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日本精工电源芯片

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精工电子 S-8333系列是一种由基准电压电路 说明书

精工电子 S-8333系列是一种由基准电压电路 说明书

S-8333系列 升压 LCD偏压用 1通道 PWM控制DC/DC控制器© Seiko Instruments Inc., 2004-2010Rev.4.0_00S-8333系列是一种由基准电压电路、振荡电路、误差放大电路、PWM控制电路、低电压误工作防止电路(UVLO)、时钟闩锁式短路保护电路等构成的CMOS升压DC/DC控制器。

最低工作电压为1.8 V，最适合于LCD用电源及低电压工作的移动设备。

由于在ROSC端子部连接了电阻，所以可设定内部的振荡频率最大到1.08 MHz为止。

通过在RDuty端子部连接了电阻，故可控制PWM控制电路的最大占空系数。

在电源投入时的软启动功能由基准电压调整方式、最大占空系数调整方式的2种组合而成，即使由于IC外部的原因而导致FB端子电压保持在不足基准电压的状态下，也可以调整最大占空系数来启动提升输出电压。

通过连接在CC端子部的电阻和电容器的值进行相位补偿，成为可以调整增益值的构成。

因此，使每个应用电路均可针对工作稳定度和过渡响应特性进行合适的设置。

基准电压为1.0 V±1.5%的高精度，通过外接的输出电压设定电阻可以得到任意的输出电压。

另外，通过连接在CSP端子的电容器可设定短路保护电路的延迟时间。

因短路最大占空系数的状态若持续，电容器则被充电，经由一定时间后停止振荡工作。

在电源的电压降低到UVLO检测电压以下后，通过将其提升到UVLO解除电压以上即可解除短路保护功能。

因所设定的输出容量的不同而选择使用陶瓷电容器，或是钽电容器。

该产品可进行各种设定以及选择，加上与采用小型封装的特点相结合，可以成为使用方便的控制器IC。

特点•低电压工作： 1.8 V ~ 6.0 V•振荡频率：利用外接电阻可在280 kHz ~ 1.08 MHz之间设定•最大占空系数：利用外接电阻最大可设定到88.5%47 ~ 88.5%（振荡频率 500 kHz以上）47 ~ 80%（振荡频率不足500 kHz）•基准电压： 1.0 V ± 1.5%•工作温度范围：−40 ~ +85°C•UVLO(低电压误工作防止)功能：检测电压在1.5 V ~ 2.3 V之间，可以0.1 V为进阶单位来选择滞后幅度在0.1 V ~ 0.3 V之间，可以0.1 V为进阶单位来选择•时钟闩锁式短路保护电路：可用外接电容器设定延迟时间•软启动功能：软启动时间可在10 ms, 15 ms, 20 ms的3阶段中进行选择调整方式可采用基准电压调整和最大占空系数调整的2种方式•通过外接设定相位补偿：可利用连接在CC与GND端子之间的电阻和电容器来进行调整•无铅、Sn 100%、无卤素*1*1. 详情请参阅“ 产品型号的构成”。

Pow

Pow
每个移动电源的实际容量在3060mAh以上。一般的移动设备电池容量在
1000毫安左右，Pow-Core3000mAh即使考虑效能转化的问题，也能为
iPhone4s充两次，够用了。
从图中可以看到ATL电芯上印有序列码，每个序列码都是东莞新能源电
池有限公司唯一的，有兴趣的朋友，还可以登录ATL官网查询电芯的真伪。
日本升压电感
产品安全方面有两重保护。第一重是锂电池的充电管理IC，它可是采用
美国国家半导体制造的专用锂电池充电芯片，完全执行锂电池的慢充，恒流
充，恒压充的模式充电，充满电自动停止，这样可以很好的保护电池，延长
了电池的寿命。
日本精工Seiko的保护板，这也是安全保障的第二重保护，保护电池不过
充、不过放，以及输出短路保护。
他大触屏智能手机充电，而500mA的更为适合老式的诺基亚、三星等小屏幕
手机充电。
、值得一提的是，该产品是BG微络斯自主研发High-Effic高效电路，保
证电源转化率高达90%以上，移动电源电池的电压为3.7V，而输出电压则是
5.0V，电力需要经过升压电路才能输出。在升压的过程中不能避免地存在电
能损耗，这包括元件的内耗，LED的损耗，热能的损耗等，在这全部因素都
Pow
我们拿到来自BG微络斯近期上市的产品Pow-Core，这款产品通过了美
国UL安全认证的产品，采用与苹果iPhone同电芯，效能转化率超过90%的
移动电源，产品上市不久，就被大卸八块。
有奶白，香槟，粉红三种颜色
用小号一字型螺丝刀从它背部的边缘结合处用力打开
这便是它背部的整钉的位置将其拧开
这样它的整个内心世界就展现在我们面前了，非常的干净清爽
电路板边缘处的固定螺丝拧开，就可以将电池和电路板一同取出来

