横坐标，以d计为纵坐标，在截面图的下方，绘制计算毛坯直径图。 5）计算平均截面积和平均直径 平均截面积： 式中：L计——计算毛坯长度（mm）； h均——计算毛坯截面图上的平均高度（mm）。 平均直径： 将和分别用虚线在截面图和直径图上标出。凡大于均线的部分称为头部；凡小于均线的部分称为杆部。 如果选用的毛坯直径与平均直径相等，模锻时头部金属不够，而杆部金属有余，无法得到要求形状和尺寸的锻件。故必须选择合适的毛坯直径和制坯工步。
工艺流程高考题 1. 银铜合金广泛用于航空工业。从切割废料中回收银并制备铜化工产品的工艺如下： （注：Al(OH)3和Cu(OH)2开始分解的温度分别为450℃和80℃） （1）电解精炼银时，阴极反应式为；滤渣A与稀 HNO3反应，产生的气体在空气中 迅速变为红棕色，该气体变色的化学方程式为。（2）固体混合物B的组成为；在生成固体B的过程中，需控制NaOH的加入量，若NaOH过量，则因过量引起的反应的离子方程式 为。 (3)完成煅烧过程中一个反应的化学方程式：CuO + Al2O3CuAlO2 + ↑（4）若银铜合金中铜的质量分数为63.5%，理论上5.0kg废料中的铜可完全转化为mol CuAlO2，至少需要1.0mol·L-1的Al2(SO4)3溶液L。 (5)CuSO4溶液也可用于制备胆矾，其基本操作是、过滤、洗涤和干燥。 2.石墨在材料领域有重要应用，某初级石墨中含SiO2（7.8%）、Al2O3（5.1%）、Fe2O3（ 3.1%）和MgO（0.5%）等杂质，设计的提纯与综合利用工艺如下： （注：SiCl4的沸点为57.6℃，金属氯化物的沸点均高于150℃） （1）向反应器中通入Cl2前，需通一段时间N2，主要目的是_________________。 （2）高温反应后，石墨中氧化物杂质均转变为相应的氯化物，气体I中的碳氧化物主要为_______________，由气体II中某物质得到水玻璃的化学反应方程式为______________。（3）步骤①为：搅拌、________、所得溶液IV中的阴离子有_______________。 （4）由溶液IV生成沉淀V的总反应的离子方程式为___________________，100kg初级石墨最多可获得V的质量为___________kg。 （5）石墨可用于自然水体中铜件的电化学防腐，完成图19防腐示意图，并作相应标注。3、（2014广州调研）锰是冶炼工业中常用的添加剂。以碳酸锰矿（主要 成分为MnCO3，还含有铁、镍、钴等碳酸盐杂质）为原料生产金属锰的 工艺流程如下： 碳酸锰矿粉溶浸 1 Mn 2 电解 除杂除杂 2 ℃ Ⅲ
《食品工艺学》复试试题库－罐藏部分 一、名词解释（每小题2分，共10分） 1.罐头食品(Canned Food/Tinned Food)：是指将符合标准要求的原料经处理、调味后装入金属罐、玻璃 罐、软包装材料等容器，再经排气密封、高温杀菌、冷却等过程制成的一类食品。 2.商业无菌: 罐头食品经过适度的热杀菌后,不含有对人体健康有害的致病性微生物(包括休眠体)，也不 含有在通常温度条件下能在罐头中繁殖的非致病性微生物。 3.铁溶出值(ISV): 指一定面积的镀锡薄板在一定温度的酸液中保持一定时间浸出的铁的数量。 4.酸浸时滞值：指镀锡板的钢基在保持一定温度的酸液中达到一定的溶解速度时为止所需要的时间。 5.真空膨胀：食品放在真空环境中，食品组织间隙内的空气膨胀导致的食品体积膨胀现象。 6.真空吸收：真空密封好的罐头静置20-30min后，其真空度下降(比刚封好时的真空度低)的现象。 7.平盖酸坏：指罐头外观正常而内容物却在平酸菌活动下发生腐败，呈现轻微或严重酸味的变质现象。 8.平酸菌：导致罐头食品出现平盖酸坏变质腐败的细菌。即该类细菌代谢有机物质产酸而不产气。 9.D值：指在一定的条件和热力致死温度下，杀死原有菌数的90%所需要的杀菌时间。 10.Z值：在一定条件下，热力致死时间呈10倍变化时，所对应的热力致死温度的变化值。 11.TDT值：(Thermal Death Time，TDT)热力致死时间，是指热力致死温度保持不变，将处于一定条件下 的食品(或基质)中的某一对象菌(或芽孢)全部杀死所必须的最短的热处理时间。 