《三极管特性曲线》课件

三极管的共射特性曲线

三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来，也可从手册上查到某一型号三极管的典型曲线。

三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，来讨论三极管共射电路的特性曲线。

1、输入特性曲线

输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系，即

（5-3） 三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是： BE虽己大于零，但iB几乎仍为零，只有当uBE的值大于开启电压后，iB的值与二极管一样随uBE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射结导通电压Von约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.2V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。

CE=0V，UCE=0.5V和UCE=1V的情况。当UCE=0V时，相当于集电极和发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当UCE=1V，集电结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在相同uBE值的情况下，流向基极的电流iB减小，输入特性随着UCE的增大而右移。当UCE>1V以后，输入特性几乎与UCE=1V时的特性曲线重合，这是因为Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走，对基区电子与空穴的复合影响不大，iB的改变也不明显。 CE必须大于l伏，所以，只要给出UCE=1V时的输入特性就可以了。

2、输出特性曲线

输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下，集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系，即 （5-4） 三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见，当IB改变时，iC和uCE的关系是一组平行的曲线族，并有截止、放大、饱和三个工作区。

三极管的伏安特性曲线

三极管的伏安特性曲线可由共射接法的输⼊特性曲线和输出特性曲线来说明：

1. 输⼊特性曲线

是指当U CE 不变时，输⼊电压 U BE 和输⼊电流 I B 之间的关系曲线，如图1.6所⽰。由图可

知，三极管的输⼊特性曲线和⼆极管的伏安关系曲线基本相同，不过在 U CE 增⼤时曲线略有右移。

2. 输出特性曲线

是指当输⼊电流 I B 不变时，输出回路电压 U CE 和输出电流 I C 之间的关系曲线，如图1.7所⽰，可分三个区：截⽌区、饱和区、放⼤区。

（1） 截⽌区

把 I B ≤0的区域称为截⽌区，即图1.7中的A所指向的区域。此时发射结上所加的电压 U BE 不⾜

以克服发射结的死区电压，甚⾄发射结处于反向偏置状态（ U BE ＜0，所以形成的 I C （或 I E

）很⼩，仅有很⼩的穿透电流 I CEO 。

（2） 饱和区

当 U BE ＞0（发射结处于正偏）且克服了发射结的死区电压时，三极管即脱离截⽌区， I B 开

始出现。若 U CE ＜ U BE ，则此时集电结处于正偏状态，不利于基区电⼦的收集，所以此时基

本上不随基极电流⽽变化，这种现象称为饱和，即图1.7中的C所指的区域。在饱和区三极管失

去了放⼤作⽤，此时的 I C 和 I B 之间的关系不是 β 倍。⽽当 U CE 逐渐上升直⾄开始反偏（ UCE ＞ U BE ）这⼀段，随着的 U CE 上升 I C 将表现为迅速增长，最终脱离饱和进⼊放⼤区。

（3） 放⼤区

当 I B ⼀定时，从发射区扩散到基区的电⼦数⼤体上是⼀定的，在 U CE 超过⼀定数值后（约1V），这些电⼦绝⼤部分已被集电结收集形成 I C ，当 U CE 继续加⼤后， I C 也不再有明显的

增加，具有恒流特性，即图1.7中的B所在的区域。只有当 I B 增⼤时，相应的 I C 也增⼤，⽽且

⽐ I B 增⼤的多的多，三极管的电流放⼤作⽤就体现在这⾥。

三极管的共射特性曲线

作者：佚名 来源：本站整理 发布时间：2009-9-23 8:27:51 [收 藏] [评 论]

三极管的共射特性曲线

三极管的特性曲线是描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线，它们是三极管内部载流子运动

规律在管子外部的表现。三极管的特性曲线反映了管子的技术性能，是分析放大电路技术指标的重要

依据。三极管特性曲线可在晶体管图示仪上直观地显示出来，也可从手册上查到某一型号三极管的典

型曲线。

三极管共发射极放大电路的特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线，下面以NPN型三极管为例，

来讨论三极管共射电路的特性曲线。

1、输入特性曲线

输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间

的函数关系，即

（5-3） 三极管的输入特性曲线如图5-6所示。由图5-6可见NPN

型三极管共射极输入持性曲线的特点是： BE虽己大于零，但i

B几乎仍为零，只有当u

BE的值大于开

启电压后，i

B的值与二极管一样随u

BE的增加按指数规律增大。硅晶体管的开启电压约为0.5V，发射

结导通电压V

on约为0.6～0.7V；锗晶体管的开启电压约为0.2V，发射结导通电压约为0.2～0.3V。

CE=0V，U

CE=0.5V和U

CE=1V的情况。当U

CE=0V时，相当于集电极和

发射极短路，即集电结和发射结并联，输入特性曲线和PN结的正向特性曲线相类似。当U

CE=1V，集

电结已处在反向偏置，管子工作在放大区，集电极收集基区扩散过来的电子，使在相同u

BE值的情况

下，流向基极的电流i

B减小，输入特性随着U

CE的增大而右移。当U

CE>1V以后，输入特性几乎与U

CE=1V

时的特性曲线重合，这是因为Vcc＞lV后，集电极已将发射区发射过来的电子几乎全部收集走，对基

区电子与空穴的复合影响不大，i

B的改变也不明显。 CE必须大于l伏，所以，只要给出U

CE=1V时的

输入特性就可以了。

2、输出特性曲线

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目录

一、三极管特性曲线分析……………………………………………………………………………..…..1

.1三极管结构…………………………………………………………………………………………..1

.2 三极管输入特性曲线…………………………………………………………………………..2

.3 三极管输出特性曲线……………………………………………………………………..……2

二、三极管应用举例 ……………………………………………………………………………..………..3

.1 三极管在放大状态下的应用……………………………………………….………………3

.2 三极管在开关状态下的应.

. 用……………………………………………………………….3

三、线性电路和非线性电路………………………………………………………………………………4

.1线性电路理论……………………………………………………………………………………….4

.2 非线性电路理论………………………………………………………………………………..…5

.3 线性电路的分析应用举例………………………………………………………………..….6

.4 非线性电路的分析应用举例…………………………………………………………….….7

四、数字电路和模拟电路……………………………………..…………………………………………...8

4.1 数字电路……………………………………………………………………..……………………….8

4.2 模拟电路……………………………………………………………………………………….

. ……...8

4.3数字电路和模拟电路区别与联系………………………………………………………….9

五、总结与体会…………………………………………………………………………………………………..9

六、参考文献………………………………………………….…………………………..……………………..10 .