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太阳能光伏组件专业培训资料汇报人：2023.08.20•太阳能光伏发电系统概述•太阳能光伏组件的基本特性•太阳能光伏组件的应用与选型•太阳能光伏组件的生产技术及设备•太阳能光伏组件的市场及前景目•太阳能光伏组件的发展趋势及挑战录01太阳能光伏发电系统概述太阳能光伏发电系统的运作基于光伏效应，即光能转化为电能的现象。
光伏效应光伏电池是太阳能光伏发电系统的核心部件，其作用是将光能转化为直流电能。
光伏电池太阳能光伏发电系统的基本原理1太阳能光伏发电系统的组成23太阳能光伏电池板是系统的核心，其作用是吸收太阳光并转化为电能。
光伏电池板逆变器将光伏电池板输出的直流电转换为交流电，以满足不同负荷的需求。
逆变器储能设备用于存储电能，以供负载在需要时使用。
储能设备太阳能光伏发电系统的应用领域太阳能光伏发电系统在农村供电中具有很大的潜力，可解决偏远地区电力供应不足的问题。
农村供电城市建筑交通设施工业领域太阳能光伏发电系统可为城市建筑提供绿色能源，降低碳排放并提高能源利用效率。
太阳能光伏发电系统可为公路、铁路和机场等交通设施提供绿色能源，减少对化石燃料的依赖。
太阳能光伏发电系统可为工业领域提供绿色能源，实现生产过程的节能减排。
02太阳能光伏组件的基本特性03封装材料保护太阳能电池和连接器，防止外部损伤和腐蚀。
太阳能光伏组件的构造及工作原理01太阳能电池采用半导体材料，吸收阳光并产生电能。
02连接器将太阳能电池连接在一起，并连接到外部电路中。
太阳能光伏组件的主要性能指标太阳能电池在无负载情况下输出的电压。
开路电压太阳能电池在短路情况下流过的最大电流。
短路电流太阳能电池输出的最大功率对应的电压。
最大功率点电压太阳能电池输出的最大功率对应的电流。
最大功率点电流材料采购采购必要的原材料和零部件，如硅片、电池片、EVA等。
将原材料和零部件进行检验和清洗，准备好生产设备。
按照工艺要求将硅片、电池片、EVA等原材料加工成太阳能光伏组件。
全国太阳能光伏组件技术培训班教材硅太阳电池封装技术及工艺硅太阳电池封装技术及工艺本技术工艺适用于采用EVA 层压封装硅太阳电池组件。
一、主要设备及原材料1．主要设备（1）CYY 2600P 型真空层压机一台（2）固化炉一台（3）SPI-SUN SIMULATORTM 480i2．主要原材料（1）钢化玻璃厚度3.2mm±0.3；钢化性能应符合同标：GB9963-88或者封装后的组件抗冲击性能达到国标GB9535-88 地面用硅太阳电池组件环境试验方法中规定的性能指标；一般情况下，透光率应高于90%；清洁度要求，对于钢化后没被污染的玻璃，可用无纺布片擦净玻璃表面，如已受沾污的玻璃，应用中性洗净剂或者有机溶液清洗表面。
用于封装的玻璃不得有水汽、灰尘、油迹或者其它污物，操作过程中，不得用手接触玻璃两表面。
（2）EVA厚度0.3~0.6mm，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，形成稳定的胶层。
（3）TPT厚度0.17mm，纵向收缩率不大于1.5%，用于封装的TPT 至少应有三层结构：外层保护层PVF 具有良好的抗环境侵蚀能力，中间层为聚酯薄膜具有良好的绝缘性能，内层PVF 需经表面处理和EVA 具有良好的粘结性能。
封装用Tedlar 必须保持清洁，不得沾污或者受潮，特别是内层不得用手指直接接触，以免影响EVA 的粘结强度。
（4）接线盒接线盒应由ABS 或PPO 工程塑料注塑制成，并加有防老化和抗紫外辐射剂，能确保组件在室外使用25 年以上不出现老化破裂现象。
接线柱应由外镀镍层的高导电解铜制成，能确保电气导通及电气连接的可靠。
接线盒应用硅橡胶粘结在TPT 表面，并用螺钉固定在铝边框上，具有水密封性能。
（5）互联条互联条由高导电解铜制成并覆盖有一层均匀光亮的铅锡焊剂，用于串联的互联条规格为2mm×0.1mm，汇流条规格为5mm ×0.15mm。
（6）铝合金边框边框应采用LD31 硬质铝合金制成，表面氧化层厚度大于10µm。
第一章太阳电池的工作原理和基本特性1.1半导体物理基础1.1.1半导体的性质世界上的物体如果以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。
容易导电的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，主要有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。
众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。
金属之所以容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规则地沿着电场的相反方向流动，形成了电流。
自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规则流动的平均速度越高，电流就越大。
电子流动运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。
在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不呈现导电性。
半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。
半导体可以是元素，如硅（Si）和锗（Ge），也可以是化合物，如硫化镉（OCLS）和砷化镓（GaAs），还可以是合金，如Gax AL1-xAs，其中x为0-1之间的任意数。
许多有机化合物，如蒽也是半导体。
半导体的电阻率较大（约10-5≤ρ≤107Ω⋅m），而金属的电阻率则很小（约10-8~10-6Ω⋅m），绝缘体的电阻率则很大（约ρ≥108Ω⋅m）。
半导体的电阻率对温度的反应灵敏，例如锗的温度从200C升高到300C，电阻率就要降低一半左右。
金属的电阻率随温度的变化则较小，例如铜的温度每升高1000C，ρ增加40%左右。
电阻率受杂质的影响显著。
金属中含有少量杂质时，看不出电阻率有多大的变化，但在半导体里掺入微量的杂质时，却可以引起电阻率很大的变化，例如在纯硅中掺入百万分之一的硼，硅的电阻率就从2.14⨯103Ω⋅m减小到0.004Ω⋅m 左右。
金属的电阻率不受光照影响，但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著的变化。