12.TRT值：热力指数递减时间(Thermal Reduction Time,TRT)在任何热力致死温度条件下将细菌或芽孢数 减少到某一程度(如10-n)时所需的热处理时间(min)。 13.顶隙：罐头食品上表面表与罐盖之间的垂直距离。 14.叠接率：指卷边内身钩与盖钩重叠的程度。 15.二重卷边：用两个具有不同形状的槽沟的卷边滚轮依次将罐身翻边和罐盖沟边同时弯曲、相互卷合， 最后构成两者紧密重叠的卷边，达到密封的目的。 16.临界压力差：杀菌时开始形成铁罐变形或玻璃罐跳盖时罐内和杀菌锅间的压力差。 17.假封：是指盖钩自行折迭并紧压在折迭的身钩上，但两者并没有相互钩合起来形成二重卷边。 18.暴溢：是采用高速真空封罐机进行罐头食品的排气密封时，因罐内顶隙的空气压力瞬间降低，罐内汤 汁突然沸腾，汁液外溢的现象。 19.反压冷却：为防止玻璃罐跳盖或铁罐变形，而需增加杀菌锅内的压力，即利用空气或杀菌锅内水所形 成的补充压力来抵消罐内的空气压力，这种压力称为反压力。 20.硫臭腐败：是由致黒梭状芽孢杆菌(Clostridium nigrificans)分解含硫蛋白质并产生唯一的H2S气体， H2S与罐内壁铁质反应生成黑色的FeS，沉积于罐内壁或食品上，使食品发黑并呈有臭味，此现象称黒变或硫臭腐败。 三、填空题（每小题2分，共分） 1.根据原料类型，可将罐头食品分为肉类、禽类、水产品、水果、蔬菜等五种主要类型。 2.对罐藏容器的要求有对人体无害、良好的密封性、良好的耐腐蚀性能、适合工业化生产。 3.镀锡薄钢板的抗腐蚀性能包括：铁溶出值、酸浸时滞值、合金-锡电偶值、锡层晶粒度、锡层与合金层厚度等五项指标。 4.罐头内壁涂料中最重要的组分是树脂和溶剂。 5.杀菌锅上排气阀的作用主要是排除空气，它应在升温灭菌时关闭；泄气阀的作用是促进蒸汽对流，它可在降温时关闭。 6.二重卷边的外部技术指标包括卷边顶部、卷边下缘、卷边轮廓；其内部技术指标中的“三率”是指叠接率、紧密度(皱纹度)、接缝卷边完整率。
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？ 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法？ 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？ 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？ 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释
1.（14分）某化学小组拟用粗氧化铜（含少量氧化亚铁及不溶于酸的杂质）制取无水氯化 铜，其实验流程如下图所示： （1）步骤①中氧化铜与盐酸反应的离子方程式是。 （2）步骤①、③的过滤操作中，除用到铁架台(带铁圈)外，还需要使用的玻璃仪器是。 （3）已知： 氢氧化物开始沉淀时的pH 氢氧化物沉淀完全时的pH Fe3＋ 1.9 3.2 Fe2＋7.0 9.0 Cu2＋ 4.7 6.7 提供的试剂：a．NaOH b．H2O2 c．Na2CO3 d．CuO 参照表中给出的数据和试剂，请回答： 步骤②的目的是，反应的离子方程式是。步骤③中调节溶液pH的范围是，试剂Y是（填字母）。 （4）步骤⑤要得到无水氯化铜，需要在干燥的HCl气流中加热CuCl2·2H2O，其原因是。2．（14分）镁砂（MgO）是一种高温耐火材料。下图是氨法制取高纯镁砂的部分工艺流程： 请回答： （1）MgCl2?6H2O溶于水，溶液呈（填“酸性”、“中性”、或“碱性”）。 （2）写出氨气的电子式。 （3）蒸氨是将石灰乳通入氯化铵溶液中，并加热，写出该反应的化学方程式：。 （4）轻烧后的产物为。 （5）过滤洗涤主要是除去附着在固体表面的氯离子，检验沉淀已洗涤干净的方法是。 （6）氨化反应过程中反应的离子方程式为。 （7）已知向Mg(OH)2沉淀中滴加氯化铵溶液可观察到沉淀溶解，该实验应注意使用饱和氯化铵溶液、边滴加边振荡，试解释该反应发生的原理（用离子方程式表示和文字说明）。 3、KClO3在农业上用作除草剂，超细CaCO3广泛用于消光纸、无炭复写纸等。某同学在实验室模拟工业过程，利用制乙炔产生的残渣制备上述两种物质，过程如下： Ⅰ. ①电石与水反应的化学方程式是。 ②残渣 ．．中主要成分是Ca(OH)2 和。 电石 水 灰浆 自然风干 残渣
