华邦flash芯片命名规则

芯片封装之多少与命名规则发布日期：2008-2-19一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。

采用DIP 封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。

当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。

DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。

Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。

二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（PlasticQuadFlatPackage）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。

用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。

采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。

将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。

用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。

PFP（PlasticFlatPackage）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。

唯一的区别是QFP 一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。

QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。

2.适合高频使用。

3.操作方便，可靠性高。

4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。

三、PGA插针网格阵列封装PGA(PinGridArrayPackage)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。

FLASH芯片及优盘知识2010-6-13/FLASH芯片及优盘知识SLC，全称单层式储存单元（Single Level Cell），MLC全称多层式储存单元（Multi Level Cell），SLC和MLC是NAND闪存芯片的种类，它们的区别主要是结构不同。

SLC芯片中，每个存储单元只存放1Bit的资料，所以成本高，价格贵，但是相对效率高，速度快，可靠性高，寿命长且少电。

而MLC通过使用大量的电压等级，在每个储存单元存放2Bit的资料，数据密度较大，但是相对SLC性能和寿命都差了不少，唯一的优势就是成本便宜。

1、理论寿命：SLC可10万次擦写，MLC只能1万次擦写，SLC是MLC的10倍；2、理论速度：写入速度SLC大约是MLC的4倍左右，读取速度SLC是MLC 的两倍左右；3、耗电：MLC比SLC耗电；4、稳定性：SLC结构简单，控制容易，控制芯片兼容性好，MLC结构相对复杂，控制芯片兼容性相对要差。

以上是SLC和MLC NAND闪存芯片的主要区别，目前市场上的闪盘多采用MLC芯片，这就是闪盘大幅降价，而采用SLC芯片的SSD价格变化不大的主要原因。

什么是SLC和MLC？SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cell。

数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。

其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。

两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。

SLC芯片和MLC技术特点一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。

SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。

芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。

W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。

(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。

1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。

(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。

X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。

(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管； 可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。

(5) 4位数字，表示管芯尺寸。

管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。

其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。

① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。

如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。

如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。

(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。

NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。

各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。

有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。

显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。

另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。

美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

8M8——内存颗粒容量为8M。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。

亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。

目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。

在编写程序的时候，选择一个易读、方便的好名字是非常关键的。

你需要经常考虑一下自己的命名是否恰当，特别是会不会和已有API冲突。

我们的命名规则基本和ECMAScript与Flash Player 9一致。

缩写缩写也不一定就是好事，比如说calculateOptimalValue()，这个方法名就比calcOptVal()要好。

通常来说，语义清楚比少敲几次键盘更加重要。

如果你滥用缩写，将会使代码的可读性降低。

当然，我们也有一些标准的缩写形式：• acc 代替accessibility, 比如ButtonAccImpl• auto代替automatic, 比如autoLayout• auto代替automatic, 比如autoLayout• eval代替evaluate, 比如EvalBindingResponder• impl代替implementation, 比如ButtonAccImpl• info代替information, 比如GridRowInfo• num代替number of, 比如numChildren• min代替minimum, 比如minWidth• m ax代替maximum, 比如maxHeight• nav代替navigation, 比如NavBar• regexp代替regular expression, 比如RegExpValidator• util代替utility, 比如StringUtil这里只是列举了一些常用的缩写。

如果这里没有你想用到的缩写，请你多加注意大多数人的写法。

这样还没有找到的话，那你就要慎重考虑到底要不要使用缩写了。

当然缩写的形式也是多种多样的。

举个例子，我们经常使用“horizontal”和“vertical”，如horizontalScrollPolicy、verticalScrollPolicy。

但是我们经常把他缩写成普遍认可的H和V。

首字母缩略词变量的首字母缩略写法在Flex中是非常普遍的, 比如AIR, CSS, HLOC, IME, MX, MXML, RPC, RSL, SWF, UI, UID, URL, WSDL, XML。

今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O 是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

