微电子封装复习题
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1.集成电路芯片封装狭义:是指利用膜技术及微加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。
2.封装的分类:依引脚分布,封装元件有单边引脚、双边引脚、四边引脚与底部引脚四种。
3.芯片封装所用材料包括:金属、陶瓷、玻璃、高分子等(金属最具气密性)4.为了获得最佳的共晶贴装,IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载座上先植入预型片。
5.芯片互连方法:打线键合、载带自动键合、倒装芯片键合。
6.TAB技术分为以下三方面:一芯片凸点制作技术,二TAB载带制作技术,三载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。
7.厚膜浆料的两个共性:(2)由两种不同的多组分相组成,一个是功能相,提供最终膜的电学和力学性能,另一个是载体相,提供合适的流变能力。
8.三个参数表征厚膜浆料:①颗粒、②固体粉末百分比含量、③粘度9.厚膜电阻:把金属氧化物颗粒与玻璃颗粒混合,在足够的温度\时间进行烧结,以使玻璃熔化并把氧化物颗粒烧结在一起。
10.薄膜技术方法:真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、光刻工艺11.常见电路板有硬式印制电路板、软式印制电路板、金属夹层电路板、射出成型电路板12.污染种类:非极性/非离子性污染、极性/非离子性污染、离子性污染、不溶解/粒状污染13.氧化铝为陶瓷封装最常用的材料,浆料的准备为陶瓷封装工艺的首要步骤14.无机材料中添加玻璃粉末的目的:调整纯氧化铝的热膨胀系数、介电系数等特性;降低烧结温度15.芯片封装完成之后,要进行质量和可靠性两方面的检测16.塑料封装的成型技术:转移成型技术、喷射成型、预成型技术,最主要的转移成型17.球栅阵列式BGA技术四种主要形式:塑料球栅阵列、陶瓷球栅阵列、陶瓷圆柱栅格阵列和载带球栅阵列1.厚膜技术:厚膜技术按不同的方式进行分类:聚合物厚膜、难熔材料厚膜和金属陶瓷厚膜;金属陶瓷厚膜浆料具有四种主要成分:1有效物质,确立膜的功能,2粘贴成分,提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体,3有机粘贴剂,提供丝网印制的合适流动性能,4溶剂或稀释剂,它决定运载剂的粘度。
电子封装技术基础知识单选题100道及答案解析1. 电子封装的主要作用不包括()A. 保护芯片B. 提供电气连接C. 提高芯片性能D. 增加芯片尺寸答案:D解析:电子封装的主要作用是保护芯片、提供电气连接以及在一定程度上优化芯片性能,而不是增加芯片尺寸。
2. 以下哪种材料常用于电子封装的基板()A. 玻璃B. 陶瓷C. 木材D. 塑料答案:B解析:陶瓷具有良好的热性能和电性能,常用于电子封装的基板。
3. 电子封装中的引线键合技术常用的材料是()A. 铝B. 铜C. 铁D. 锌答案:A解析:在电子封装中,铝是引线键合技术常用的材料。
4. 下列哪种封装形式具有较高的集成度()A. DIPB. BGAC. SOPD. QFP答案:B解析:BGA(球栅阵列封装)具有较高的集成度。
5. 电子封装中用于散热的材料通常是()A. 橡胶B. 金属C. 纸D. 布答案:B解析:金属具有良好的导热性能,常用于电子封装中的散热。
6. 以下哪种封装技术适用于高频应用()A. CSPB. PGAC. LGAD. MCM答案:D解析:MCM(多芯片模块)适用于高频应用。
7. 电子封装中,阻焊层的主要作用是()A. 增加电阻B. 防止短路C. 提高电容D. 增强磁场答案:B解析:阻焊层可以防止线路之间的短路。
8. 以下哪种封装的引脚间距较小()A. QFPB. TSSOPC. PLCCD. DIP答案:B解析:TSSOP 的引脚间距相对较小。
9. 在电子封装中,模塑料的主要成分是()A. 金属B. 陶瓷C. 聚合物D. 玻璃答案:C解析:模塑料的主要成分是聚合物。
10. 哪种封装形式常用于手机等小型电子产品()A. CPGAB. BGAC. SPGAD. DPGA答案:B解析:BGA 由于其尺寸小、集成度高等特点,常用于手机等小型电子产品。
11. 电子封装中,芯片粘结材料常用的是()A. 硅胶B. 水泥C. 胶水D. 沥青答案:A解析:硅胶是芯片粘结材料常用的一种。
