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名师推荐第九讲场效应管

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场效应管工作原理与应用通用课件

场效应管工作原理与应用通用课件
总结词
增强型场效应管是在正常工作状态下需要加正向栅极电压才能导通，而耗尽型场效应管则是加反向电 压导通。
详细描述
增强型场效应管在无电压时，半导体中没有导电沟道，需要加正向栅极电压后才会形成导电沟道；而 耗尽型场效应管在无电压时，半导体中已经存在导电沟道，加反向电压后可调节导电沟道的宽度。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
1 2
根据电路需求选择合适的类型
根据电路的电压、电流和频率要求，选择合适的 场效应管类型，如N沟道或P沟道。
考虑导通电阻和开关性能
选择导通电阻较小、开关速度较快的场效应管， 以提高电路性能。
3
考虑最大工作电压和电流
根据电路的最大电压和电流，选择能够承受的场 效应管。
场效应管使用注意事项
正确连接电源和信号线
效应管。
导通不良
02
如果场效应管导通不良，会影响电路性能，需要检查驱动信号
是否正常，以及场效应管本身是否有问题。
噪声干扰
03
如果电路中存在噪声干扰，会影响场效应管的正常工作，需要
采取措施降低噪声干扰。
05
场效应管封装与测试
场效应管封装形式
金属封装
采用金属外壳作为场效应管的封装，具有良好的 散热性能和电气性能。
场效应管工作原理与应用通 用课件
contents
目录
• 场效应管简介 • 场效应管工作原理 • 场效应管应用 • 场效应管选型与使用注意事项 • 场效应管封装与测试
01
场效应管简介
场效应管定义
场效应管（Field-Effect Transistor ，FET）：是一种利用电场效应控制 电流的半导体器件。
电场效应：是指外加电场对导体内部 的电荷分布和运动状态产生影响的现 象。

场效应管知识讲解

场效应管知识讲解
第九讲：场效应管
场效应管也是一种常用的半导体器件，他是利用电场效应来控制 电流的，其实也就是 通过电压来改变电流和三极管的不同之处是 三极管是通过电流来改变电流，而场效应管是通过电压来改变电流.
2
Байду номын сангаас
• 场效应管通常在模拟电路中作为放大元件使用，在数 字电路中作为开关元件使用，场效应管和三极管相比有 一些不同的特点：输入电阻非常高，可达到10的3次方 到10的7此方兆欧左右，噪声系数低，耐辐射能力强， 热稳定性好等。
8
• 假如场效应管的UGS=OV时,场效应管存在导电沟道，则 属于耗尽型。假如场效应管工作在放大状态时，则N沟 道耗尽型场效应管的栅极G的电压小于源极S的电压， 就像PNP三极管的偏压一样。而P沟道耗尽型的场效应 管栅极G的电压大于源极S的电压，就想NPN三极管的 偏压一样。
• 假如场效应管UGS大于0V时才有导电沟道，则属于增 强型，假如场效应管工作在放大状态下，则N沟道增强 型场效应管的栅极G的电压大于源极S的电压，就像 NPN三极管的偏压一样。而P沟道增强型场效应管的栅 极G电压小于源极S的电压，就像PNP三极管的偏压一 样。
• 根据结构和工作原理的不同，可分为两大类，结型场 效应管和绝缘栅型场效应管。
• 结型场效应管又分为P沟道和N沟道类，结型场 效应管 只有耗尽型。
4
• 绝缘栅型管也叫MOS管它分为P沟道和N沟道两种，其 中每种又分为增强型和耗尽型两类。
• 增强型 就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道，只 有当UGS>0V时(N沟道)或者UGS<OV时(P沟道)才可能出 现导电沟道.
• 无论场效应管属于那一种类型，它的漏极与源极之间 都有一个导电沟道。
6

