射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜

《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化成为了众多领域研究的热点。

磁控溅射技术作为一种重要的薄膜制备技术，因其可以在较低温度下实现薄膜的高速率沉积、优异的成分控制和结构性能等特点，在诸多领域如电子、光电子、机械、航空航天等领域都有广泛应用。

本研究将探讨利用磁控溅射技术制备CrAlSiN膜层的方法及其综合性能研究。

二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 实验材料与设备实验材料主要包括Cr、Al、Si和N的靶材，基底材料为需要镀膜的基材。

实验设备为磁控溅射镀膜机。

2. 制备工艺（1）基底预处理：对基底进行清洗、抛光等处理，以提高基底与膜层的结合力。

（2）靶材制备：将Cr、Al、Si按照一定比例混合，制成靶材。

（3）磁控溅射：在真空环境下，利用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子或分子溅射出来并沉积在基底上，形成CrAlSiN膜层。

（4）后处理：对制备好的膜层进行热处理等后处理工艺，以提高其性能。

三、CrAlSiN膜层的综合性能研究1. 结构性能分析利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对CrAlSiN膜层的结构进行表征，分析其晶格常数、晶粒大小等结构性能。

2. 化学性能分析通过X射线光电子能谱（XPS）分析CrAlSiN膜层的化学成分及化学键合状态，了解其化学稳定性。

3. 力学性能分析利用纳米压痕仪等设备对CrAlSiN膜层的硬度、弹性模量等力学性能进行测试，分析其耐磨、耐刮等性能。

4. 耐腐蚀性能分析通过浸泡实验和电化学测试等方法对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行研究，了解其在不同环境下的耐腐蚀性能。

四、结果与讨论1. 结构性能结果及讨论XRD和SEM结果表明，通过磁控溅射技术制备的CrAlSiN 膜层具有较高的结晶度和致密度，晶粒分布均匀。

同时，随着溅射时间和功率的改变，膜层的厚度和结构也会发生变化。

2. 化学性能结果及讨论XPS分析表明，CrAlSiN膜层具有较高的化学稳定性，能够在不同环境下保持其化学成分和化学键合状态的稳定。

《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化已成为提高产品性能和使用寿命的关键。

磁控溅射技术作为一种先进的薄膜制备技术，在材料科学领域得到了广泛的应用。

本文以CrAlSiN膜层为研究对象，通过磁控溅射技术制备该膜层，并对其综合性能进行深入研究。

二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 材料选择与设备准备本实验选用高纯度的Cr、Al、Si和N等靶材作为溅射原料。

设备采用磁控溅射镀膜机，具有高溅射速率、低损伤等特点。

2. 制备工艺流程（1）清洗基底：将基底（如不锈钢、铝合金等）进行清洗，去除表面油污和杂质。

（2）预处理：对清洗后的基底进行预处理，如抛光、蚀刻等，以提高基底与膜层的结合力。

（3）磁控溅射：将靶材放置于镀膜机中，调整好溅射参数（如功率、气压、溅射时间等），进行磁控溅射。

（4）后处理：溅射完成后，对膜层进行适当的后处理，如退火、氧化等，以提高膜层的性能。

三、CrAlSiN膜层综合性能研究1. 结构与形貌分析采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段，对CrAlSiN膜层的结构和形貌进行分析。

结果表明，CrAlSiN膜层具有致密的晶体结构，表面平整度较高。

2. 机械性能研究通过硬度测试、耐磨性测试等方法，对CrAlSiN膜层的机械性能进行研究。

结果表明，该膜层具有较高的硬度和良好的耐磨性，可有效提高基底的表面硬度和使用寿命。

3. 耐腐蚀性能研究在模拟实际使用环境条件下，对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行测试。

