高精度扫描隧道显微镜对纳米碳酸钙特性的研究_彭光含
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扫描隧道显微镜原理与制备技术介绍扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,STM)是一种基于量子隧道效应的高分辨率显微镜,用于观察固体表面的原子及分子结构。
本文将详细介绍扫描隧道显微镜的原理和制备技术。
扫描隧道显微镜通过利用尖端和样品表面之间的量子隧道效应,实现对表面形貌和电子结构的观察。
其原理可以简单描述为:在一个真空中,尖端电极和样品表面之间加上一个微小的直流电压,当尖端和样品非常接近时(约 1 nm),由于量子隧道效应的存在,电子会从尖端隧道穿过真空障垒,进入样品表面或从样品表面进入尖端。
通过测量电流的强度和偏置电压的变化,就可以对表面的电子结构和拓扑形貌进行分析和显微观察。
扫描隧道显微镜的制备技术涉及到多个方面,包括尖端制备、样品制备和探测系统的搭建。
首先,尖端制备是制备扫描隧道显微镜不可或缺的一步。
常用的方法有机械断裂法和电化学腐蚀法。
机械断裂法是将一根金属丝折断,使其末端形成尖端结构,常用的金属有铂铱合金。
电化学腐蚀法则是通过在电解液中腐蚀尖端材料来制备尖端。
这两种方法制备出的尖端直径一般为1-10纳米,且需要在真空条件下进行。
其次,样品的制备也是扫描隧道显微镜研究中的重要步骤。
制备样品需要考虑到其几何形状和电导特性。
通常,我们可以使用化学气相沉积、物理气相沉积、溅射沉积等方法制备样品。
这些方法可以制备出晶体、薄膜和纳米颗粒等不同形式的样品。
最后,搭建扫描隧道显微镜的探测系统是整个研究的核心。
探测系统主要包括扫描器、样品台和信号采集与处理系统。
扫描器用于控制尖端在样品表面的位置,实现对样品进行扫描。
样品台则用于固定样品并提供电流给样品。
信号采集与处理系统用于测量和处理电流信号,并通过计算机进行数据的可视化和分析。
总结起来,扫描隧道显微镜的原理是基于量子隧道效应,利用电流强度和偏置电压的变化来观察固体表面的原子和分子结构。
其制备技术包括尖端制备、样品制备和探测系统搭建。
化学中的扫描隧道显微镜技术随着科技的不断发展,人们对于物质结构的研究越来越深入。
化学作为研究物质的学科,多年来不断探索各种新的技术手段,以更准确、更详细地描绘物质的细微结构。
扫描隧道显微镜技术(Scanning Tunneling Microscopy,STM),作为现代科学技术中最重要的成就之一,极大地推动了化学科技的进步。
本文将分别从STM的原理、发展史、应用和前景等方面介绍这一技术,以增进读者对于它的了解。
一、 STM的原理STM是利用一种被称为量子隧穿效应的物理现象。
量子隧穿效应的原理是,当两个分别带有电势差的金属电极之间距离非常短,小于某个量子隧穿距离时,电子将从一个电极上的能级跃迁到另一个电极上的能级。
这一现象被应用到STM技术中,可以通过测量电子的隧穿电流来精确地确定两个金属电极之间的距离。
STM技术的量测部分由探针和样品组成,探针位于样品正上方,以非常接近的距离移动。
通过给探针施加电压和测量样品上的电流,可以根据隧穿电流的强度和样品-探针之间的距离构建出样品表面原子的形态图像。
二、 STM的发展史STM技术起源于1981年,由物理学家Gerd Binning和Heinrich Rohrer(两人均获得了1986年的诺贝尔物理学奖)首次发明。
弥补了传统的光学显微镜无法看到原子级别的缺陷。
1985年,Binning和Roher对STM技术进行改进,从而实现了在真空中进行扫描电镜图像的拍摄。
自此以后,STM技术取得了巨大的进步,并且不断应用到各种化学研究中,如电子输送研究、表面催化机理分析、核磁共振等领域。
三、 STM的应用STM技术在化学领域的应用是非常广泛的。
具体来说,它可以用于表面形貌分析、物质的电子输运和结构依赖的电子特性研究等方面。
以下是STM技术的应用例子:1、具有多组分的宏观实验材料,例如多功能复合材料、载体、催化剂等的表面性质研究2、二维材料(比如石墨烯)的研究3、表面结构的研究,包括铁磁合金、金属配合物等。
材料科学中的原子尺度表征与控制研究材料科学作为一门跨学科的科学研究领域,涉及到物质的结构、性质以及合成方法等多个方面。
其中,原子尺度的表征与控制研究是材料科学的核心内容之一。