第9讲 场效应管及其放大电路PPT课件

第9讲 场效应管及其放大电路PPT课件

漏极饱 和电流
夹断 电压
在恒流区时
iD
Hale Waihona Puke I DSS (1 uGS )2 UGS(off)
低频跨导：
gm
iD uGS
UDS常量
对于工作于可变电阻区的场效应管，不同的UDS， 转移特性曲线差别很大。
输出特性
iD f (uDS)UGS常量
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
IDSS
g-s电压控
可
制d-s的等 效电阻
iD
I
DSS
(1
uGS UGS(off)
)2
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((GGSSuu((ooff
f f
)
)
u G
u G
S S
0，u GD
0，u GD
u G
u G
S( S(
o o
f f
)
f)
，u＜0
f)
DS
)
场效应管 绝缘栅型 增 耗强 尽型 型PPNN沟 沟 沟 沟道 道 道 道uu((((GGGGGG＞ SSSSDDuuuu极 极 (th)uuu性 性 GGGSuSS(((Gtoo＜ Shff任 任 )， ff))) 00意 意 u， D， ＜ S ， ， uGGGGuDDSS0((oouuff)ffuu)) GG
uGS=0时就存在 导电沟道
小到一定 值才夹断
加正离子
耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导 通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在 uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。

场效应管——培训课件

场效应管——培训课件

（3）击穿区（图中Ⅲ区）
当VDS 增至一定数值后，I D 剧增，出现电击穿。如果对 此不加限制，将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个 区域。
图2.2.6 结型场效应管的输出特性曲线
3. 跨导（gm） 反映在线性放大区 VGS对ID的控制能力。单位是μA/V 。
gm
I D VGS
(2.2.1)
2.2.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层 的场效应管，简称MOS管。 特点：输入电阻高，噪声小。 分类：有P沟道和N沟道两种类型；每种类型又分为增强 型和耗尽型两种。 一、结构和工作原理 1. N沟道增强型绝缘栅场效应管
图2.2.8 N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理
（3）在 VDS 0 时： 若 VGS VT ，反型层消失，无导电沟道，ID 0 ； 若 VGS VT ，出现反型层即(导电沟道)，D、S之间有
电流 I D 流过； 若VGS 逐渐增大，导电沟道变宽，I D 也随之逐渐增大，
即 VGS控制 I D 的变化。
图2.2.7 N沟道增强型绝缘栅场效应管
工作原理如图2.2.8所示： （1）当 VGS 0 ，在漏、源极间加一正向电压VDS 时，漏 源极之间的电流 ID 0 。 （2）当VGS 0 ，在绝缘层和衬底之间感应出一个反型层， 使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电 压VD开S时启，电将压产VT生：电增流强ID型。MOS管开始形成反型层的栅源电压。
图2.2.9 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管
二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导 以N沟道MOS管为例。 1. 转移特性曲线 N沟道MOS管的转移特性曲线如图2.2.10所示。 增强型：当VGS 0 时，ID 0 ；当VGS VT 时，ID 0 。 耗尽型：当 VGS 0 时，ID 0 ；当VGS 为负电压时I D 减小；当VGS VP 时，ID 0 。