结果表明，该膜层具有较好的耐腐蚀性能，可在恶劣环境下保持良好的性能。

4. 热稳定性研究通过高温测试等方法，对CrAlSiN膜层的热稳定性进行研究。

结果表明，该膜层具有较高的热稳定性，可在高温环境下保持稳定的性能。

四、结论本文通过磁控溅射技术成功制备了CrAlSiN膜层，并对其综合性能进行了深入研究。

结果表明，该膜层具有致密的晶体结构、较高的硬度和良好的耐磨性、耐腐蚀性能及热稳定性。

射频磁控溅射ZnO：Al薄膜及其特性研究的开题报
告
标题：射频磁控溅射ZnO：Al薄膜及其特性研究
研究背景：
氧化铝掺杂锌氧(ZnO：Al)薄膜在透明导电材料、光电子器件、太阳能电池等领域具有广泛的应用。

目前，射频磁控溅射是一种制备高质量ZnO：Al薄膜的有效方法。

该方法具有高附着力、高密度、低缺陷度和可重复性好等优点。

研究目的：
本论文旨在通过射频磁控溅射技术制备高质量的ZnO：Al薄膜，并研究其结构、表面形貌、电学性能及光学性能等特性，为其应用于光电子器件、太阳能电池等领域提供理论参考。

研究内容：
1.射频磁控溅射条件优化：选取合适的目标材料、工艺参数、溅射气氛等条件，制备出质量好的ZnO：Al薄膜。

2.薄膜的结构和表面形貌分析：使用X射线衍射和扫描电子显微镜等技术，分析薄膜的结晶度、晶体结构和表面形貌等。

3.电学性能测试：通过四探针电阻测试、电学常数测试等方法，测量ZnO：Al薄膜的导电性能、载流子浓度等电学性能。

4.光学性能测试：使用紫外-可见光谱仪、荧光光谱仪等设备，研究ZnO：Al薄膜的透过率、反射率、荧光性能等光学性能。

预期成果：
通过研究，将获得高质量的ZnO：Al薄膜，其导电性能和光学性能等特性将得到充分的表征。

预计可以为其应用于透明导电材料、光电子器件和太阳能电池等领域提供理论指导和实验基础。

稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状
曹俊;陈连平;李翠云
【期刊名称】《有色金属材料与工程》
【年(卷),期】2016(037)004
【摘要】稀土掺杂铝酸锶薄膜在长余辉夜视照明、无损实时可视化探测、机械应力传感器、纳米光电子器件、二维温度传感器以及薄膜太阳能电池等领域具有极为广阔、诱人的应用前景.要实现以上应用,首要条件是制备出质量高、性能优良的薄膜.因此制备稀土掺杂铝酸锶薄膜成为当今研究的热点.综述了国内外制备稀土掺杂铝酸锶薄膜的主要方法,包括射频磁控溅射法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法和激光熔蒸法,并重点介绍了射频磁控溅射法;另外对各种方法的优缺点进行了阐述.【总页数】5页(P171-175)
【作者】曹俊;陈连平;李翠云
【作者单位】[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;[2]景德镇陶瓷学院机械电子工程学院,江西景德镇333403
【正文语种】中文
【中图分类】TN104.3
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离子源辅助中频磁控溅射制备aln薄膜最近，离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜发展迅速，其具有良好的物理和化学性质为其应用提供了可能性。

因此，了解离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的性质和机制对这一技术的发展至关重要。

一、磁控溅射制备AlN薄膜的原理磁控溅射技术一般由以下三个部分组成：一种活性材料的气体化、活性材料的磁场监督和活性材料的基体表面蒸发溅射。

受磁场（永磁体形成的外部磁场）的控制，运动中的原子和分子电离带被磁化并提供能量，从而溅射目标表面。

用于化学制备AlN薄膜的材料一般是氨和AlCl。

二、AlN膜的应用AlN膜是一种半导体功能材料，在激光器件、显示器、电路的制备上有重要作用。

由于其高绝缘性、高可塑性、热稳定性、光学性质优异以及相对介质表面带荷能力强等特点，使得AlN膜在微波电子、气体传感器和微细加工等领域的应用也越来越广泛。

三、离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的基本要素（1）气相材料：使用一种或多种气体作为靶表面覆盖膜材料的组成材料，可以使用氯气、氨气、氢气、氩气、氧气或空气，也可以将多种气体混合在一起使用。