一、名词解释 （1）化学气相沉积：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产 生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。 （ 2）物理气相沉积：“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术: a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体 ; b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬 底 ;c.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜 (3)溅射镀膜：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其 获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。 （衬(4) 蒸发镀膜：加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片底） 表面，凝结形成固态薄膜。 (5)替位式扩散：占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。只有当替位杂质的近邻晶格上出 现空位，替位杂质才能比较轻易地运动到近邻空位上 (6)间隙式扩散：间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。 (7)有限表面源扩散：扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再 有杂质加入，此种扩散称为有限源扩散。 (8)恒定表面源扩散：在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度始终保持不 变。 (9)横向扩散：由于光刻胶无法承受高温过程，扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子 扩散进入硅片，它们向各个方向运动：向硅的内部，横向和重新离开硅片。假如杂质原子沿 硅片表面方向迁移，就发生了横向扩散。 (10)保形覆盖：保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积 有相同厚度的薄膜。 二、简述题 1、简述两步扩散的含义与目的。 答：为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺：第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩 散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步称为主扩散或 再分布，将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和表面浓度，主扩散的同时也往往进行氧化。 2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离 子注入掺杂的优势与缺点各是什么? 答：扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单 调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 (1).离子注入掺杂的优势:相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺 杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导 体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、 氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐 高温材料。 (2)离子注入掺杂的缺点 :主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后 续的退化处理用来去除这些损伤。 3、简述离子注入工艺中退火的主要作用。 答：由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为（１）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（２）恢复有序的晶
黑龙江建筑职业技术学院 2011——2012学年度第二学期 机械加工工艺考试题库 适用班级：机械1015 1016 一、判断题（每题2分，共10分。正确用√表示，错误用х表示） 1 渗碳易产生工件的变形，应安排在精加工后进行。 2确定工序数有两个基本原则、工序分散原则和工序集中原则。3车刀刀具的前角越大，可使刀刃锋利，切削力减少。 4精镗孔时应先试镗、测量合格后才能继续加工。 5 台式钻床也可以攻丝的 6直流电焊机正、反接都可以焊接工件。 7 使用尾座时、套筒尽量伸出短些。 8 车台阶轴时一般先车直径较小的部分、后车直径较大的部分。9氮化一般安排在工艺过程的后部、该表面的最终加工之前。 10 装卡铣刀时，在不影响铣削的情况下，尽量用长刀杆。 11 切断时、铣刀尽量靠近夹具，以增加切断的稳定性。 12绞孔时铰刀可以正反转。 13装卡刨刀时，刀具伸出长度不用考虑。 14机床在加工前不用润滑和试运转。 15刀具装卡后可直接进行切削加工。 16对有公差要求的尺寸在加工时，应尽量按其中间公差加工。17 在批量生产中必须进行首件工件检查。 18用四爪卡盘装卡不规则偏重工件时，必须加配重。 19铣削前把机床调整好后其他运动方向不用锁紧。 20 按划线钻孔时，应先试钻确定中心后在开始钻孔。 21绞孔完成后停车再把铰刀退出 22拉刀在使用前防锈油可不用洗净。 23修砂轮时，应不间断的充分使用切削液。 24各种下料方法的加工余量是一样的。 25在铸件、锻件等毛坯上进行的划线叫半成品划线。 26毛坯划线一般应保证各面的加工余量分布均匀。 27用台虎钳夹紧工件时可用手锤敲打手柄。 28锯条的安装松紧程度要适当。 29工件的锯削部位装卡应尽量靠近钳口，防止振动。 30锯削薄壁管件时，选用粗齿锯条。 31钢铁件选用单齿纹锉刀。
2016年中考化学《工艺流程题》专题 1. (双选)氯化亚铜(CuCl)难溶于水，在空气中迅速被氧化为Cu2( OH)3C1。以粗盐水(含CaC12、 MgCl2、Na2SO4)、Cu等原料制CuCl的工艺如下图。 下列说法正确的是( ) A.溶液①②③依次加入，则A为Na2CO3、B为BaC12 B. HCl+NaOH ===NaCl+H2O是“反应Ⅱ”中唯一的反应 C.沉淀池中H2O也参与反应且有两种元素的化合价发生变化 D.若CuCl被氧化的原理为4CuC1 + 4H2O +O2===2Cu2 ( OH ) 3 C1+2A，则A为HCl 2. 纳米碳酸钡是一种重要的无机化工产品，下图是某厂生产纳米碳酸钡的工艺流程。 请回答下列问题: (1)试剂A的化学式，若在实验室中进行该实验，操作1和操作2的名称 是，该实验中玻璃棒的作用是。 (2)该工艺中生成碳酸钡固体的反应方程式为 BaCl2+ +2KOH===BaCO3↓+ + ，请完成并配平该方程式。 (3)操作3为洗涤、检验和，洗涤的作用是，检验洗涤是否干净可 选用试剂(写化学式)。 (4)上述流程中可循环利用的物质是，该流程中的副产物可用作(写一种用 途)。 3.（2015?泸州）过氧化钙晶体（CaO2?8H2O）较稳定，呈白色，微溶于水，广泛应用于环境 杀菌、消毒．以贝壳为原料制备CaO2流程如下： （1）气体X是CO2，其名称是二氧化碳；将过氧化钙晶体与溶液分离的方法是过滤．