ROM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH的区别？(2009-06-13 13:45:41)标签：ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU 的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。

另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

STC12C5A60S2是一款具有较高性能和稳定性的单片机芯片，它采用51系列架构，是集成了Flash存储器的新型单片机。

在使用这款单片机芯片时，我们需要了解其命名规则，以便正确地使用和开发。

下面将介绍STC12C5A60S2的命名规则：1. 芯片品牌和型号STC12C5A60S2中的“STC”代表这是由STC公司生产的单片机芯片，“12C”代表这是51系列的单片机，“5A60”表示其具体的型号，“S2”表示其存储器为Flash存储器。

2. 芯片性能在STC12C5A60S2的型号中，“5A60”代表了该芯片的性能参数。

其中，“5”代表时钟频率为5MHz，“A”代表支持模拟量输入输出，“60”代表ROM大小为6KB，RAM大小为256B。

3. 存储器类型在STC12C5A60S2的型号中，“S2”表示该芯片集成了Flash存储器。

Flash存储器是一种非易失性存储器，可用于存储程序代码和数据。

4. 命名规则的意义芯片型号中的各个参数代表了该芯片的功能和性能特点，例如时钟频率、存储器类型、支持的外设等。

了解这些参数可以帮助开发者根据需求选择合适的单片机芯片，从而提高开发效率和产品性能。

5. 应用领域STC12C5A60S2单片机芯片在工业控制、电子设备、通信设备等领域有着广泛的应用。

了解其命名规则可以帮助工程师们更好地选择和应用这款芯片，从而为各个领域的应用提供更稳定、高效的解决方案。

通过以上介绍，我们了解了STC12C5A60S2单片机芯片的命名规则及其含义和应用领域。

这有助于我们更好地了解和应用这款单片机芯片，提高开发效率和产品性能。

希望开发者和工程师们能够根据这些命名规则，灵活选择和应用单片机芯片，为各个领域的应用提供更优秀的解决方案。

STC12C5A60S2作为一款高性能、稳定性强的单片机芯片，在各个领域的应用都有着重要的地位。

在工业控制领域，它可以用于各种自动化控制系统、传感器数据采集与处理、电机控制等方面。

Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。

IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等；二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI 通信协议。

有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的 IIC EEPROM的读写速度上要快很多。

SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。

常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPI NorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WS ON8，US0N8，QFN8、BGA24等。

华邦公司SPI总线FlashW25Q32BV阅读记录W25Q32BV基本情况：4M字节；全片分为16块，每块64K字节。

每块分为16区，每区4K字节。

每区分为16页，每页256字节。

由小到大分为页——>区——>块——>全片，各部分大小为256字节——>4K字节——>64K字节。

SPI（可以使用倍频和四倍频SPI）接口；2.7~3.3V供电；读数电流4mA，擦写电流15mA，掉电电流1uA；多重内容保护；SO-8，DIP8表面贴封装。

状态寄存器2和1：（高8位为寄存器2，低8位为寄存器1）第几位15 14 13 12 11 10 9 8位名称SUS CMP LB3 LB2 LB1 LB0 QE SRP1第几位7 6 5 4 3 2 1 0位名称SRP0 SEC TB BP2 BP1 BP0 WEL BUSY各位的意义：SUS : suspend status，擦除/编程悬起状态。

只读。

执行擦除/编程悬起指令后设置为1，执行继续擦除/编程指令或者电源掉电再上电后设置为0。

CMP : complement protect, non-volatile, 可读/写。

与SEC、TB、BP2~0一起，提供更灵活的保护。

CMP位置为1，由SEC、TB、BP2~0设置的保护功能将被保留。

例如，当CMP位置为0，顶部的4K区被保护，而其他的部分不被保护。

当CMP=1，顶部4K变成不保护而其他部分为只读。

默认设置为0。

LB3~LB0 : security register lock bits, non-volatile, 安全寄存器锁定位。

OTP一次编程保护位。

默认为0，可以各位独立设置。

全部为1时，锁定OTP保护，相应的256个字节的安全寄存器将永久性为只读。

QE : quad enable, non-volatile, 四倍速SPI允许位，可读写。

当为1时，允许四倍速。

默认设置为0。

华邦W25Q16存储器颗粒SPI编程W25X16、W25X32 和W25X64 系列FLASH 存储器可以为用户提供存储解决方案，具有“PCB 板占用空间少”、“引脚数量少”、“功耗低”等特点。

