模拟电子技术基础期中复习

模拟电子技术复习试题二一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流子运动形成_________电流。

2.温度升高时，晶体二极管的I s将_________，V D(on)将_________。

3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。

4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。

5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。

6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。

7.电流源电路的主要参数是_________和_________。

8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。

9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。

10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。

二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均无分。

1.杂质半导体中多数载流子浓度( )A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关2.一个硅二极管在正向电压V D=0.6V时，正向电流I D为10mA，若V D增大到0.66V(即增加10%)，则电流I D( )A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.某晶体三极管的I B为10μA，I C为1mA，I CEO为0.1mA则该管的β值为( )A. 100B. 110C. 90D. 804.已知某三极管V BE=0.7V，V CE=3V，则该管工作在_________区。

模拟电子技术期中考试题1. 填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路:输入电阻最小的是一共堆放大电路:输出电压与输入电压反相的是共射放大电路;电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路:电压放大倍数最小的是共集电放大电路:输出电阻最小的是一共集电放大电路: 电流放大倍数最大的是共集电放大电路:既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

（2）天然的硅和错经过髙度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体:在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成上型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电:掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体,其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带匸电。

（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的,所以是一个电流控制型器件：场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的,所以是一个电压控制型器件。

（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结卫J扁、集电结反偏。

（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法:其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路:确建放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式:集成电路中一般采用直接耦合方式。

（8）放大电路中出现的饱和失頁•和截止失真称为非线性失真:频率失真称为线性失真。

2. 简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一上幅度的电信号轨迹。

2016年模拟电子技术第一阶段基础测验一、单选1、Fi是_________放大电路的反馈系数。

A.电流串联负反馈B.电压串联负反馈C.电压并联负反馈D.电流并联负反馈标准答案是：D。

2、NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则三极管A.基极电流不变B.集电极对发射极电压C.基极电流变大D.集电极对发射极电压VcE上升标准答案是：C。

3、N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________A.正值B.负值C.零D.以上都不是标准答案是：B。

4、OCL电路是（）电源互补功率放大电路A.单B.无电源C.双电源D.以上都不是标准答案是：C。

5、OCL功放电路中，输出端（即中点）的静态电位为（）A.VccB.2VccC.Vcc/2D.0标准答案是：D。

6、OCL功率放大器易发生有（）失真。

A.全失真B.交越失真C.饱和失真D.以上都不是标准答案是：B。

7、OTL电路是（）电源互补功率放大电路A.单B.无电源C.双电源D.以上都不是标准答案是：A。

8、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的A.单向导电性B.放大特性C.饱和特性D.以上都不是标准答案是：A。

9、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。

A.正值B.负值C.零D.以上都不是标准答案是：A。

10、P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________A.正值B.负值C.vGSD.零标准答案是：A。

第二阶段基础测验一、单选1、RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（）。

A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路标准答案是：D。

2、差分放大电路产生零点漂移的主要原因是：_________。

A.电压增益太大B.B.环境温度变化C.C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式标准答案是：B。

3、差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益_________。

《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。

（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。

（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在A 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在B 。

（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。

（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。

（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。

（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。

（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。

（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。

（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。

（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

模拟电子技术基础-知识点总结讲解本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管~，锗管~。

*死区电压------硅管，锗管。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

《电子技术基础》复习提纲电子技术基础是电子工程专业的一门基础课程，它是其他高级课程的基石，具有重要的理论和实践意义。

本文将为大家提供一份《电子技术基础》（模拟部分）的复习提纲，帮助大家系统地复习这门课程。

一、放大器基础知识1.放大器的基本概念和分类2.放大器的工作原理3.放大器的特性参数及定义4.放大器的增益和功率的计算5.放大器的频率响应6.放大器的电压与电流放大倍数二、放大器的基础电路1.单级放大器的基本电路2.双级放大器的基本电路3.电压放大器与电流放大器4.共射放大器、共集放大器和共基放大器5.三极管放大器的工作特性和基本电路三、运算放大器1.运算放大器的基本原理2.运算放大器的非线性特性及其补偿方法3.运算放大器的频率响应特性4.运算放大器的反馈电路基础知识5.理想运算放大器的特性与模型四、振荡电路1.振荡电路的基本概念和分类2.LC振荡器的工作原理及其频率稳定性3.RC振荡器的工作原理及其频率稳定性4.利用晶体谐振现象的谐振器5.压控振荡器的基本原理及应用领域五、滤波电路1.滤波电路的基本概念和分类2.一阶滤波器和二阶滤波器的工作原理3.滤波器的频率响应特性4.低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器的设计与应用5.有源滤波器和无源滤波器的比较六、功率放大电路1.功率放大电路的基本概念和分类2.A类功率放大器、B类功率放大器、AB类功率放大器和C类功率放大器的工作原理和特点3.功率放大电路的效率与失真4.功率放大电路的反馈设计与应用七、综合应用电路1.信号发生器的基本原理和电路设计2.信号检测电路的基本原理和电路设计3.比较器的基本原理和电路设计4.电压参考电路的基本原理和电路设计5.音频放大电路的基本原理和电路设计以上就是《电子技术基础》（模拟部分）的复习提纲，希望对大家的复习有所帮助。

复习过程中，可以结合教材和课堂笔记，进行有针对性的复习和问题解答。

此外，还可以通过做题、实验等方式进一步巩固知识，提高对电子技术基础的理解和应用能力。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电期中复习题模电期中复习题模拟电子技术（模电）是电子工程专业中的一门重要课程，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。

模电期中复习题是考试前的重要准备工作，通过复习题的解答，可以巩固知识，提高解题能力。

下面将就一些常见的模电期中复习题进行讨论。

一、放大器电路放大器是模电中的重要部分，它可以将输入信号的幅度放大到需要的程度。

在放大器电路中，常见的有共射放大器、共基放大器和共集放大器等。

这些电路有不同的特点和应用场景，需要我们了解其工作原理和特性。

1. 共射放大器的工作原理是什么？它的电压增益如何计算？共射放大器是一种常见的放大器电路，其工作原理是基极输入，集电极输出。

在共射放大器中，输入信号通过耦合电容进入基极，经过放大后，输出信号从集电极输出。

电压增益的计算公式为：Av = -gm * Rc。

2. 共基放大器的特点是什么？它的电流增益如何计算？共基放大器是一种特殊的放大器电路，其特点是输入信号通过发射极输入，集电极输出。

共基放大器的特点是电流增益较大，电压增益较小。

电流增益的计算公式为：Ai = -gm * Rc。

3. 共集放大器的工作原理是什么？它的电压增益如何计算？共集放大器是一种常见的放大器电路，其工作原理是基极输入，发射极输出。

在共集放大器中，输入信号通过耦合电容进入基极，经过放大后，输出信号从发射极输出。

电压增益的计算公式为：Av = -gm * Rc / (1 + gm * Re)。

二、运算放大器运算放大器（Operational Amplifier，简称Op-Amp）是模电中常见的电子元件，它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗等特点，广泛应用于模拟电路中。

1. 什么是运算放大器的共模和差模输入？运算放大器的共模输入是指两个输入端口上的信号具有相同的幅度和相位。

差模输入是指两个输入端口上的信号具有不同的幅度和相位。

2. 运算放大器的虚短等效电路是什么？它的作用是什么？运算放大器的虚短等效电路是将运算放大器的两个输入端口看作短路，输出端口看作开路的等效电路。