场效应管介绍

场效应管介绍

场效应管介绍
今天，老师给我们讲了一个特别有意思的东西，叫场效应管。

听起来好复杂哦，其实它是用来控制电流的小工具，真是太神奇了！我想象着它就像一个小开关，可以把电流“咔嚓”一下打开或关闭。

老师说，场效应管有三个脚，就像小朋友的脚一样，分别是源极、漏极和栅极。

每次我听到“源极”这个词，心里就想，它是不是像河流的源头呢？“漏极”就像水龙头，水流“哗啦啦”出来。

而“栅极”则是控制开关，真是厉害。

课堂上，老师给我们做了个小实验。

她用场效应管让灯泡“闪烁”，我眼睛都亮了，像星星一样。

“咕咚、咕咚”，灯泡一闪一闪的，真好看！我感觉自己就像魔法师，能用小工具改变世界。

放学后，我迫不及待地回家，跟爸爸妈妈讲这个好玩的场效应管。

他们听了也觉得有趣，还答应带我去买一些小电子玩具。

嘻嘻，我要和我的小伙伴们一起做实验，看看还能用场效应管做出什么新花样！我觉得，科学真是太神奇了，让我想要探索更多的奥秘！
—— 1 —1 —。

《场效应管》课件

《场效应管》课件

场效应管的主要参数和特性曲 线
了解场效应管的主要参数和特性曲线对于正确应用和设计电路非常重要。我 们将深入研究栅极阈值电压，沟道电阻，最大电流等参数，并讨论它们的影 响和相互关系。
场效应管应用领域和发展趋势
场效应管在现代电子领域中有广泛的应用，从放大器到开关电路，再到模拟 和数字电路。本节将探索场效应管在不同领域中的应用和未来发展的趋势。
《场效应管》PPT课件
在这个PPT课件中，我们将深入探讨场效应管的基本概念和分类，工作原理和 特性，构造和制造工艺，主要参数和特性曲线，应用领域和发展趋势等方面。 让我们一起来了解这个重要的电子元件！
场效应管的基本概念和分类
场效应管是一种重要的半导体器件，通过控制电场来控制电流的流动。它根据不同的工作方式和结构特 点可以分为多种类型，如增强型，耗尽型和绝缘栅型场效应管等。
场效应管的工作原理和特性
这里将详细介绍场效应管的工作原理，包括栅极电压对电流的控制、沟道导 电机制和输出特性等内容。我们将深入探讨它在电路中的重要作用和特点。
场效应管的构造和制造工艺
场效应管的构造和制造工艺对其性能和可靠性有重要影响。本节将介绍不同类型场效应管的构造和制管的比较
场效应管与普通晶体管各有优点和特点。我们将对它们的工作原理，输入输 出特性和应用进行比较和分析，帮助您选择最合适的器件。
场效应管的输入输出特性
场效应管的输入输出特性直接影响电路的性能和工作稳定性。本节将重点讨 论输入输出电阻，增益，线性范围等关键特性，并介绍如何优化设计。

场效应管及其基本电路幻灯片PPT


一、结型场效应管的结构
Drain 漏极
D
Gate栅极
N
G
P
型 沟
P
道
Source源极 S
ID
实际 G 流向
D 箭头方向表示栅 源间PN结若加 正向偏置电压时
S 栅极电流的实际 流动方向
(a)N沟道JFET
结型场效应三极管的结构.avi
图3―1结型场效应管的结构示意图及其表示符号
2021/5/23
模拟电子技术
uGS≤0，uDS≥0
1. 可变电阻区 预夹断前所对应的区域。
uGS>UGSoff uGD>UGSoff（或uDS<uGS-UGSoff）
iD的大小同时受uGS 和uDS的控制。
2021/5/23
模拟电子技术
14
iD /mA
漏极输出特性曲线.avi
可 变
u DS ＝ uGS－UGSoff
电 4阻
UGS ＝0V
uDS uG SUGSthUGS ＝ 6V
变
恒
5V
电
阻
流
4V
区
区
3V
2V 0
截止区
击 穿 区
uDS
(a)输出特性 图3―8输出特性
2021/5/23
模拟电子技术
31
(3)恒流区
预夹断后所对应的区域。
uGS>UGSth uGD<UGSth（或uDS>uGS-UGSth）
·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。 ·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。
变 uDS＝uGS－UGSoff
电
4
4阻
UGS＝0V
3
区 3

