第11章 敏感陶瓷
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第一章1. PN型半导体多数载流子是电子的半导体是N型半导体;多数载流子是空穴的半导体是P型半导体。
2. 浅杂质能级,深杂质能级掺杂杂质能级距导带或价带比较近,这类能级为浅杂质能级;杂质能级距离导带和价带比较远,这类能级为深杂质能级。
3. 半导体中费米能级的位置⑴对于本证半导体而言,绝对温度下的费米能级位于禁带中央,随着温度的升高,费米能级逐渐增加。
⑵对于掺杂半导体而言,① n型半导体的E f位于禁带的上半部,掺杂浓度越高,E f便越高,导带中的电子越多;并且随温度的升高,E f逐渐趋向于禁带的中间,在高温时达到本证,即E f=E i。
②P型半导体的E f位于禁带的下半部,掺杂浓度越高,E f便越低,价带中的空穴越多;并且随温度的升高,E f逐渐从价带方向趋向于禁带的中间,在高温时达到本证,即E f=E i。
4. 激子的概念如果光子的能量小于禁带宽度,价带上的电子吸收了光子能量以后不足以跃迁至导带,但是,这个离开价带上的带负电的电子可以同留在价带上的带正电的空穴形成一个较弱的束缚态,这个由电子-空穴对组成的束缚态称为激子。
5. 半导体的电阻率和温度的关系本征半导体:由于没有电离杂质的散射作用,载流子浓度仅由本征激发所决定。
温度升高时,本征激发急剧增加,载流子浓度也迅速增加。
因此,本征半导体的电阻率随温度的升高而单调下降。
杂质半导体:AB段:杂质电离随温度升高而增加,散射较弱,,电阻率随温度升高而降低。
BC段:杂质电离完成,本征激发较少,载流子浓度不随温度变化,散射随温度增加而增加,电阻率随温度升高而增加。
C点后:本征激发强烈,载流子浓度随温度升高而增加,浓度成了控制电阻率的主要因素,随温度升高而降低。
6. 光吸收本征吸收、激子吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、声子吸收第二章1. 光纤的性能参数及其作用①相对折射率差:表征光被约束在光纤中的难易程度。
越大,越容易将传播光束约束在纤芯中。
②受光角:把允许的最大入射角的2倍称为受光角。
第一章绪论1如何区别结构陶瓷和功能陶瓷材料?利用陶瓷对声、光、电、磁、热等物理性能所具有的特殊功能而制造的陶瓷材料称为功能陶瓷。
在工程结构上使用的陶瓷称为工程陶瓷,它主要在高温下使用,也称高温结构陶瓷。
这类陶瓷具有在高温下强度高、硬度大、抗氧化、耐腐蚀、耐磨损、耐烧蚀等优点。
★★★2功能陶瓷的耦合效应有哪些?课件P36答:热电效应、压电效应、磁电效应、光电效应、声光效应、磁光效应。
第二章功能陶瓷的基本性质3功能陶瓷的热学性能有哪些?了解其含义。
P19-23答:(1)功能陶瓷的热学性质有热容、热膨胀系数、热导率和抗热冲击性。
(2)热容:物体温度升高1K所需要增加的热量。
热膨胀系数:温度升高1℃而引起的体积和长度的相对变化。
热导率:单位时间内单位面积上通过的热量与温度梯度的比例系数。
抗热冲击性:指物体能承受温度剧烈变化而不被破坏的能力。
4什么是绝缘强度?P15答:当作用于陶瓷材料上的电场强度超过某一临界值时,它就丧失了绝缘性能,由介电状态转变为导电状态,这种现象称之为介电强度的破坏或介质的击穿,击穿时的电场强度称绝缘强度。
5功能陶瓷的电学性质有哪些?了解其含义。
P7-15答:(1)功能陶瓷的电学性质有电导率、介电常数、介电损耗角正切值和击穿电场强度。
(2)电导率:指在介质中该量与电场强度之积等于传导电流密度。
介电常数:是衡量电介质材料在电场作用下的极化行为或存储电荷能力的参数。
介质损耗角正切值:表示电介质在交流电压下的有功损耗和无功损耗之比,值越大,介质损耗越大,反映了电介质在交流电压下的损耗性能。
[额外知识点介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。
介质损耗角:δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角。
]击穿电场强度:当作用于陶瓷材料上的电场强度超过某一临界值时,它就丧失了绝缘性能,由介电状态转变为导电状态,这种现象称之为介电强度的破坏或介质的击穿,击穿时的电场强度称击穿电场强度。
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