在过去的几十年中,随着技术的不断进步,科学家们能够更加精确地观察和操纵材料在原子尺度上的结构和性质,这为材料设计和制造带来了革命性的变化。
一、原子尺度的表征技术1. 扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy, STM)扫描隧道显微镜是一种通过在样品表面扫描超微探针来获取材料表面形貌和原子结构信息的技术。
STM利用电子的隧穿效应在原子尺度上测量样品表面的电导特性,能够实现单原子的分辨率,对材料表面的原子排列进行直接观察。
2. 原子力显微镜(Atomic Force Microscopy, AFM)原子力显微镜是一种通过测量原子间引力或排斥力的变化来观察样品表面的技术。
与STM相比,AFM不需要样品具有导电性,因此可以用于更广泛的材料。
AFM可以实现原子级的高分辨率表征以及非接触、低温等特殊环境的测量。
3. 透射电子显微镜(Transmission Electron Microscopy, TEM)透射电子显微镜是一种利用电子束透射样品薄片来观察材料的内部结构和原子排列的技术。
TEM具有极高的分辨率,可以直接观察材料的晶格结构、晶界、溶质原子等微观尺度的特征。
二、原子尺度的控制技术1. 原子沉积技术原子沉积技术是指通过控制原子或分子的沉积来构建材料的目标结构。
常用的原子沉积技术包括分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)等。
这些技术能够实现对材料组分、结构的精确控制,由此获得具有特定性能的材料。
2. 原位探测与控制技术原位探测与控制技术是指在材料成长或处理过程中实时监测和操控材料的结构和性质。
扫描隧道显微镜在纳米材料表征中的应用扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy, STM)是一种非常有用的技术,可以用来观察和表征纳米材料和表面结构。
STM 基于电子隧穿效应,通过在距离样品表面几个埃之内移动尖端来感测表面的电子结构和拓扑结构。
由于STM 能够在原子尺度下精确地检测表面的形貌和晶体结构,它已经被广泛用于材料科学和物理学中的表面物理研究领域,这让科学家们对纳米材料的结构和特性有了更深入的理解。
在 STM 技术的帮助下,科学家们可以直接观察和表征纳米材料的表面形貌和纳米结构。
例如,他们可以精确地测量样品表面的几何形状、表面成分的分布等信息,以及研究材料表面的电子结构和化学反应。
STM 还可以用来研究和开发新型纳米器件和材料,例如纳米电路、量子点等。
由于 STM 技术的高度敏感性,它能够探测细微的表面变化和结晶缺陷,这对科学家们设计和制造高效的新型材料来说至关重要。
使用 STM 就可以通过找到表明晶体生长的周期性表面几何形状来精确定位纳米结晶,还可以通过变化的电子能带结构和谱信号了解材料的化学反应和行为。
除此之外,STM 技术也被用于开发和制造新型的纳米设备。
例如,STM 可以用来制作和准确测量铁磁分子、单层石墨烯、量子点、超导体等纳米器件,这些器件可以用于 photonics、能源产业、半导体工业等领域。
总的来说,STM 技术在纳米材料表征上的应用是无与伦比的。
它不仅能够为科学家们提供有关纳米材料结构和特性的更深入理解,而且还帮助他们研究新型纳米器件和材料的研发,应用广泛。
尽管 STM 技术还存在一些局限性和挑战,但作为现代科学家的有力武器,STM 技术已经成为了纳米技术领域中一个不可或缺的工具。
扫描隧道显微镜技术以原子尺度分辨表面形貌扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)是一种基于量子力学原理的显微镜技术,能够以原子尺度的分辨率观察和操纵物质表面的形貌。
它是由冯·金斯伯格于1981年发明的,凭借着其出色的分辨能力,对固体材料、化学和物理等领域的研究有着深远的影响。
STM的工作原理基于所谓的隧道效应,这是量子力学中的一种现象。
当在固体表面上移动一个非导电探针时,由于探针和表面之间存在一定的电压差,电子可以通过量子隧道效应穿过空隙传导出去。
探针的运动轨迹和电流强度可以提供有关表面形貌和物理性质的珍贵信息。
为了在STM中获得原子尺度的分辨率,需要一根非常尖锐的探针。
常用的探针材料包括钨和铂铱合金。
探针与表面的距离通常在纳米量级,由于量子隧道效应的限制,探针与表面之间的距离需要保持一定的范围内。
