三星电容命名规则
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华新(Walsin)LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类:C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ;C=±0.25pf ;D=±0.5pf ;F=±1pf或±1% ;G=±2% ;J=±5% ;K=±10% ;M=±20% ;Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30;5=0.50;8=0.80;A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装; bulk packaging袋式包装;packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注,如下:F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型,注意后缀是公制,比如B型,就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ,村田,太诱,风华,三星,国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
三星电容例:CL10B104KA8NNNC 规格说明:CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S电容容量用三位数表示,前面两位为有效数字,第三位为有效数字后"O"的位数如:104 = 10 0000 (单位pF)如果中间一位为R 则表示"." 如:3R3 = 3.3pF误差: B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20%承受的耐压: Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V厚度: 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米端头类别: A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%产品: A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动预留的用途包装方式: B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱。
三星车规电容命名方法摘要:一、三星车规电容概述二、三星车规电容命名方法解析1.命名规则2.命名中的关键参数三、三星车规电容在我国市场的应用四、选购与使用三星车规电容的注意事项五、总结正文:【一、三星车规电容概述】三星车规电容,顾名思义,是应用于汽车电子领域的电容器产品。
这类电容器需承受高温、高压、振动等恶劣环境,因此对其性能要求极高。
三星车规电容凭借出色的稳定性、可靠性和安全性,在全球市场上享有盛誉。
【二、三星车规电容命名方法解析】【1.命名规则】三星车规电容的命名遵循一定规则,通常包括以下几个部分:品牌名称(如三星)、产品类型(如车规电容)、规格(如容量、电压等)以及系列编号。
例如:“三星SDI CXA 1000μF 25V”。
【2.命名中的关键参数】在三星车规电容的命名中,关键参数包括容量、电压、工作温度等。
这些参数决定了电容器的性能和适用场景。
如上文提到的“1000μF”表示容量为1000微法拉,“25V”表示额定电压为25伏特。
【三、三星车规电容在我国市场的应用】随着我国汽车产业的快速发展,对车规级电子元器件的需求日益增长。
三星车规电容凭借优良的性能,在我国市场得到了广泛应用,涵盖了新能源汽车、智能驾驶等领域。
【四、选购与使用三星车规电容的注意事项】1.选购时,务必确认电容器的规格、尺寸、工作温度等参数,以确保其满足实际应用需求。
2.使用过程中,注意遵循汽车电子系统的相关规范,避免因操作不当导致的故障或损坏。
3.储存时,应确保环境干燥、通风,避免高温、潮湿,以免影响电容器的性能。
【五、总结】三星车规电容凭借卓越的性能和可靠的品质,在汽车电子领域有着广泛的应用。
了解其命名方法、选购和使用注意事项,有助于确保电容器在实际应用中的稳定性和安全性。
在选购和使用过程中,密切关注电容器的关键参数,确保其满足汽车电子系统的需求。
电容的型号命名:1、各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:第一部分:用字母表示名称,电容器为C。
第二部分:用字母表示材料。
第三部分:用数字表示分类。
第四部分:用数字表示序号。
2、电容的标志方法:(1)直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
(2)文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。
文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。
和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。
小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。
(3)色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。
小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V(4)进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。
第一项:用字母表示类别:第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1 A 金+100 R 黄-2202 B 灰+30 S 绿-3303 C 黑0 T 蓝-4704 G ±30 U 紫-7505 H 棕-30 ±60 V -10006 J ±120 W -15007 K ±250 X -22008 L 红-80 ±500 Y -33009 M ±1000 Z -470010 N ±2500 SL +350~-100011 P 橙-150 YN -800~-5800备注:温度系数的单位10e -6/℃;允许偏差是% 。
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注:实际单位应该是bit,而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte,因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是:K9GAG08U0M是,三星的MLC Nand Flash,工作电压为2.7V~3.6V,x8〔即I/O是8位〕,大小是2GB〔16Gb〕,TSOP1封装。
NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP T : SLC SINGLE (S/B) W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G NG : 96G 7. Organization 0 : NONE 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V C : 5.0V (4.5V~5.5V) E : 2.3V~3.6V Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) U : 2.7V~3.6V W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 8 : x823456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND S : eSSD1 : Normal (x16) D : DDR P : moviMCPB : 2.7V (2.5V~2.9V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) R : 1.8V (1.65V~1.95V) T : 2.4V~3.0V V : 3.3V (3.0V~3.6V) 0 : NONE16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) C : CHIP BIZ D : 63-TBGA F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : TBGA (Lead-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) L : ULGA (Lead-Free) (14*18) M : TLGA N : TLGA2 P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free) S : TSOP1 (Halogen-Free, Lead-Free) T : TSOP2 U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : April 2008K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoder。
三星电容编码识别你看盘子的料号如下对比:CL 03 B 104 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111 系列编码:CL=积层陶瓷电容2 尺寸编码03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)3 介质I类 II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4 容量电容容量用三位数表示,前面两位为有效数字,第三位为有效数字后"O"的位数如:104 = 1 00000 (单位pF)如果中间一位为R 则表示"."如:4R7 = 4.7pF5 电容的误差:B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%C=±0.25pf G=±2% M=±20%D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%6 额定电压R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000VQ=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000VP =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V7 厚度:3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8 内电极A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%9 产品编码A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规P =自动 C=高频10 特殊编码11 包装编码B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱 D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘如有侵权请联系告知删除,感谢你们的配合!。
