下载文档原格式
电子技术基础试题(一)一、选择题：（每小题3分，共30分）1、D 触发器在D=1时，输入一个CP 脉冲，其逻辑功能是（ ）。
A ．置1 B ．清0 C ．保持 D ．翻转2、如图电路中，设二极管为硅管，正向压降为 0.7V ，则Y= （ ）。
A ．0.7V B ．3.7V C ．10VD ．1.5V3、以下表述正确的是（ ）。
A ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B ．组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C ．组合逻辑电路有记忆能力，而时序逻辑电路没有记忆能力。
D ．组合逻辑电路没有记忆能力，而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ，化简后的结果是（ ）。
A ．2AB ．AC ． 1D ．A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为（ ）。
A ．EFB ．EF C ． 0 D ． 16、基本 RS 触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态（ ）。
A ．恢复原状态 B ．保持现状态 C ．出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位（ ）。
A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（ ）。
A ． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A ． I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是（ ）。
A ． 10 B. 50 C. 500 D.100 二．填空题：（每题3分，共30分）1．半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
大学《电子电工技术基础》试题及答案一、填空题1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。
2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。
3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。
4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。
5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。
6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。
7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为2 Ω。
8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。
9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。
9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。
10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。
11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。
12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60º)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60º。
13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60º)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0º，电阻消耗的功率P= 4840 W。
14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；若相电流为10 A，则线电流为 17.32 A。
15．式Q C=I2X C是表示电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。
16．正弦交流电压的最大值U m与其有效值U之比为2。
17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为磁场能量储存起来。
18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e1—e2—e3，则称此种相序为正序。
第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。
锗管的导通压降为0.2～0.3V 。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。
VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零，相当于短路。
