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怎样检测三极管的B,C,E极以及PNP型与NPN型一、晶体三极管的结构类型晶体三极管通常称为晶体管或三极管,是各种电子设备的常用元件。
三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示。
它是由两个相距很近的PN结组成的,一般都有三个电极,即发射极E、基极B和集电极C。
三个电极分别与三极管内部半导体的三个区(发射区、基区和集电区)相接。
发射区与基区之间的PN结称为发射结:集电区与基区之间的PN结称为集电结。
按PN结的不同组合方式,晶体三极管分为PNP 型和NPN型两种,这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的。
PNP型管的发射极箭头向内,NPN型管的发射极箭头向外。
二者电源电压的连接方式是不同的。
二、晶体管的检测方法利用数字万用表不仅能判定晶体管电极、测量管子的共发射极电流放大系数hFE,还可鉴别硅管与锗管。
由于数字万用表电阻档的测试电流小,所以不适用于检测晶体管,应使用二极管档及hFE档进行测试。
1.鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。
2.区分NPN管与PNP管仍使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN 型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP管。
3.区分集电极C与发射极E(兼测hFE值)鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E,需使用数字万用表的hFE档。
如果假设被测管是NPN型管,则将数字万用表拨至hFE档,使用NPN插孔。
把基极B插入B 孔,剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。
若测出的hFE为几十~几百,说明管子属于正常接法,放大能力较强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E,参见图5-50(a)。
电子元器件系列知识--三极管晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体全然元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距特别近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三局部，中间局部是基区，两侧局部是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分不为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结喊发射结，集电区和基区之间的PN结喊集电极。
基区特别薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管足识不常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引足的排列方式具有一定的规律，如图关于小功率金属封装三极管，按图示底视图位置放置，使三个引足构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为ebc；关于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引足朝下放置，那么从左到右依次为ebc。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管足的排列不尽相同，在使用中不确定管足排列的三极管，必须进行测量确定各管足正确的位置，或查寻晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，事实上质是三极管能以基极电流微小的变化量来操纵集电极电流较大的变化量。
这是三极管最全然的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β〞表示。
电流放大倍数关于某一只三极管来讲是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失往了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
晶体三极管一、三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图1、晶体三极管（NPN）的结构图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b 和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