一、填空题1、将芯片及其余因素在框架或基板上部署,粘贴固定以及连结,引出接线端子而且经过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上,将封装体与装置成完好的系统或许设施,这个过程称之为广义封装。
2、芯片封装所实现的功能有传达电能;传达电路信号;供给散热门路;构造保护与支持。
3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。
4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。
5、金属凸点制作工艺中,多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。
6、成型技术有多种,包含了转移成型技术、发射成型技术、预成型技术、此中最主要的是转移成型技术。
7 、在焊接资猜中,形成焊点达成电路电气连结的物质叫做焊料;用于去除焊盘表面氧化物,提升可焊性的物质叫做助焊剂;在 SMT 中常用的可印刷焊接资料叫做锡膏。
8、气密性封装主要包含了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。
9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。
10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件( Module)、电路卡工艺( Card )、主电路板(Board )、完好电子产品。
11 、在芯片的减薄过程中,主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平展工艺、电化学腐化、湿法腐化、等离子增添强学腐化等。
12、芯片的互连技术能够分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。
13、DBG 切割方法进行芯片办理时,第一进行在硅片正面切割一定深度切口再进行反面磨削。
14、膜技术包含了薄膜技术和厚膜技术,制作较厚薄膜常常采纳丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。
15、芯片的表面组装过程中,焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。
16、涂封技术一般包含了顺形涂封和封胶涂封。
二、名词解说1、芯片的引线键合技术 (3 种)是将细金属线或金属带按次序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连,包含超声波键合、热压键合、热超声波键合。
微电子技术基础知识单选题100道及答案解析1. 微电子技术的核心是()A. 集成电路B. 晶体管C. 电子管D. 激光技术答案:A解析:集成电路是微电子技术的核心。
2. 以下哪种材料常用于微电子器件的制造()A. 钢铁B. 塑料C. 硅D. 木材答案:C解析:硅是微电子器件制造中常用的半导体材料。
3. 微电子技术中,芯片制造工艺的精度通常用()来衡量。
A. 纳米B. 微米C. 毫米D. 厘米答案:A解析:芯片制造工艺精度通常用纳米来衡量。
4. 集成电路中,基本的逻辑门包括()A. 与门、或门、非门B. 加法门、减法门C. 乘法门、除法门D. 以上都不对答案:A解析:与门、或门、非门是集成电路中的基本逻辑门。
5. 微电子技术的发展使得计算机的体积越来越()A. 大B. 小C. 不变D. 随机答案:B解析:微电子技术进步使计算机体积逐渐变小。
6. 以下哪个不是微电子技术的应用领域()A. 航空航天B. 农业种植C. 通信D. 医疗答案:B解析:农业种植通常较少直接应用微电子技术。
7. 在微电子制造中,光刻技术的作用是()A. 刻蚀电路B. 沉积材料C. 图案转移D. 检测缺陷答案:C解析:光刻技术主要用于图案转移。
8. 微电子封装技术的主要目的是()A. 保护芯片B. 提高性能C. 便于连接D. 以上都是答案:D解析:微电子封装技术能保护芯片、提高性能并便于连接。
9. 摩尔定律指出,集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔()翻一番。
A. 18 个月B. 2 年C. 5 年D. 10 年答案:A解析:摩尔定律表明约每隔18 个月集成电路上晶体管数目翻番。
10. 微电子技术中的掺杂工艺是为了改变半导体的()A. 电阻B. 电容C. 电导D. 电感答案:C解析:掺杂改变半导体的电导特性。
11. 以下哪种设备常用于微电子制造中的检测()A. 显微镜B. 示波器C. 扫描仪D. 电子显微镜答案:D解析:电子显微镜常用于微电子制造中的检测。
