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1Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device DataRF TransistorNPN Silicon

MAXIMUM RATINGSRatingSymbolValueUnitCollector–Emitter VoltageVCEO25VdcCollector–Base VoltageVCBO40VdcEmitter–Base VoltageVEBO4.0VdcCollector Current — ContinuousIC100mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25°CDerate above 25°CPD3502.8mWmW/°CTotal Device Dissipation @ TC = 25°CDerate above 25°CPD1.08.0WattsmW/°COperating and Storage JunctionTemperature RangeTJ, Tstg–55 to +150°C

THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristicSymbolMaxUnitThermal Resistance, Junction to AmbientRqJA357°C/WThermal Resistance, Junction to CaseRqJC125°C/WELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitOFF CHARACTERISTICSCollector–Emitter Breakdown Voltage(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)V(BR)CEO25——Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage(IC = 100 mAdc, IE = 0)V(BR)CBO40——Vdc

Emitter–Base Breakdown Voltage(IE = 10 mAdc, IC = 0)V(BR)EBO4.0——Vdc

Collector Cutoff Current(VCB = 20 Vdc, IE = 0)ICBO——100nAdcOrder this documentby BF199/DMOTOROLASEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

BF199

CASE 29–04, STYLE 21TO–92 (TO–226AA)123

© Motorola, Inc. 1996COLLECTOR13BASE

2EMITTER元器件交易网www.cecb2b.comBF199

2Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device DataELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitON CHARACTERISTICSDC Current Gain(IC = 7.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)hFE4085——

Base–Emitter On Voltage(IC = 7.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)VBE(on)—770900mVdc

SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICSCurrent Gain — Bandwidth Product(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)fT400750—MHz

Common Emitter Feedback Capacitance(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)Cre—0.250.35pF

Noise Figure(IC = 4.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, RS = 50 Ω, f = 35 MHz)Nf—2.5—dB元器件交易网www.cecb2b.comBF199

3Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device DataVCE = 10 VTA = 25°C

f, CURRENT–GAIN — BANDWIDTH PRODUCT (MHz)

TC, CAPACITANCE (pF)BF1991000

1020100200300500700

1000.20.30.50.71351020IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 1. Current–Gain — Bandwidth Product10

0.2

0.1VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)Figure 2. Capacitances0.30.40.50.712

0.20.51351020Cre @ IE = 0CobCib

200

0.1IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 3. DC Current Gain0.20.30.50.7123571020100

1020305070

hFE, DC CURRENT GAIN100

125102050

2345678IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 4. b11eVCE = 10 VTA = 25°C

BF199mmhosVCE = 10 V

100 MHz

45 MHz10.7 MHzb11e 470 kHz < 0.2 mmhos

mmhos–100

–1–2–5–10–20–50

2345678IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 5. b21eVCE = 10 V100 MHz

45 MHz

10.7 MHz

b21e, at 470 kHz < 0.5 mmhosmhos2000

1234567IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 6. b22e (boe)µ

20501002005001000VCE = 10 V100 MHz

45 MHz

10.7 MHz

470 kHz元器件交易网www.cecb2b.comBF199

4Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data10

0.10.20.5125

2345678IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 7. g11e (gie)mmhosVCE = 10 V100 MHz45 MHz10.7 MHz

mmhos200

25102050

1234567IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 8. g21e (Yfe)VCE = 10 V

f = 0.47 to 45 MHz

mhos200

1234567IC, COLLECTOR CURRENT (mA)Figure 9. g22e (goe)µ

25102050100VCE = 10 V100 MHz

45 MHz10.7 MHz470 kHz100

470 kHz元器件交易网www.cecb2b.comBF199

5Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device DataPACKAGE DIMENSIONS

NOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.2.CONTROLLING DIMENSION: INCH.3.CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION RIS UNCONTROLLED.4.DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND KMINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLEDIN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.RA

P

JLFB

K

GHSECTION X–XCVD

NNXXSEATINGPLANEDIMMINMAXMINMAXMILLIMETERSINCHESA0.1750.2054.455.20B0.1700.2104.325.33C0.1250.1653.184.19D0.0160.0220.410.55F0.0160.0190.410.48G0.0450.0551.151.39H0.0950.1052.422.66J0.0150.0200.390.50K0.500–––12.70–––L0.250–––6.35–––N0.0800.1052.042.66P–––0.100–––2.54R0.115–––2.93–––V0.135–––3.43–––1

CASE 029–04(TO–226AA)ISSUE ADSTYLE 21:PIN 1.COLLECTOR2.EMITTER3.BASE元器件交易网www.cecb2b.comBF199

