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华科固体物理考研题华中科技⼤学⼀九九九年招收硕⼠研究⽣⼊学考试试题考试科⽬：固体物理适⽤专业：微电⼦学与固体电⼦学（除画图题外，所有答案都必须写在答题纸上，写在试题上及草稿纸上⽆效，考完后试题随答题纸交回）1.设半径为R 的硬球堆成体⼼⽴⽅晶格，计算可以放⼊其间隙位置的⼀个硬球的最⼤半径r2.已知NaCl 晶体平均每对离⼦的相互作⽤能为 2()n q Bu r r r α=-+，其中马德隆常数 1.75α=, n = 9，平衡离⼦间距0 2.82r = ?，求其声学波与光学波之间的频率间隙Δω（Na 的原⼦量为23, Cl 的原⼦量为35.5, 1原⼦质量单位为1.67×2410-克，104.810q -=?静电单位电荷）3.已知碳在()铁中的扩散系数D 与温度关系的实验数据为：当温度为200度时，扩散系数D200℃ =11210/cm -秒；温度为760℃时，D760℃ =-6210/cm 秒，试求扩散过程的激活能Q （千焦⽿/摩尔）（⽓体常数R=8.31焦⽿/摩尔·开）4.设N 个电⼦在边长为L 的正⽅形框中⾃由运动，在求解薜定谔⽅程时所得电⼦的本征能量220()x y E n n E =+式中，x n ，y n ，为任意正整数，0E 为基态能量，试求绝对零度时系统的费⽶能0FE5.设晶格势场对电⼦的作⽤⼒为L F ，电⼦受到的外场⼒为e F ，证明电⼦的有效质量*m 和电⼦的惯性质量m 的关系为：*e e LF m F F =+六．已知Na 的费⽶能 0F E = 3.2ev ，在 T = 0k 下, 测知其电导率σ= 2.1×17110()cm -Ω?，试求该温度下Na 的电⼦的弛豫时间τ.（常数:104.810e cgsu-=?, m = 9.1×2810g-，271.0510erg s-=??h ，121.610lev erg-=?）华中科技⼤学⼆00⼀年招收硕⼠研究⽣⼊学考试试题考试科⽬：固体物理适⽤专业：微电⼦学与固体电⼦学（除画图题外，所有答案都必须写在答题纸上，写在试题上及草稿纸上⽆效，考完后试题随答题纸交回）⼀、选择题（25分）1.晶体的宏观对称性中有（）种基本的对称操作 A.7 B.8 C.14 D.322.⾦刚⽯晶格的布拉菲格⼦为（）A.简⽴⽅B.体⼼⽴⽅C.⾯⼼⽴⽅D.六⾓密排 3.GaAs 晶体的结合⽅式为（）A.离⼦结合B.共价结合C.⾦属性结合D.共价结合+离⼦结合 4.NaCl 晶体的配位数是（）A.4B.6C.8D.125.KBr 晶体中有3⽀声学波和（）⽀光学波A.6B.3C.6ND.3N6.体⼼⽴⽅晶格的晶格常数为a ，其倒格⼦原胞体积等于（）A.31aB.338a πC.3316a πD.3332a π7.周期性势场中单电⼦本征波函数为（）A.周期函数B.旺尼尔函数C.布洛赫函数D.rk e V1 8.极低温下，固体的⽐热Cv 与T 的关系（）A .Cv 与T 成正⽐ B. Cv 与2T 成正⽐ C. Cv 与3T 成正⽐ D. Cv 与T ⽆关9.⾯⼼⽴⽅晶格的简约布⾥渊区是（）A.截⾓⼋⾯体B.正12⾯体C.正⼋⾯体D.正⽴⽅体 10.位错破坏了晶格的周期性，位错是（）A.点缺陷B.线缺陷C.⾯缺陷D.热缺陷⼆、简要回答下列问题（20分）1.简述⾦属，绝缘体和半导体在能带结构上的差异.2.为什么对⾦属电导有贡献的只是费⽶⾯附近的电⼦？3.引起固体热膨胀的物理原因是什么？4.什么是⾦属的功函数，写出两块⾦属之间的接触电势差12V 与功函数1φ、2φ之间的关系式.三、（15分）⼀维周期场中电⼦的波函数是πψaxx x 3sin )(=，（a 是晶格常数），试求电⼦在该状态的波⽮。
华中科技大学研究生课程考试答题本考生姓名李猛虎考生学号 M201371361 系、年级高电压与绝缘技术2013级类别硕士考试科目脉冲功率技术考试日期 2013年12月15日脉冲功率技术是指把较小功率的能量以较长时间慢慢输入到能储存能量的设备中，然后通过动作时间在毫微秒左右的快速开关将此能量在毫微秒至微秒时间内释放到负载上，以得到极高的功率，实质上是输出功率对输入功率的放大。