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。
4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词:SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。
第1章绪论2.封装作用有哪些?答:1).芯片保护2).电信号传输、电源供电3).热管理(散热)4).方便工程应用、与安装工艺兼容3.电子封装的技术基础包括哪些方面?答:1).基板技术2).互连技术3).包封/密封技术4).测试技术TO(Transistor Outline)三引脚晶体管型外壳DIP 双列直插式引脚封装SMT(Surface Mount Technology)表面安装技术PGA(Pin Grid Array)针栅阵列封装BGA(Ball Grid Array)焊球阵列封装CSP(Chip Size Package)芯片尺寸封装MCM(Multi Chip Module)多芯片组件3D电子封装技术SOP(System On a Package)SIP(System In a Package)IC影响封装的主要因素:1).芯片尺寸2).I/O引脚数3).电源电压4).工作频率5).环境要求微电子封装发展特点:1).向高密度、高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵列发展2).向表面安装式封装(SMP)发展,来适合表面安装技术(SMT)3).从陶瓷封装向塑料封装发展4).从注重IC发展芯片向先发展封装,再发展芯片转移封装的分级:1).零级封装:主要有引线键合(Wire Bonding,WB)载带自动焊(Tape Automated Bonding,TAB)倒装焊(Flip Chip Bonding,FCB)以及埋置芯片互连技术(后布线技术)2).一级封装:将一个或多个IC芯片用于适宜的材料封装起来,成为电子元器件或组合3).二级封装:组装,将各种电子封装产品安装到PWB或其他基板上。
包括通孔安装技术(THT)、表面安装技术(SMT)和芯片直接安装(DCA)技术4).三级封装:密度更高,功能更全,组装技术更加庞大复杂,是由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的。
这是一种立体组装技术。
1. 光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体是固体的三种基本类型。
( × ) 2.用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅,有时也被称为分子级硅。
(×)电子3. 硅和锗都是Ⅳ族元素,它们具有正方体结构。
( × ) 金刚石结构4.硅是地壳外层中含量仅次于氮的元素。
( × ) 氧5.镓是微电子工业中应用最广泛的半导体材料,占整个电子材料的95%左右。
( × ) 硅6.晶圆的英文是wafer,其常用的材料是硅和锡。
( × ) 硅和锗7.非晶、多晶、单晶是固体的三种基本类型。
( √ )8.晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
( √ )9.热氧化生长的SiO2属于液态类。
( × ) 非结晶态10.在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和mm为单位的。
( × )um和nm 11.微电子学中实现的电路和系统又称为数字集成电路和集成系统,是微小化的。
( × ) 集成电路12.微电子学是以实现数字电路和系统的集成为目的的。
( × ) 电路13.采用硅锭形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸。
( √ )14.集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
( √ )15.源极氧化层是MOS器件的核心。
( × ) 栅极16. 一般认为MOS集成电路功耗高、集成度高,不宜用作数字集成电路。
( × ) 功耗低,宜做17. 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是迁移率。
( √ )18. 双极型晶体管可以作为放大晶体管,也可以作为开关来使用。
( √ )19. 在P型半导体中电子是多子,空穴是少子。