所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
电子技术基础1复习题一、电压放大1、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）试估算电路的静态工作点I CQ、U CEQ；（3）求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R O；（4）若信号源内阻R S=600Ω，求源电压放大倍数A us。
（5）若去掉旁路电容，则A u、R i和R O如何变化？2、放大电路如图所示，已知三极管β=50，U BEQ=0.7V，r bb’=200Ω。
电路中各参数标示图中。
（1）估算静态工作点I CQ、U CEQ；（2）估算电压放大倍数A u；（3）求输入电阻和输出电阻；（4）若C E断开，电压放大倍数将有何变化？CC o二、功放1、OTL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点的电位应是多少？（2）若两管子的饱和压降均为2V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）分析VD1、VD2的作用。
2、OCL功率放大器如图所示，试回答：（1）静态时，A点电位是多少？（2）若两管子的饱和压降均为3V，计算最大不失真输出功率P omax和效率η；（3）说明图中VD1、VD2的作用。
ccu Su ou o－+o三、运算电路1、运算电路如下图所示，（1）A1组成何种运算电路，有何特点？（2）当u i=1V，计算输出电压u o1值和u o值。
2、运算电路如下图所示，（1）A1、A2分别组成何种运算电路？（2）当u i1=0.1V，u i2=2V，试计算输出电压u o1值和u o 值。
四、深度负反馈的近似计算1、负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析其反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
（3）指出运放的反相输入端是否为虚地端。
2、1、（14分）负反馈放大电路如下图所示，试：（1）判断反馈类型，说明该负反馈稳定输出电压还是稳定输出电流？分析此反馈类型对电路输入电阻、输出电阻的影响；（2）估算在深度负反馈条件下，闭环电压放大倍数A uf。
《电子技术基础（一）》期终考试试题 （A 卷）适用专业：题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数一、名词解释：（每小题2分，共10分）1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题（每空档0.5分，共20分）1、二极管的类型按材料分有 和 两类。
2、2CW 是 材料的 二极管。
3、三极管有 、 和放大三种工作状态。
4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
5、在放大电路中，静态工作点过高易出现 ，静态工作点过低易出现 。
6、三极管实现电流放大的外部条件是： ， 。
7、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号 源的负担，输出电阻要 些，以提高带负载的能力。
8、功放电路中，为了不失真地输出最大功率，功放管常采用 放大，功放电路是 电路。
9、放大电路级与级之间的连接方式有： 、 和直接耦合。
10、电压负反馈是稳定，反馈信号与成正比。
11、解决零点漂移最有效的办法是采用。
12、非线性比较器有和两种。
13、减法运算电路利用可以进行减法运算。
14、和运放工作在电压传输特性的非线性区，即。
15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。
16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。
17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。
18、单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压U2=100V，则负载两端电压为V；若接入滤波电容，则负载两端电压为V。
19、常用的滤波电路有、和π形滤波。
20、桥式整流二极管中，若某个二极管虚焊，则输出只有。
21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。
22、W78M05输出电压为，输出电流为。
三、判断题（正确的打“√”,错误的打“×”）（每题1分，共12分）1、三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。
（）2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波，引入负反馈后不能改善失真波形。
第一章常用半导体器件1-1 晶体二极管二．判断题1．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（T）2．P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（F）3．晶体二极管有一个PN结。