（2）电源：使用变频或中频电源，使外部磁场的频率与提供的动能态C峰的频率一致，可保证更准确的溅射控制能力。

（3）永磁体：有助于形成宽的磁化圧的外部磁场，可以调节离子溅射体芯群的大小和形状，为精确制备AlN薄膜提供条件。

（4）计算机控制系统：该系统用于校准磁控溅射设备和控制蒸发层厚度和组成，这是AlN薄膜性质精确控制的关键步骤。

四、影响AlN薄膜制备质量的因素（1）原料选择：原材料的纯度越高，就越容易形成纯净的AlN膜，对制备高质量的AlN膜至关重要。

（2）外部磁场的强度越大，得到的样品表面粗糙度就越低，加工出的AlN薄膜电阻率也越高。

（3）某些参数的改变，如靶表面距离源体距离、电离体及基体温度等也会影响AlN膜的制备质量。

五、结论在这里，我们讨论了离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的原理和要素以及其应用及影响AlN膜制备质量的因素。

铝酸锶稀土长余辉发光材料的制备与性能表征的开
题报告
1. 研究背景
长余辉发光材料是一种将能量转化为可见光的材料，具有广泛的应
用前景，如夜光表、荧光屏幕等。

铝酸锶稀土长余辉发光材料具有发光
强度高、发光效率高等优点，因此成为近年来研究的热点之一。

2. 研究内容
本研究的主要内容为铝酸锶稀土长余辉发光材料的制备与性能表征。

具体研究步骤如下：
（1）制备铝酸锶稀土长余辉发光材料。

采用固相反应法，以氯化铝、氯化锶、氯化稀土等化合物为原料，经过一系列的干燥、煅烧、退火等
步骤，制备出铝酸锶稀土长余辉发光材料。

（2）对样品进行性能测试。

通过荧光光度计、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等方法，对铝酸锶稀土长余辉发光材料的发光强度、结晶形态、微观形貌等性能进行测试和表征。

