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大学物理实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压和励磁电流，并计算霍尔系数和载流子浓度。
二、实验原理1、霍尔效应置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场方向垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一横向电势差，这种现象称为霍尔效应。
设导体中的载流子为电子，它们以平均速度 v 沿 x 方向定向运动。
在磁场 B 作用下，电子受到洛伦兹力 F ＝ e v × B，其中 e 为电子电荷量。
洛伦兹力使电子向导体一侧偏转，从而在导体两侧产生电荷积累，形成横向电场 E。
当电场力与洛伦兹力达到平衡时，有 e E ＝ e v B，即 E ＝ v B。
此时产生的横向电势差称为霍尔电压 UH ，UH ＝ E b ，其中 b 为导体在磁场方向的宽度。
2、霍尔系数霍尔电压 UH 与电流 I 和磁场 B 以及导体的厚度 d 有关，其关系式为 UH ＝ R H I B ／ d ，其中 R H 称为霍尔系数。
对于一种材料，R H 是一个常数，它反映了材料的霍尔效应的强弱。
3、载流子浓度由 R H 的表达式，可推导出载流子浓度 n ＝ 1 ／（R H e) 。
三、实验仪器霍尔效应实验仪，包括霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源、数字电压表等。
四、实验内容与步骤1、连接实验仪器按照实验仪器说明书，将霍尔样品、电磁铁、励磁电源、测量电源和数字电压表正确连接。
2、测量霍尔电压（1）保持励磁电流 IM 不变，改变测量电流 IS 的大小和方向，测量对应的霍尔电压 UH 。
（2）保持测量电流 IS 不变，改变励磁电流 IM 的大小和方向，测量对应的霍尔电压 UH 。
3、绘制曲线根据测量数据，分别绘制 UH IS 和 UH IM 曲线。
4、计算霍尔系数和载流子浓度根据曲线的斜率，计算霍尔系数 R H ，进而计算载流子浓度 n 。
五、实验数据记录与处理1、实验数据记录表格｜ IM （A) ｜ IS （mA) ｜ UH1 （mV) ｜ UH2 （mV) ｜ UH3 （mV) ｜ UH4 （mV) ｜ UH （mV) ｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 10 ｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 20 ｜｜｜｜｜｜｜ 05 ｜ 30 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 10 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 20 ｜｜｜｜｜｜｜ 10 ｜ 30 ｜｜｜｜｜｜（注：UH1、UH2、UH3、UH4 分别为在不同测量条件下得到的霍尔电压值，UH 为其平均值。
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
TH-H型霍尔效应实验组合仪霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。
若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。
一、实验目的1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的V H－I S和V H－I M曲线。
TH-H 型霍尔效应实验组合仪3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
二、实验原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图（1）（a ）所示的N 型半导体试样，若在X 方向的电极D 、E 上通以电流Is ，在Z 方向加磁场B ，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力： （1）其中e 为载流子（电子）电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B 为磁感应强度。
B v g e F VTH-H 型霍尔效应实验组合仪（N型） 0 (Y)E （P型）0 (Y)E H H (X)、B（Z） Is <>（a ） （b ）图(1) 样品示意图无论载流子是正电荷还是负电荷，F g 的方向均沿Y 方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y 方向即试样A 、A ´电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A 、A ´两侧产生一个电位差V H ，形成相应的附加电场E —霍尔电场，相应的电压V H 称为霍尔电压，电极A 、A ´称为霍尔电极。