所以有单向导电性。
（T）4．晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（T）5．硅稳压管的动态电珠愈小，则稳压管的稳压性能愈好。
（T）6．将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其叫界处形成PN结。
（T）7．稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
（F）8．用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻。
其数值是相同的。
（F）9．二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。
（F）10．二极管的反向电阻越大，其单向导电性能就越好。
（T）11．用500型万用表测试发光二极管，应该R*10k挡。
（T）1-2 晶体三极管二．判断题1．晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
（F）2．三极管的放大作用具体体现在Ic=ßIb。
（T）3．晶体三极管具有能量放大作用。
（F）4．硅三极管的Icbo值要比锗三极管的小。
（T）5．如果集电流Ic大于集电极最大允许电流Icm时，晶体三极管可顶损坏。
（F）6．晶体二极管和三极管都是非线性器件。
（T）7．3CG21管工作在饱和状态时，一定是Ube<Uce.（T）8．某晶体三极管的Ib=10μA时。
Ic=044mA;当Ib=20μA时。
Ic=0.89mA,则它的电流放大系数ß=45。
（T）9．因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结。
所以用两个二极管可以连接成一个三极管。
（F）10．判断题1-2-1所示各三极管的工作状态（NON型为硅管。
PNP 型为锗管）。
a)(放大)；b)(饱和)；c)(截止)；d)(放大)11．复合管的共发射极电流放大倍数ß等于两管的ß1，ß2之和。
电工电子基础期末考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 电流的单位是：A. 伏特（V）B. 安培（A）C. 欧姆（Ω）D. 瓦特（W）答案：B2. 欧姆定律的公式是：A. V = I * RB. I = V / RC. R = V / ID. V = R * I答案：A3. 一个电路中，电阻R1为10Ω，R2为20Ω，串联后的总电阻为：A. 10ΩB. 20ΩC. 30ΩD. 40Ω答案：C4. 并联电路中，总电阻与各支路电阻的关系是：A. 总电阻等于各支路电阻之和B. 总电阻等于各支路电阻之积C. 总电阻小于任一支路电阻D. 总电阻大于任一支路电阻答案：C5. 电容器的单位是：A. 法拉（F）B. 安培（A）C. 欧姆（Ω）D. 伏特（V）答案：A6. 电感器的单位是：A. 法拉（F）B. 亨利（H）C. 安培（A）D. 欧姆（Ω）答案：B7. 交流电的有效值与峰值的关系是：A. 有效值等于峰值B. 有效值等于峰值的√2倍C. 峰值等于有效值的√2倍D. 峰值等于有效值的2倍答案：C8. 三相交流电的相位差是：A. 30°B. 45°C. 60°D. 90°答案：A9. 变压器的工作原理是：A. 电磁感应B. 静电感应C. 光电效应D. 热电效应答案：A10. 整流器的作用是将：A. 直流电转换为交流电B. 交流电转换为直流电C. 直流电转换为高频电D. 交流电转换为高频电答案：B二、填空题（每空2分，共20分）1. 电流通过导体时，导体内部的自由电子在电场力的作用下发生________。
答案：定向移动2. 欧姆定律表明，电流的大小与电压成正比，与电阻成________。
答案：反比3. 串联电路中，总电阻等于各部分电阻的________。
答案：和4. 电容器在交流电路中起到________的作用。
答案：滤波5. 电感器在交流电路中起到________的作用。
电子基础电路试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在电路中，电流的流动方向是：A. 从正极流向负极B. 从负极流向正极C. 同时从正负极向中间流动D. 无固定方向答案：A2. 下列哪种元件不是半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C3. 电阻的单位是：A. 欧姆B. 伏特C. 安培D. 瓦特答案：A4. 下列哪个选项是正确的电流定律？A. 电流总是从高电势流向低电势B. 电流总是从低电势流向高电势C. 电流的方向与电子流动的方向相同D. 电流的方向与电子流动的方向相反5. 电容的单位是：A. 法拉B. 欧姆C. 伏特D. 安培答案：A6. 电感的单位是：A. 亨利B. 欧姆C. 安培D. 法拉答案：A7. 下列哪个选项是正确的电压定律？A. 电压总是从高电势流向低电势B. 电压总是从低电势流向高电势C. 电压的方向与电流的方向相同D. 电压的方向与电流的方向相反答案：A8. 欧姆定律的公式是：A. V = IRB. V = R/IC. I = V/RD. R = V/I答案：A9. 下列哪个选项是正确的电功率公式？B. P = V^2/RC. P = I^2RD. 所有选项都是正确的答案：D10. 电流源和电压源的主要区别是：A. 电流源提供恒定电流，电压源提供恒定电压B. 电流源提供恒定电压，电压源提供恒定电流C. 电流源和电压源没有区别D. 电流源和电压源的电压和电流都相同答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在串联电路中，总电阻等于各个电阻的______。
