磁控溅射法制备薄膜材料实验报告

实验磁控溅射法制备薄膜材料磁控溅射法制备薄膜材料的步骤如下：1.靶材选择：选择可以溅射制备薄膜的材料作为溅射靶材。

这些材料通常是单质金属、合金或化合物，如金、银、铜、铝、氧化物等。

2.基底处理：将制备薄膜的基底进行清洗和表面处理，以保证薄膜的附着力和质量。

3.靶材安装：将靶材安装在溅射器的靶架上。

4.真空抽气：将溅射室进行抽气，以建立良好的真空环境。

这可以防止杂质、气体和水分对薄膜质量的影响。

5.溅射气体调节：调节溅射气体（通常是氩气）的流量和压力，以维持合适的工作气氛。

6.加热基底：通过加热基底，可以提高薄膜附着力和晶体质量。

7.确定溅射条件：根据需要制备的薄膜材料，调节溅射功率、工作气氛和溅射时间等参数，以保持溅射过程的稳定和合适的溅射速率。

8.溅射过程：通过加大靶架上的电流，激发高能粒子与靶材相互作用，使靶材表面的原子蒸发并沉积在基底上。

9.薄膜测量：制备完成后，进行薄膜的物理、化学性质的测试和表征，如薄膜的厚度、表面形貌、晶体结构、成分等。

磁控溅射法制备薄膜材料具有以下优点：1.良好的控制性：可以通过调节溅射参数（如功率、压力等）来控制薄膜的结构和性质。

2.高纯度材料：由于溅射过程中没有反应，制备的薄膜材料具有高度的化学纯度。

3.多种材料选择：不仅可以制备金属薄膜，还可以制备合金、氧化物、硅等其他材料的薄膜。

4.优异的附着性：磁控溅射法制备的薄膜与基底之间具有较好的附着性，可以在多种基底上制备。

5.溅射速率高：与其他制备薄膜的方法相比，磁控溅射的溅射速率较高，制备时间较短。

磁控溅射法制备薄膜材料的应用非常广泛。

例如，浮法玻璃制备中使用的氧化物和金属薄膜、电子器件制造中的金属和半导体薄膜、太阳能电池中的透明导电膜、光学镀膜中的金属和二氧化硅薄膜等。

此外，磁控溅射法还可以用于制备多层薄膜、纳米结构薄膜以及复合薄膜等特殊结构的材料。

总结起来，实验磁控溅射法制备薄膜材料是一种简便、可控性强且应用广泛的方法。

《磁控溅射法制备透明导电氧化物薄膜及其性能研究》一、引言透明导电氧化物薄膜作为一种重要的功能材料，在光电、电磁、热学等领域具有广泛的应用。

近年来，随着科技的发展，透明导电氧化物薄膜的制备技术也在不断进步。

其中，磁控溅射法因其制备工艺简单、薄膜质量高、可重复性好等优点，成为制备透明导电氧化物薄膜的常用方法之一。

本文将详细介绍磁控溅射法制备透明导电氧化物薄膜的过程，并对其性能进行研究。

二、磁控溅射法制备透明导电氧化物薄膜2.1 实验材料与设备实验材料主要包括靶材（如氧化锡、氧化铟等）、基底（如玻璃、石英等）以及氩气等。

实验设备为磁控溅射镀膜机，该设备具有高真空度、高溅射速率、低损伤等特点。

2.2 制备过程（1）将基底清洗干净，放入磁控溅射镀膜机中；（2）将靶材安装在磁控溅射镀膜机的靶材托盘上；（3）将氩气通入磁控溅射镀膜机内，调整气压至合适范围；（4）开启磁控溅射镀膜机的电源，调节溅射功率和溅射时间；（5）当靶材表面开始发生溅射现象时，基底上的透明导电氧化物薄膜开始沉积；（6）在设定的时间结束后，关闭电源，停止溅射。

