常用电气元件的认识
- 格式:ppt
- 大小:1.36 MB
- 文档页数:31
一、实训目的通过本次电气元件认识实训,使学生了解和掌握常用电气元件的结构、原理、性能及用途,为后续的电气设计和实际应用打下坚实的基础。
实训内容主要包括:电阻、电容、电感、变压器、继电器、接触器、开关、熔断器、传感器等常用电气元件的识别和认识。
二、实训时间2023年X月X日三、实训地点电气实训室四、实训器材1. 电阻、电容、电感等常用电气元件;2. 变压器、继电器、接触器、开关、熔断器等常用电气元件;3. 传感器;4. 万用表、示波器等测量工具;5. 电路板、导线等。
五、实训内容1. 电阻(1)认识电阻的结构:电阻由电阻体和电阻器组成,电阻体采用高电阻率的材料制成,电阻器为电阻体的引出线。
(2)了解电阻的原理:电阻的阻值与电阻体的长度、横截面积、材料电阻率有关。
(3)学习电阻的标识方法:电阻的标识方法有直标法、色环法等。
2. 电容(1)认识电容的结构:电容由两个导体(极板)和绝缘介质组成。
(2)了解电容的原理:电容的容量与极板面积、极板间距、绝缘介质有关。
(3)学习电容的标识方法:电容的标识方法有直标法、色环法等。
3. 电感(1)认识电感的结构:电感由线圈和铁芯组成。
(2)了解电感的原理:电感的感值与线圈匝数、线圈长度、铁芯材料有关。
(3)学习电感的标识方法:电感的标识方法有直标法、色环法等。
4. 变压器(1)认识变压器的结构:变压器由铁芯、初级线圈、次级线圈组成。
(2)了解变压器的原理:变压器通过电磁感应实现电压的升高或降低。
(3)学习变压器的标识方法:变压器的标识方法有直标法、色环法等。
5. 继电器(1)认识继电器的结构:继电器由线圈、铁芯、触点、弹簧等组成。
(2)了解继电器的原理:继电器通过线圈通电产生磁场,驱动触点闭合或断开。
(3)学习继电器的标识方法:继电器的标识方法有直标法、色环法等。
6. 接触器(1)认识接触器的结构:接触器由线圈、触点、弹簧等组成。
(2)了解接触器的原理:接触器通过线圈通电产生磁场,驱动触点闭合或断开。
电气元件图形符号大全电气元件是电气工程中常见的一种元件,用于控制电路的运行和实现特定的电气功能。
在电路图中,电气元件通常用图形符号来表示,这些图形符号是一种标准化的表示方法,可以让工程师和技术人员快速准确地理解电路图的结构和功能。
本文将介绍一些常见的电气元件图形符号,帮助大家更好地理解和使用电路图。
1. 电源元件。
电源元件是电路中提供电能的元件,常见的电源元件包括电池、电源适配器、发电机等。
在电路图中,电池通常用两条短线和一个长线表示,长线代表正极,短线代表负极;电源适配器则用一个波浪线和一个直线表示,波浪线代表交流电源,直线代表直流电源。
2. 开关元件。
开关元件用于控制电路的通断,常见的开关元件包括按钮开关、刀开关、触点开关等。
在电路图中,按钮开关通常用一个带箭头的线表示,箭头表示按钮的位置;刀开关则用一个直线和一个斜线表示,直线代表闭合状态,斜线代表断开状态。
3. 传感器元件。
传感器元件用于感知电路中的物理量或环境参数,常见的传感器元件包括温度传感器、光敏传感器、压力传感器等。
在电路图中,传感器元件通常用一个带箭头的线和一个小圆圈表示,箭头表示传感器的感知方向,小圆圈表示传感器的位置。
4. 负载元件。
负载元件是电路中消耗电能的元件,常见的负载元件包括电灯、电动机、加热器等。
在电路图中,负载元件通常用一个带波浪线的线表示,波浪线表示负载元件的消耗电能的特性。
5. 控制元件。
控制元件用于控制电路的运行和实现特定的功能,常见的控制元件包括继电器、计时器、PLC等。
在电路图中,控制元件通常用一个带箭头的线和一个矩形框表示,箭头表示控制信号的方向,矩形框表示控制元件的位置。
总结。
电气元件图形符号是电气工程中非常重要的一部分,掌握这些图形符号可以帮助工程师和技术人员更好地理解和使用电路图,从而更好地设计和维护电气系统。
本文介绍了一些常见的电气元件图形符号,希望可以帮助大家更好地理解和应用电气元件。
电工必备的基础知识及电气字母符号大全AAT 电源自动投入装置AC 交流电DC 直流电FU 熔断器G 发电机M 电动机HG 绿灯HR 红灯HW 白灯HP 光字牌K 继电器KA(NZ) 电流继电器(负序零序)KD 差动继电器KF 闪光继电器KH 热继电器KM 中间继电器KOF 出口中间继电器KS 信号继电器KT 时间继电器KV(NZ) 电压继电器(负序零序)KP 极化继电器KI 阻抗继电器KW(NZ) 功率方向继电器(负序零序)KM 接触器KA 瞬时继电器;瞬时有或无继电器;交流继电器KV 电压继电器L 线路QF 断路器QS 隔离开关T 变压器TA 电流互感器TV 电压互感器W 直流母线YC 合闸线圈YT 跳闸线圈PQS 有功无功视在功率EUI 电动势电压电流SE 实验按钮SR 复归按钮f 频率Q——电路的开关器件FU——熔断器KM——接触器KA——1、瞬时接触继电器 2、瞬时有或无继电器 3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关Q——电路的开关器件FU——熔断器KM——接触器KA——1、瞬时接触继电器 