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模电第三版杨素行课后答案【篇一：模电答案(第三版)高教版杨素行主编p1~2】class=txt>习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
解：在20℃时的反向电流约为：2?3?10?a?1.25?a在80℃时的反向电流约为：23?10?a?80?a答：动态电阻rz愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流iz愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
解：20℃时，iceo??1???icbo?31?a50℃时，icbo?8?a???0?1?1%?t?t0?30??1?1%?50?20?30??1?30?1%??39iceo??1???icbo?320?a?0.32ma【篇二：模拟电路第七章课后习题答案】②列出uo1、uo2和uo的表达式；③设ui1=3v，ui2=1v，则输出电压uo＝？解：① r3?r1//r2?(10//10)k??5k?，r4?r5//r6?(10//20)k??6.67k?②uo1??rr21010ui1??ui1??ui1，uo2?(1?5)ui2?(1?)ui2?1.5ui2，r110r620r920(uo1?uo2)??(?ui1?1.5ui2)?2ui1?3ui2 r710uo??③ uo?2ui1?3ui2?(2?3?3?1)v?9v本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入输出关系。
◆◆习题 7-2 在图p7-2所示电路中，写出其输出电压uo的表达式。
解：uo?(1?rr2)ui?(?5)uir1r4rr2)ui?5]uir1r4 ?[(1?本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例电路的输入、输出关系。
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
精品行业资料，伏供参考，需要可下栽井修改后使用！《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案杨素行第三版)第一章习题答案题1-10本造的意图是掌握8与；的含义及二者之间的关系解：(a)α1=0.99当时I IU=IOμA时Jc=990M A∕t1¾1000μA=1mA.(b)仄=19若I E2=ImA,则1po.95nιA「I iU Q50∕ιA题1—13(a)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(b)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(c)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(d)发射结和集电结均正偏，故BJT工作在饱和区。
(e)发射结和集电结均反偏，故BJT工作在截止区。
(f)发射结正偏，集电结电压为0,故BJT处于临界饱和状态。
(g)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
(h)发射结正偏，集电结反偏，故BJT工作在放大区。
题1-15本题的意图是训练根据放大电路中三极管的各极电位识别引脚，并判断三极管的类型。
答：注意本题的前提是两个三极管均工作在放大区。
(a) 1---- 发射极e,3 ------- 基级b,2 ------- 集电极c o三极管类型是NP∖错管。
(b) 2 --- 发射极e,3 ------- 基级b,1——集电极C0三极管类型是PNP硅■1-14本题的意图是根据电路参数判断三极管工作在什么区，并在输出特性曲线上画出工作点的位置，以便形象地建立工作点的概念。
H：(a)∕β=0.065mA/产3∙25mAU CE=3.5V三极管工作在放大区，见图1.5.4中A点。
(b) ∕D=0.0465mA/产2.325mAU cE=5.35V三极管工作在放大区，见图1.5.4中B点。
(c) I a=0.465mA/产23.25mAUCE=-36.5V以上计算出的I c与UcE值是荒谬的，实质上此时三极管已工作在饱和区，故，I B=0∙465mA,人eVcJR=5mA,U CE=Uc E Sko.3V,见图154中C点。
第四章功率放大电路习题答案题4－6 分析OTL电路原理，已知V CC =10V，R3=1.2K，R L=16 Ω，电容足够大。
（1）静态时，电容C2两端的电压应该等于多少？调整哪个电阻才能达到上述要求。
(2)设R1=1.2K，三极管的β=50，P CM =200mW，若电阻R2或某个二极管开路，三极管是否安全？解: (1) 静态时，电容C2两端的电压应该等于V CC/2 =5V.达到上述要求应调整R1 (2)题4－7 分析OCL电路原理，(1)静态时，负载R L中的电流应为多少？如不符合要求应调整哪个电阻？(2)若输出电压出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？(3)若二极管VD1或VD2的极性接反将产生什么后果？(4)若VD1、VD2、R2中任意一个开路，将产生什么后果？解: (1)静态时，负载R L中的电流应为0. 如不符合要求应调整R1(2)若输出电压出现交越失真，应调整R2，增大R2(3)若二极管VD1或VD2的极性接反，三极管因电流和功耗过大将被烧毁(4) 同（3）第十章直流电源习题答案题10－1 在图中的单相桥式整流电路中，已知变压器二次电压有效值为U2＝10V,试问：(1)正常时直流输出电压U O（AV）＝？(2)二极管VD1虚焊，将会出现什么现象？(3)如果VD1极性接反，可能出现什么问题？(4)如果四个二极管全部接反，则U O（AV）＝？解: (1) U O（AV）＝0.9 U2＝9 V (2) 将成为半波整流，U O（AV）＝0.45 U2＝4.5 V(4)如果四个二极管全部接反，则U O（AV）＝－0.9 U2＝－9 V解: (1)R L C =0.04s T/2 = 0.02s/2 =0.01s。
第一章 微型计算机基础题1-1 计算机发展至今，经历了哪几代？答：电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机、超大规模集成电路计算机、非冯诺伊曼计算机和神经计算机。
题1-2 微机系统由哪几部分组成？微处理器、微机、微机系统的关系是什么？ 答：1、微机系统分硬件和软件，硬件包括CPU、存储器、输入输出设备和输入输出接口，软件包括系统软件和应用软件。
2、微处理器是指微机的核心芯片CPU；微处理器、存储器和输入输出设备组成微机；微机、外部设备和计算机软件组成微机系统。
题1-3 微机的分类方法包括哪几种？各用在什么应用领域中？答：按微处理器的位数，可分为1位、4位、8位、32位和64位机等。
按功能和机构可分为单片机和多片机。
按组装方式可分为单板机和多板机。
单片机在工业过程控制、智能化仪器仪表和家用电器中得到了广泛的应用。
单板机可用于过程控制、各种仪器仪表、机器的单机控制、数据处理等。
题1-4 微处理器有哪几部分组成？各部分的功能是什么？答：微处理器包括运算器、控制器和寄存器三个主要部分。
运算器的功能是完成数据的算术和逻辑运算；控制器的功能是根据指令的要求，对微型计算机各部分发出相应的控制信息，使它们协调工作，从而完成对整个系统的控制；寄存器用来存放经常使用的数据。
题1-5 微处理器的发展经历了哪几代？Pentium系列微处理器采用了哪些先进的技术？答：第一代4位或低档8位微处理器、第二代中高档8位微处理器、第三代16位微处理器、第四代32位微处理器、第五代64位微处理器、第六代64位高档微处理器。
Pentium系列微处理器采用了多项先进的技术，如：RISC技术、超级流水线技术、超标量结构技术、MMX技术、动态分支预测技术、超顺序执行技术、双独立总线DIB技术、一级高速缓冲存储器采用双cache结构、二级高速缓冲存储器达256KB或512KB、支持多微处理器等。
题1-6 何为微处理器的系统总线？有几种？功能是什么？答: 系统总线是传送信息的公共导线，微型计算机各部分之间是用系统总线连接的。
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