《场效应管》课件

场效应管广泛应用于数字电路、模拟电路、放大器和开关电路等领域，晶体管则广泛应 用于放大器、振荡器、开关电路和电源电路等领域。
场效应管在集成电路中应用广泛，因为其体积小、集成度高、功耗低等特点，晶体管在 音频放大器和功率放大器等大电流、高电压应用领域中应用较多。
优缺点比较
优点
场效应管具有低噪声、高输入阻抗、 低功耗等特点，晶体管具有输出功率 大、响应速度快、线性度好等特点。
开关电路
总结词
场效应管在开关电路中作为开关元件，能够控制电路的通断 状态。
详细描述
场效应管具有快速开关速度和低驱动电流的优点，适用于各 种数字和模拟电路中的开关控制。在开关电路中，场效应管 工作在饱和区和截止区，通过控制栅极电压来控制电路的导 通和截止状态。
振荡电路
总结词
场效应管在振荡电路中作为振荡元件，能够产生一定频率的振荡信号。
详细描述
场效应管具有高频率响应和低噪声的优点，适用于产生高频、低噪声的振荡信号 。在振荡电路中，场效应管工作在放大区或截止区，通过反馈网络控制振荡频率 和幅度。
调制解调电路
总结词
场效应管在调制解调电路中作为调制 和解调元件，能够实现信号的调制和 解调功能。
详细描述
场效应管具有高频率响应和低噪声的 优点，适用于各种通信系统中的调制 解调应用。在调制解调电路中，场效 应管用于信号的调制和解调过程，实 现信号的传输和处理。
行业标准与规范不断完善
03
为了规范市场和推动行业健康发展，未来场效应管行业标准与
规范将不断完善。
THANKS
感谢您的观看
功能。
种类与分类
总结词
场效应管有多种类型和分类方式，按结构可分为结型 和绝缘栅型，按导电沟道可分为N沟道和P沟道。

场效应管详解课件


SUMMAR Y
03
场效应管的应用
在数字电路中的应用
总结词
场效应管在数字电路中主要用作开关控制，具有低导通电阻、高速开关特性和 低静态功耗等优点。
详细描述
在数字电路中，场效应管常用于逻辑门电路、触发器、寄存器等数字逻辑电路 中，作为开关元件控制信号的通断。由于其低导通电阻和高开关速度，场效应 管能够实现高速、低功耗的数字逻辑功能。
噪声系数
场效应管在工作过程中产生的噪声与输入 信号的比值，表示场效应管的噪声水平。 噪声系数越低，信号质量越好。
失真系数
场效应管在工作过程中产生的非线性失真 与输入信号的比值，表示场效应管的失真 水平。失真系数越低，信号质量越好。
极限参数
01
02
03
04
最大漏极电流
场效应管能够承受的最大漏极 电流。超过该电流值可能会损
焊接操作
在焊接场效应管时应使用适当的焊接温度和时间，避免过热或时间 过长导致性能下降或损坏。
电源开关
在开关电源时应先关闭电源开关，避免瞬间电流过大对场效应管造 成损坏。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
06
场效应管的发展趋势与 展望
当前发展状况
场效应管在电子设备 中广泛应用，如放大 器、振荡器、开关等 。
的能量损耗和电磁干扰，提高电源的整体性能。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
04
场效应管的检测与代换
检测方法
1 2 3
判断电极
通过测量电极间的电阻来判断场效应管的电极， 通常G极与D极之间的电阻较小，S极与D极之间 的电阻较大。

场效应管工作原理与应用课堂PPT

▪ rds 为场效应管输出电阻： rds 1 /(IDQ )
与三极管输出电阻表达式 rce 1/(ICQ) 相似。
26
▪ MOS 管跨导
gm
iD vGS
Q
利用
ID
COXW
2l
(VGS
VGS
)2
(th)
得
gm
iD vGS
Q 2
COXW
2l
IDQ
三极管跨导
gm
iC vBE
Q
re
38.5ICQ
通常 MOS 管的跨导比三极管的跨导要小一个数 量级以上，即 MOS 管放大能力比三极管弱。
28
MOS 管高频小信号电路模型
当高频应用、需计及管子极间电容影响时，应采用 如下高频等效电路模型。
g + vgs Cgs -
栅源极间 平板电容
因此，非饱和区又称为可变电阻区。
11
数学模型：
VDS 很小 MOS 管工作在非饱区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系：
ID
nCOXW
2l
[2(VGS
VGS(th))VDS
VD2S ]
nCOXW
l
(VGS
VGS(th))VDS
其中，W、l 为沟道的宽度和长度。
COX (= / OX) 为单位面积的栅极电容量。
V DS > VGS – VGS(th)
4V 3.5 V
特点：
O
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似 三极管的正向受控作用。
考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。
注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。
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gmVgs
所以
Ro
VT IT
1
1 R