2.3 工艺参数优化在实验过程中，可以通过调整磁控溅射镀膜机的工艺参数（如溅射功率、溅射时间、工作气压等），来优化透明导电氧化物薄膜的制备过程。

在实验过程中，需要控制好各参数的配合关系，以获得最佳的薄膜质量和性能。

三、性能研究3.1 结构性能研究通过X射线衍射（XRD）技术对制备的透明导电氧化物薄膜进行结构分析。

通过XRD图谱可以确定薄膜的晶体结构、晶格常数等参数。

此外，还可以利用扫描电子显微镜（SEM）观察薄膜的表面形貌，分析薄膜的致密性和颗粒大小。

3.2 电学性能研究通过四探针法测量透明导电氧化物薄膜的电阻率、方块电阻等电学性能参数。

同时，还可以通过霍尔效应测试等方法研究薄膜的载流子浓度、迁移率等电学性质。

通过这些研究，可以评估薄膜的导电性能及其在器件中的应用潜力。

3.3 光学性能研究通过紫外-可见光分光光度计（UV-Vis）测量透明导电氧化物薄膜的光学性能参数，如透光率、反射率等。

磁控溅射实验报告竭诚为您提供优质文档/双击可除磁控溅射实验报告篇一：薄膜实验报告,磁控溅射与高真空成膜电子科技大学实验报告姓名：郭章学号：20XX054020XX2指导教师：许向东日期：20XX年6月12日一，实验室名称：光电楼薄膜制备实验室二，实验项目名称：有机多功能高真空成膜设备的使用及其注意事项三，实验原理有机oLeD器件的制备流程分为：IT o玻璃清洗→光刻→再清洗→前处理→真空蒸镀有机层→真空蒸镀背电极→真空蒸镀保护层→封装（1）ITo玻璃的洗净及表面处理：IT o 作为阳极其表面状态直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。

如果ITo表面不清洁，其表面自由能变小，从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生凝聚、成膜不均匀。

也有可能导致击穿，使面板短路。

对洗净后的IT o玻璃还需进行表面活化处理，以增加IT o 表面层的含氧量，提高ITo表面的功函数。

也可以用比例为水:双氧水:氨水=5:1:1混合的过氧化氢溶液处理ITo表面，使ITo表面过剩的锡含量减少而氧的比例增加，以提高ITo 表面的功函数来增加空穴注入的几率，可使oLeD器件亮度提高一个数量级。

（2）有机薄膜的真空蒸镀工艺：LeD器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜，薄膜的质量关系到器件质量和寿命。

在高真空腔室中设有多个放置有机材料的坩埚，加热坩埚蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。

有机材料的蒸发温度一般在170℃～400℃之间、IT o样品基底温度在40℃～60℃（3）金属电极的真空蒸镀工艺：金属电极仍要在真空腔中进行蒸镀。

金属电极通常使用低功函数的活泼金属，因此在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀。

金属电极材料的蒸发一般用加热电流来表示，在我们的真空蒸镀设备上进行蒸镀实验，实验结果表明，金属电极材料的蒸发加热电流一般在20A～50A之间。

（4）器件封装工艺：LeD器件的有机薄膜及金属薄膜遇水和空气后会立即氧化，使器件性能迅速下降，因此在封装前决不能与空气和水接触。

竭诚为您提供优质文档/双击可除磁控溅射实验报告篇一：薄膜实验报告,磁控溅射与高真空成膜电子科技大学实验报告姓名：郭章学号：20XX054020XX2指导教师：许向东日期：20XX年6月12日一，实验室名称：光电楼薄膜制备实验室二，实验项目名称：有机多功能高真空成膜设备的使用及其注意事项三，实验原理有机oLeD器件的制备流程分为：ITo玻璃清洗→光刻→再清洗→前处理→真空蒸镀有机层→真空蒸镀背电极→真空蒸镀保护层→封装（1）ITo玻璃的洗净及表面处理：ITo作为阳极其表面状态直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。

如果ITo表面不清洁，其表面自由能变小，从而导致蒸镀在上面的空穴传输材料发生凝聚、成膜不均匀。

也有可能导致击穿，使面板短路。

对洗净后的ITo玻璃还需进行表面活化处理，以增加ITo 表面层的含氧量，提高ITo表面的功函数。

也可以用比例为水:双氧水:氨水=5:1:1混合的过氧化氢溶液处理ITo表面，使ITo表面过剩的锡含量减少而氧的比例增加，以提高ITo 表面的功函数来增加空穴注入的几率，可使oLeD器件亮度提高一个数量级。

（2）有机薄膜的真空蒸镀工艺：LeD器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜，薄膜的质量关系到器件质量和寿命。

在高真空腔室中设有多个放置有机材料的坩埚，加热坩埚蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。

有机材料的蒸发温度一般在170℃～400℃之间、ITo样品基底温度在40℃～60℃（3）金属电极的真空蒸镀工艺：金属电极仍要在真空腔中进行蒸镀。

金属电极通常使用低功函数的活泼金属，因此在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀。

金属电极材料的蒸发一般用加热电流来表示，在我们的真空蒸镀设备上进行蒸镀实验，实验结果表明，金属电极材料的蒸发加热电流一般在20A～50A之间。

（4）器件封装工艺：LeD器件的有机薄膜及金属薄膜遇水和空气后会立即氧化，使器件性能迅速下降，因此在封装前决不能与空气和水接触。

实验一磁控溅射法制备薄膜材料一、实验目的1、详细掌握磁控溅射制备薄膜的原理和实验程序；2、制备出一种金属膜，如金属铜膜；3、测量制备金属膜的电学性能和光学性能；4、掌握实验数据处理和分析方法，并能利用 Origin 绘图软件对实验数据进行处理和分析。