2、瞬时有或无继电器 3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关Q——电路的开关器件FU——熔断器KM——接触器KA——1、瞬时接触继电器 2、瞬时有或无继电器 3、交流继电器KT——延时有或无继电器SB——按钮开关SA 转换开关电流表 PA电压表 PV有功电度表 PJ无功电度表 PJR频率表 PF相位表 PPA最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF有功功率表 PW无功功率表 PR无功电流表 PAR声信号 HA光信号 HS指示灯 HL红色灯 HR绿色灯 HG黄色灯 HY蓝色灯 HB白色灯 HW连接片 XB插头 XP插座 XS端子板 XT电线电缆母线 W直流母线 WB插接式(馈电)母线 WIB电力分支线 WP照明分支线 WL应急照明分支线 WE 电力干线 WPM照明干线 WLM应急照明干线 WEM滑触线 WT合闸小母线 WCL控制小母线 WC信号小母线 WS闪光小母线 WF事故音响小母线 WFS 预报音响小母线 WPS 电压小母线 WV事故照明小母线 WELM 避雷器 F熔断器 FU快速熔断器 FTF跌落式熔断器 FF限压保护器件 FV电容器 C电力电容器 CE正转按钮 SBF反转按钮 SBR停止按钮 SBS紧急按钮 SBE试验按钮 SBT复位按钮 SR限位开关 SQ接近开关 SQP手动控制开关 SH时间控制开关 SK液位控制开关 SL湿度控制开关 SM压力控制开关 SP速度控制开关 SS温度控制开关辅助开关 ST 电压表切换开关 SV电流表切换开关 SA整流器 U可控硅整流器 UR控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF变流器 UC逆变器 UI电动机 M异步电动机 MA同步电动机 MS直流电动机 MD绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC电动阀 YM电磁阀 YV防火阀 YF排烟阀 YS电磁锁 YL跳闸线圈 YT合闸线圈 YC气动执行器 YPAYA电动执行器 YE发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV电加热器加热元件 EE 感应线圈电抗器 L励磁线圈 LF消弧线圈 LA滤波电容器 LL电阻器变阻器 R电位器 RP热敏电阻 RT光敏电阻 RL压敏电阻 RPS接地电阻 RG放电电阻 RD启动变阻器 RS频敏变阻器 RF限流电阻器 RC光电池热电传感器 B 压力变换器 BP温度变换器 BT速度变换器 BV时间测量传感器 BT1BK 液位测量传感器 BL温度测量传感器 BHBM 导线L:火线(红色导线)N:零线(蓝色导线)PE:地线(黄绿双色导线)很多220V的电气或用电器都会标注L和N,这两个点就是电源的接点,另外开关和插座上也会有标注。
认识电气原料知识点总结1. 金属材料金属材料是电气原料中的重要组成部分,用于制造导线、电极、接线端子、电气开关等部件。
常见的金属材料包括铜、铝、铁、钢等。
(1)铜铜是一种重要的导电材料,具有良好的导电性和导热性。
因此,铜制品被广泛应用于电力系统和电子设备中。
铜的主要性能指标包括电导率、热导率、拉伸强度和硬度等。
铜的电导率随温度的变化较小,因此在高温环境下仍然能够保持良好的导电性能。
在一些应用场合,需要使用铜的镀层或合金来提高其抗氧化性能和硬度。
(2)铝铝具有较好的导电性和导热性,但其电导率和抗氧化性能不如铜。
铝制品通常用于制造轻型电气设备和输电线路。
为了提高铝的导电性能,通常会采用涂铜、镀铜或铝复合材料等技术。
此外,铝与铜的复合材料也被广泛应用于电气连接器和电气开关中。
(3)铁铁是一种重要的磁性材料,广泛应用于电机、变压器和电感器等设备中。
铁的主要性能指标包括磁导率、磁饱和磁感应强度和铁损耗等。
在制造电机和变压器时,需要选择具有良好磁导率和低铁损的铁芯材料,以提高设备的效率和性能。
2. 绝缘材料绝缘材料是电气原料中的另一个重要组成部分,用于在电气设备和产品中起到绝缘隔离、电介质和保护的作用。
常见的绝缘材料包括绝缘树脂、绝缘纸、绝缘漆、绝缘胶带、绝缘塑料等。
(1)绝缘树脂绝缘树脂是一种广泛应用于电气设备和电工材料中的重要绝缘材料。
常见的绝缘树脂包括环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂等。
这些树脂具有良好的绝缘性能、机械性能和耐化学性能,适用于制造电气设备的绝缘部件和绝缘涂层。
(2)绝缘纸绝缘纸是一种环保、可再生的绝缘材料,具有良好的电气性能和机械性能。
绝缘纸主要用于制造电气设备的绝缘片、绝缘垫、隔离垫等部件。
在特定的电气设备中,需要选择适当的绝缘纸规格和结构,以满足设备的绝缘要求。
(3)绝缘胶带绝缘胶带是一种具有很强粘附性和良好绝缘性能的粘接材料,广泛应用于电气绝缘、绝缘包装、绝缘固定等方面。
绝缘胶带的主要特性包括绝缘强度、粘附性能、耐温性能等。