6

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ADSP-BF534_08中文资料

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Embedded Processor

ADSP-BF534/ADSP-BF536/ADSP-BF537

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Up to 600MHz high performance Blackfin processor Three 16-bit MACs, two 40-bit ALUs, four 8-bit video ALUs, 40-bit shifterRISC-like register and instruction model for ease of programming and compiler-friendly supportAdvanced debug, trace, and performance monitoring0.8V to 1.3V core VDD with on-chip voltage regulation2.5V and 3.3V-compliant I/O with specific 5V-tolerant pins 182-ball and 208-ball CSP_BGA packages

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实训实习安全教育题库199题

实训实习安全教育题库199题

安全教育题库199题

1、重一点的烫伤应立即用冷水冲洗( )分钟以上

A、 10

B、 20

C、 30

D、 40

答案： C

2、人体在电磁场作用下会受到不同程度的伤害,其原因是?

A、 电流

B、 电压

C、 电磁波辐射

D、 静电

答案： C

3、行车防护栏的立柱间距应小于( )米

A、 4

B、 3

C、 2

D、 1

答案： D

4、安全( )是构成班组安全文化的核心。

A、 价值观

B、 意识观念

C、 责任感

D、 人生观

答案： A

5、举升车辆时 A、 直接举升

B、 观察四周

C、 不管周围

D、 确保周围安全

答案： D

6、把电气设备正常情况下不带电的金属部分与电网的保护零线进行连接,称作( )。

A、 保护接地

B、 保护接零

C、 工作接地

D、 工作接零

答案： B

7、当遇到火灾时,要迅速向( )逃生。

A、 着火相反的方向

B、 人员多的方向

C、 人员少的方向

D、 安全出口的方向

答案： D

8、在实习过程中,如果遇到棘手问题应该

A、 立即报告老师

B、 放任不管

C、 自己处理

D、 喊别的同学

答案： A

9、实训楼前站队时应该

A、 提前站队

B、 进车间时再站队 C、 插队

D、 迟到

答案： A

10、火场逃生的原则是( )。

A、 抢救国家财产为上

B、 先带上日后生活必需钱财要紧

C、 安全撤离、救助结合

D、 逃命要紧

答案： C

11、对于高压电容器,实训结束后或闲置时,如何处理最合适?

A、 电极接地

B、 双电极短接(串接合适电阻进行放电)

C、 双电极接地

D、 不处理

答案： B

12、实训车间上课时

A、 随意出入

B、 听老师安排

C、 随意上厕所

D、 不用听老师的

答案： B

13、如果工作场所潮湿,为避免触电,使用手持电动工具的人应:

2014年MBA考研真题199管理类联考真题与参考答案详解

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1 2014年全国硕士研究生入学统一考试

199管理类联考真题与参考答案

一、问题求解：第1～15小题，每小题3分，共45分。下列每题给出的A、B、C、D、E五个选项中，只有一项是符合试题要求的。请在答题卡上将所选项的字母涂黑。

1.某部门在一次联欢活动中共设了26个奖，奖品均价为280元，其中一等奖单价为400元，其他奖品均价为270元，一等奖的个数为

（A）6 （B）5 （C）4 （D）3 （E）2

2.某单位进行办公室装修，若甲、乙两个装修公司合做，需10周完成，工时费为100万元；甲公司单独做6周后由乙公司接着做18周完成，工时费为96万元.甲公司每周的工时费为

（A）7.5万元（B）7万元（C）6.5万元（D）6万元（E）5.5万元

3.如图1，已知AE=3AB，BF=2BC.若ΔABC的面积是2，则ΔAEF的面积为

（A）14 （B）12 （C）10

（D）8 （E）6

图1

4.某公司投资一个项目.已知上半年完成了预算的，下半年完成了剩余部分的，此时还有8千万元投资未完成，则该项目的预算为

（A）3亿元（B）3.6亿元（C）3.9亿元（D）4.5亿元（E）5.1亿元

5.如图2，圆A与圆B的半径均为1，则阴影部分的面积为

(A)23 (B)32 (C)334 (D)2334 (E)2332

图2 A F

C

B E 2 6.某容器中装满了浓度为90%的酒精，倒出1升后用水后又倒出1升，再用水将容器注满，已知此时的酒精浓度为40%，则该容器的容积是

（A）2.5升（B）3升（C）3.5升（D）4升（E）4.5升

7. 已知na为等差数列，且2589aaa，则129aaa ( )