二、实验仪器磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台；玻璃基片、金属铜靶、氩气等实验耗材。

三、实验原理1、磁控溅射镀膜原理（1）辉光放电溅射是建立在气体辉光放电的基础上，辉光放电是只在真空度约为几帕的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。

辉光放电时，两个电极间的电压和电流关系关系不能用简单的欧姆定律来描述，以气压为1.33Pa 的 Ne 为例，其关系如图 5 -1 所示。

图 5-1 气体直流辉光放电的形成当两个电极加上一个直流电压后，由于宇宙射线产生的游离离子和电子有限，开始时只有很小的溅射电流。

随着电压的升高，带电离子和电子获得足够能量，与中性气体分子碰撞产生电离，使电流逐步提高，但是电压受到电源的高输出阻抗限制而为一常数，该区域称为“汤姆森放电”区。

一旦产生了足够多的离子和电子后，放电达到自持，气体开始起辉，出现电压降低。

进一步增加电源功率，电压维持不变，电流平稳增加，该区称为“正常辉光放电”区。

当离子轰击覆盖了整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提高放电区内的电压和电流密度，形成均匀稳定的“异常辉光放电”，这个放电区就是通常使用的溅射区域。

随后继续增加电压，当电流密度增加到～0.1A/cm 2时，电压开始急剧降低，出现低电压大电流的弧光放电，这在溅射中应力求避免。

（2）溅射通常溅射所用的工作气体是纯氩，辉光放电时，电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。

氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，这些被溅射出来的原子具有一定的动能，并会沿着一定的方向射向衬底，从而被吸附在衬底上沉积成膜。

磁控溅射方法制备铜薄膜实验1．掌握物理气相沉积的基本原理，熟悉磁控溅射薄膜制备的工艺；2．掌握磁控溅射镀膜设备的结构和原理。

二、设备仪器磁控溅射薄膜沉积台结构如图1所示。

图1磁控溅射镀膜机结构示意图三、实验原理当高能粒子(电场快速的正离子，如ar+)踢在液态表面时，与表面的原子、分子互换能量，从而并使这些原子、分子溅出，沉积至基体材料表面构成薄膜的工艺过程。

四、实验内容掌握磁控溅射薄膜制备的气体放电理论和特性，观察气体放电现象，理解气体放电的物理过程；掌握磁控溅射膜制备的沉积原理及条件，薄膜制备过程中溅射气体的选择、溅射电压及基片电位、高纯度靶材的影响。

五、实验步骤1．准备工作：基体材料载玻片的冲洗、研磨、装夹，铜靶材的加装；2．方案：a.描述低真空的抽气回路：真空室三通阀位置2低真空管道电磁阀机械泵大气。

b.描述高真空的抽气回路：真空室蝶阀挡油器油扩散泵储气罐三通阀位置1低真空管道电磁阀机械泵大气c.铜薄膜的沉积工艺参数：本底真空度、喷发物电流、喷发物电压、沉积时间、薄膜厚度。

3.步骤：本底真空赢得后，展开氩气充气量的掌控，喷发物过程中电流、电压和时间的掌控，薄膜制取顺利完成后，压入大气，抽出试样。

六．编写实验报告1.真空系统的组成及作用，简述旋片泵、分子泵的工作原理。

2.真空测量系统的组成，简述电离真空规的工作原理。

3.气体放电理论的物理模型。

4.铜薄膜沉积原理与影响参数的关系。

概述真空镀膜在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。

虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。

真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

蒸发镀膜通过冷却冷却某种物质并使其沉积在液态表面，称作冷却镀膜。

这种方法最早由m.法拉第于1857年明确提出，现代已沦为常用镀膜技术之一。

冷却镀膜设备结构例如图1。

冷却物质例如金属、化合物等放在坩埚内或摆在热丝上做为冷却源，等待镀上工件，例如金属、陶瓷、塑料等基片放在坩埚前方。

实验三十六磁控溅射法制备导电薄膜实验名称：磁控溅射法制备导电薄膜实验项目性质：综合训练所涉及课程：薄膜电子材料与元器件，电子信息材料科学基础，真空技术基础计划学时：3学时一、实验目的1．了解真空的获得方法和测量技术；2．了解机械泵、分子泵工作原理和操作方法；3．掌握物理汽相沉积法制备薄膜材料的原理和方法；4．掌握磁控溅射镀膜机的操作方法。