第1篇一、实验目的1. 掌握电子元件的基本知识和特性;2. 学会识别常用电子元件,包括电阻、电容、电感、二极管、三极管等;3. 熟悉使用万用表等仪器进行元件检测和测量;4. 提高电子电路分析和维修能力。
二、实验原理电子元件是构成电子电路的基本单元,具有不同的电气特性。
本实验主要介绍常用电子元件的识别方法和检测技巧。
1. 电阻:电阻是电子电路中的一种基本元件,具有限制电流通过的功能。
电阻的阻值通常用欧姆(Ω)表示,其标识方法有色标法、直标法等。
2. 电容:电容是一种能够储存电荷的元件,具有通交流、阻直流的特性。
电容的容量单位有法拉(F)、微法拉(μF)等。
3. 电感:电感是一种能够储存磁能的元件,具有通直流、阻交流的特性。
电感的单位有亨利(H)、毫亨利(mH)等。
4. 二极管:二极管是一种具有单向导电性的元件,具有整流、限幅、保护等功能。
5. 三极管:三极管是一种具有放大、开关等功能的元件,是电子电路中的核心元件。
三、实验器材1. 数字万用表2. 电阻、电容、电感、二极管、三极管等元件3. 电路板、导线、电源等四、实验步骤1. 识别电阻:观察电阻的外观,识别其颜色标识。
根据色标法,将颜色对应的数值相乘,即可得到电阻的阻值。
2. 识别电容:观察电容的外观,识别其容量标识。
根据容量标识,确定电容的容量和耐压值。
3. 识别电感:观察电感的外观,识别其电感值和单位。
根据电感值和单位,确定电感的电感量。
4. 识别二极管:观察二极管的外观,识别其正负极。
使用万用表测量二极管的正向压降,判断其性能。
5. 识别三极管:观察三极管的外观,识别其三个电极。
使用万用表测量三极管的放大倍数,判断其类型。
6. 元件检测:使用万用表测量电阻、电容、电感的实际值,与标识值进行对比,判断其性能。
五、实验结果与分析1. 电阻:通过色标法识别电阻,测量其阻值,与标识值进行对比,结果基本一致。
2. 电容:通过容量标识识别电容,测量其容量和耐压值,与标识值进行对比,结果基本一致。
电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式R=U/I常用单位为欧姆(Ω),千欧(KΩ)和兆欧(MΩ).1M=10 K10 Ω3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻Power RatingCurve (Fi gure1)(3)电阻温度系数(4). 工作温度范围CarbonFilm:-55℃----+155℃Metal Film:-55℃----+155℃Metal OxideFilm:-55℃----+200℃Chip Film :-55℃----+125℃5.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银数字0 1 2 3 4 5 678 9-1-2四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10±10%(Ω)6.误差代码Tolerance ±1%±2% ±2.5%±3%±5%±10%±20%Symbols FG H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2).金属膜电阻(保险丝电阻)(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5).保险丝二:电容器英文Capacitor1.电路符号(a)(b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量C由下式决定:C=Q/U=ΣS/4πd,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数DF值DF=P耗/P总P耗为充放电损耗功率,P总为充放电总能量.(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位PF6.多层陶瓷电容器电介质分类NPO(COG)﹕一类电介质﹐电气性能最稳定﹐基本上不随温度﹐电压与时间的改变而改变﹐适用于对稳定性要求高的电路﹒X7R(2X1) : 二类电介质﹐电气性能较稳定﹐在温度﹐电压与时间改变时性能变化并不显著﹐适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于X7R是一种强电介质,因而能造出容量比NPO介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较X7R差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)High precision of capacitance.Low dissipation factorand low ESR.High insulation resistanceHigh stabilityof capacitanceandDF VS temperature and frequency.