脉冲功率系统中能量的储存方式有许多种，如电容储能，电感储能，脉冲电机储能以及电池储能等。
脉冲功率技术研究的技术指标为：电压1kV~10MV，电子能量0.3~15MeV（电子伏），述流大小1kA~10MA，脉冲宽度0.1~100ns，束流功率0.1~100TW，总能量：1kJ~15MJ。
脉冲功率技术的特征是：高脉冲功率，短脉冲持续时间，高电压，大电流。
脉冲功率技术，是以电气科学技术为基础，把电工新技术和高电压－大电流技术融为一体的新型学科。
脉冲功率技术在国防科研和高新技术领域有着极为重要的应用,而且现在已经越来越多地应用于工业和民用部门,它是高新技术研究的重要技术基础之一,有着极其广泛的发展和应用前景。
脉冲功率的发展历程脉冲放电现象存在于大自然。
人们最早是在20世纪30年代开始研究脉冲功率现象。
1938年，美国人Kingdon和Tanis第一次提出用高压脉冲电源放电产生微秒级脉宽的闪光X 射线；1939年，苏联人制成真空脉冲X射线管，并把闪光X 射线照相技术用于弹道学和爆轰物理学实验。
采用高压脉冲电容器并联充电、串联放电方式来获得较高电压脉冲。
第二次世界大战期间，企图将脉冲功率技术应用于军事的电磁炮和其他研究再度兴起，也促进了脉冲功率科学技术的形成和发展。
1947年，英国人A.D.Blumlien以专利的形式，把传输线波的折反射原理用于脉冲形成线，在纳秒脉冲放电方面取得了突破。
1962年，英国原子能研究中心的J.C.Martin领导的研究小组，将Marx发生器与Blumlien的专利结合起来，建造了世界上第一台强流相对论电子束加速器SOMG（3MV，50kA，30ns），脉冲功率达TW（1012W）量级，开创了高功率脉冲技术的新纪元。
华中科技大学研究生课程考试答题本考生姓名**考生学号****系、年级*************类别硕士考试科目高电压测试技术考试日期2012年12 月15 日目录一、设计要求................................................................................. - 1 -二、冲击电压发生器的设计 .......................................................... - 1 -2.1原理分析 (1)2.2、设计回路图 (3)2.3、参数计算 (4)2.3.1、负荷电容，冲击电容的选取以及效率的估算 ....................................- 4 -2.3.2、波头电阻，波尾电阻，充电电阻，保护电阻的选取 ........................- 6 -2.3.3、试验变压器的选择 ................................................................................- 7 -2.3.4、硅堆选择 ................................................................................................- 9 -2.3.5、球隙的选择 ......................................................................................... - 10 -2.3.6、绝缘支撑件的选择 ............................................................................. - 11 -2.3.7、固有电感的估算 ................................................................................. - 11 -三、仿真实验及结果 ................................................................... - 13 -3.1、不考虑杂散参数的仿真 ........................................................................ - 13 -3.2、考虑杂散参数的仿真 ............................................................................ - 14 -3.3、对参数进行改进 .................................................................................... - 17 -四、测量系统设计 ....................................................................... - 18 -4.1分压器选型、参数与结构设计，电缆以及匹配阻抗的选择 (18)4.2考虑高压引线的影响 (21)4.3测量仪器的选择 (21)五、冲击电压发生器以及测量系统的总体结构.......................... - 22 -六、设计小结............................................................................... - 22 -一、设计要求设计一个标称电压为1500KV的冲击电压发生器及其测量系统，并且满足以下要求：1.产生1.2/50us的标准雷电冲击波；2.冲击电压发生器中计算所用元器件的参数，进行结构设计及杂散参数分析；测量系统中的结构设计、参数、分压器选型选取；3.考虑杂散参数的仿真分析及参数改进；二、冲击电压发生器的设计2.1 原理分析电力系统中的电力设备除了要承受正常情况下的工作电压以外，还要考虑在雷电冲击波作用下的承受能力，以应对环境变化所带来的影响。
电子科学与技术系一、历史沿革本系拥有微电子学与固体电子学、半导体芯片系统设计与工艺、材料物理与化学3个研究生专业。
一级学科“电子科学与技术”1986年获博士学位授予权，是全国最早具有博士学位授予权的单位之一，1991年设立博士后流动站，下设的二级学科“微电子学与固体电子学”，2007年被评为国家级重点学科。
本系已形成包括本科、硕士、博士、博士后完整的人才培养体系及学术生态环境。
二、教学与研究基地本学科是我国重要的现代微电子学、固体电子学与系统集成及其应用技术研究基地之一。
目前本学科已拥有教育部敏感陶瓷工程研究中心、电子信息功能材料教育部国防重点实验室、国家集成电路人才培养基地、北京生物芯片国家工程中心（与清华大学等共建）、教育部财政部“面向群体人才创新互动式培养实验区及武汉光电国家实验室光电信息存贮研究部等人才培养基地。
三、学科特色本学科建立以来，紧密联系学科前沿研究热点，以及国内外相关技术的发展趋势，始终坚持“理工结合”、“产学研结合”“多学科交叉结合”，逐步形成了以信息材料为基础，器件和大规模集成电路为核心，系统应用为方向，以国防和军工特色带动工程应用研究的高度融合、协调发展的学科优势。
在近50年的学科发展历程中，积极承担国家重大科研项目、国家自然科学基金、国防项目等，直接服务国家、国防和区域经济建设，取得了一系列高水平的成果。
目前科技成果产业化相关产值超过9亿元，已获得很好的社会、经济效果。
集成电路领域的科研成果、科研实力和规模化的人才培养能力将对武汉新芯12吋/65nm半导体制造项目、Foxconn公司以及其它著名的国际半导体与IT产业在武汉地区的群集和发展起到重要的推动作用。