规格说明:CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示,前面两位为有效数字,第三位为有效数字后"O"的位数如:105 = 10 00000 (单位pF)如果中间一位为R 则表示"."如:3R3 = 3.3pFA=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围(℃)温度系数范围(ppm/℃)C C0G -55~+125 0±30P P2H -55~+125 -150±60R R2H -55~+125 -220±60S S2H -55~+125 -330±60T T2H -55~+125 -470±60U U2J -55~+125 -750±120L S2L -55~+125 -1000~+350II类符号EIA编码工作温度范围(℃)电容变化(?C%)A X5R -55~+85 ±15B X7R -55~+125 ±15X X6S -55~+105 ±22F Y5V -30~+85 -82~+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸:特征.尺寸的大小从:从0402到2220;.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换;.大电容范围;.大温度补偿和电压范围:从COG到Y5V和从6.3V到50V;.高可靠性性能;.高电阻端子金属;.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图(值见下表)鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF(I类。
三星电容编码识别之老阳三干创作你看盘子的料号如下比较:CL 03 B 104 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111 系列编码:CL=积层陶瓷电容2 尺寸编码03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)3 介质I类 II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4 容量电容容量用三位数暗示,前面两位为有效数字,第三位为有效数字后"O"的位数如:104 = 1 00000 (单元pF)如果中间一位为R 则暗示"."5 电容的误差:B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%C=±0.25pf G=±2% M=±20%D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%6 额定电压R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000VQ=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000VP =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V7 厚度:5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8 内电极A=惯例产物钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=惯例产物镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=惯例产物铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低正面产物镍/铜/镍屏蔽/锡 100%9 产物编码A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =惯例P =自动 C=高频10 特殊编码11 包装编码B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱 D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘。
原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的,涨知识了!1.电阻器举例:RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器(第一部分)J——金属膜(第二部分)7——精密(第三部分)6——序号(第四部分)2.电容器国外电容器命名规则不一,国外部分知名厂家命名规则如下:(1)日本村田(muRata)(2)日本TDK(3)日本京瓷(Kyocera)(4)日本罗姆(ROHM)(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)(7)美国基美(KEMET)(8)英国Syfer(9)中国台湾国巨(YAGEO)(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外:1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点:1)这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此,凡型号以两个字母开头,并且第一个字母是A,B,C,D或R的晶体管,大都是欧洲制造的产品,或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料(A表示锗管,B表示硅管),但不表示极性(NPN型或PNP型)。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管,D表示低频大功率管,F表示高频小功率管,L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义,不查手册也可以判断出类别。
例如,BL49型,一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品;一个字母加两位数字者为专用品,顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如,AC184为PNP型,而AC185则为NPN型。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数(如hFE或NF)进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN或PNP)。
极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法,即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名法。
三星帖片电容规格对照表三星帖片电容规格对照表规格试例:CL 10 A 105 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111:系列编码CL=积层电容2:尺寸编码英寸 (毫米) 英寸 (毫米) 英寸 (毫米)0.3=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)0.5=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)3:电介质编码I类II类C=COG S=S2H L=S2L A=X5R F=Y5VP=P2H T=T2H B=X7R X=X6SR=R2H U=U2J4:电容编码以PF表示的电容,2个有效位加上零的数量.例如:106=10X106=10000000PF 对于<10PF,字母R表示小数点.例如;1R5=1.5PF 5:公差编码B=±0.1PF F=±1PF, ±1% K=±10%C=±0.25PF G=±2% M=±20%D=±0.5PF J=±5% Z=+80/-20%对于小于等于10PF的数值,F=±1PF对于大于10PF的数值,F=±1%.6:额定电压编码R=4V O=16V B=50V E=250V I=1000VQ=6.3V A=25V C=100V G=500V J=2000VP=10V L=35V D=200V H=630V K=3000V7:厚度编码3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8:内电极/端子/电镀编码A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡100%L=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%9:产品编码A=阵列(2-元素) L=L1CC B=阵列(4-元素) N=常规C=高频 P=自动10:特殊编码N=预留给未来用途11:包装编码B=散装 O=纸板箱料带,10英寸料盘 E=压花纸板箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸板箱料带,13英寸料盘(10000CA) F=压花纸板。
今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density(注:实际单位应该是bit,而不是Byte)12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte,因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是:K9GAG08U0M是,三星的MLC Nand Flash,工作电压为2.7V~3.6V,x8(即I/O 是8位),大小是2GB(16Gb),TSOP1封装。
三星的pure nand flash(就是不带其他模块只是nand flash存储芯片)的命名规则如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density(注:实际单位应该是bit,而不是Byte)12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)3. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte,因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是:K9GAG08U0M是,三星的MLC Nand Flash,工作电压为2.7V~3.6V,x8(即I/O是8位),大小是2GB(16Gb),TSOP1封装。
三星电容型号命名规则
嘿,亲爱的朋友们!今天咱们来聊聊三星电容的型号命名规则,这
可有趣又实用哦!