(2) PolyesterFilm Capacitor(聚乙烯膜電容器)High moistureresistanceGood solderabilityAvailable ontapeandreel for automaticinsertionESR isminimized.(3) Metallized Polyester Film Capacitor(金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductiveconstruction andsell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor(聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and highinsulation resistance.High stability ofcapacitance andDFVStemperature and fr equency.Lowequivalent seriesresistance.Non-inductiveconstruction8.X電容9.Y電容三.电感器(英文Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性) 2.主要参数(1)电感量及允许偏差 (2)品质因子(Q值)感抗x L =W L=2πfL Q =2πfL/R Q 即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器 四.半导体二极管 (英文 Di ode)DIODE Test # Descr ip tion1 VF F or wa rd v olt age2 IR Rev ers e curren t lea kage3BV RBreak dow n voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿.3.结构是由一个P型半导体和一个N型半导体构成,组成一个PN结,P N结具有单向导电性.4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管(3)稳压二极管 (4)变容二极管(6)肖特基二极管5.主要参数(1)最大平均整流电流I F:表征二极管所能流过的最大正向电流.在一个周期内的平均电流值不能超过IF,否则二极管将会烧坏.(2)最大反向工作电压VR(3)反向电流I R:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管DescriptionZENERTest#1 VFForward voltage2 BV Z Minimum Zener voltage.(Use test#5)3 BVZ MaximumZenervoltage.(Use test #5)4I R Reversecurrent leakage5 BVZBVz with programmable soak6 ZZ 1 KHzZener Impedance(requiresZZ-1000 or Model 5310)1.电路符号(图一) (图二)2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该值,稳压效果会略差些.(3)额定功率损耗(4)电压温度系数(5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管)TRANSISTO RTest#Description1h FE Forward-currenttransfer ratio2 V BE Baseemitter voltage(see also Appendix F)3 IEBOEmitter to base cutoff current4 VCESAT Saturation voltage5 ICBO Collectorto base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoffcurrentI CER, with baseto emiterload,I CEX, reverse bias,orI CESshort(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector toemitter,BV CER with base toemiterload,BV CEXreverse bias,orUBV CES s hort(s ee a ls o App endix F)8 BV CBO Br eakd own vol tage,coll ec tor to base9 BV E BO Br ea kdo wn v olt age,emitter to base10V B ESAT Bas e emi tter s aturation vo ltage1.