通过测量隧道电流的变化,STM可以绘制出物体表面的原子级形貌。
这种图像通常以灰度图的形式呈现,其中不同的灰度值代表了表面的高度差异。
通过调整探针和表面之间的距离,可以实现非常精确的高度控制,甚至可以在原子级别上操纵物体表面的原子。
除了表面形貌的观察,STM还可以用于研究材料的电子结构。
通过在表面施加外部电压,可以观察到电子在物体表面的运动,从而探索材料的导电性质和能带结构。
扫描隧道显微镜技术在材料科学、纳米科学和凝聚态物理等领域发挥着重要作用。
它不仅可以用于观察材料的表面形貌和电子结构,还可以用于研究材料的磁性、化学反应和生物分子等方面。
通过STM的应用,科学家们可以更好地理解和设计新的材料,推动纳米技术的发展和应用。
然而,扫描隧道显微镜技术也存在着一些局限性。
首先,由于几何限制和电磁干扰,STM只能用于观察导电或半导体材料表面。
其次,由于材料表面可能存在的污染物或氧化层,实际样品的表面形貌可能与理想情况有所差异。
此外,STM的操作和数据分析都需要高度的专业知识和技术储备,对操作者的技能有一定的要求。
扫描隧道显微镜的基本原理及应用扫描隧道显微镜是一种先进的分析测试工具,其基本原理和应用领域一直备受关注。
随着科学技术的进步,人们对于各种物质的研究深入深入,需要更加精确、高效的分析工具来满足科学家的需要。
本文将从扫描隧道显微镜的基本原理、应用领域和发展前景进行探讨。
扫描隧道显微镜的基本原理扫描隧道显微镜的基本原理是利用量子力学中的量子隧穿效应,将金属探针置于样品表面的原子层级,使得电连接在样品表面与探针之间通过量子隧穿现象得以建立,探头记录样品表面电流变化可据此反映出样品的表面几何形态及电子性质等。
它采用非接触方式,在样品表面测得原子尺度及次原子尺度以下的拓扑信息。
扫描隧道显微镜通过三个部分实现基本原理,一是样品,二是扫描器,三是探针。
样品显微镜需要按照一定的形状,制成薄片或压制成球状,以便于扫描器可以准确地读取样品表面的状态,探针是非常重要的组成部分,它通过隧道电流作用于样品表面,使得显示器显示出三维图像。
由于探针容易损坏或磨损,因此样品与探针之间的距离必须稳定维持在纳米尺度。
通常来说,扫描隧道显微镜的工作原理可以分成三个步骤,首先是探针和样品之间靠近并接触,随后是扫描器进行扫描,最后是记录并处理数据以得到样品表面的高度图和顶部化学活性特征等。
扫描隧道显微镜的应用领域扫描隧道显微镜在材料科学、化学、生物学、地质学等领域中具有广泛的应用,能够实现样品的原位观察、加工及表征。
首先,扫描隧道显微镜在材料科学中的应用非常丰富,可以利用扫描隧穿技术观察原子、分子、表面结构的形貌和特征,对材料的微观和纳米尺度特征进行精准的表征,并能够对金属材料、生物材料和纳米材料等进行研究和分析。
其次,在化学领域中,扫描隧道显微镜常常用于分子构象的研究,可以对单分子进行化学、物理性质的表征,对化学反应的研究和分析也有较大的帮助。
此外,在生物领域中,扫描隧道显微镜被广泛应用于生物分子结构、生物膜、单活细胞、生命进程等方面的研究,是生物技术发展的关键工具。
扫描隧道显微镜下的碳六十分子科学书引言在现代科学研究中,显微镜是一种不可或缺的工具。
扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)是一种高分辨率的显微镜,它能够以原子级别的分辨率观察物质表面的结构和性质。
碳六十分子(C60)是一种具有特殊结构和性质的分子,在纳米科技领域有着广泛的应用。
本文将介绍扫描隧道显微镜下观察碳六十分子的科学书。
什么是扫描隧道显微镜(STM)?扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope)是一种通过量子力学效应来观察物质表面结构的仪器。
它利用了电子的波粒二象性和量子隧穿效应,在纳米尺度上实现了高分辨率成像。
STM由一个探针和一个样品组成,通过调节探针与样品之间的距离,并测量电流变化来获取样品表面形貌和电子性质等信息。
碳六十分子(C60)碳六十分子(C60)是由60个碳原子组成的球状分子,呈现出类似足球的结构。
它的发现在1985年引起了科学界的轰动,并因此获得了诺贝尔化学奖。
C60具有许多独特的性质,如高度对称性、电子共轭效应和球形空间结构等。
这些特性使得C60在材料科学、纳米技术和生物医学等领域具有广泛的应用潜力。
STM观察碳六十分子使用STM观察碳六十分子可以揭示其表面形貌、电荷分布和电子能级等信息。