先来说说三星电容型号里的那些数字和字母到底都代表啥。
比如说,型号中的前几位数字,那可代表着电容的电容值大小。
可别小瞧这几
个数字,它们就像密码一样,能告诉咱们这个电容能存多少电。
还有啊,字母部分也有大讲究。
有的字母表示电容的封装类型,不
同的封装,适用的场景也不一样。
就像不同的鞋子适合不同的运动一样。
再讲讲那些特殊的标记。
有的标记能告诉咱们电容的精度等级,精
度高的电容在一些对电性能要求很严格的地方就特别重要,比如说精
密仪器里。
那咱也说说不允许出现的情况。
比如说,你可不能只看型号的一部
分就下结论,那准得搞错。
也不能看到个差不多的型号就以为是自己
想要的,得仔仔细细把整个型号看清楚咯。
比如说,有个型号是“104K”,这里的“104”就表示电容值是0.1μF,“K”就表示精度是 ±10%。
要是你只看“104”,那可就闹笑话啦。
总之呢,搞清楚三星电容的型号命名规则,就像是拿到了一把打开电容世界大门的钥匙。
咱们能更准确地选择适合自己需求的电容,让咱们的电路设计啥的都顺顺利利,不出岔子。
所以啊,朋友们,好好记住这些规则,让咱们在电容的世界里畅游无阻,为咱们的电子小制作或者大工程选到最合适的“小伙伴”——三星电容!。
三星贴片电容命名规则在电子元器件领域,三星贴片电容是一种常见的电子元件,具有广泛的应用。
为了帮助用户更好地理解和选择合适的三星贴片电容,本文将介绍其命名规则,包括以下方面:1. 材质三星贴片电容的材质主要有铝、钽、聚苯乙烯等。
例如,以铝为材质的电容器的命名为“Aluminum”,以钽为材质的电容器的命名为“Tantalum”,以聚苯乙烯为材质的电容器的命名为“Polyphenylene”。
2. 存储容量三星贴片电容的存储容量通常以法拉(F)为单位进行表示。
在命名中,存储容量通常会直接或间接地被包含在内。
例如,一个存储容量为0.01 法拉的电容器的命名为“1F0”,其中“1F”表示0.01 法拉,而“0”则表示其偏差范围为±10%。
3. 电容器的偏差电容器的偏差是指其实际容量与标称容量之间的允许误差范围。
三星贴片电容的偏差通常以正负百分比表示。
例如,一个偏差为±5%的电容器的命名为“X5”,其中“X”表示偏差范围,而“5”则表示5%。
4. 额定电流电容器的额定电流是指在正常工作条件下,电容器可以承受的最大电流。
三星贴片电容的额定电流通常以安培(A)为单位进行表示。
在命名中,额定电流通常会直接或间接地被包含在内。
例如,一个额定电流为0.1 安培的电容器的命名为“1A1”,其中“1A”表示0.1 安培,而“1”则表示其偏差范围为±10%。
5. 薄厚电容器的厚度是衡量其体积和占用空间大小的重要指标。
三星贴片电容的厚度通常以毫米(mm)为单位进行表示。
在命名中,厚度通常会直接或间接地被包含在内。
例如,一个厚度为0.1 毫米的电容器的命名为“T01”,其中“T”表示薄厚,而“01”则表示其厚度为0.1 毫米。
6. 内电极电容器的内电极是指与电解质接触的金属电极,其材料和形状直接影响着电容器的性能。
三星贴片电容的内电极材料主要有铝制、铜制、树脂制等。
例如,一个以铝为内电极的电容器的命名为“Aluminum”,以铜为内电极的电容器的命名为“Copper”,以树脂为内电极的电容器的命名为“Resin”。
电容的型号命名:1、各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:第一部分:用字母表示名称,电容器为C;第二部分:用字母表示材料;第三部分:用数字表示分类;第四部分:用数字表示序号;2、电容的标志方法:1直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上;2文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量;文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等;和电阻的表示方法相同;标称允许偏差也和电阻的表示方法相同;小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±,C——±,D——±,F——±1pF;3色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF;小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V4进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成;第一项:用字母表示类别:第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系;第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1 A 金+100 R 黄-2202 B 灰+30 S 绿-3303 C 黑0 T 蓝-4704 G ±30 U 紫-7505 H 棕-30 ±60 V -10006 J ±120 W -15007 K ±250 X -22008 L 红-80 ±500 Y -33009 M ±1000 Z -470010 N ±2500 SL +350~-100011 P 橙-150 YN -800~-5800备注:温度系数的单位10e -6/℃;允许偏差是% ;第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂;第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是10的幂;当有小数时,用R或P表示;普通电容器的单位是pF,电解电容器的单位是uF;第六项:允许偏差;用一个字母表示,意义和国产电容器的相同;也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同;3、电容的主要特性参数:1 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围;一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%;在有些情况下,还有0级,误差为±20%;精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级;常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同;用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%;2 