答案：之和2. 在并联电路中，总电阻等于各个电阻的倒数之______。
答案：和3. 电路中的功率因数是______和功率的比值。
答案：电压4. 电容器在交流电路中起到______作用。
答案：滤波5. 电感器在交流电路中起到______作用。
答案：阻抗6. 电路中的谐振频率是指电路的______和电感的频率相等时的频率。
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础练习题一、填空题1．PN结加正偏电压时, P区接电位, N区接电位, 此时电流（大小高低）。
2．常温下，硅二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约V；锗二极管的开启电压（即：死区电压）约V，导通电压约_V。
3．双极型三极管中有_ _种载流子导电, 是_控制器件.4．场效应三极管中有____种载流子导电, 是____控制器件.5．双极型半导体三极管工作在放大状态时, 发射结_偏置, 集电结_ _偏置.对于NPN 管，此时各引脚电位大小关系是Uc _ U B __U E ;而对于PNP管，此时各引脚电位大小关系是U C _U B_U E。
6．温度升高时, 三极管的电流放大系数β变_, 在相同I B的情况下,U BE将变_ _，I CBO变。
7．单管放大电路中欲获较高的电压放大倍数且反相输出，应当选用__组态放大器；欲获较高的输入电阻，应当选用__组态放大器；欲获较宽的通頻带，应当选用__组态放大器。
（限答双极型三极管单管放大电路组态名称）。
9.欲放大直流信号, 应采用___耦合方式.10.多级放大电路级间耦合有耦合、耦合和耦合三种方式。
11.二变量真值表中，输入有0则输出为1，输入全1则输出为0，其逻辑关系是。
12.十进制数14的等值二进制数是，8421BCD码是。
13.有一个逻辑函数F=A⊕B,其与或表达式为，与非-与非表达式为，或与表达式为，与或非表达式为。
14.数字电路按照功能可以分为两类，一类是逻辑电路，另一类是逻辑电路。
15.晶体三极管作开关用时，在大信号作用下，稳态时工作在区和区，过渡状态工作在区。
16.使用TTL集成门电路时，为实现线与逻辑功能应选用门电路，为实现总线系统应选用门电路。
17.TTL门电路输出高电平的典型值是伏，输出低电平的典型值是伏。
18.TTL与门多余输入端应该接，TTL或门多余输入端应该接。
19.TTL与非门的灌电流负载发生在输出电平情况下，拉电流负载发生在输出电平情况下。
20.欲将10KH Z的矩形波变换成1KH Z的矩形波可使用电路。
21.欲将10KH Z的正弦波变换成同频率的矩形波可使用电路。
22.理想集成放大器的开环电压放大倍数A od = _, 差模输入电阻r id = ___, 输出电阻r o = _ ，共模抑制比K CMR = ___. (限用∞,0 符号)23.PN结正向偏置时_ _扩散形成较大的正向电流，反向偏置时__漂移形成较小的反向电流。
24.数字逻辑电路中某一时刻的输出状态仅由该时刻电路的输入信号决定，称其为_ __逻辑电路。
若输出状态还与输入信号作用前的本身状态有关，称其为_ __逻辑电路。
25.测出两个单管共射电路幅频响应曲线如图：从中可知（a）Au=倍，f L= Hz，f H= Hz(b) 的Au= 倍，f L= H z，f H= Hz（b）电路的信号耦合方式一定是耦合。
二、单项选择题1．在本征半导体中，电子浓度__ __空穴浓度；在P型半导体中，电子浓度__空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度_空穴浓度；A 小于B 大于C 等于D无法判断2．当PN结外加正向电压时，扩散电流____漂移电流，耗尽层____；当PN结外加反向电压时，扩散电流__ __漂移电流，耗尽层_ __。
A 小于B 大于C 等于D变宽E变窄F不变3．采用差动放大电路是为 而设置的。
A 稳定放大倍数 B提高输入电阻 C克服温漂 D扩展频带4．集成运放工作在线性区时，两个输入端的电压u+和u-满足关系式，这叫而两个输入端的电流I+和I-满足关系式，这叫。
A u+=u-．B u+>>u-C 虚短（路）D 虚断（路）E I+ = I- = 0F I+ < I- G虚地5．在比较器中，使输出发生跳变的____电压值，叫做：门限电平或阈值电压。
A输入B输出C运放u+的D运放u-的6．欲使放大电路输出电阻减小，应采用__负反馈，欲使放大电路输入电阻增大，应采用负反馈。
A电流B电压C串联D并联7.反相比例放大器中R F引入的是负反馈。
A电压串联B电压并联C电流串联D电流并联8. 放大电路中引入电压串联负反馈，电压放大倍数。
A. 不变B.增大C.减小D.无法判断9. 单相桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流是负载电流的倍。
A. 0.25B. 0.5C. 1.0D. 1.510. 工作在放大状态的三极管，测得三个管脚的电位分别为:1脚 -3.2V, 2脚 -3V, 3脚, -6V。
由此可以判定三极管为。