通过调节STM的探针与样品之间的距离,可以实现原子级别的分辨率成像。
在观察C60时,常用的样品制备方法是将其溶解在适当的溶剂中,并通过自组装技术使其自发地形成有序排列的结构。
表面形貌使用STM观察C60分子表面形貌可以看到其球状结构以及表面上可能存在的缺陷和异质性。
由于C60具有高度对称性,其表面通常呈现出规则的六角格子状排列。
通过对表面形貌的分析,可以了解C60分子的自组装行为和晶体结构。
电荷分布通过STM观察C60分子的电荷分布可以揭示其电子性质和化学反应活性。
由于C60具有共轭结构,其电子能级在空间上呈现出特殊的分布。
扫描隧道显微镜及其发展现状曹文峰2012110024(合肥工业大学仪器科学与光电工程学院,安徽合肥230009)摘要:扫描隧道显微镜(STM)在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广阔的应用前景,被国际科学界公认为八十年代世界十大科技成就之一。
此文介绍了扫描隧道显微镜的理论原理与系统结构,以及近年来这一前沿科技领域的部分进展和应用前景。
关键词:扫描隧道显微镜;隧道效应;纳米技术Abstract:The study of scanning tunneling microscopy (STM) has quite important significance and broad prospects in fields such as surface science , material science and life science . STM has now been considered as one of the world's top ten technology achievements in the 80s by the international scientific community . Firstly this article introduces the principle theory and system structure of the STM . Finally the application and further development prospects for the past years are given.Key words:Scanning tunneling microscopy ; Tunneling effect ; Nanotechnology0 引言扫描隧道显微镜(STM)是20世纪80年代初发展起来的一种新型显微表面研究新技术,其核心思想是利用探针尖端与物质表面原子间的不同种类的局域相互作用来测量表面原子结构和电子结构。
理化检验-物理分册PTCA(PA RT:A PH YS.TEST.)2006年第42卷3实验技术与方法高精度扫描隧道显微镜对纳米碳酸钙特性的研究彭光含(湖南文理学院物电系,常德415000)杨学恒,李 旭,刘济春,辛洪政(重庆大学数理学院,重庆400044)摘 要:用高精度IPC-205B型扫描隧道显微镜测得纳米碳酸钙的扫描隧道谱。
该隧道谱表明,纳米碳酸钙具有半导体性质,与普通碳酸钙相比,其导电性能有了明显改善。
由纳米碳酸钙隧道谱得出纳米碳酸钙的禁带宽度为0.4eV,比半导体硅的禁带宽度1.1eV的低。
关键词:扫描隧道显微镜;扫描隧道谱;隧道电流;禁带宽度中图分类号:O434.1,T N16 文献标识码:A 文章编号:1001-4012(2006)03-0129-02CHA RAC TER RESEA RCH OF NANOM E TER CaCO3BY HIG H RESOLV ING CAPABILITY SCA NNING TU NNELING M IC ROSCOPEPENG Guang-han(Department of P hy sics and Electro nic Enginee ring,Hunan U niversity of A r ts and Science,Chang de415000,China)YANG Xue-heng,LI Xu,LIU Ji-chun,XIN Hong-zheng(Co lleg e of Science,Cho ng qing U nive rsity,Cho ng qing400044,China)A bstract:In this paper,the S T