电路符号(b)PNP(a) NPN三极管是由三块半导体组成,构成两个PN 结,即集电结,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流Ic ,基极电流Ib,发射极电流Ie,I e=I b+Ic Ic =βIb , β为三极管电流放大倍数. (1)NP N (2) PNP(3)共(b) PNP发射极输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1>E2,即NPN型三极管V c>Vb>V e,PNP型三极管V c<Vb<Ve.三极管处于放大状态.由于Ic=βIb,即Ic受Ib控制,而Ic的电流能量是由电源提供的,此时Ube=0.6~0.7V(NPN硅管)(2)截止Ib≦0的区域称截止区,U BE<0.5V时,三极开始截止,为了截止可靠,常使UBE≦0,即发射结零偏或反偏,截止时,集电结也反向偏置.(3)饱和区当VCE<V BE,即集电结正向偏置,发射结正向偏置时,三极管处于饱和区.饱和压降U CE(sat),小功率硅管U CE(sat)≒0.3V,锗管UCE(sat)≒0.1V4.主要参数(1)共发射极直流电流放大系数β,即Hfe,β=I C/IB(2)共发射极交流电流放大系数β. β=ΔI C/ΔI B(3)集电极,基极反向饱和电流I CBO(4)集电极,发射极反向饱和电流I CEO,即穿透电流(5)集电极最大允许功耗PCM(6)集电极最大允许电流ICM(7)集电极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(8)发射极,基极反向击穿电压U(BR)CBO(9)集电极,发射极反向击穿电压U(BR)CBO七.可控硅(英文简称SCR,也叫晶闸管)SCR Test # Description1 IGT Gate-trigger current2 I GKO Reverse gate current5VGT Gate-triggervoltage6 BVGKO Reversegaet breakdownvoltage7 IDRM Forward Blocking current8I RRM ReverseBlockingcurrent9 I L Latching current11 IHHolding current(see alsoAppendix F)13 VTM Forward onvoltage15VDRM Forwardblocking voltage16V RRM Reverseblocking voltage1.电路符号A K阳极 G 控制极阴极2.工作原理(1)在阳,阴极间加上一个正电压,再在控制极和阴极之间加上正电压,可控硅导通.(2)可控硅导通后,去掉控制极上的电压,可控硅仍然导通,所以控制极上的电压称为触发电压.(3)导通后,U AK=0.6~1.2V(4)要使导通的可控硅截止,得降低 U AK,同时阳极电流也下降,当阳极电流小于最小维持电流I H时,可控硅仍能截止.3.主要参数(1)正向转折电压UB0,指在控制极开路,使可控硅导通所对应的峰值电压(2)通态平均电压UF,约为0.6~1.2V(3)擎住电流Ica-----—由断态至通态的临界电流.(4)维持电流IH:从通态至断态的临界电流(5)控制极触发电压U G,一般1~5V(6)控制极触发电流一般为几十毫安至几百毫安.八.变压器变压器是变换电压的器件1.电路符号. .L1 L2(a)(a)图中是带铁芯(或磁芯)的变压器的符号,它有两组线圈L1,L2,其中L1为初级,L2为次级.圈中黑点表示线圈的同名端,它表明是同名端的两端上的信号相位是同样的.1.结构构成变压器的部件一般有初级线圈,次级线圈.铁芯线圈骨架,外壳等组成.为了防潮,绝缘,坚固,有时还泡有几立水.铁芯是用来提供磁路的. 3.工作原理当给初级通入交流电时,交流电流流过初级,初级要产生交变磁场,这一交变磁场的变化规律与输入初级的交流电变化规律一样.初级的交变磁场作用于次级线圈.次级线圈由磁励电,在次级两端便有感生电压,这样初级上的电压便传输到次级了.4.主要参数(1)变匝比:变压器初级匝数为N1,次级匝数为N2,在初级上加信号电压为U1,次级上的电压为U2,则有下式成立:U2/U1=N2/N1=N N为变压器的变压比(2)效率是在额定负载时,输出功率与输入功率之比值,即η=Po/P i*100%(3)电压,电流的关系若η=100%,则有P2=P1,式中:P2为输出功率,P1为输入功率.因此有:U2/U1=I1/I2=N2/N1=N九.光电藕合器 (英文 PHOTO COUPLE)OPTOCOUPLERTest #(Requires Opto Adapt er) 1 LCOFFCollector toemitter darkcurrent2LCBO Collector tobase darkcurrent3 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter4 BVCBOBreakdownvoltage,collector tobase5 HFE Forwardcurrent transfer ratio,transistor6VCESAT Saturationvoltage,base driven7 IR Reverse current8VFForward voltage9 CTRCurrenttransfer ratio,coupled10 VSAT Saturationvoltage,coupled光电藕合器主要由两个组件组成,一个发光二极管(LED),另一个是光敏器件,它可以是光电池,光敏三极管,光敏单向可控硅等器件.1.