gm
R // 1 gm
4.4 结型 场效应管
3. 三种基本放大电路的性能比较
组态对应关系： BJT
FET
CE
CS
CC
CD
CB
CG
电压增益：
BJT
CE：
( Rc // RL )
rbe
CC：
(1 ) ( Re // RL ) rbe (1 )( Re // RL )
① VGS对沟道的控制作用
PN结反偏，VGS 越负,则耗尽区越 宽，导电沟道越 窄。
D
iD
N
NP NP
G
VGS
S
vDS=0V时 vDS
VGS继续减小
VGS达到一定值时耗尽 区碰到一起，DS间的 导电沟道被夹断。
D iD
N
VDS
当沟道夹断时，对
应的栅源电压VGS称为 夹断电压VP （ 或 VGS(off) ）。
Vo gmVgs ( R // RL )
得
AVm
Vo Vi
gm(R // RL ) 1
1 gm(R // RL )
（3）输入电阻
Ri Rg3 ( Rg1 // Rg2 )
例题
（4）输出电阻
由图有
IT Vgs
IR gmVgs VT

VT R
VP
# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？
4.1 结型 场效应管
3. 主要参数
① 夹断电压VP (或VGS(off))： 漏极电流约为零时的VGS值 。
② 饱和漏极电流IDSS： VGS=0时对应的漏极电流。
③ 低频跨导gm： 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm
可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。
vDS=10V
0 VT
(3)计算公式
iD

I
DO
(
vGS VT
1)2
vGS
(vGS VT )
4.参数 见表4.1.1
P 沟道增强型
sg d d
P
P
N
g s
栅源端加负电压 漏源端加负电压
4.3.2 耗尽型MOSFET
1.N 沟道耗尽型
s
g
d
d
Neee N P
g s
予埋了导电沟道 （正离子），在P型衬底表面
此时VDS 夹断区延长
D
沟道电阻
ID基本不变
G P
越靠近漏端，PN 结反压越大
iD
VDS P
VGS
N
S
③ VGS和VDS同时作用时
当VP <VGS<0 时， 导电沟道更容易夹断，
D 对于同样的VDS ， iD的值 比VGS=0时的值要小。
VGS越小耗尽区越宽，沟道 越窄，电阻越大。iD 减小。
结型场效应管 1.结构
按照场效应三极 管的结构划分，有结 型场效应管和绝缘栅 型场效应管两大类。
4.1 结型 场效应管
4.1.1(5.3) JFET的结构和工作原理
1. 结构
栅极，用G 源极，用S或s表示或g表示
漏极，用 D或d表示
N型导电沟道 符号
PP型型区区 # 符号中的箭头方向表示什么？
2.工作原理（以N沟道为例）
2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源 极间的电阻会显著下降。
3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现 较大的栅极电流。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
*4.2 砷化镓金属-半导体场效应管
（Metal-Smeiconductor Field-Effect Transistor)
MESFET 以N沟道为主
iD
VGS VDS S GD
VGS较小时，导 电沟道相当于电
阻将D-S连接起
来，VGS越大此 电阻越小。
N
N
P
（2）VDS改变iD
VGS VDS S GD
当VDS不太大 时，导电沟
道在两个N区
间是均匀的。
N
N 当VDS较大
时，靠近D
P
区的导电沟
道变窄。
VGS VDS
VDS增加，VGD=VT 时， 靠近D端的沟道被夹断， 称为予夹断。
则 Ri Rg3 ( Rg1 // Rg2 )
（4）输出电阻
Ro Rd
例题
例4.4.2 共漏极放大电路如图 示。试求中频电压增益、输入电阻 和输出电阻。
解：（1）中频小信号模型
（2）中频电压增益
由 Vi Vgs gmVgs( R // RL ) Vgs 1 gm ( R // RL )
4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
1. 直流偏置电路
（1）自偏压电路
（2）分压式自偏压电路
vGS
VGS = - IDR
VGS VG VS