霍尔效应实验报告（共8篇）篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vhis，vhim曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为feeehevh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，flfe vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为isne （2）由（1），（2）两式可得 vhehl ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh/ （4）式中为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
【实验报告】霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压和电流等相关物理量。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
假设在一块矩形半导体薄片（通常为 N 型半导体）上沿 X 方向通以电流 I，在 Z 方向加上磁场 B，那么在 Y 方向上就会产生电势差 UH，这个电势差称为霍尔电压。
霍尔电压 UH 的大小与电流 I、磁感应强度 B 以及半导体薄片的厚度 d 等因素有关，其关系式为：UH ＝ KHIB/d ，其中 KH 称为霍尔系数。
三、实验仪器1、霍尔效应实验仪：包括霍尔元件、励磁线圈、测量电路等。
2、直流电源：提供稳定的电流和电压输出。
3、数字电压表：用于测量霍尔电压和励磁电流等。
四、实验步骤1、连接实验仪器将霍尔元件安装在实验仪的相应位置，并连接好测量电路。
接通直流电源，确保电源输出稳定。
2、测量霍尔电压调节励磁电流 IM，使其达到一定的值。
改变工作电流 IS 的大小和方向，分别测量相应的霍尔电压 UH 。
3、测量励磁电流与磁感应强度的关系保持工作电流 IS 不变，逐步增大励磁电流 IM ，测量不同 IM 对应的霍尔电压 UH 。
4、数据记录与处理将测量得到的数据记录在表格中。
根据实验数据，绘制 UH IS 曲线和 UH IM 曲线。
五、实验数据及处理以下是实验中测量得到的数据记录表格：｜工作电流 IS（mA）｜霍尔电压 UH（mV）（＋IS）｜霍尔电压 UH（mV）（IS）｜平均霍尔电压 UH（mV）｜｜：：｜：：｜：：｜：：｜｜ 100 ｜ 256 ｜－258 ｜ 257 ｜｜ 200 ｜ 512 ｜－510 ｜ 511 ｜｜ 300 ｜ 768 ｜－770 ｜ 769 ｜｜ 400 ｜ 1024 ｜－1026 ｜ 1025 ｜｜励磁电流 IM（A）｜霍尔电压 UH（mV）｜｜：：｜：：｜｜ 020 ｜ 128 ｜｜ 040 ｜ 256 ｜｜ 060 ｜ 384 ｜｜ 080 ｜ 512 ｜根据上述数据，绘制 UH IS 曲线和 UH IM 曲线。
霍尔效应实验数据记录与处理嘿，朋友们！今天咱来聊聊霍尔效应实验数据记录与处理这档子事儿。
你说这霍尔效应实验啊，就像是一场奇妙的冒险！想象一下，电流就像一群欢快奔跑的小粒子，在导体中穿梭。
而磁场呢，就像是一个神秘的力量，在旁边施加着影响。
当我们做这个实验的时候，可得仔细记录数据哦！每一个数字都好像是一个小宝藏，可不能马虎对待。
比如说测量电流的大小，那可得瞪大眼睛，准确无误地记下来。
这就好比是在收集宝贝，一个都不能落下呀！还有电压的数据，这也是至关重要的呀！它就像是宝藏中的关键线索，能让我们解开霍尔效应的秘密。
记录的时候可千万别手抖，不然就像在宝藏图上画错了线一样。
处理这些数据的时候呢，就像是在拼凑一幅神秘的拼图。
我们要把一个个小碎片整理好，找出其中的规律。
这可不是一件容易的事儿，但也超有意思的呢！有时候啊，数据可能会有点调皮，不太听话。
但咱可不能被它们难住，得像个聪明的侦探一样，去分析、去思考。
比如说，为啥这个数据会这么奇怪呢？是测量的时候出了问题，还是有什么特别的原因呢？咱在处理数据的过程中，要像个耐心的工匠，精心雕琢每一个细节。
把那些杂乱无章的数据变得有条有理，让它们乖乖地展现出霍尔效应的真面目。
你想想，如果数据记录得乱七八糟，那不是就像走在迷宫里迷失了方向一样吗？那可不行！我们得让这些数据像听话的小绵羊一样，乖乖地为我们服务。
而且哦，在这个过程中，可不能偷懒呀！每一个步骤都要认真对待，不然就可能错过重要的发现。
这就跟挖宝藏一样，你不努力挖，怎么能找到宝贝呢？总之呢，霍尔效应实验数据记录与处理就像是一场充满挑战和乐趣的旅程。
我们要带着好奇心和耐心，一步一个脚印地走下去。
只要我们认真对待，就一定能在这个奇妙的科学世界里发现许多意想不到的惊喜！大家加油哦，让我们一起在霍尔效应的海洋里畅游吧！。
篇一：霍尔效应实验报告篇一：霍尔效应实验报告大 学本(专)科实验报告科实验报告课程名称：课程名称： 姓 名：名： 学 院：院：系：系：专 业：业： 年 级：级： 学 号：号：指导教师：指导教师： 成 绩：绩：年 月 日 （实验报告目录）（实验报告目录）实验名称实验名称一、实验目的和要求一、实验目的和要求 二、实验原理二、实验原理 三、主要实验仪器三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据处理与分析五、实验数据处理与分析 六、质疑、建议六、质疑、建议霍尔效应实验霍尔效应实验一．实验目的和要求：一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. .2、测绘霍尔元件的vh?is vh?is，，vh?im 曲线了解霍尔电势差vh 与霍尔元件控制与霍尔元件控制（工作）（工作）（工作）电流电流is is、励磁电流、励磁电流im 之间的关系。