( × ) 空穴是多子20. 双极型晶体管其有两种基本结构:PNP型和NPN 型。
( √ )21. 在数字电路中,双极型晶体管是当成开关来使用的。
( √ )22. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1.(P1)封装概念:狭义:集成电路芯片封装是利用(膜技术)及(微细加工技术),将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体结构的工艺。
广义:将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确保整个系统综合性能的工程。
2.集成电路封装的目的:在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。
3.芯片封装所实现的功能:①传递电能,②传递电路信号,③提供散热途径,④结构保护与支持。
4.在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数:性能,尺寸,重量,可靠性和成本目标。
5.封装工程的技术的技术层次?第一层次,又称为芯片层次的封装,是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。
第二层次,将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。
第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。
第四层次,将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。
6.封装的分类?按照封装中组合集成电路芯片的数目,芯片封装可分为:单芯片封装与多芯片封装两大类,按照密封的材料区分,可分为高分子材料和陶瓷为主的种类,按照器件与电路板互连方式,封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。
依据引脚分布形态区分,封装元器件有单边引脚,双边引脚,四边引脚,底部引脚四种。
常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装,双边引脚元器件有双列式封装小型化封装,四边引脚有四边扁平封装,底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。
7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面?1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求:1小型化2适应高发热3集成度提高,同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词:SIP:单列式封装SQP:小型化封装MCP:金属鑵式封装DIP:双列式封装CSP:芯片尺寸封装QFP:四边扁平封装PGA:点阵式封装BGA:球栅阵列式封装LCCC:无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装,芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削,研磨,化学机械抛光,干式抛光,电化学腐蚀,湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀,常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削。
1、若某突变PN 结的P 型区的掺杂浓度为163A 1.510cm N -=⨯,则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为(316105.1-⨯=cm N A )和(314105.1-⨯=cm N A )。
2、在PN 结的空间电荷区中,P 区一侧带(负)电荷,N 区一侧带(正)电荷。
内建电场的方向是从(N )区指向(P )区。
[发生漂移运动,空穴向P 区,电子向N 区]3、当采用耗尽近似时,N 型耗尽区中的泊松方程为(D S E u q dx d ε=→)。
由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越(大)。
4、PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(小),内建电场的最大值就越(大),内建电势V bi就越(大),反向饱和电流I 0就越(小)[P20],势垒电容C T 就越( 大 ),雪崩击穿电压就越(小)。