S o f nanometer CaCO3is obtained by ST M.I PC-205B.T he result show s tha t detectio n o f so me insulated nanophase materials by ST M.I PC-205B,which w e developed ourselv es,of nanometer CaCO3by ST M presents co nductibility well if they are thin enoug h and located in a pro pe r bias vo ltag e field.In this way,the fo rbidden band breadth(0.4eV)of nanometer CaCO3can being know n fro m the S TS of na nome te r CaCO3. And we find tha t the fo rbidden band breadth o f nanometer CaCO3is lo wer than that of semico nducto r Si(1.1eV).Keywords:S T M;ST S;T unneling current;Fo rbidden band breadth 纳米碳酸钙是指粒径在1~100nm之间的碳酸钙产品,由于碳酸钙粒子的超细化,其晶体结构和表面电子结构发生变化,产生了普通碳酸钙所不具有的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应,在磁性、催化性、光热阻和熔点等方面与常规材料相比显示出优越性能。
将其填充在橡胶、塑料中能使制品表面光艳、伸长度长、抗张力高、抗撕力强和耐弯曲,是优良的白色补强填料[1]。
在高级油墨、涂料中具有良好的光泽、透明、稳定和快干等特性。
一般认为纳米材料的粒径越小越能体现出纳米粒子的性质,但是随着粒子的纳米化,其本身也收稿日期:2005-06-03作者简介:彭光含(1973-),男,硕士。
存在缺陷。
碳酸钙粒子粒径越小,表面上的原子数越多,则表面能越高。
根据能量最小原理,各个粒子间要相互团聚,形成团聚体。
因此,在应用过程中是以团聚体的形式存在,无法在聚合物基体中很好的分散,从而失去增强增韧聚合物的目的。
所以必须对纳米碳酸钙颗粒进行表面改性,从而使纳米复合材料的性能大幅度提高。
笔者利用高精度的IPC-205B型[2~4]扫描隧道显微镜(STM)对表面改性后的纳米碳酸钙样品进行了扫描隧道谱(STS)的实验研究,并利用编制的软件对纳米碳酸钙隧道谱实现了隧道电流对电压的求导(d I/d V),得到了其隧道谱的一阶导数(电导)的分布曲线(d I/d V-V曲线)。
隧道谱实验结果分析表明,纳米碳酸钙的电学性质有了很大改善。
129理化检验-物理分册彭光含等:高精度扫描隧道显微镜对纳米碳酸钙特性的研究1 隧道谱实验研究本实验采用重庆大学恒瑞纳米技术工作站研制的高科技仪器IPC-205B型扫描隧道显微镜测量纳米碳酸钙的扫描隧道谱,隧道谱信息通过测量隧道电流随电压的依赖关系得到,笔者采用恒定针尖-样品间距来测量电流I与偏压V函数,针尖与样品间距不随电压改变,也就是定点采样数据的方法。
通过改变偏压,来观察隧道电流的变化,从而由隧道谱信息了解样品表面的电子结构。
实验中切断了z方向的反馈控制电路,以保证隧道谱实验时探针与样品间的间距保持不变。
把函数信号发生器输出的锯齿波信号直接加到探针与样品之间,用存储示波器来记录前置放大器输出的曲线,根据前置放大器的工作机理确定其输出曲线与隧道电流曲线的对应关系为线性的,即100mV对应1nA。
S TM只能测量导体与半导体,且测量导体的效果比半导体的效果好[5]。
实验中,将纳米碳酸钙颗粒溶于蒸馏水中,取其溶液滴在表面非常平整的金片表面,自然风干后进行测量,金片为载玻片上镀金膜。
图1是用存储示波器记录下来的纳米碳酸钙的隧道谱原始图,曲线1为记录下的隧道电流,曲线2为加在探针与样品之间的偏压。
图1 纳米CaCO3的一个隧道谱原始图Fig.1 O ne primal S TS o f nanome te r CaCO3图2中的曲线1是取5条电流-电压的曲线,经过平均处理,在同一坐标下标出,可以看到图形的重复性很好。
曲线2为隧道电流对电压的求导d I/ d V-V曲线。