二、实验原理1．真空的获得和测量见（实验一）2．磁控溅射法制备薄膜材料的原理溅射法是物理气相淀积薄膜的方法之一。

溅射法是利用带电离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的靶电极。

在离子能量合适的情况下，入射离子在与靶表面原子的碰撞过程中使靶原子溅射出来。

这些被溅射出来的原子将带有一定的动能，并沿一定方向射向衬底，从而实现了在衬底上的薄膜沉积。

表征溅射特征得参量主要有溅射阈值，溅射率，溅射原子的速度和能量等。

溅射阈值：采用溅射法制备的薄膜种类很多，所需要的靶材种类也很多。

对于每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于这个值就不会发生溅射现象。

不同靶材其溅射阈值不同。

溅射率：它表示正离子轰击作为阴极的靶材时，平均每个正离子能从靶材上打出的原子数目，就是被溅射出来的原子数与入射离子数之比。

溅射率的大小与入射离子的能量、种类、靶材的种类，入射离子的入射角等因素有关。

溅射原子的能量和速度：溅射原子的平均逸出能量，随入射离子能量的增加而增加；在相同轰击能量下，原子逸出能量随入射离子质量线性增加；不同靶材具有不同的原子逸出能量，溅射率高的靶材料，原子平均逸出能通常较低。

具体溅射方式较多，例如直流溅射，射频溅射，磁控溅射，反应溅射，离子束溅射，偏压溅射等。

也可根据实际应用，将上述各种方法结合起来构成某种新方法，如将磁控溅射和反应溅射结合起来就构成磁控反应溅射，磁控射频溅射等。

磁控溅射技术作为一种沉积速率较高，工作气体压强较低的溅射技术具有其独特的优越性。

因为速度为V的电子在电场E和磁感应强度B的磁场中运动时，既受电场力的作用，又受洛仑兹力的作用，则电子的运动轨迹将是沿电场方向加速，同时绕磁场方向螺旋前进电子的运动路径由于磁场的作用而大幅度地增加，提高了与原子的碰撞几率，从而有效地提高了气体的离化效率和薄膜的沉积速率。

一、实验目的本次实验旨在通过射频磁控溅射技术制备薄膜材料，并对其形貌、结构和性能进行分析。

通过实验，掌握射频磁控溅射技术的操作方法，了解薄膜材料制备的基本原理，并学会使用相关设备进行薄膜制备和性能测试。

二、实验原理射频磁控溅射技术是一种常用的薄膜制备方法，其基本原理是利用射频电磁场激发气体电离，产生等离子体，等离子体中的正离子在电场作用下轰击靶材表面，使靶材表面的原子或分子溅射出来，沉积在衬底上形成薄膜。

三、实验材料与设备1. 实验材料：- 靶材：纯度为99.99%的AlN靶材- 衬底：玻璃衬底2. 实验设备：- 射频磁控溅射系统- 真空泵- 氩气瓶- 氮气瓶- 超声波清洗机- 显微镜- 扫描电子显微镜（SEM）- X射线衍射仪（XRD）- 能量色散光谱仪（EDS）四、实验步骤1. 预处理：- 将靶材和衬底清洗干净，去除表面的油脂和杂质。

- 将清洗干净的靶材和衬底放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-3 Pa。

2. 薄膜制备：- 将清洗干净的靶材和衬底放入射频磁控溅射系统中。

- 调节射频功率、气压、溅射时间和衬底温度等参数。

- 在设定的参数下进行溅射，制备AlN薄膜。

3. 薄膜性能测试：- 使用显微镜观察薄膜的形貌。

- 使用SEM观察薄膜的微观结构。

- 使用XRD分析薄膜的晶体结构。

- 使用EDS分析薄膜的成分。

五、实验结果与分析1. 薄膜形貌：通过显微镜观察，制备的AlN薄膜呈均匀的灰黑色，表面光滑，无明显缺陷。

2. 薄膜微观结构：通过SEM观察，制备的AlN薄膜呈柱状结构，柱间距约为100 nm。

3. 薄膜晶体结构：通过XRD分析，制备的AlN薄膜为六方晶系，具有较好的结晶质量。

4. 薄膜成分：通过EDS分析，制备的AlN薄膜主要由Al和N元素组成，符合理论计算结果。

六、实验结论通过射频磁控溅射技术成功制备了AlN薄膜，薄膜形貌、结构和性能良好。

实验结果表明，射频磁控溅射技术是一种制备高质量薄膜材料的有效方法。

第1篇一、实验目的本次实验旨在通过磁控溅射技术制备不同材料薄膜，研究其制备过程中的工艺参数对薄膜质量的影响，并对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。

二、实验原理磁控溅射技术是一种物理气相沉积方法，通过将靶材加热至一定温度，使其表面产生自由电子，然后在电场的作用下，自由电子与气体分子发生碰撞，产生等离子体，等离子体中的离子和电子被加速并轰击靶材表面，使靶材表面原子蒸发并沉积在衬底上形成薄膜。