四、招生专业及师资队伍电子科学与技术系现有微电子学与固体电子学、半导体芯片系统设计与工艺、材料物理与化学3个工学研究生招生专业和集成电路工程、软件工程、电子与通信工程专业学位组成。
现有教授22人，副教授21人，高级工程师3人。
1华中科技大学一九九九年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目： 固体物理 适用专业： 微电子学与固体电子学（除画图题外，所有答案都必须写在答题纸上，写在试题上及草稿纸上无效，考完后试题随答题纸交回）1.设半径为R 的硬球堆成体心立方晶格，计算可以放入其间隙位置的一个硬球的最大半径r2.已知NaCl 晶体平均每对离子的相互作用能为 2()n q B u r r rα=-+，其中马德隆常数 1.75α=, n = 9，平衡离子间距0 2.82r =Å，求其声学波与光学波之间的频率间隙Δω（Na 的原子量为23, Cl 的原子量为35.5, 1原子质量单位为1.67×2410-克，104.810q -=⨯静电单位电荷）3.已知碳在()铁中的扩散系数D 与温度关系的实验数据为：当温度为200度时，扩散系数D200℃ = 11210/cm -秒；温度为760℃时，D760℃ =-6210/cm 秒，试求扩散过程的激活能Q （千焦耳/摩尔）（气体常数R=8.31焦耳/摩尔·开）4.设N 个电子在边长为L 的正方形框中自由运动，在求解薜定谔方程时所得电子的本征能量220()x y E n n E =+式中，x n ，y n ，为任意正整数，0E 为基态能量，试求绝对零度时系统的费米能F E5.设晶格势场对电子的作用力为L F ，电子受到的外场力为e F ，证明电子的有效质量*m 和电子的惯性质量m 的关系为：*ee L F m F F =+六．已知Na 的费米能 0F E = 3.2ev ，在 T = 0k 下, 测知其电导率σ= 2.1×17110()cm -Ω⋅，试求该温度下Na 的电子的弛豫时间τ.（常数:104.810e cgsu -=⨯, m = 9.1×2810g -，271.0510erg s -=⨯⋅h ，121.610lev erg -=⨯）3华中科技大学二00一年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目： 固体物理 适用专业： 微电子学与固体电子学（除画图题外，所有答案都必须写在答题纸上，写在试题上及草稿纸上无效，考完后试题随答题纸交回）一、选择题（25分）1.晶体的宏观对称性中有（ ）种基本的对称操作A.7B.8C.14D.322.金刚石晶格的布拉菲格子为（ ）A.简立方B.体心立方C.面心立方D.六角密排3.GaAs 晶体的结合方式为（）A.离子结合B.共价结合C.金属性结合D.共价结合+离子结合4.NaCl 晶体的配位数是（）A.4B.6C.8D.125.KBr 晶体中有3支声学波和（）支光学波A.6B.3C.6ND.3N6.体心立方晶格的晶格常数为a ，其倒格子原胞体积等于（） A.31aB.338a πC.3316a πD.3332a π 7.周期性势场中单电子本征波函数为（）A.周期函数B.旺尼尔函数C.布洛赫函数D.r k e V1 8.极低温下，固体的比热Cv 与T 的关系（）A .Cv 与T 成正比 B. Cv 与2T 成正比 C. Cv 与3T 成正比 D. Cv 与T 无关9.面心立方晶格的简约布里渊区是（）A.截角八面体B.正12面体C.正八面体D.正立方体10.位错破坏了晶格的周期性，位错是（）A.点缺陷B.线缺陷C.面缺陷D.热缺陷二、简要回答下列问题（20分）1.简述金属，绝缘体和半导体在能带结构上的差异.2.为什么对金属电导有贡献的只是费米面附近的电子？3.引起固体热膨胀的物理原因是什么？4.什么是金属的功函数，写出两块金属之间的接触电势差12V 与功函数1φ、2φ之间的关系式.三、（15分）一维周期场中电子的波函数是πψa x x x 3sin)(=，（a 是晶格常数），试求电子在该状态的波矢。