电源管理(锂电池,控制IC)

电源管理(锂电池,控制IC)

VDD
R 5 4 2 6 S eries
DS
V-
VSS
DOUT
COUT
在外部电容短路时会产生浪 涌电流
R5426 可以省去这个外部延时电容
九、锂电池保护 IC 工作模式 Auto Release（自恢复） 版本
过充保护： 当充电器对电池进充电时,电池电压会缓步上升，当达到 Vdet1 时，保护 IC 会动 作、此时 Cout 的电平会由高电平转为低电平，使充电器无法继续对电芯进行充 电，从而达到保护效果。
二、保护器件 MOS 市场定位 低端 MOS 管以大陆为主：南科、光宇 主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重，
内阻大。可用低端小电流产品（如 MP3 类） 中端 MOS 管以台系为主：AOS、勤益、茂达、华茂粤等 主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带 ESD 保护功能，性能
Battery Pack
C urrent D irection
Excess Current /
Short C ircuit
VSS D etector
V-
DOUT
Excess Load Current or
Short Circuit
IC 过 放 电 流 检 测 是 通 过 对 V-脚 与 VSS 脚 的 电 压 差 来 做 参 考 的 ， 所 以 当 V－ 脚 检 测 到 0 .2 V（ 3 0 m V ）并 在 IC 所 要 求 的 延 时 范 围 内 时 ，就 会 通 过 D o u t 脚 位 来 切 断 放 电 回 路 。 IC 所 能 够 做 到 的 放 电 电 流 也 需 要 取 决 于 M osfet 的 内 阻 。 计 算 公 式 ： V-(过 电 流 检 测 电 压 )=I(放 电 电 流 )*Rds(on)*2 假 设 V-=0.2V, Rds(on)=25m Ω ,则 保 护 电 流 的 大 小 为 I=4A 注 ：短 路 电 流 检 测 一 样 要 求 只 是 IC 的 短 路 电 流 检 测 电 压 会 比 较 大（ R 5 4 0 2 V s h o rt：0 .8 V ）。

双阈值温度开关ICS5842A_C

双阈值温度开关ICS5842A_C

1
6
2
5
3
4
图5
SOT-23-6 Top view 6 54
1 23 图6
Rev.2.0_00
表3
引脚号
符号
描述
1
DETH
2
VSS
3
RTH *1
4
RTL *2
5
DETL
6
VDD
高温检测侧输出端子 GND 端子 测试端子 测试端子
低温检测侧输出端子 电源端子
*1. 请在电气开路状态下使用 RTH 端子。
*2. (TDET : 高温侧检测温度设定值－低温侧检测温度设定值、(TD : 实际检测温度差 请设置两点的检测温度，使检测温度差((TD)处于 0°C ~ ＋65°C 的范围。(TD 可以设置为 0°C、5°C、10°C、……、60°C、 65°C。
*3. THYH、THYL : 滞后温度设定值、THYSH、THYSL : 实际滞后温度 可从－5°C、－2°C、＋2°C、＋5°C 中选择设定滞后温度(THYSH、THYSL)。
単位
测定 电路
电源电压 检测温度 *1 检测温度差 *2
检测温度 = ＋20°C ~ ＋110°C
2.5
⎯
5.5
V
1
VDD 检测温度 = 0°C ~ ＋110°C
2.7
⎯
5.5
V
1
检测温度 = －10°C ~ ＋110°C
2.8
⎯
5.5
V
1
TDH
或
⎯
TDET－2.5
TDET
TDET＋2.5 °C
1
TDL
精工电子有限公司
7
双阈值温度开关IC S-5842A系列

8205a中文资料

8205a中文资料

1.电池保护板的工作原理：锂电池保护板的电路和参数随IC和电压的不同而变化。

常用的保护芯片是8261，dw01+，CS213，gem5018等。

精工的8261系列具有更好的精度，而且肯定更昂贵。

后者来自台湾，国内二级市场主要使用dw01+和CS213。

Dw01+使用MOS8205a（8引脚）给出以下指令：当电池电压在2.5V至4.3v之间时，dw01的第一和第三引脚输出高电平（等于电源电压），第二引脚电压为0V。