（3）分析材料的发光机理。

通过对样品的结构、组成等进行分析，探究铝酸锶稀土长余辉发光材料的发光机理。

3. 研究意义
本研究可以为铝酸锶稀土长余辉发光材料的实际应用提供基础研究
数据，为探索新型发光材料提供借鉴和参考。

同时，铝酸锶稀土长余辉
发光材料具有广泛的应用前景，例如应用于夜光表等领域，可以提高产
品的品质和附加值。

*国家自然科学基金资助项目 1998年7月13日收到射频磁控反应溅射生长AlN 薄膜*赵彦立　钟国柱　范希武　李长华(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春　130021)(中国科学院长春物理研究所,长春　130021)摘要 用射频磁控反应溅射方法,在高纯N 2、A r(纯度均为99.999%)的气氛中,以高纯Al 为靶材,成功地制备了AlN 薄膜.研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响.发现退火能使薄膜的结晶性得到改善,在退火后的样品中得到了室温蓝紫色阴极射线发光.关键词　薄膜,AlN ,阴极射线发光1　引 言Ⅲ-Ⅴ族氮化物的研究目前已成为一个热点.GaN 、AlN 、Ga AlN 是直接带系半导体,发光效率高,稳定性强,可在高温和恶劣的环境下工作.特别是它们的光谱覆盖范围广(从可见到紫外),是当前LD 、LED 的首选材料.AlN 薄膜以其禁带宽、分解温度高、化学稳定性好等优点及广泛的用途越来越引人注目[1].对AlN 薄膜的研究很多[1～3],报导了多种制备方法[4].但以溅射沉积法制备的薄膜,并得到蓝-紫外发光的报导很少[5].我们用射频磁控反应溅射的方法生长了AlN 薄膜.研究了制备条件与薄膜结晶性关系.通过X -射线衍射、透射光谱研究了退火对薄膜结构的影响.并且由退火后(960℃,1小时,N 2)的样品得到了室温蓝-紫色阴极射线发光.因此有希望用AlN 薄膜来做发光材料用在蓝色发光器件中,开拓新型的电光器件.2　实 验在石英衬底上用射频磁控反应溅射方法,在不同的衬底温度和Ar 、N 2气体组分下,制备了七块样品,制备条件见表1.靶材料是高纯Al,反应气体是不同比例的Ar 、N 2的混合气体,压强控制在1Pa ,衬底温度260～620℃.Al 放在用金属Ta 片做成的圆形盘里,其直径为100m m,衬底与靶的距离是6cm ,射频功率是700W.我们通过X-射线衍射来研究薄膜的结晶性,测量不同样品的X-射线衍射图时我们采用了Cu 靶的K T 射线;为了研究薄膜的结构,测量了退火前后的透射光谱,透射光谱的测量采用了日本岛津UV -360分光光度计;样品IV 退火后((960℃,1小时,N 2)得到了阴极射线发光,光谱的测量采用CR-3型阴极射线发光测试装置.系统经能量校正,测试条件为11kV , 6.2μA.第20卷　第2期发　光　学　报Vol .20,No .21999年6月 CHIN ESE JO U RN AL O F L U M IN ESCEN CE June ,1999表1　样品的制备条件Table1　Preparing conditio ns o f samples.样品号衬底温度(℃)气体组分(N2/Ar)成膜时间(h)薄膜厚度(μm)A26062.5/37.557.5B40062.5/37.555C55062.5/37.553D62062.5/37.550.2N550100/051Ⅲ55020/8055Ⅳ62020/8070.53　结果与讨论3.1　制备条件对AlN薄膜结晶性的影响(1)相同气体组分(N2/Ar=62.5/37.5),不同衬底温度薄膜结晶性的变化样品A、B、C、D是在相同的N2、Ar比例(N2占62.5%,Ar占37.5%)下生长的.制膜时固定其它条件,A、B、C和D衬底温度分别控制为260、400、550和620℃.结果表明随着衬底温度的增加,薄膜厚度变薄,见表1.这说明在射频磁控溅射中,AlN分子到达衬底表面时,随着衬底温度的提高,二次蒸发几率增加,AlN分子吸附在衬底表面的几率减少.在400℃以下,没有看到明显的AlN衍射峰出现.尽管高温时成膜较薄,在550℃以上仍看到明显的AlN薄膜的衍射峰出现,见图1.在图1中,A、B、C和D分别代表A(260℃)、B(400℃)、C(550℃)和D(620℃)四个样品的X-射线谱.经与AlN标准粉末X-射线衍射卡比较,确认为六角晶型.由图中可以看出衬底温度提高,有利于薄膜结晶性改善.薄膜D与薄膜C相比,衍射峰没有明显改变,结晶性趋于稳定.图1　样品A,B,C,D的X-射线衍射图Fig.1　X-r ay diffr actio n spectra o fdifferentsamples.图2　相同衬底温度(550℃)不同气体组分的系列样品Fig.2　X-ray dif fractio n spectr a of differ ent sa mples.166发 光 学 报第20卷(2)相同衬底温度(550℃),不同气体组分薄膜结晶性的变化在衬底温度为550℃条件下制备的三种样品:N (N 2/Ar =100/0)、C (N 2/Ar =62.5/37.5),Ⅲ(N 2/Ar=20/80).随着N 2分压的降低(从100%到20%),薄膜的厚度增加,衍射峰增强,如图2所示.N 2气分压的降低,在维持总气压不变的条件下,Ar 含量增加,众所周知,Ar 的溅射产额高于N 2,随着N 2分压的降低,混合气体溅射产额增加,这对提高成膜速率有好处.由图2可以看出,适当降低N 2分压,有利于薄膜结晶性的改善.我们也在N 2分压小于20%的条件下制备了样品,薄膜表面发黑,透过率太低.(3)退火对薄膜结晶性的影响为了得到结晶性较好的薄膜,在上述实验的基础上优化实验条件,制备了样品I V (T =620℃,N 2/Ar =20/80).并对样品进行了退火处理.退火是在高温炉中进行,在N 2保护气氛下,维持温度为960℃,退火1小时.退火前后的样品分别称为IV 、IVa.分别测量了样品退火前后的X -射线衍射图,如图3所示.退火后样品的结晶性进一步得到改善,表现在AlN (100)晶向的增强.退火前出现的杂质小峰1,可能是退火前薄膜中含有较大含量的氧杂质引起[6,7].退火后位置1处的衍射峰消失,出现较强的AlN(100)衍射峰.这说明退火能使薄膜中的氧杂质得到某种程度的“释放”,部分地消除薄膜沉积过程中形成的缺陷,从而使薄膜的结晶性得到改善.