5、硅突变结内建电势V bi 可表为(2ln iD A bi n N N q KT v =)P9,在室温下的典型值为(0.8)伏特。
6、当对PN 结外加正向电压时,其势垒区宽度会(减小),势垒区的势垒高度会(降低)。
7、当对PN 结外加反向电压时,其势垒区宽度会(增大),势垒区的势垒高度会(提高)。
8、在P 型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度n p 与外加电压V 之间的关系可表示为()exp()(0KTqv p p p n x n =-)P18。
若P 型区的掺杂浓度173A 1.510cm N -=⨯,外加电压V = 0.52V ,则P 型区与耗尽区边界上的少子浓度n p 为(3251035.7-⨯cm )。
9、当对PN 结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度(大);当对PN 结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度(小)。
10、PN 结的正向电流由(空穴扩散)电流、(电子扩散)电流和(势垒区复合)电流三部分所组成。
微电⼦材料与器件复习题(终极版)(1)《微电⼦材料与器件》复习题1.设计制备NMOSFET的⼯艺,并画出流程图。
概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶SI,最后有源区注⼊(1)衬底P-SI;(2)初始氧化;光刻I;场区注硼,注硼是为了提⾼场区的表⾯浓度,以提⾼场开启;场区氧化;去掉有源区的SI3N4和SIO2;预栅氧,为离⼦注⼊作准备;调整阈电压注⼊(注硼),⽬的是改变有源区表⾯的掺杂浓度,获得要求的晶硅;光刻II,刻多晶硅,不去胶;离⼦注⼊,源漏区注砷,热退⽕;去胶,低温淀积SIO2;光刻III刻引线孔;蒸铝;光刻IV刻电极;形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反应离⼦刻蚀氮化硅层N阱离⼦注⼊,注磷形成P阱去掉光刻胶在N阱区⽣长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护⽽不会被氧化去掉氮化硅层P阱离⼦注⼊,注硼推阱退⽕驱⼊去掉N阱区的氧化层形成场隔离区⽣长⼀层薄氧化层淀积⼀层氮化硅光刻场隔离区,⾮隔离区被光刻胶保护起来反应离⼦刻蚀氮化硅场区离⼦注⼊热⽣长厚的场氧化层去掉氮化硅层形成多晶硅栅⽣长栅氧化层淀积多晶硅光刻多晶硅栅刻蚀多晶硅栅形成硅化物淀积氧化层反应离⼦刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层淀积难熔⾦属Ti或Co等低温退⽕,形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发⽣化学反应的Ti或Co⾼温退⽕,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2形成N管源漏区光刻,利⽤光刻胶将PMOS区保护起来离⼦注⼊磷或砷,形成N管源漏区形成P管源漏区光刻,利⽤光刻胶将NMOS区保护起来离⼦注⼊硼,形成P管源漏区形成接触孔化学⽓相淀积磷硅玻璃层退⽕和致密光刻接触孔版反应离⼦刻蚀磷硅玻璃,形成接触孔形成第⼀层⾦属淀积⾦属钨(W),形成钨塞淀积⾦属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合⾦等光刻第⼀层⾦属版,定义出连线图形反应离⼦刻蚀⾦属层,形成互连图形形成穿通接触孔化学⽓相淀积PETEOS通过化学机械抛光进⾏平坦化光刻穿通接触孔版反应离⼦刻蚀绝缘层,形成穿通接触孔形成第⼆层⾦属淀积⾦属层,如Al-Si、Al-Si-Cu合⾦等光刻第⼆层⾦属版,定义出连线图形反应离⼦刻蚀,形成第⼆层⾦属互连图形合⾦形成钝化层在低温条件下(⼩于300℃)淀积氮化硅光刻钝化版刻蚀氮化硅,形成钝化图形测试、封装,完成集成电路的制造⼯艺2.集成电路⼯艺主要分为哪⼏⼤类,每⼀类中包括哪些主要⼯艺,并简述各⼯艺的主要作⽤。
一、填空题:1.锡膏印刷时,所需准备的材料及工具:焊膏、模板、刮刀、擦拭纸、无尘纸、清洗剂、搅拌刀。
2.Chip 元件常用的公制规格主要有 0402 、 0603 、 1005 、 1608 、 3216 、3225 。
3.锡膏中主要成份分为两大部分合金焊料粉末和助焊剂。