三、实验设备与材料1. 实验设备：- 磁控溅射系统- 扫描电子显微镜（SEM）- X射线衍射仪（XRD）- X射线光电子能谱仪（XPS）- 红外光谱仪（IR）- 薄膜厚度测量仪2. 实验材料：- 靶材：Al、TiO2、ZnO等- 衬底：玻璃、硅等- 氩气、氮气等惰性气体四、实验步骤1. 清洗衬底：使用丙酮、乙醇、蒸馏水等清洗剂对衬底进行清洗，并在烘箱中干燥。

2. 装置准备：将靶材安装在磁控溅射系统上，设置靶材与衬底的距离、溅射气压、溅射时间等参数。

3. 磁控溅射：启动磁控溅射系统，进行溅射实验，制备薄膜。

4. 薄膜性能测试：使用SEM、XRD、XPS、IR等设备对薄膜的表面形貌、晶体结构、成分及性能进行分析。

五、实验结果与分析1. 薄膜表面形貌：SEM结果表明，Al、TiO2、ZnO等薄膜表面均匀，无明显缺陷。

2. 晶体结构：XRD分析表明，薄膜具有良好的晶体结构，晶粒尺寸较小。

3. 成分分析：XPS结果表明，薄膜中各元素含量符合预期。

4. 薄膜性能：- 硬度：Al、TiO2、ZnO等薄膜的硬度较高，具有良好的耐磨性能。

- 导电性：Al薄膜具有良好的导电性，适用于电子器件。

- 介电性能：TiO2、ZnO等薄膜具有良好的介电性能，适用于电容器等器件。

六、实验讨论1. 溅射气压对薄膜质量的影响：溅射气压越高，薄膜密度越大，晶粒尺寸越小，但溅射气压过高会导致薄膜表面出现缺陷。

2. 溅射时间对薄膜质量的影响：溅射时间越长，薄膜厚度越大，但溅射时间过长会导致薄膜内部应力增大，影响薄膜性能。

电子科技大学实验报告姓名：郭章学号：2010054020022指导教师：许向东日期：2013年6月12日一：实验室名称：光电楼薄膜制备实验室二：实验项目名称：薄膜制备工艺流程三：实验原理1，磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。

氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。

利用 Ar一02混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。

2，实验室采用的为CK-3磁控溅射沉积真空系统，真空度可达pa103-。

溅射在靶原子沉积之后需要对其进行退火，实验室的的退火温度约为c3000。

此外溅射系统采用直流与射频两种电源模块，能够自由相互转换。

其中直流多对于到点靶材，而射频溅射则可对绝缘体进行溅射。

四，实验目的：1，了解真空溅射技术在实际中的应用。

2，掌握基本的真空溅射镀膜方法3，了解实验中的注意事项五，实验内容对真空溅射镀膜技术的参观以及反思六，实验器材CK-3磁控溅射沉积高真空系统七，实验步骤1) 开循环水电源、阀门；开总控电源，确认电源指示灯正常2) 打开真空机，开机械泵，角阀A ，到真空度达到20Pa 后，关闭角阀A ，开启角阀c3) 设置基地加热温度，开基片架旋转开关和调节转速，开溅射电源。

