2.1 半导体物理基础
本征半导体
T>0
导带 (部分填充)
EF EC EV
Valence band (Partially Empty)
在T = 0, 价带能级被电子填充 ,导带空, 导致电导率为零. 费密能级 EF 位于禁带 中间(<1 eV) 当 T > 0, 电子可以被热“激发”到导带,产生可测量的电导率.
禁带 禁带
能带
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允带 允带
允带
2.1 半导体物理基础
费米-狄拉克分布
电子和空穴在允带能级上的分布遵守费米-狄拉克分布。 能量为E能级电子占据的几率为
1 f(E)
1exp(EEF)/KT
f(E)称为费米分布函数,EF为费米能级
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2.1 半导体物理基础
费米-狄拉克分布
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金属中的准 能带的准自 自由电子(价电子)模型 由电子物理模型
金属中的自由电子除去与离子实相互碰撞的瞬间外,无相互作用。电子 所受到的势能函数为常数。 电子波函数仍然为自由电子波函数 电子受到晶格的散射,当电子的波矢落到布里渊区 边界时,发生Bragg衍射
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对于所有能级均被电子所占满的能带(满带),在外电场作用下,其电子并不 形成电流,对导电没有贡献。----- 满带电子不导电。 通常原子中的内层电子都是占满满带中的能级,因而内层电子对导电没有贡献。 对于被电子部分占满的能带(导带),在外电场作用下,电子可从外电场吸收 能量跃迁到未被电子占据的能级去,从而形成电流,起导电作用。 ----- 导带电子有导电能力。
k
Resulted from r+
2.1 半导体物理基础