电路符号2.工作原理当有电流流过LED时,便产生一个光源,光的强度取决于激励电流的强度,此光源照射到封装在一起的光敏三极管上后,光敏三极管产生一个与LED正向电流成正比例,该比例称为CTR,即电流传输比.I FICIC/I F=CTR十.场效应管JEFT Test# Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gatevoltage draincurrent.3 BVDGODrain togate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGODrain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSSGate to sourcebreakdownvoltage.8VDSON Drainto source on-state voltage.场效应管是一种由输入信号电压来控制其输出电流大小的半导体三极管,是电压控制器件,输入电阻非常高.场效应管分为:结型场效应管(JFET)和绝缘珊场效应管(IGF ET)两大类.结型应管一.结型场效应管有N型和P型沟道两种,电路符号如下d d结型场效应管有三极:珊极g源极N型sP型s漏极二.工作原理结型场效应管有两个PN结,在珊源极上加一定电压,在场效应管内部会形成一个导电沟道,当d,s极间加上一定电压时,电流就可以从沟道中流过,即通过源电压来改变导电沟道电阻,实现对漏极电流的控制.三.结型场效应管的主要参数1.夹断电压U DS(off),当UDS等于某一个定值(10v),使Id等于某一个微小电流(如50uA)时,源极间所加的U GS即为夹断电压.U DS(off)一般为1~10V2.饱和漏极电流I DS:当U GS=0时,场效应管发生预夹断时的漏极电流.3.直流输入电阻R GS4.低频跨导GM5.漏源击穿电压U(BR)DS6.珊源击穿电压U(BR)GS7.最大耗散功率PDM绝缘珊场效应管MOSFET Test # Description1 VGSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gateto Source reversebias.3 BVDss Drain to Sourcebreakdownvoltage.4 VDSONDrain to Source on-state voltage.5 IGSSF Gateto Source leakagecurrentforward.6 IGSSR Gate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage.8 VGSF Gate to Source voltage (forward)required for specifiedIn atspecifiedVos.(see SISQAppendix F)9 VGSRGate to Source voltage(reverse)required for specified ID at specifiedVDS.(see alsoAppendix F)10 VDSON On-statedraincurrent11 VGSONOn-stategate voltage一.结构和符号它是由金属氧化物和半导体组成,故称为MOSFET,简称MOS 管,其工作原理类似于结型场效应管.符号和极性iD+s(1)增强型 NMOS (2)增强型 PM OSiD(3)耗尽型 NM OS (4)耗尽型P MOS二.主要参数1.漏源击穿电压B VDS2.最大漏极电流I DMSX3.阀值电压V GS (开启电压)4.导通电阻R ON5.跨导(互导) (GM ) 6.最高工作濒率7.导通时间TON 和关断时间十一.集成电路 (英文 Integrae d C ir cuit 缩写为IC) 集成电路按引脚分别为:单列集成电路,双列集成电路,园顶封装集成 电路,四列集成电路,反向分布集成电路. 下列介绍几种IC(一).TL 431 它是一个基准电压稳压器电路,电路符号如图:阴极(K)参考输入端®(a) 阳极(A )TL431内部结构如图(b),其内部有一个2.5V的基准电压,当U-R>2.5时,K,A极处于导通状态,当UR<2.5V时,K,A极截止.KRA(b)(二).PWM开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP共16 Pin,各Pin功能如下:1).CS此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过1.0V时,IC失去作用2).GND 电源地3).DRIVE 驱动MOSFET管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V参考电压6).RT/CT此脚接RT到Pin5接CT到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干扰,街地则无此功能.8).COMP内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT此脚电压超过2.5V,则IC失去作用,一般此脚作保护作用.11).BROWN OUT此脚用来感应BULK CAPACTIOR上电压,若电压小于2.5V则IC失去作用.12).REX 此脚接一个电阻到地,用来作为电流产生器.13).ADC 此脚用来限制占空比,当此脚电压高于2.5V时,占空比控比例开始减少.