Rg
Rg 1
2
Rg
2
VDD
IDR
4.4 结型 场效应管
2. 静态工作点
Q点： VGS 、 ID 、 VDS
已知VP ，由
VGS = - IDR
（3）输入电阻 Ri
输出电压与输入电压反相。
Vi Ig

Vgs

(Vgs rgs Vgs

gmVgs )R
rgs

(1

rg s
gm
)R
rgs
Ri Ri // [Rg3 ( Rg1 // Rg2 )] 通常 rgs (1 rgsgm )R [Rg3 (Rg1 // Rg2 )]
CB：
( Rc // RL )
rbe
FET
CS： gm(Rd // RL )
CD：
1
gm(R // gm(R
RL ) // RL
)
CG： gm(Rd // RL )
4.4 结型 场效应管
3. 三种基本放大电路的性能比较
输入电阻：
BJT
CE： Rb // rbe
CC： Rb // rbe (1 )( Re // RL )
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管:(MOS)
4.3.1 N汮道增强型MOSFET 1 结构和电路符号
s g d 金属铝
d g
N
N
P
P型硅衬底
两个N区
s
三个铝电极 栅极与漏极、源极无电接触。
SiO2绝缘层
2 工作原理 以N 沟道增强型为例
(1) VGS 改变感生沟道电阻以控制iD的大小。
VGS=0时
4.4 结型 场效应管
2. 动态指标分析
（1）中频小信号模型
4.4 结型 场效应管
2. 动态指标分析
（2）中频电压增益
忽略 rd 由输入输出回路得
Vi Vgs gmVgs R Vgs (1 gmR)
Vo gmVgsRd
则
AVm
gmRd 1 gmR
4.1 (5.3) 结型场效应管 *4.2 (5.4) 砷化镓金属-半导体场效应管
4.3 (5.1) 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较
场效应管是一种利用电场效应来控制其 电流大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性 能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。
常用于数字集成电路
4.1 结型场效应管
(Junction type Field Effect Transisstor)
4.1.1 JFET的结构和工作原理
结构 工作原理
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
输出特性 转移特性 主要参数
场效应管
场效应晶体三极管是由一
种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件。
gm

iD vGS
VDS
或
gm


2IDSS(1 VP
vGS VP
) （ 当VP

vGS

0时）
④ 输出电阻rd：
rd
vDS iD
VG S
4.1 结型 场效应管
3. 主要参数
⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。
⑥ 最大漏源电压V(BR)DS
夹断区
2 P沟道结型场效应管 D
符号
G
转移特性曲线
iD 0
S
vGS
栅源端加正电压 漏源端加负电压
VP
夹断电压
饱和漏极电流
IDSS
P沟道结型场效应管 输出特性曲线
夹断区
5V 4V 3V 恒流区
iD 0
v DS
2V
1V
可变电阻区
vGS=0V
予夹断曲线
结型场效应管的缺点：
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在 某些场合仍嫌不够高。
128.6
Ri Rg 5 M
Ro Rc 20k
由于 Rg Rs 则
A VsM
V o V s

V i V s

V V
o i

VGS VDS
S GD
iD=0
对应截止区
N
N
P
D-S 间相当于 两个反接的 PN结
VGS>0时
VGS VDS