电子学●第1章电子学基础●1.1 概述●1.2 电压、电流与电阻●1.2.1 电压与电流●1.2.2 电压与电流之间的关系:电阻●1.2.3 分压器●1.2.4 电压源和电流源●1.2.5 戴维南等效电路●1.2.6 小信号电阻●1.3 信号●1.3.1 正弦信号●1.3.2 信号幅度与分贝●1.3.3 其他信号●1.3.4 逻辑电平●1.3.5 信号源●1.4 电容与交流电路●1.4.1 电容●1.4.2 RC电路:随时间变化的V与I●1.4.3 微分器●1.4.4 积分器● 1.5 电感与变压器●1.5.1 电感●1.5.2 变压器●1.6 阻抗与电抗●1.6.1 电抗电路的频率分析●1.6.2 RC滤波器●1.6.3 相位矢量图●1.6.4 “极点”与每二倍频的分贝数●1.6.5 谐振电路与有源滤波器●1.6.6 电容的其他应用●1.6.7 戴维南定理推广●1.7 二极管与二极管电路●1.7.1 二极管●1.7.2 整流●1.7.3 电源滤波●1.7.4 电源的整流器结构●1.7.5 稳压器●1.7.6 二极管的电路应用●1.7.7 感性负载与二极管保护●1.8 其他无源元件●1.8.1 机电器件●1.8.2 显示部分●1.8.3 可变元器件●第2章晶体管●2.1 概述●2.1.1 第一种晶体管模型:电流放大器●2.2 几种基本的晶体管电路●2.2.1 晶体管开关射极跟随器●2.2.2 信号幅度与分贝●2.2.3 射极跟随器作为稳压器●2.2.4 射极跟随器偏置●2.2.5 晶体管电流源●2.2.7 单位增益的反相器●2.2.8 跨导●2.3 用于基本晶体管电路的Ebers-Moll模型●2.3.1 改进的晶体管模型:跨导放大器●2.3.2 对射极跟随器的重新审视●2.3.3 对共射放大器的重新视●2.3.4 共射放大器的偏置●2.3.5 镜像电流源●2.4 几种放大器组成框图●2.4.1 推挽输出级●2.4.2 达林顿连接●2.4.3 自举电路●2.4.4 差分放大器●2.4.5 电容与密勒效应●2.4.6 场效应晶体管●2.5 一些典型的体管电路●2.5.1 稳压源●2.5.2 温度控制器●2.5.3 带体管与二管的简单辑电路●2.6 电路示例●2.6.1 电路集锦●2.6.2 不合理电路●2.7 补充题●第3章场效应管●3.1 概述●3.1.1 FET的特性●3.1.2 FET的种类●3.1.3 FET的普遍特性●3.1.4 FET漏极特性●3.1.5 FET特性参数的制造偏差●3.2 基本 FET电路●3.2.1 JFET电流源●3.2.2 FET放大器●3.2.3 源极跟随器●3.2.4 FET栅极电流●3.2.5 FET用做可变电阻●3.3 FET开关●3.3.1 FET模拟开关●3.3.2 场效应管开关的限性●3.3.3 一些场效应管模拟开关举例●3.3.4 MOSFET逻辑和电源开关●3.3.5 MOSFET使用注意事项●3.4 电路示例●3.4.1 电路集锦●3.4.2 不合理电路●第4章反馈和运算放大器●4.1 概述●4.1.1 反馈●4.1.2 运算放大器●4.1.3 黄金规则●4.2 基本器●4.2.1 反相放大器●4.2.2 同相放器●4.2.3 跟随器●4.2.4 电流源●4.2.5 运器●4.3 运算放器●4.3.1 线性电路●4.3.2 非线性电路●4.4 运算放大器特性详分析●4.4.1 偏离理想运算放大器特性●4.4.2 运算放大器限制对电路特性的影响●4.4.3 低功率编器●4.5 详细分析精选的运算放大器电路●4.5.1 对数放大器●4.5.2 有源峰值检波器●4.5.3 抽样和保持●4.5.4 有源箱位器●4.5.5 绝对值电路●4.5.6 积分器●4.5.7 微分器●4.6 单电源供电的运算放器●4.6.1 单电源交流放大器的偏置●4.6.2 单电源运算放大器●4.7 比较器和施密特触发器●4.7.1 比较器●4.7.2 施密特触发器●4.8 有限增益放大器的反馈●4.81 增益公式●4.8.2 