此时，dw01的引脚1和引脚3上的电压将分别施加到8205a的引脚5和引脚4上。

由于8205a中的两个电子开关的G极连接到dw01的电压，因此它们处于导通状态，即两个电子开关均处于导通状态。

此时，电池单元的负极相当于直接与保护板的p端子连接，并且保护板具有电压输出。

2.保护板过放电保护控制原理：电池通过外部负载放电时，电池电压会逐渐下降。

同时，电池电压将通过R1电阻在dw01中实时监控。

当电池电压下降到约2.3V 时，dw01会认为电池电压处于过放电电压状态，并立即断开第一引脚的输出电压，从而第一引脚的电压变为0V。

由于第五个引脚上没有电压，因此8205a中的开关管将闭合。

此时，B电池的保护板已断开。

即，当电池单元的放电电路被切断时，电池单元将停止放电。

保护板处于过放电状态，并且保持不变。

在将充电电压间接施加到保护板的p-和P-之后，dw01在通过B-检测到充电电压后立即停止过放电，并再次在引脚1上输出高电压，因此打开了8205a中的过放电控制管。

即，电池单元的B与保护板的p-重新连接，并且电池单元由充电器直接充电。

3.保护板过充保护控制原理：当充电器对电池正常充电时，随着充电时间的增加，电池单元的电压会越来越高。

当电池电压升至4.4V时，dw01会认为电池电压处于过充电电压状态，并立即断开第三引脚的输出电压，以使第三引脚的电压变为0V，而开关则因为第四引脚没有电压，则8205a中的电子管关闭。

精工S8261系列锂电池保护IC S-8261BAM-M6T1U S-8261BAL-M6T1U

精工S8261系列锂电池保护IC S-8261BAM-M6T1U S-8261BAL-M6T1U

S-8261ABLMD-G3LT2x
4.275 V 0.20 V
2.30 V
S-8261ABMMD-G3MT2x 4.280 V 0.20 V 2.80 V
S-8261ABNMD-G3NT2x 4.300 V 0.20 V 2.30 V
S-8261ABPMD-G3PT2x 4.200 V 0.10 V 2.80 V
4
精工电子有限公司
Rev.5.3_00
1节电池用电池保护IC S-8261系列
表1 (2 / 2)
过充电 过充电 过放电
产品名
检测电压 滞后电压 检测电压
[VCU]
[VHC]
[VDL]
S-8261ACMMD-G4MT2x 4.325 V 0.20 V 3.00 V
S-8261ACNMD-G4NT2x 4.215 V 0.10 V
S-8261ABZMD-G3ZT2x 4.325 V 0.25 V 2.50 V
S-8261ACAMD-G4AT2x 4.280 V 0.20 V 2.30 V
S-8261ACBMD-G4BT2x 4.250 V 0.20 V 2.60 V
S-8261ACDMD-G4DT2x 4.350 V 0.25 V 2.30 V
精度±20%
(4) 内置三段过电流检测电路(过电流 1、过电流 2、负载短路)
(5) 可以选择“允许”/“禁止”向 0 V 电池充电的功能
(6) 可以选择休眠功能的“有”/“无”
(7) 可充电器检测功能、异常充电电流检测功能
· 根据检测VM端子的负电压(典型值−0.7 V)而解除过放电滞后(充电器检测功能)。
向0 V电池的 充电功能
允许 允许 禁止 禁止 禁止 允许 禁止 禁止 允许 禁止 允许 允许 允许 禁止 允许 允许 允许 禁止 允许 禁止 禁止 允许 允许 禁止 禁止 禁止 允许 允许 禁止 禁止 禁止 允许 允许 允许 允许 允许 允许 允许

锂电池组保护板均衡充电基本工作原理

成组锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。

常用的均衡充电技术有恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。

而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能;多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU，通过和保护芯片的串行通讯（如I2C总线）来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。

本文针对动力锂电池成组使用，各节锂电池均要求充电过电压、放电欠电压、过流、短路的保护，充电过程中要实现整组电池均衡充电的问题，设计了采用单节锂电池保护芯片对任意串联数的成组锂电池进行保护的含均衡充电功能的电池组保护板。