4.SMB板上的Mark标记点主要有基准标记(fiducial Mark)和 IC Mark 两种。
5.QC七大手法有调查表、数据分层法、散布图、因果图、控制图、直方图、排列图等。
6.静电电荷产生的种类有摩擦、感应、分离、静电传导等,静电防护的基本思想为对可能产生静电的地方要防止静电荷的产生、对已产生的静电要及时将其清除。
7.助焊剂按固体含量来分类,主要可分为低固含量、中固含量、高固含量。
9.SMT的PCB定位方式有:针定位边针加边。
10.目前SMT最常使用的无铅锡膏Sn和Ag和Cu比例为 96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu 。
11.常见料带宽为8mm的纸带料盘送料间距通常为 4mm 。
二、SMT专业英语中英文互换1.SMD:表面安装器件2.PGBA:塑料球栅阵列封装3.ESD:静电放电现象4.回流焊:reflow(soldering) 5.SPC:统计过程控制6.QFP:四方扁平封装7.自动光学检测仪:AOI 8.3D-MCM:三维立体封装多芯片组件9.Stick::棒状包装10.Tray::托盘包装11.Test:测试12.Black Belt:黑带13.Tg:玻璃化转变温度14.热膨胀系数:CTE15.过程能力指数:CPK16.表面贴装组件:(SMA)(surface mount assemblys)17.波峰焊:wave soldering18.焊膏:solder paste 19.固化:curing 20.印刷机:printer21.贴片机:placement equipment 22.高速贴片机:high placement equipment 25.返修: reworking 23.多功能贴片机:multi-function placement equipment 24.热风回流焊:hot air reflow soldering三、画出PCB板设计中,一般通孔、盲孔和埋孔的结构图四、简答题:电子封装是指将具有一定功能的集成电路芯片,放置在一个与之相适应的外壳容器中,为芯片提供一个稳定可靠的工作环境;同时,封装也是芯片各个输出、输入端的向外过渡的连接手段,以及起将器件工作所产生的热量向外扩散的作用,从而形成一个完整的整体,并通过一系列的性能测试、筛选和各种环境、气候、机械的试验,来确保器件的质量,使之具有稳定、正常的功能。
从整个封装结构讲,电子封装包括一级封装、二级封装和三级封装。
芯片在引线框架上固定并与引线框架上的管脚或引脚的连接为一级封装;管脚或引脚与印刷电路板或卡的连接为二级封装;印刷电路板或卡组装在系统的母板上并保证封装各组件相对位置的固定、密封、以及与外部环境的隔离等为三级封装。
前工程:从整块硅圆片入手,经过多次重复的制膜、氧化、扩散,包括照相制版和光刻等工序,制成三极管、集成电路等半导体组件卫电极等,开发材料的电子功能,以实现所要求的元器件特性。
后工程:从由硅圆片切分好的一个一个的芯片入手,进行装片、固定、键合连接、塑料灌封、引出接线端子、按印检查等工序,完成作为器件、部件的封装体,以确保元器件的可靠性并便于与外电路连接。
•环保和健康的要求•国内外立法的要求•全球无铅化的强制要求1、无铅钎料的熔点较高。
2 、无铅钎料中Sn含量较高。
3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。
(1) 无毒化,无铅钎料中不含有毒、有害及易挥发性的元素(2) 低熔点,无铅钎料的熔点应尽量接近传统的Sn-Pb 共晶钎料的熔点(183℃),熔化温度间隔愈小愈好。
(3) 润湿性,无铅钎料的润湿铺展性能应达到Sn-Pb 共晶钎料的润湿性,从而易于形成良好的接头。
(4) 力学性能,无铅钎料应具有良好的力学性能,焊点在微电子连接中一个主要作用是机械连接。
(5) 物理性能,作为微电子器件连接用的无铅钎料,应具有良好的导电性、导热性、延伸率,以免电子组件上的焊点部位因过热而造成损伤,从而提高微电子器件的可靠性。
(6) 成本,从Sn-Pb 钎料向无铅钎料转化,必须把成本的增加控制在最低限度。
因此应尽量减少稀有金属和贵重金属的含量,以降低成本。
电子元器件封装集成度的迅速提高,芯片尺寸的不断减小以及功率密度的持续增加,使得电子封装过程中的散热、冷却问题越来越不容忽视。
而且,芯片功率密度的分布不均会产生所谓的局部热点,采用传统的散热技术已不能满足现有先进电子封装的热设计、管理与控制需求,它不仅限制了芯片功率的增加,还会因过度冷却而带来不必要的能源浪 。
电子封装热管理是指对电子设备的耗热元件以及整机或系统采用合理的冷-~IJl 散热技术和结构设计优化,对其温度进行控制,从而保证电子设备或系统正常、可靠地工作。