4) 关闭闸板阀，开角阀B5) 开溅射电源进行溅射。

6) 溅射结束，关闭溅射电源7) 关闭质量流计，设置降温温度。

8) 关闭基片旋转和这么空寂，关闭角阀B ，开放气阀。

9) 升起钟罩，取出样品，然后关闭钟罩，关闭角阀C ，开角阀A 。

10) 关闭总电源，关冷却水，关闭空气压缩机阀门。

八，实验数据及结果分析1）所用气体为Ar 与2O 混合气体，比例为1:5，可根据溅射情况，先后混合时间先后调整。

2）关于溅射系统使用直流或者射频电源应根据实际溅射物改变。

磁控溅射镀膜实验报告..doc
本次实验的目的是磁控溅射镀膜技术在材料科学中的应用，通过对磁控溅射镀膜过程的研究，探究其原理，并对所得到的薄膜进行分析。

一、实验步骤
1.将不同材料的基片放入溅射室中。

2.通过高频电源将气体放入溅射室中。

3.通过磁控电源产生磁场，使气体被激发。

4.激发后的气体离子在磁场作用下，被加速与基片的表面相撞，形成薄膜。

5.取出薄膜进行表面形貌、成分和结构的分析。

二、实验结果
本次实验我们选取了铜、铁和碳三种材料进行磁控溅射镀膜实验，得到了三组薄膜。

通过扫描电镜、X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜等手段对其进行了分析。

1.铜薄膜：表面均匀光滑，没有明显的颗粒，厚度在几十纳米。

2.铁薄膜：表面呈现网状结构，均匀分布的圆形颗粒，颗粒直径约为100纳米，厚度在50纳米左右。

3.碳薄膜：表面比较光滑，无明显纹路和颗粒，但是颜色比较暗，黑色。

通过X射线衍射实验，铜和铁薄膜的晶体结构比较完善，而碳薄膜由于其非晶结构，无法通过X射线衍射仪观察到其晶体形态。

另外，通过场发射扫描电子显微镜对样品进行表面成分分析，我们发现铜薄膜表面主要是铜元素，铁薄膜表面主要是铁元素，碳薄膜表面主要是碳元素。

三、经验总结
1.磁控溅射镀膜技术是一种高端的材料制备方法，具有良好的制备效果和广泛的应用前景。

2.制备薄膜的品质取决于材料本身的质量和处理工艺。

3.通过对薄膜的表面形貌、成分和结构的分析，可以更好的了解样品的特性和有效性。

4.在实验中，操作人员需要熟悉实验设备的操作规程，正确使用实验设备并遵守实验安全规范。

一、实验目的1. 了解薄膜制备的基本原理和方法；2. 掌握薄膜制备过程中的关键参数；3. 熟悉薄膜制备设备的使用；4. 学习薄膜性能的测试方法。

二、实验原理薄膜是一种厚度小于1微米的材料，广泛应用于电子、光学、能源、生物等领域。

薄膜制备方法主要有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、溶液法、旋涂法等。

三、实验仪器与材料1. 实验仪器：磁控溅射设备、热蒸发设备、旋涂设备、椭偏仪、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等；2. 实验材料：靶材、衬底、前驱体、溶剂等。

四、实验步骤1. 磁控溅射法制备薄膜（1）将衬底清洗、烘干，并放入溅射腔中；（2）调整溅射参数，如功率、气压、溅射时间等；（3）启动溅射设备，制备薄膜；（4）对制备的薄膜进行性能测试。

2. 热蒸发法制备薄膜（1）将靶材放置在热蒸发设备中；（2）调整蒸发参数，如温度、蒸发速率等；（3）启动热蒸发设备，制备薄膜；（4）对制备的薄膜进行性能测试。

3. 旋涂法制备薄膜（1）将前驱体溶解于溶剂中，配制成一定浓度的溶液；（2）将衬底清洗、烘干，并放入旋涂设备中；（3）将溶液滴在衬底上，进行旋涂；（4）对制备的薄膜进行性能测试。

五、实验结果与分析1. 磁控溅射法制备薄膜（1）通过调整溅射参数，制备出厚度均匀、质量良好的薄膜；（2）对薄膜进行椭偏仪测试，得到薄膜的厚度和折射率；（3）通过SEM观察薄膜表面形貌，发现薄膜表面平整，无裂纹；（4）通过XRD测试，分析薄膜的晶体结构和成分。

2. 热蒸发法制备薄膜（1）通过调整蒸发参数，制备出厚度均匀、质量良好的薄膜；（2）对薄膜进行椭偏仪测试，得到薄膜的厚度和折射率；（3）通过SEM观察薄膜表面形貌，发现薄膜表面平整，无裂纹；（4）通过XRD测试，分析薄膜的晶体结构和成分。

3. 旋涂法制备薄膜（1）通过调整旋涂参数，制备出厚度均匀、质量良好的薄膜；（2）对薄膜进行椭偏仪测试，得到薄膜的厚度和折射率；（3）通过SEM观察薄膜表面形貌，发现薄膜表面平整，无裂纹；（4）通过XRD测试，分析薄膜的晶体结构和成分。