当V=1.5V时,占空比减少到最大占空比的65%. 14).POCP接一个电容到地,将提供OCP功能,当此脚有一连串1.2V臃冲时,此IC失去功能.15)CSLOPE此脚为振荡电路做电压补偿.160. GND 信号地.2.UC3842(1)UC3842有8个Pin,其各Pin功能如下:1).内部误差放大器输出端2).反馈电压输入端3).电压供电端,当该脚电压超过1V时,6脚无臃冲输出4).接KT,CT产生f=1/RTG的振荡信号5).GND6).Drive,驱动臃冲输出7).Vcc8).+5v参考电压,由IC的内部产生(2)使UC3842输出端关闭的方法有三:1).关掉Vcc2).将3脚电压升至1V以上3).将1脚电压降至1V以下UC3843的7脚为电压输入端,其激活电压范围为16V~34V,若电源起动时Vcc<16V,则8脚无+5V基准电压.3.TL494TL494有16Pin,各Pin功能如下:1)采样电压2)从14脚分压得2.5V标准电压3)接阻容电路,作消振校正用4)死区时间控制输入端,该脚电平升高,死区时间达到最大,使IC输出驱动脉冲最窄5)CT6)RT7)GND8)Drire驱动脉冲输出9)Drire 驱动脉冲输出10)Drire 驱动脉冲输出11) Drire驱动脉冲输出12)Vcc13)输出方式控制,该脚接地,内部触器发失去作用14)+5v参考电压15)同相端16)反相端17)16Pin通常作回授用(三)UC3854ANUC3854是功率因子校正器(PFC)的集成电路,它有16个Pin,其各脚功能如下:1)GND接地端2)PKLMT峰值限制端,接电流检测电阻的电压负端,当电流峰值过高时,电路将被关闭.3)CAOUT 电流放大器CA输出端4)ISENSE 电刘检测端,内部接CA输入负端,外部经电阻接电流检测电组的电压正端5)Mult Out 乘法器输出端,即电流检测另一端,内部接乘法/除法器输出端和CA输入正端,外端经电阻接电流检测电阻的电压负端6)JAC 输入电流端,内部接乘法/除法器输入端,外部经电阻接整流输入电压的正端7)UA Out 电压放大器UA输出端,内部接乘法/除法器输入端,外部接RC反馈网络.8)URMS有效值电源电压端,内部经平方器接乘法/除法器输入端,起前馈作用,URMS的数值范围为1.5~4.77v9)REF基准电压端,产生7.5V基准电压10)ENA起动端,通过逻辑电路控制基准电压,振荡器,软起动等11)USENSE输出电压检测端,接电压放大器UA的输入负端12)RSET外接电阻RSET端,控制振荡器充电电流及限制乘法/除法器最大输出13)SS软起动端14)CT外接电容CT端,CT为振荡器定时电容,使产生振荡频率为 f=1.25/RSET*CT15)Vcc 集成电路的供电电压Vcc,额定值22V16)GTDRV 门极驱动端,通过电阻接功率MOS开关管门极,该端电位钳在15V(四)DNA 1002 CP共16Pin,该IC有OUP,UVP功能,其各Pin功能如下:1)LATCH 当过电压欠电压时,此脚为高电平,此脚为低电平表示输出正常.2)COM信号地3)PG正常工作时此脚为高电平PG信号输出.4)TDON接个电容到地,产生PG延时.5)REMOTE REMOTE ON/OFF端,为低则ON,为高则Pin1高6)TDOFF接个电容到地,起到延迟关机作用,产生PF7)DUV 接个电容到地,这样在电容充电电压小于2.5V参考电压时,不做欠电压检测,而当充电电压大于2.5V参考电压时,欠电压检测恢复.8)BSENSE在IC内部,此Pin是电压供应比较器的同相输入,当此Pin 电压低于2.5v时,则Pin3与Pin7会变低.9)V5检测+5V的过电压与欠电压,其UUP点4.0~4.24V,OVP 点为6.0~6.39V10)V12检测+12V的过电压与欠电压,其UUP点为9.4~9.99V,OV P点为14.45~15.35V11)V-12 检测-12V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,失去此功能12)V3.3检测3.3V的过电压与欠电压,此脚接Vcc,则失去此功能,其UUP点为1.09~1.16V,OVP点为1.43~1.52V13)V-5检测-5V的过电压与欠电压,此脚接参考电压,则失去此功能14)RCRNT接个电阻到地,从而产生内部恒流15)VREF 2.5V参考电压输出16)Vcc IC电源。