反馈对放大电路的影响●4.8.3 晶体管反馈放大器的两个例子●4.9 一些典型的运算放大器电路●4.9.1 通用的实验放大器●4.9.2 压控振荡器●4.9.3 带Ro补偿的JFET线性开关●4.9.4 TTL过零检测器●4.9.5 负载电流感应电路●4.10 反馈放大器的频率补偿●4.10.1 增益和相移与频率的关系●4.10.2 放大器的补偿方法●4.10.3 反馈网络的频率响应●4.11 电路示例●4.11.1 电路集锦●4.11.2 不合理电路●4.12 补充题●第5章有源滤波器和振荡器●5 .1 有源滤波器●5.1.1 RC滤波器的频率响应●5.1.2 LC滤波器的理想性能●5.1.3 有源滤波器:一般描述●5.1.4 滤波器的主要性能指标●5.1.5 滤波器类型●5.2 有源器●5.2.1 VCVS电路●5.2.2 使用简化表格设计VCVS滤波器●5.2.3状态可变的器●5.2.4双T型陷波滤波器●5.2.5 回转滤波器的实现●5.2.6 开关电容滤波器●5.3 振荡器●5.3.1 振荡器介绍●5.3.2 阻尼振荡器●5.3.3 经典定时芯片:555●5.3.4 压控振荡器●5.3.5 正交振荡器●5.3.6文氏电桥和LC振荡器●5.3.7 LC振荡器●5.3.8 石英晶体振荡器●5.4 电路例●5.4.1 电路集锦●5.5 补充题●第6章稳压器和电源电路●6.1采用典型稳压芯片723的基本稳压电路●6.1.1 723稳压器●6.1.2 正电压稳压器●6.1.3 大电流稳压器●6.2散热和功率设计●6.2.1 功率晶体管及其散热●6.2.2 反馈限流保护●6.2.3 杠杆式过压保护●6.2.4大电流功率器件电源设计的进一步研究●6.2.5 可编程电源●6.2.6 电源电路实例●6.2.7 其他稳压芯片●6.3 未稳压电源●6.3.1 交流器件●6.3.2变压器●6.3.3 直流器件●6.4基准●6.4.1 齐纳管●6.4.2 能带隙基准源●6.5 3端和4端稳压器●6.5.1 3端稳压器●6.5.2 3端可调稳压芯片●6.5.3 3端稳压器注意事项●6.5.4 开关稳压器和直流直流转换器●6.6 专用电源电路●6.6.1 高压稳压电路.●6.6.2 低噪声低漂移电源●6.6.3 微功耗稳压器●6.6.4 快速电容(电荷泵)电压转换器●6.6.5 恒流源●6.6.6 商用供电模块●6.7 电路示例●6.7.1 电路集锦●6.7.2 不合理电路●6.8 补充题●第7章精密电路和低噪声技术●7.1 精密运算放大器设计技术●7.1.1 精度与动态范围的关系●7.1.2 误差预算●7.1.3 电路示例:带自动调零的精密●7.1.4 精密设计的误差预算●7.1.5 元器件误差●7.1.6 放大器的输入误差●7.1.7 放大器输出误差●7.1.8 自动调零(斩波器稳定)放大器●7.2 差分和仪器用放大器●7.2.1 差分放大器●7.2.2 标准3运算放大器仪器用放大器●7.3 放大器噪声●7.3.1 噪声的起源和种类●7.3.2 信噪比和噪声系数●7.3.3 晶体管放大器的电压和电流声●7.3.4 晶体管的低噪声设计●7.3.5 场效应管噪声●7.3.6 低噪声晶体管的选定●7.3.7 差分和反馈放大器的噪声●7.4 噪声测量和噪声源●7.4.1 无需噪声源的测量●7.4.2 有噪声源的测量●7.4.3 噪声和信号源●7.4.4 带宽限制和电压均方根值的测量●7.4.5 混合噪声●7.5 干扰:屏蔽和接地●7.5.1 干扰●7.5.2 信号接地●7.5.3 仪器之间的接地●7.6 电路例●7.6.1 电路集锦●7.7 补充题●第8章数字电子学●8.1 基本辑概念●8.1.1 数字与模拟●8.1.2 逻辑状态●8.1.3 数码●8.1.4 门和真值表●8.1.5 门的分立电路●8.1.6 门电路举例●8.1.7 有效电平辑表示法●8.2 TTL和CMOS●8.2.1 一般门的分类●8.2.2 IC门电路●8.2.3 TTL和CMOS特性●8.2.4 