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压;对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大;3温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值;温度系数越小越好;4绝缘电阻:用来表明漏电大小的;一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆;电解电容的绝缘电阻一般较小;相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小;5损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量;这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗;通常用损耗角正切值来表示;6 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质;在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小;损耗也随频率的升高而增加;另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能;所有这些,使得电容器的使用频率受到限制;不同品种的电容器,最高使用频率不同;小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ;2、电容品种聚酯涤纶电容CL符号:电容量:40p--4u额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称:聚苯乙烯电容CB符号:电容量:10p--1u额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路名称:聚丙烯电容CBB符号:电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路名称:云母电容CY符号:电容量:10p--0;1u额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路名称:高频瓷介电容CC符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路名称:低频瓷介电容CT符号:电容量:10p--4;7u额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路名称:玻璃釉电容CI符号:电容量:10p--0;1u额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温200度应用:脉冲、耦合、旁路等电路名称:铝电解电容符号:电容量:0;47--10000u额定电压:6;3--450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等名称:但电解电容CA铌电解电容CN 符号:电容量:0;1--1000u额定电压:6;3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0;3--22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等;应用范围:广泛应用于电子精密仪器;各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路;容量范围:耐压:二倍额定电压;里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0;2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般;就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小;就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q 值较高,也稍贵;①铝电解电容与钽电解电容铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感;它适用于温度变化不大、工作频率不高不高于25kHz的场合,可用于低频滤波;铝电解电容具有极性,安装时必须保证正确的极性,否则有爆炸的危险;与铝电解电容相比,钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势;但是,它的工作电压较低;②纸介电容和聚酯薄膜电容其容体比较小,串联电阻小,感抗值较大;它适用于电容量不大、工作频率不高如1MHz以下的场合,可用于低频滤波和旁路;使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时,可把其外壳与参考地相连,以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响;③云母和陶瓷电容其容体比很小,串联电阻小,电感值小,频率/容量特性稳定;它适用于电容量小、工作频率高频率可达500MHz的场合,用于高频滤波、旁路、去耦;但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱,因此不能将它随便跨接在低阻电源线上,除非是特殊设计的;④聚苯乙烯电容器其串联电阻小,电感值小,电容量相对时间、温度、电压很稳定;它适用于要求②纸介电容和聚酯薄膜电容其容体比较小,串联电阻小,感抗值较大;它适用于电容量不大、工作频率不高如1MHz以下的场合,可用于低频滤波和旁路;使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时,可把其外壳与参考地相连,以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响;③云母和陶瓷电容其容体比很小,串联电阻小,电感值小,频率/容量特性稳定;它适用于电容量小、工作频率高频率可达500MHz的场合,用于高频滤波、旁路、去耦;但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱,因此不能将它随便跨接在低阻电源线上,除非是特殊设计的;④聚苯乙烯电容器其串联电阻小,电感值小,电容量相对时间、温度、电压很稳定;它适用于要求频。