之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b 及磁场分布。
及磁场分布。
44、判断霍尔元件载流子的类型，、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
并计算其浓度和迁移率。
55、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：二．实验原理：1、霍尔效应、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（如右图（11）所示，磁场b 位于z 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x 正向通以电流is is（称为控制电流或工作电流）（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（，假设载流子为电子（n n 型半导体材料），它沿着与电流is 相反的x 负向运动。
TH-H型霍尔效应实验组合仪霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年収现的，后被称为霍尔效应。
随着半导体物理学的迅速収展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。
若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的収展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。
一、实验目的1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量幵绘制试样的V H－I S和V H－I M曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
二、实验原理TH-H 型霍尔效应实验组合仪霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图（1）（a ）所示的N 型半导体试样，若在X 方向的电极D 、E 上通以电流Is ，在Z 方向加磁场B ，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力： （1）其中e 为载流子（电子）电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B 为磁感应强度。
（a ） （b ）图(1) 样品示意图B vge F VTH-H 型霍尔效应实验组合仪（N型） 0 (Y)E （P型）0 (Y)E H H(X)、B（Z） Is <>无论载流子是正电荷还是负电荷，F g 的方向均沿Y 方向，在此力的作用下，载流子収生便移，则在Y 方向即试样A 、A ´电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A 、A ´两侧产生一个电位差V H ，形成相应的附加电场E —霍尔电场，相应的电压V H 称为霍尔电压，电极A 、A ´称为霍尔电极。
实验18霍尔效应数据处理
实验18：霍耳效应及应用（参考内容）
一、实验目的：
1．了解霍耳效应实验原理
2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量实验试样（霍尔元件）的V H—Is曲线、V H—I M曲线。
3．确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）。
二、实验器材（型号、规格、件数）
霍耳效应实验仪（HLD—HL--IV型）1台、
霍耳效应测试仪（HLD—HL--IV型）1台（可用2台恒流源，1台数字电压表替代）专用测试线6根
[仪器简介]
仪器外观图
图二实验仪电路连接图
三、实验原理
将一导电体（金属或半导体）薄片放在磁场中，并使薄片平面垂直于磁场方向。
当薄片纵向端面有电流I流过时，在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面AA’间就会产生一电势差，这种现象称为霍耳效应（Hall effect），所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压，用V H表示。
霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁
场中受洛仑兹力f
洛
作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷集累，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场E H。
对实验所用试样（霍尔元件），在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向有霍耳电场E H。
当试样中载流子所受的横向电场力eE H与洛仑兹力evB相等时，样品两侧电荷积累达到平