三态门和集电开路器件●8.3 组●8.3.1 逻辑等式●8.3.2 最小化卡诺图●8.3.3 用IC实现的组合功能●8.3.4 任意真值表的实现●8.4 时序辑●8.4.1 存储器件:触发器●8.4.2 带时钟的触发器●8.4.3 存储器和门组合:序辑●8.4.4 同步器●8.5 单稳态触发器●8.5.1 一次触发特性●8.5.2 单稳态电例●8.5.3 有关单态触发器的注意事项●8.5.4 计数器的定时●8.6 利用集成电路实现的时序功能●8.6.1 锁存器和寄存器●8.6.2 计数器●8.6.3 移位寄存器●8.6.4 时序PAL●8.6.5 各种时功能●8.7 一些典型的数字电路●8.7.1 模n计数器:时间的例子●8.7.2 多用LED数字显示●8.7.3 恒星望远镜驱动●8.7.4 n脉冲产生器●8.8 辑问题●8.8.1 直流问题●8.8.2 开关问题●8.8.3 TTL和CMOS的先天缺陷●8.9 电路示例●8.9.1 电路集锦●8.9.2 不合理电路●8.10 补充题●第9章数字与模拟●9.1 CMOS和TTL逻辑电路●9.1 逻辑电路●9.1.1 数字逻辑电路家系列的发展历史●9.1.2 输入和输出特性●9.1.3 逻辑系列之间的接口●9.1.4 驱动CMOS和TTL输人端●9.1.5 用比较器和运算放大器驱动数字●9.1.6 关于辑输入的一些说明●9.1.7 比较器●9.1.8 用CMOS和TTL驱动外部数字●9.1.9 与MOS规模集成电路的接●9.1.10 光电子●9.2 数字信号和长线传输●9.2.1 电路板上的连接●9.2.2 板卡间的连接●9.2.4 驱动电缆●9.2.3 数据总线●9.3 模/数转换●9.3.1 模/数转换概述●9.3.2 数/模转换器●9.3.3 时域(平均)D/A转换器●9.3.4 乘法D/A转换器●9.3.5 如何选择D/A转换器●9.3.6 模/数转换器●9.3.7 电荷平衡技术●9.3.8一些特殊的A/D和D/A转换器●9.3.9 A/D转换器选择●9.4 A/D转换示例●9.4.1 16通道A/D数据采集系统●9.4.2 31/2位数字电计●9.4.3 库仑计●9.5 锁相环●9.5.1 锁相环介绍●9.5.2 锁相环设计●9.5.3 设计实例:频器 (518)●9.5.4 锁相环的捕捉和锁定●9.5.5 锁相环的一些应用●9.6 伪随机特列525●9.6.1 数字噪声的生成●9.6.2 反馈移位寄存器序列●9.6.3 利用最大长度序列生成模拟噪声●9.6.4 移位寄存器序列的功率谱●9.6.5 低通滤波●9.6.6 小结●9.6.7 数字滤波器●9.7 电路示例●9.7.1 电路集锦.●9.7.2 不合理电路●第10章微型计算机●10.1小型计算机、微型计算机与微处理器●10.1.1 计算机的结构●10.2 计算机的指令集●10.2.1 汇编语言和机器语言●10.2.2 简化的8086/8指令集●10.2.3 一个编程实例●10.3 总线信号和接口●10.3.1 基本的总线信号:数据、地址、选通●10.3.2 可编程/0:数据输出●10.3.3 可编程I/O:数据输人●10.3.4 可编程I/O:状态寄存器●10.3.5 中断●10.3.6 中断处理●10.3.7 一般中断●10.3.8 直接存储器访问●10.3.9 IBM PC总线信号综述●10.3.10 同步总线通信与异步总线通信的比较●10.3.11 其他微型计算机总线●10.3.12 将外围设备与计算机连接●10.4 软件系统概念●10.4.1 编程●10.4.2 操作系统、文件以及存储器的使用●10.5 数据通信概念●10.5.1 串行通信和ASCII●10.5.2 并行通信:Centronics、SCSI、IPI 和GPIB(488)●10.5.3 局域网●10.5.4 接口实例:硬件数据打包●10.5.5 数字格式●第11章微处理器●11.1 68008的详细介绍●11.1.1 寄存器、存储器和I/O●11.1.2 