nRF系列无线数传芯片选型指南
2010-03-05 07:58
nRF系列无线数传芯片选型指南
型号工作频段通讯速率典型功耗特性说明
nRF401 433M 20Kbps 工作电压：2.7～5.25V
发射电流：8～18mA（注1）
接收电流：10mA
休眠电流：8uA
最大发射功率10dBm，通讯距离约100米（注2）；
2个可选频道；
采用4M晶体；
20脚SSOIC封装。
nRF402 433M 20Kbps 工作电压：2.7～3.3V
发射电流：8～18mA
休眠电流：8uA单发射芯片；
最大发射功率10dBm，通讯距离100米；
2个可选频道；
采用4M晶体；
14脚SSOIC封装。
nRF403 315/433M 20Kbps 工作电压：2.7～3.3V
发射电流：8～18mA
接收电流：10mA
休眠电流：8uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；2个可选频道；
采用4M晶体；
20脚SSOIC封装。
nRF902 868M 50Kbps 工作电压：2.4～3.6V
发射电流：9mA
休眠电流：10uA 单发射芯片；
最大发射功率10dBm，通讯距离100米；
频道由晶体频率决定；
采用13.469～13.593M晶体；
8脚SOIC封装。
nRF903 433/868/915M 76.8Kbps 工作电压：2.7～3.3V 发射电流：10～20mA
接收电流：18mA
休眠电流：1uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；169个可选频道；
采用11.0592M晶体；
32脚TQFP封装。
nRF905 433/868/915M 100Kbps 工作电压：1.9～3.6V 发射电流：10～30mA
接收电流：12.5mA
休眠电流：2.5uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；169个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
32脚QFN 5×5mm封装。
nRF9E5 433/868/915M 100Kbps 工作电压：1.9～3.6V 发射电流：10～30mA
接收电流：12.5mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2.5uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；169个可选频道；
片载增强型MCS51兼容MCU；
片载4路10位80Kbps采样率的ADC；
片载电源电压监视器；
片载独立时钟的看门狗和唤醒定时器；
256B＋4KB 片内RAM，自引导ROM；
采用4、8、12、16、20M晶体；
32脚QFN 5×5mm封装。
nRF2401 2.4G 1Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
接收电流：18～25mA
休眠电流：1uA 最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；
125个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
24脚QFN 5×5mm封装。
nRF2402 2.4G 1Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
休眠电流：200nA 单发射芯片；
最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；
128个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
16脚QFN 4×4mm封装。
nRF24L01 2.4G 1或2Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：11.3mA（0dBm）
接收电流：12.3mA
休眠电流：0.9uA 最大发射功率0dBm，通讯距离约30米；125个可选频道；
MAC层协议；
采用12M晶体；
24脚QFN 5×5mm封装。
nRF24E1 2.4G 4Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
接收电流：18～25mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2uA 最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；125个可选频道；
片载增强型MCS51兼容MCU；
片载9路10位100Kbps采样率的ADC；
片载电源电压监视器；
片载独立时钟的看门狗和唤醒定时器；
256B＋4KB 片内RAM，512B片内Boot ROM；
可提供掩膜；
采用4、8、12、16、20M晶体；
36脚QFN 6×6mm封装。
nRF24E2 2.4G 4Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2uA 单发射芯片；
其它与nRF24E1兼容。