衡，因此有：f
洛=F
横向电场力
evB=eE H (1)
若霍尔元件几何参数如图已知，且n为载流子浓度，v为载流子在电流方
向上的平均漂移速度。
有Is=nevbd (2)
由（1）（2）两式可得：V H =E H b=IsB/ned
则V H =R H（IsB/d）(3)
Is—X方向电流Y
I M-----I M励磁电流（B
磁场Z方向）
R H=1/ne----霍尔系数X
V H---霍尔电压Z
由(3)式知：在外磁场不太强时，霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比，与薄片厚度成反比。
V H ∝ Is；V H ∝ I M（B）；V H ∝1/d
四．实验内容
1、测绘试样（霍尔元件）V H—Is曲线
2、测绘试样（霍尔元件）V H—I M曲线
3、确定试样（霍尔元件）的导电类型（N 型或P型）。
五、实验记录与数据处理
1．实验准备：
1）记录励磁线圈相关参数:
2）测试仪开机前应将Is，I M调节旋纽逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状态，然
后开机。
3）按图二所示电路连接图连接好实验电路。
注意输出电流与输入电流的正负极性。
提醒：
本实验的器件很容易损坏,有以下几点需要特别注意：
1）接好线路需要老师检查后方可通电，这主要是为了避免将测试仪的励磁电源“I M 输出”
误接到实验仪的“Is输入”或“V H输出”处，否则一通电，霍尔器件即被破坏！
2）电路开、关、或功能切换时，一定要将Is、I M旋钮逆时针旋转到底，也就是把它们的
输出调为零，这主要是为了避免电压或者电流的突变对仪器、件造成破坏。
3）霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，实验中严禁触摸探头。
4）关机前应再次将I S、I M调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电流趋于0后，方可切断电源。
2．实验记录与数据处理
1）测绘V H—Is曲线
将实验仪的三组开关均向上，即在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，毫伏表电压为
V CD=V H ，调节I M=0.6A，保持其值不变，调节Is并记录相应的V H数据，将V H、Is数据，记于表1中。
（表中箭头代表实验仪Is，I M 双向开关向上或向下，V H是绝对值取平均）
表1 I M=0.6A Is：1.00—4.00mA
由表1数据（以电压为横轴，电流为纵轴）做实验曲线，即绘出图1（V H—Is曲线）
Is（mA）图1（V H—Is曲线）
6
5
4
3
2
1
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V H(mV)
结论1：由图1可知
2）测绘V H—I M曲线：
实验仪及测试仪各开关位置不变。
调节Is =3.00mA值不变，调节I M
，记录相应的V H数据，将V H、I M数据记于表2中。
表2：Is =3.00mA I M：0.300—0.800A
I M (A) v1(m
V)v2(m
V)
v3(m
V)
v4(m
V)
V H=(v1+v2+v3+
v4)/4
(mV) +Is
+B
+Is
-B
-Is
-B
-Is
+B
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
由表2数据（以电压为横轴，电流为纵轴）做实验曲线，即绘出图2（V H—I M曲线）
I M (A) 图2（V H—I M曲线）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
6 7 8 9 10 11 12 13 1
4 1
5 1
6
17 18
V H(mV)
结论2：由图2可知
3）确定试样（霍尔元件）的导电类型（N型或P型）
将实验仪的三组开关均向上，即在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，毫伏表电压为V CD=V H
取Is =2.00mA，I M =0.55 A，测出V H = mV
按实验条件所测V H（<、>）0，因此，试样（霍尔元件）的导电类型为型半导体材料。
注：V H >0---- P型半导体材料（空穴导电）。
V H <0 ---- N型半导体材料（电子导电）。
实验结束：测量仪关机前应将Is，I M调节旋纽逆时针旋到底，使其输出电流趋于最小状
态，然后关机。
思考并现场抽查回答问题：
1．霍耳电压是怎样形成的？
2．本实验中的磁场如何建立的？怎样改变大小？
3．换向开关的作用原理是什么？测量霍耳电压时为什么要接换向开关？
4．可否用交流电源给霍尔片供电？为什么？5．解释提醒中1、2损坏仪器的具体原因。
6．实验操作中填写表1、2为何要纵向填写？7．为何由V H 的正负就可测定试样（霍尔元件）的导电类型是P型半导体材料还是N
型半导体材料，试画出简图说明。
本实验报告要求：
1.实验报告完整、整洁、数据及图线清晰、准确、规范。
2.数据处理按有效值计算并保留到相应位数。
3.图线必须标明坐标（含单位）、实验测试点。
注：实验曲线可用坐标纸画图，也可用Origin数据处理软件由计算机做图。
4.依实验结果完成实验结论。
11。