横坐标表示的是所加的偏置电压。
2 分析与讨论从实验结果的隧道谱可以看到,电压由零沿正(或负)向增大时,隧道电流曲线在零值附近有一段图2 纳米CaCO3d I/d V-V隧道谱Fig.2 d I/d V-V ST S spectra of nano-CaCO3隧道电流为零值的平台,说明表面电导值在零偏压附近受到明显抑制;当偏置电压约为0.5V(或-0.5V)后,就会出现明显的隧道电流,并且非线性急速上升。
与重金属隧道谱测量过程中能隙位置相近,因而类似于金属的导电性能。
对于理想的半导体样品,S TS中阴极和阳极电流是由于电子隧穿金属针尖和样品的导带和价带而产生的,阴极和阳极电流的起始电位分别对应于半导体的导带(E cb)和价带(E vb)边,零电位对应于费米能级(E f),而阴、阳级电流间的低电导区域则对应于禁带(E g)[6]。
从而,可以通过隧道谱的平台长度估算样品的禁带宽度,即能隙宽度。
因而从STS测量中可以得到表面E cb,E vb和E g。
通过分析这些结果可以较为直观地观察到半导体的表面能级结构。
由图2可以看到纳米碳酸钙E cb为-0.3eV,E vb为0.10eV,E g=E vb-E cb=0.4eV。
纳米碳酸钙表现为典型的n型半导体性质,其表面禁带宽度小于半导体硅的禁带宽度(1.1eV),这表明纳米碳酸钙对电子的束缚甚至小于半导体材料硅。
纳米碳酸钙的导电性大大增强。
笔者认为,作为大块状碳酸钙的绝缘体,其能隙宽度较大,电子态是禁止在能隙出现的,而对绝缘体碳酸钙纳米化处理后的纳米碳酸钙,离域、局域电子态能在能隙出现,表现为纳米碳酸钙价带上升或导带下移,纳米碳酸钙的禁带宽度,即能隙宽度明显减小,从而使纳米碳酸钙的价带或导带与费米面平齐;同时,纳米碳酸钙晶粒表体比增大,纳米碳酸钙晶界存在大量悬空键局域化的态,这些态的存在使晶界上电子迁移的显著增长成为可能,通过悬挂键局域态在晶界上的跳跃,从内部电子迁移到晶粒表面。
也就是说,能隙显著减小和大量的悬空键的存在形成隧道电流。
(下转第133页)130理化检验-物理分册沙菲等:稀土永磁材料NdFeN 三种粒度分析方法的比较图3 激光粒度分析仪(湿法)测试结果Fig.3 Testing result of laser screen analyser(wet method)FeN的粒度分布见图4。
由图4可以看出,N dFeN 呈双峰分布,第1个峰和第2个峰的平均粒径分别为1.78μm和237.92μm 。
图4 激光粒度分析仪(干法)测试结果Fig.4 Testing result of laser screen analyser(dry method) 4 结果讨论从上述三种方法所测得的结果,发现不同方法测得的结果是不一样的。
扫描电镜比较直观,特别是它反映了NdFeN粉体的团聚状况,这种团聚是由于粉末的表面效应和NdFeN稀土永磁粉末粒子间存在磁性引力造成的。
采用超声波分散和添加0.1%六偏磷酸钠表面活性剂等方法不足以完全打开团聚,或打开团聚后又形成第二次团聚,因此,此时采用激光粒度仪(湿法)测试的粒度仍是团聚体的粒度,故其测得的结果比显微镜法测得的单个粉末的粒度要高。
而采用激光粒度分析仪(干法)测得的粒度分布的双峰是由于高速气体将一部分团聚的粉末样品吹散,而另一部分仍以团聚体的形式被检测所致。
分散后的NdFeN粉末用激光粒度仪检测所得到的结果与显微镜法检测结果基本相吻合,两者之间的差异可能是由于NdFeN粉末样品为片状结构所造成的。
5 结语粒度分析时样品的充分分散是准确测量的基础。
将显微镜的直观和激光粒度仪的快速、准确和方便结合起来,对于保证粒度分析结果的可靠性非常有用。
参考文献:[1] 杨金龙,黄勇,谢志鹏,等.陶瓷粉末颗粒尺寸测试及原理[J].硅酸盐通报,1995,(3):71-74.[2] 张炳花,唐太平,杨正红.马尔文激光粒度分析技术及其在石化行业中的应用优势[J].M ode rn Scientific In-str uments,2000,(2):68-70.[3] 夏阳华,熊惟皓,丰平.粉体粒度测试方法述评[J].硬质合金,2003,(1):29-31.(上接第130页)3 结论用扫描隧道显微镜检测纳米碳酸钙的隧道谱实验研究表明,隧道谱的谱学性质反映了绝缘体材料在纳米化处理后的能级变化、导电性能、表面态信息等相关的谱学信息。
笔者对纳米碳酸钙的隧道效应进行了系统的研究,为纳米碳酸钙的广泛应用奠定了实验基础和理论依据。