图3　样品IV 退火前(IV )与退火后(IV a )的X -射线衍射比较图Fig .3　X -ray diffraction spect ra of IV (befor e annealing )and IV a (after annea ling ).3.2　透射光谱为了进一步分析薄膜结构,测量了样品IV 退火前和退火后的透射光谱,如图4所示.我们发现,退火后透过率明显降低.除本征吸收外,光谱中的其它微小的多重结构对应于样品的杂质跃迁.从透射光谱中我们可以看到,透过率在220nm 有一极小值,对应着样品的最大吸收边.样品IV 退火后此极小值位置没有发生明显的向短波移动现象,保持在220nm 处基本不变.3.3　阴极射线发光样品I V 退火前发光强度很弱,在960℃,N 2气氛下,退火1小时后,测得了室温蓝紫色阴极射线发光.如图5中a 所示.发光是峰值有370nm 处较宽的谱带,与文献报导结果基本相同[8].用MO CVD 方法制备的AlN 薄膜,当N H 3的浓度降低时,以370nm (3.33eV )为峰值的谱带强度增强,因而认为此发光峰的来源是由氮空位或填隙Al 原子引167第2期赵彦立等:射频磁控反应溅射生长AlN 薄膜　起[8].在我们的样品中退火能移走晶界的氧,部分地消除薄膜生长过程中形成的缺陷,使薄膜的结晶性得到改善,减少了无辐射跃迁的几率,因此在退火后的薄膜中测得了较强的阴极射线发光.长波方向微弱的发光峰,在我们的实验中没能观测到.我们对此光谱用高斯函数进行了拟合,如果图5中b、c和d所示.发现用3个峰值在360、390和420nm的高斯函数曲线与所测光谱符合的最好,这三个发光峰与三类发光中心相关.AlN薄膜中发光中心的种类及其详细的发光机理还有待于进一步研究.图4　样品IV退火前(IV)与退火后(IV a)的透射光谱Fig.4　Tra nsitio n spectrum o f sa mple IV (befo re annea ling)and sa mple IV a(afte r annea ling).图5　样品IV a(T=620℃,N2/Ar=20/80,退火)的阴极射线发光光谱Fig.5　Ca thodoluminescence spectr um of sample IV a(T=620℃,N2/Ar=20/80,a nneal-ing).4　结 论(1)用射频磁控反应溅射的方法,在总气压为1Pa,N2/Ar=20/80,T=620℃的条件下,制备出质量较好的AlN薄膜,经X-射线衍射确认为六角晶型;(2)衬底温度低于550℃生长的薄膜所含杂质多,结晶性差;衬底温度提高到550℃以上时,薄膜的结晶性得到改善;(3)不同N2、Ar气体组分生长的薄膜,随着N2分压的降低(大于20%),溅射产额提高.成膜速度增加,结晶性得到改善;(4)退火能使薄膜中的杂质和缺陷态密度减少,使X-射线衍射图中杂质峰消失,改善薄膜的结晶性;(5)样品IV退火后得到了室温蓝紫色阴极射线发光,发光光谱能用三个高斯函数的线性叠加很好的拟合,表明了发光可能由三种不同的发光中心引起.总之,我们用射频磁控反应溅射的方法制备了AlN薄膜,研究了制备条件与薄膜结晶性的关系.研究了样品退火前后的透射光谱,样品退火后得到了室温蓝-紫色阴极射线发光.致谢　感谢葛中久、任新光、孙铁铮三位老师在测试上的帮助和有益讨论.168发 光 学 报第20卷参　考　文　献[1]Ivanov N A,Kirov K I.Th in Solid Film ,1981,81:201.[2]Rille E,Zaruasch R,Puler H K.Thin Sol id Film,1993,228 215.[3]Grafe V,Reinh ardt H et al ,Phys.Stat.Sol.(a),1993,136 k105.[4]Hulya Demiryont et a l ,Appl .Op t .,1986,25(8):1311.[5]V las en ko N A,Zelenchuk P V.Bull.Acad.Sci.U SS R .Phys.Ser.(US A),1985,49(10):53.[6]Dietrich A et al ,Thin Solid F ilm ,1984,122:19.[7]Yin K M et al ,J .Electroch em.Soc.,1960,107:308.[8]Mizuo M orta et al ,Jpn .J .Appl .Ph ys .,1982,21(7):1102.AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BYRADIO FREQUENCY MAG NETRO N SPUTTERINGZhao Yanli Zhong Guo zhu Fan Xiw u　Li Changhua (Laboratory of Ex cited State Proces ses ,Chinese Aca demy of Sciences ,Chan gchun 130021)(Chang chun Institute of Physics ,Chines e Academy of Sciences ,Changch un 130021)AbstractAluminum nitride thin film w as successfully prepared by radio frequency mag netron sputtering with ta rg et of high pure Al in a tom osphere o f high pure N 2,Ar mix ture (pu-rity is 99.999%).Effect of different gas ratio a nd substra te tem perature o n crystallinity o f the thin films w as studied.Annealing can improve the crystallinity.Blue-violet cathodoluminescence w as found at roo m tempera ture in the AlN thin film annealed at 960℃for 1hr.Key words thin film ,AlN,cathodoluminescence Receiv ed 13July 1998169第2期赵彦立等:射频磁控反应溅射生长AlN 薄膜　。