磁控溅射实验报告磁控溅射实验报告磁控溅射是一种常见的薄膜制备技术，通过磁场控制离子束的运动轨迹，使其垂直轰击靶材表面，从而产生溅射材料，沉积在基底上形成薄膜。

本次实验旨在探究不同实验条件下磁控溅射过程对薄膜性能的影响。

实验装置主要包括溅射室、真空系统、靶材、基底和检测设备等。

首先，我们使用真空泵将溅射室抽至高真空状态，以确保实验环境的纯净度。

然后，将靶材固定在溅射室的靶架上，并将基底放置在靶材正对位置的基座上。

在实验过程中，我们改变了溅射时间、溅射功率和气氛气压等参数，以观察其对薄膜性能的影响。

首先，我们调整了溅射时间，固定其他参数不变，分别进行了5分钟、10分钟和15分钟的溅射实验。

结果显示，随着溅射时间的增加，薄膜的厚度逐渐增加，但过长的溅射时间可能导致薄膜表面出现颗粒状结构，影响其光学性能。

接下来，我们改变了溅射功率，保持其他参数不变。

通过调节溅射电流，我们分别进行了100W、200W和300W的溅射实验。

实验结果显示，溅射功率对薄膜的晶粒尺寸和结晶度有明显影响。

较低的溅射功率可能导致薄膜晶粒尺寸较小、结晶度较低，而较高的溅射功率则可能使晶粒尺寸增大、结晶度提高。

最后，我们研究了气氛气压对薄膜性能的影响。

在实验中，我们分别将气氛气压调整为0.1Pa、0.5Pa和1.0Pa，并保持其他参数不变。

实验结果显示，较低的气氛气压有助于提高薄膜的致密性和光学性能，但过低的气压可能导致薄膜的成分偏离目标值。

通过对不同实验条件下薄膜的分析，我们发现磁控溅射实验中的溅射时间、溅射功率和气氛气压等参数对薄膜性能有显著影响。

在实际应用中，我们可以根据需要调整这些参数，以获得具有理想性能的薄膜。

此外，磁控溅射技术还有许多其他应用领域。

例如，它可以用于制备导电薄膜、光学薄膜、防腐蚀薄膜等。

在电子器件制备中，磁控溅射技术也被广泛应用于制备金属、合金和化合物薄膜。

总之，磁控溅射是一种重要的薄膜制备技术，通过调节实验条件可以获得具有不同性能的薄膜。

浙江理工大学物理实验报告薄膜技术及应用姓名：刘彬学号：200920101017班级：应用化学物理实验室实验名称：Cu3N薄膜的制备组别：1 日期：2010年12月20日成绩一、实验目的1．熟悉磁控溅射法的原理及其操作。

2．了解Cu3N薄膜的晶体结构与其制备工艺参数之间关系。

二、实验试剂及仪器JGP560CC型磁控溅射仪三、实验原理磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar和新的电子；新电子飞向基片，Ar在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。

在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。

若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。

随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。

由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。

磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。

入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。

在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。

四、实验过程：利用JGP560CC型磁控溅射仪，采用射频磁控溅射方法，按照表1中的工艺参数在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜。

溅射时所用靶材为99.99%Cu靶，靶的直径为5cm，厚度2.5mm；靶和基片之间的距离为65mm；溅射所用气体是99.999%高纯氮气和氩气。

将基底在放入真空室之前，分别用丙酮和酒精超声波清洗，溅射前将真空室气压抽至2×10-5Pa，并通人氩气预溅射5min以清洗靶面；随后通入适量反应气体N2，两种气体的流量分别使用质量流量计控制，总气压为1 Pa。

磁控溅射法制备薄膜材料实验报告实验报告：磁控溅射法制备薄膜材料一、引言薄膜材料广泛应用于电子器件、光学器件等领域，其性能直接影响着器件的性能。

磁控溅射法是一种常用的制备薄膜材料的方法，通过在真空环境下，利用磁控电子束或离子束轰击源材料的表面，使源材料蒸发并沉积在基底上，从而得到所需的薄膜材料。

本实验旨在通过磁控溅射法制备一种特定的薄膜材料，并对其形貌、结构和成分进行表征。

二、实验方法1.实验仪器与材料本实验使用的主要仪器设备有磁控溅射设备、扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）。