热阻由于热导方程与欧姆定律形式上的相似性,可以用类似于电阻的表达式来定义热阻式中,∆T 是温差,q 为芯片产生的热量。
该式适用于各种热传递形式的计算。
1、 具有极高耐热性2、 具有极高吸湿性3、 具有低热膨胀性4、 具有低介电常数特性电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。
电解铜箔生产工序简单,主要工序有三道:溶液生箔、表面处理和产品分切。
性能指标:电解铜箔的抗剥离强度,电解铜箔的抗氧化性能,抗腐蚀性等WB/TAB/FCB 三种基本方式qT R th ∆=BGA的全称是Ball Grid Array,是集成电路采用有机载板的一种封装法。
它具有:①封装面积减少②功能加大,引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中,易上锡④可靠性高⑤电性能好,整体成本低等特点。
BGA可分为CBGA(陶瓷BGA)、PBGA(塑料BGA)、TBGA(载带BGA)和Micro BGA(微型BGA)。
其中PBGA是最常见的BGA封装类型,也是目前应用最广泛的BGA器件,主要应用于通信类以及消费类电子产品,具有良好的热综合性能及电性能、较高的互联密度、较低的焊接工面性要求等优点。
信息系统核心的芯片集成,是将系统关键部件集成在一块芯片上;从广义角度讲, SoC 是一个微小型系统。
一个SoC 芯片内嵌有基本软件模块或可载入的用户软件等。
系统级芯片形成或产生过程包含以下三个方面:1) 基于单片集成系统的软硬件协同设计和验证;2) 再利用逻辑面积技术使用和产能占有比例有效提高即开发和研究IP 核生成及复用技术,特别是大容量的存储模块嵌入的重复应用等;3) 超深亚微米(VDSM) 、纳米集成电路的设计理论和技术。
SoC 设计的关键技术主要包括总线架构技术、IP 核可复用技术等,此外还要做嵌入式软件移植、开发研究,SOC 是集成电路发展的必然趋势,1. 技术发展的必然2. IC 产业未来的发展。
系統級封裝. 與在電路板上採用多個晶片的系統設計相比,使用SIP 實現的方案更小、更輕、更薄,另一個好處是這樣可以減少或消除客戶對高速電路設計的需求。
另一項與此相關的優勢是SIP 產生的EMI 噪音更小。
SIP 節省了電路板空間,因此也附帶降低了電路板成本。
甚至與SoC 相比,SIP 的開發周期更短而開發成本更低.隨著元件、製程和製造方法的發展和改進,SIP 技術有望為眾多電子產品提供更大的容量以及更加多樣化的系統解決方案。
隨著不斷提供能更好滿足客戶需求的產 品,SIP 產品將在PC 周邊、光碟、硬碟、娛樂系統和工業設備以及導航系統等許多領域得到廣泛應用。
为确保封装的可靠性,在产品出厂之前要经过大量的试验来验证。
理想的做法是在与实际应用完全相同的环境下进行实验。
但通常电子产品的设计寿命都很长,这样不切实际。
即使时间不是问题,在实验室里模拟实际环境也是不可能的。
• 加速实验为在适当的环境下、合理的时间内进行可靠性试验,这就需要进行加速实验。
热、力、电与环境湿度等因素构成了加速实验的基本要素。
• 加速因子加速因子(AF )定义为正常使用环境寿命与加速实验寿命之比。
加速因子是非常重要的一个参数。
目前,这是一个非常热门的研究领域。
• β和λ为威布尔分布参数。
参数β 称为形状因子,它决定了平均失效时间附近的失效频率;λ称为寿命参数,在t=λ时,63. 2%的器件失效。
• 有了威布尔分布,只需要少量的实验数据就可以得到关于器件可靠性的解析模型,从而可以估计在任何时间内的失效概率。
• 更重要的是,一旦知道威布尔分布中的参数值,就可以通过数据来比较器件的性能。
比如,一组器件的λ值比另一组大,这说明λ值大的一组器件的平均寿命要长。
• 化学失效:如腐蚀和超强应力腐蚀;• 物理失效:如扩散和分层;如电迁移。
• 热形变失效:如疲劳和蠕变。
1()()exp[()]t t f t βββλλλ-=-(孙敏写的,应该是下面几个式子)=()()1无铅钎料的熔点较高。
比Sn37Pb提高34~44 o C。
高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。
2 无铅钎料中Sn含量较高。
(SnAg中96.5% Sn ,SnPb中63%Sn),因为Pb不参与固/液和固/固界面反应,高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。
3 小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。