与普通串行FLASH 相比，使用更灵活，性能更出色。

它非常适合做代码下载应用，例如存储声音，文本和数据。

工作电压在 2.7V-3.6V 之间，正常工作状态下电流消耗0.5 毫安，掉电状态下电流消耗 1 微安。

所有的封装都是"节省空间"型的。

W25X16、W25X32 和W25X64 分别有8192、16384 和32768 可编程页，每页256 字节。

用"页编程指令"每次就可以编程256个字节。

用"扇区(sector)擦除指令"每次可以擦除16 页，用“块(block)擦除指令”每次可以擦除256 页，用“整片擦除指令”即可以擦除整个芯片。

W25X16、W25X32 和W25X64 分别有512、1024 和2048 个可擦除"扇区"或32、64 和128 个可擦除“块”。

W25X16、W25X32 和W25X64 支持标准的SPI 接口，传输速率最大75MHz。

四线制:①:串行时钟引脚CLK;①:芯片选择引脚CS;①:串行数据输出引脚DO;①:串行数据输入输出引脚DIO。

(注意:第①引脚“串行数据输入输出引脚DIO”的解释:在普通情况下，这根引脚是“串行输入引脚(DI)，当使用了快读双输出指令(Fast Read Dual Output instruction)时，这根引脚就变成了DO 引脚，这种情况下，芯片就有了两个DO 引脚了，所以叫做双输出，这时，如果与芯片通信的速率相当于翻了一倍，所以传输速度更快。

)另外，芯片还具有保持引脚(HOLD)、写保护引脚(WP)、可编程写保护位(位于状态寄存器bit1)、顶部和底部块的控制等特征，使得控制芯片更具灵活性。

NAND Flash Code Information(1/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX11. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 186. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x161 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD8 : x88. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE-1-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(2/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 1814. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)-2-Part Number DecoderNAND Flash Code Information(3/3)Last Updated : August 2009K9XXXXXXXX - XXXXXXX116. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking23456789 10 11 12 13 14 15 16 17 1817~18. Customer "Customer List Reference"-3-Part Number Decoderzhangshengheng@三星 flash 命名规则如何根据 Samsung 的 Nand Flash 的芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例 K9GAG08U0M 说明 【Samsung ：NAND Flash Code Information】 三星的 NAND Flash Code Information： /global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9 GAG08U0M 中的 Part Number Decoder拷贝出来如下：NAND Flash Code Information1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODPzhangshengheng@R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是 bit，而不是 Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G EG : 256G FG : 256G GG : 384G HG : 512G LG : 24G NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE 6. Technology 0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16) C : Catridge SIP D : DDR M : moviNAND N : moviNAND FAB P : moviMCP T : Premium eSSD Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generationzhangshengheng@B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) NAND Flash Code Information(2/3) K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionzhangshengheng@handling code) 15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z) 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately17~18. Customer "Customer List Reference" 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M P C B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal 4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是 bit 而不是 byte， 因此实际大小是 16Gb=2GB) 6. Technology 0 : Normal (x8) 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 8. Vcc U : 2.7V~3.6V 9. Mode 0 : Normal 10. Generation M : 1st Generation 11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free) 13. Temp C : Commercialzhangshengheng@14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None 整体描述就是： K9GAG08U0M 是，三星的 MLC Nand Flash，工作电压为 2.7V~3.6V，x8（即 I/O 是 8 位），大小是 2GB （16Gb），TSOP1 封装。