铝酸锶长余辉材料发光机理嘿，朋友们！今天咱们来聊聊铝酸锶长余辉材料那超级神奇的发光机理，就像探秘一个魔法世界一样有趣呢！首先啊，铝酸锶长余辉材料就像一个小小的能量仓库。

在这个仓库里，有个关键的角色叫稀土离子，这稀土离子啊，就像仓库里的小魔法师。

当有外界能量，比如说紫外线照射进来的时候，就像是给这个仓库开了个能量派对。

紫外线就像一群活力四射的小精灵活蹦乱跳地闯进来，然后把能量传递给那些稀土离子小魔法师。

接着呢，这些稀土离子小魔法师接到能量后，就开始施展魔法啦。

它们会从自己原本的能量状态，跃迁到一个更高的能量状态，这就好比是小魔法师从地面一下子蹦到了云端，那可是相当高的“能量海拔”呢！然后啊，当外界的能量供应停止了，就像派对结束了，那些小精灵活力耗尽走了。

但是咱们的稀土离子小魔法师可不会马上从云端掉下来，它们会在云端停留一会儿呢。

这时候啊，它们就处于一种所谓的亚稳态，就像小魔法师在云端搭了个小帐篷暂时住下。

再之后呢，这个亚稳态可不会一直持续下去。

稀土离子小魔法师开始慢悠悠地从云端回到地面，在这个过程中，它们就把之前储存的能量以光的形式释放出来。

这光啊，就像小魔法师从云端到地面的路上洒下的魔法粉末，亮晶晶的。

铝酸锶长余辉材料里还有晶格缺陷这个有趣的东西。

这晶格缺陷就像仓库里的小陷阱，不过这个陷阱可帮了大忙。

它就像一个个小口袋，稀土离子小魔法师在从云端下来的时候，要是不小心掉进这些口袋里，就会多停留一会儿，这样就能让发光持续更久，就像小魔法师在陷阱里打个盹儿，光也就多持续一会儿啦。

而且啊，铝酸锶晶体结构就像一个坚固的城堡，为稀土离子小魔法师提供了一个稳定的居住环境。

如果城堡的结构很稳固，那小魔法师们就能更好地施展魔法，发光效果也就更好。

要是城堡结构有点松散，就像城堡的墙壁有了裂缝，那小魔法师们可能就会慌慌张张的，发光效果也就会受影响啦。

还有哦，在这个材料里，电子就像一群小蚂蚁。

当能量传递的时候，电子小蚂蚁就会忙忙碌碌地搬运能量，从一个地方搬到另一个地方，把能量送到稀土离子小魔法师那里，好让它们能顺利蹦到云端去。