（2）反应Y 需控制温度在0～5℃，可将反应容器放在 冰水混合物 中，该反应是化合反应，反应产物是CaO 2?8H 2O ，请写出化学方程式 CaO+H 2O 2+7H 2O=CaO 2?8H 2O ．获得 的过氧化钙晶体中常含有Ca （OH ）2杂质，原因是 CaO 或Ca （OH ）2过量，且Ca （OH ）2微溶 ． （3）CaO 2的相对分子质量为 72 ，过氧化钙晶体（CaO 2?8H 2O ）中H 、O 元素的质量比为 1：10 ． （4）为测定制得的过氧化钙晶体中CaO 2?8H 2O 的质量分数，设计的实验如下：称取晶体样品50g ，加热到220℃充分反应（方程式为2CaO 2?8H 2O 2CaO+O 2↑+16H 2O ↑，杂 质不发生变化），测得生成氧气的质量为3.2g ，请计算样品中CaO 2?8H 2O 的质量分数 （CaO 2?8H 2O 相对分子质量为216），写出必要的计算过程． 4. （2015?咸宁）“低碳”是全世界的主题，以下流程是通过控制化学反应的条件来促进或抑制化学反应，实现“低碳”，从而更好地通过化学反应为人类造福． 根据上述流程回答下列问题： （1）上述流程中可循环利用的物质是 二氧化碳 ． （2）除去机动车尾气中一氧化碳，下列方法中不正确的是 bc ． a ．把混合气体通过灼热的氧化铜 b ．把混合气体点燃 c ．把混合气体倾倒到另一个容器中 （3）甲醇（CH 3OH ）燃烧除了生成二氧化碳外，还生成一种常温下为液态的化合物，写出反应的化学方程式 2CH 3OH+3O 22CO 2+4H 2O ，如何证明燃烧产物中含有二氧化碳，你设计的实验方法是 CO 2+Ca （OH ）2═CaCO 3↓+H 2O （用化学方程式表示）． 5.硫酸锌可作为食品锌强化剂的原料。工业上常用菱锌矿生产硫酸锌，菱锌矿的主要成分是 ZnCO 3 ，并含少量的Fe 2O 3、FeCO 3、MgO 等，工艺流程图如下:
食品工艺学试题一答案及评分标准 一、填空题（20分，每空1分） 1、原果胶、果胶、果胶酸。 2、单宁、色素、有机酸。 3、氮溶解指数（NSI ）。 4、面筋蛋白。 5、凝胶结构、蛋白质所带净电荷的数量。 6、初溶解度、终溶解度、过溶解度。 7、加热排气法、真空排气法、喷蒸汽排气法。 8、自然解冻、解冻和烹煮。 9、返砂、流汤。 二、选择题（12分，每空1.5分） 1、C 2、C 3、D 4、B 5、A 6、C 7、D 8、B 三、名词解释（15分，每题3分） 1、局部腐蚀是指罐内壁气液交界部位发生的腐蚀现象，发生局部腐蚀的罐头，开罐后在顶隙和液面交界处可看到有一暗灰色的腐蚀圈。 2、市乳系指以鲜乳为原料，经标准化（或调剂）、均质、杀菌、冷却、灌装、封口等处理后制成的供直接饮用的乳。 3、无菌包装系指蒸汽、热风或化学试剂将包装材料灭菌后，再以蒸汽、热水或无菌空气等形成正压环境，在防止细菌污染的条件下进行的灭菌乳包装。 4、食品工艺学是根据技术上先经、经济上合理的原则，研究食品的原材料、半成品和成品的加工过程和方法的一门应用科学。 四、简答题（25分，每题5分） 1、答：单宁的加工特性为：（1）涩味。（2）变色：a 、酶促褐变；b 、酸性加热条件下，本身含量较高时，对变色有利；c 、金属离子引起变色，如单宁遇铁变黑。（3）单宁与蛋白质产生絮凝。 2、答：杀菌工艺表达式为 )(3 21p t t t t -- 杀菌条件的合理性通常通过杀菌值下的计算来判别，杀菌值包括安全杀菌F 值和实际杀菌值Fo 。若实际杀菌值Fo 小于安全杀菌值F 值，说明该杀菌条件不合理，杀菌不足或说杀菌强度不够，罐内食品仍可能出现因微生物作用引起的变败，就应该适当提高杀菌温度或延长杀菌时间，若实际杀菌值等于或略大于安全杀菌，说明该杀菌条件合理，达到了商业灭菌的要求，若实际杀菌Fo 值比安全杀菌F 大得多，说明杀菌过度，使食品遭受了不必要的热损伤，杀菌条件也不合理，应适当降低杀菌温度或缩短杀菌时间。 3、答：冰淇淋产生收缩的原因：（1）膨胀率过高；（2）蛋白质稳定性差；（3）糖含 量过高。 4、答：在下列三种情况下需补充加热：（1）真空封罐机的性能不好，真空仓的真空