指令集和寻址●11.1.3 机器语言介绍●11.1.4 总线信号●11.2 完整的设计实例:模拟信号均衡器●11.2.1 电路设计●11.2.2 编制程序:任务的确定●11.2.3 程序编写:详细介绍●11.2.4 性能●11.2.5 一些设计后的想法●11.3 微处理器的配套芯片●11.3.1 中规模集成电路●11.3.2 外围大规模集成电路芯片●11.3.3 存储器●11.3.4 其他微处理器●11.3.5 仿真器、开发系统、逻辑分析器和评估板●第12章电气结构●12.1 基本方法●12.1.2 印制电路原型板●12.1.3 绕线镶嵌板●12.2 印制电路●12.2.1 印制电路板生产●12.2.2 印制电路板设计●12.2.3 印制电路板器件安装●12.2.4 印制电路板的进一步考虑●12.2.5 高级技术●12.3 仪器结构●12.3.1 电路板安装●12.3.2 机壳●12.3.3 提示●12.3.4 冷却●12.3.5 关于电子器件的注意事项●12.3.6 器件采购●第13章高频和高速技术●13.1 高频放大器●13.1.1 高频晶体管放大器●13.1.2 高频放大器交流模型●13.1.3 高频计算举例●13.1.4 高频放大器参数●13.1.5 宽带设计举例●13.1.6 改进的交流模型●13.1.7 分流级联对●13.1.8 放大器模块●13.2 射频电路●13.2.1 传输线●13.2.2 短线、巴仑线和变压器●13.2.3 调谐放大器●13.2.4 射频电元件●13.2.5 信号幅度或功率检测●13.3 射频通信:AM●13.3.1 通信基本概念●13.3.2 幅度调制●13.3.3 超外差接收机●13.4 高级调制技术●13.4.1 单边带●13.4.2 频率调制…●13.4.3 频移键控●13.4.4 脉冲调制技术●13.5 射频电路●13.5.1 电路结构●13.5.2 射频放大器●13.6 高速开关●13.6.1 晶体管模型●13.6.2 仿真建模工具●13.7 高速开关电路举例●13.7.1 高压驱动器●13.7.2 集电极开路总线驱动器●13.7.3 举例:光电倍增器前置放大器●13.8 电路示例●13.8.1 电路集锦●13.9 补充题●第14章低功耗设计●14.1 引言●14.1.1 低功耗应用●14.2 电源●14.2.1 电池类型●14.2.2 插在墙上的便携式电源●14.2.3 太阳能电池●14.2.4 信号电流●14.3 电源开关和微功耗稳压器●14.3.1 电源开关●14.3.2 微功耗稳压器●14.3.3 参考地●14.3.4 微功耗电压参考和温度传感器●14.4 线性微功耗设计技术●14.4.1 微功耗线性设计●14.4.2 分立器件线性设计举例●14.4.3 微功耗运算放大器●14.4.4 微功耗比较器●14.4.5 微功耗定时器和振荡器●14.5 微功耗数字设计●14.5.1 CMOS●14.5.2 CMOS低功耗保持●14.5.3 微功耗微处理器及其外围器件●14.5.4 微处理器设计举例:温度记录仪●14.6 电路示例●14.6.1 电路集锦●第15章测量与信号处理●15.1 概述●15.2 测量传感器●15.2.1 温度●15.2.2 光强度●15.2.3 应变和位移●15.2.4 加速度、压力、力和周转率（速度）●15.2.5 磁场●15.2.6 真空计●15.2.7 粒子检测器●15.2.8 生物和化学电压探针●15.3 精度标准和精度测量●15.3.1 频率标准●15.3.2 频率、周期和时间间隔测量●15.3.3 电压和阻抗标准与测量●15.4 限制带宽技术●15.4.1 信噪比问题●15.4.2 信号平均和多通道计数●15.4.3 信号周期化●15.4.4 锁定检测●15.4.5 脉冲高度分析●15.4.6 时间幅度转换器●15.5 频谱分析和傅里叶变换●15.5.1 频谱分析仪●15.5.2 离线频谱分析●15.6 电路示例●15.6.1 电路集锦。