A.NPN型硅管B. PNP型硅管C. NPN型锗管D. PNP型锗管11．正逻辑系统约定电平用逻辑“1”表示A. 高B. 低C. 0D. 任意12. 当输入变量A、B的取值相同时，输出F = 0，取值不同时F = 1，则输出与输入间的逻辑关系是A.异或B. 同或C. 与非D. 与或非13．在杂质半导体中，多子浓度主要取决于__ __，而少子浓度则与__ _有关系。
A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷14．集成运放内电路大多采用__ __耦合方式. 为降低温漂，它的输入级采用______式放大电路的形式，为了提高带负载的能力，它的输出级大多采用__ ____电路。
A阻容 B 直接C共源D差分E共基F互补对称15．差动放大电路用恒流源代替发射极电阻R e⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽⎽。
A提高差模电压放大倍数 B提高共模电压放大倍数C 提高共模抑制比D 提高差模输出电阻16．用集成运放构成的电压比较器电路，在稳态时运放处于____区。
而当输出发生跳变时，它渡越过______区。
A饱和B截止C非线性区D线性区17．欲稳定放大电路的输出电压，提高输入电阻，应采用_______负反馈；欲实现电流控制电流源，应采用负反馈。
A电流串联B电流并联C电压串联D电压并联18．工作在放大状.态的双极型三极管，测得三个管脚的电位分别为：1脚：3﹒8v，2脚：3．1v，3脚6﹒3v，由此可判定1脚是。
A发射极B基极C集电极 D 无法判断19．在放大电路的输入回路中，输入信号、净输入信号及反馈信号以电流形式相加减，称为反馈。
A.电压B.电流C.串联D.并联20.工作在放大状态的双极型三极管，测得三个管脚的电流分别为：１脚流进２mA，２脚流进0.04mA，３脚流进-2.04mA，由此可知此管电流放大系数β为，此管为管。
A. 50B. 51C. NPND. PNP21.单相全波桥式整流电路，电容滤波接负载的情况下，电路输出电压是变压器付边电压有效值Ｕ2的倍。
A. 0.9B. 1.0C.1.2D.1.422. 为了保证三极管工作在放大区，要求发射极正向偏置，集电极偏置：A. 正向B. 反向C. 无D. 变化23. 与二进制数101001等值的十进制数是A. 38B. 41C. 49D. 56三、简答题1.电路如图所示，求u o2.电路如图所示，求u o3.电路如图，画出其电压传输特性和输出电压波形4.下图所示电路中，F为边沿JK触发器(1)列写触发器控制端的逻辑函数式(2)对应输入波形，画出输出信号的波形。
（设触发器初态为０）5.下图所示电路中，F为边沿D触发器(1)列写触发器控制端的逻辑函数式(2)对应输入波形，画出输出信号的波形。
（设触发器初态为０）6.给定电路如图，写出各触发器的状态方程，其中满足AQQ nn+=+1的电路是（）。
7.8.求最简或非-或非式和最简与或非式：9.给出三个应用电路如图（a），给出三个电压传输特性如图（b）请用“关系线条”，把电路和电压传输特性相对应连接。
并标出电压传输特性上数值。
（黑点处）10.分析下图所示CMOS电路是否能正常工作，写出能正常工作电路的输出信号的逻辑表达式。
11.分析下图所示TTL电路的输出信号的逻辑表达式。
四、分析题1.电路如图所示，求uo2.下图中集成运放是理想的，指出电路的反馈类型，计算电路的输出电压uo。
3. 试分析如图所示的同步计算器（设触发器初态为0） 要求：（１）列写触发器控制端的逻辑函数式。
（２）列状态转换表。
（３）画出CP 与Q1、Q2、F 的波形图。
4. 给定3线—8线译码器的灵活应用电路如图：分析电路并写出输出Y1，Y2的函数表达式，其中A 、B 、C 为输入变量。
并将Y1(A 、B 、C)、Y2(A 、B 、C)化为最简与或式。
5. 试写出下图中各电路的次态输出函数表达式，并画出给定输入作用下Q1、Q2的电压波形。
设触发器的初态为0。
CP1Q 2Q FABABQ AB Q R S Q ABR ABS BQ Q A Q K Q J Q B K A J n n n nn n n n =+=+===+=+===++22121111116. 同步时序逻辑电路如图所示。
列写触发器控制端的逻辑函数式。
试列出其状态表，画出其工作波形。
nnn n nn n nn n Q K Q Q J Q Q Q Q K Q J K Q Q J 12012020210101201==+=====CPQ 1Q 2Q五、设计题1.试用数据选择器74LS153实现逻辑F(A、B、C、D)=∑m(0，3，5，6)。
2.试用3线—8线译码器74LS138实现逻辑F =ABC+ACD。
六、综合应用题1.给定电路如图（A）, 硅三极管输出特性如图（B）：a)估算I BQ , I CQ , U CEQ (设UBEQ=0.7V)b)求r be及 值(设r be =300Ω).c)画微变等效图, 求中频电压放大倍数A u输入电阻R I输出电阻R o。
d)若输入正弦信号U i由很小渐渐调大时，U o首先出现什么失真（饱和，截止）？画出此时波形u CE及u o，这是什么失真（底部，顶部）？为克服失真，R b2应如何调节？2.某电子系统各单元电路框图如图a所示，其中施密特触发器的电压传输特性如图b所示，两个阈值电压分别为UT+=3.2V，UT-=1.6V，已知A点的波形如图c所示，试画出B、C、D、E、F各点的工作波形。
（设单稳的TW=6TA，TA为A点波形的周期）11 / 11。