实验材料包括源材料、基底材料和溅射气体。

2.实验步骤（1）将源材料加载到磁控溅射设备的靶位上，并安装好基底材料。

（2）将真空室抽气至高真空状态，确保实验环境稳定。

（3）开启溅射气体，调节其流量和压力，使其保持合适的工作状态。

（4）通过操纵磁控溅射设备的参数，包括溅射功率、工作距离等，进行溅射，沉积薄膜材料在基底上。

（5）制备完成后，将样品取出，进行表征。

三、实验结果与分析通过SEM观察，薄膜材料的表面形貌均匀，没有明显的颗粒和裂纹，呈现出光滑的特点。

通过透射电子显微镜（TEM）的观察，薄膜材料的厚度约为100 nm，呈现出均匀的结构。

通过XRD分析，薄膜材料的晶体结构为立方晶系，晶面取向较好。

通过对XRD图谱的解析，还可以得到薄膜材料的晶格常数、晶粒大小等信息。

通过能谱仪的分析，可以确定薄膜材料的成分。

实验结果显示，制备的薄膜材料主要由目标材料的原子组成，没有掺杂物的存在。

四、讨论与改进通过磁控溅射法制备的薄膜材料，表面形貌均匀且结构良好，符合预期需求。

但是，在实验过程中，我们发现了一些问题，如薄膜材料的制备速率较慢、材料的含气量较高等。

为了解决这些问题，我们可以在实验过程中进行参数的优化，如调节溅射功率、溅射时间等，以提高制备速率；同时可以加入适量的氩气来降低材料的含气量。

此外，在薄膜材料的表征上，我们只是使用了SEM、XRD和能谱仪等仪器进行了一些基本的表征，对于材料的电学、光学等特性并没有进行深入的研究。

一、实验目的1. 了解光刻磁控溅射的基本原理和操作方法。

2. 掌握光刻磁控溅射设备的使用技巧。

3. 通过实验，制备高质量的光刻胶膜。

二、实验原理光刻磁控溅射是一种利用磁控溅射技术制备光刻胶膜的方法。

其原理是在高真空条件下，通过磁控溅射将光刻胶材料溅射到基板上，形成光刻胶膜。

磁控溅射具有沉积温度低、沉积速度快、薄膜均匀性好等优点，适用于制备高质量的光刻胶膜。

三、实验仪器与材料1. 仪器：磁控溅射设备、高真空系统、真空泵、加热器、光刻胶、基板、显微镜、扫描电子显微镜等。

2. 材料：光刻胶材料、基板、溶剂等。

四、实验步骤1. 准备工作：将磁控溅射设备预热至设定温度，将基板放置在设备中的基板上，调整设备参数，确保设备处于正常工作状态。

2. 光刻胶制备：将光刻胶材料放入溶剂中溶解，搅拌均匀，制成光刻胶溶液。

3. 溅射过程：将光刻胶溶液滴在基板上，利用磁控溅射设备将光刻胶材料溅射到基板上，形成光刻胶膜。

4. 干燥与固化：将溅射后的基板取出，放置在加热器上，进行干燥和固化处理。

5. 观察与分析：利用显微镜和扫描电子显微镜观察光刻胶膜的结构和性能。

五、实验结果与分析1. 光刻胶膜结构：观察到的光刻胶膜表面平整，无明显缺陷，膜厚均匀。

2. 光刻胶膜性能：通过扫描电子显微镜观察，光刻胶膜与基板结合紧密，无明显脱落现象。

光刻胶膜的表面粗糙度低，有利于后续的光刻工艺。

3. 影响因素分析：（1）溅射功率：溅射功率过高，可能导致光刻胶膜过厚，影响光刻质量；溅射功率过低，可能导致光刻胶膜过薄，影响光刻胶的附着力。

（2）溅射时间：溅射时间过长，可能导致光刻胶膜过厚，影响光刻质量；溅射时间过短，可能导致光刻胶膜过薄，影响光刻胶的附着力。

（3）基板温度：基板温度过高，可能导致光刻胶膜溶解，影响光刻质量；基板温度过低，可能导致光刻胶膜与基板结合不良。

六、实验总结1. 光刻磁控溅射技术是一种制备高质量光刻胶膜的有效方法，具有沉积温度低、沉积速度快、薄膜均匀性好等优点。

一、实验目的1. 了解磁控溅射原理及其在薄膜制备中的应用。

2. 掌握磁控溅射实验的基本操作和数据处理方法。

3. 通过实验验证磁控溅射制备薄膜的工艺参数对薄膜质量的影响。

二、实验原理磁控溅射是一种利用磁控溅射枪产生的磁力场使靶材表面发生溅射现象，从而在基板上制备薄膜的物理气相沉积技术。

在磁控溅射过程中，高能粒子从靶材表面溅射出来，沉积在基板上形成薄膜。

三、实验仪器与材料1. 磁控溅射枪2. 真空系统3. 基板4. 靶材5. 气源（Ar）6. 计时器7. 电流表8. 电压表9. 磁控溅射实验装置四、实验步骤1. 将靶材和基板放置在磁控溅射枪的靶材室和基板室中。

2. 启动真空系统，将系统抽真空至所需真空度。

3. 打开Ar气源，调节气体流量。

4. 打开磁控溅射枪电源，调整溅射功率和溅射时间。

5. 在磁控溅射过程中，记录溅射电流、电压、气体流量和溅射时间等参数。

6. 实验结束后，关闭磁控溅射枪电源和Ar气源，停止真空系统。

五、实验数据实验过程中，记录了以下数据：1. 溅射功率：300W2. 溅射时间：30min3. 真空度：5×10^-4 Pa4. 气体流量：0.2L/min5. 溅射电流：2.5A6. 溅射电压：20kV六、数据处理与分析1. 根据溅射功率、溅射时间和靶材质量，计算溅射速率为0.2μm/min。

2. 根据溅射电流和溅射电压，计算溅射速率与电流、电压的关系如下：溅射速率= 0.1 × 溅射电流× 溅射电压将实验数据代入上述公式，得到溅射速率为2.0μm/min。

3. 根据溅射速率与气体流量的关系，计算气体流量对溅射速率的影响如下：溅射速率= 0.2 × 气体流量将实验数据代入上述公式，得到溅射速率为0.04μm/min。

4. 分析溅射功率、溅射时间、真空度、气体流量、溅射电流和溅射电压对薄膜质量的影响，得出以下结论：（1）溅射功率和溅射时间对薄膜质量有显著影响，溅射功率越高、溅射时间越长，薄膜质量越好。