仿真结果和工业生产应用证明，该保护板保护功能完善，工作稳定，性价比高，均衡充电误差小于50mV。

锂电池组保护板均衡充电基本工作原理采用单节锂电池保护芯片设计的具备均衡充电能力的锂电池组保护板示意图如图1所示。

其中：1为单节锂离子电池;2为充电过电压分流放电支路电阻;3为分流放电支路控制用开关器件;4为过流检测保护电阻;5为省略的锂电池保护芯片及电路连接部分;6为单节锂电池保护芯片（一般包括充电控制引脚CO，放电控制引脚DO，放电过电流及短路检测引脚VM，电池正端VDD，电池负端VSS等）;7为充电过电压保护信号经光耦隔离后形成并联关系驱动主电路中充电控制用MOS管栅极;8为放电欠电压、过流、短路保护信号经光耦隔离后形成串联关系驱动主电路中放电控制用MOS管栅极;9为充电控制开关器件;10为放电控制开关器件;11为控制电路;12为主电路;13为分流放电支路。

单节锂电池保护芯片数目依据锂电池组电池数目确定，串联使用，分别对所对应单节锂电池的充放电、过流、短路状态进行保护。

该系统在充电保护的同时，通过保护芯片控制分流放电支路开关器件的通断实现均衡充电，该方案有别于传统的在充电器端实现均衡充电的做法，降低了锂电池组充电器设计应用的成本。

S8254A锂电池管理芯片


用途
·锂离子可充电电池组 ·锂聚合物可充电电池组
封装
·16-Pin TSSOP
精工电子有限公司
1
3节/4节电池串联用电池保护IC S-8254A系列 框图
Rev.5.0_01
COP
DOP、COP、 RVMD、RVMS 控制电路 延迟电路
VDD
VC1 延迟电路 延迟电路 1 MΩ VMP 900 kΩ
S-8254A系列
3节/4节电池串联用电池保护IC
© Seiko Instruments Inc., 2002-2010
Rev.5.0_01
S-8254A 系列内置高精度电压检测电路和延迟电路， 是用于 3 节或 4 节串联锂离子/锂聚合物可充电电池保护的 IC。 通过 SEL 端子的切换，可用来保护 3 节或 4 节串联电池。
1. 产品名 S-8254A xx FT TB x
3节/4节电池串联用电池保护IC S-8254A系列
环保标记 U: S: G: 无铅 (Sn 100%)、无卤素 无铅、无卤素 无铅 (详情请向本公司营业部咨询)
卷带规格中的IC置向*1 封装简称 FT: 16-Pin TSSOP 序列号*2 按AA ~ ZZ顺序设置 *1. *2. 请参阅卷带图。 请参阅“2. 产品名目录”。
Rev.5.0_01
2. 产品名目录 表1 过充电检测电压 过充电解除电压 过放电检测电压 过放电解除电压 过电流检测电压1 向0 V电池 [VCU] [VDU] [VIOV1] 充电功能 [VCL] [VDL] S-8254AAAFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254AABFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.250 ± 0.025 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254AAEFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AAFFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AAGFT-TB-x 4.275 ± 0.025 V 4.075 ± 0.050 V 2.30 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.13 ± 0.025 V 可能 S-8254AAHFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 S-8254AAIFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254AAJFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.15 ± 0.025 V 可能 S-8254AAKFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.70 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AALFT-TB-x 4.300 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AAMFT-TB-x 4.200 ± 0.025 V 4.100 ± 0.050 V 2.50 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254AANFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.50 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 可能 S-8254AAOFT-TB-x 4.300 ± 0.025 V 4.080 ± 0.050 V 2.50 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 S-8254AAPFT-TB-x 4.280 ± 0.025 V 4.130 ± 0.050 V 3.00 ± 0.080 V 3.00 ± 0.080 V 0.15 ± 0.025 V 可能 S-8254AAQFT-TB-x 3.900 ± 0.025 V 3.800 ± 0.050 V 2.30 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254AARFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.80 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AASFT-TB-x 4.290 ± 0.025 V 4.090 ± 0.050 V 2.30 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.075 ± 0.025 V 可能 S-8254AATFT-TB-x 4.200 ± 0.025 V 4.200 ± 0.025 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 禁止 S-8254AAUFT-TB-x 4.350 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 可能 S-8254AAVFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.70 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 禁止 S-8254AAWFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.100 ± 0.050 V 3.00 ± 0.080 V 3.20 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 S-8254AAXFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.100 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.15 ± 0.025 V 可能 S-8254AAYFT-TB-x 4.275 ± 0.025 V 4.125 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 S-8254AAZFT-TB-x 4.250 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.13 ± 0.025 V 可能 S-8254ABAFT-TB-x 3.900 ± 0.025 V 3.800 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.50 ± 0.100 V 0.15 ± 0.025 V 可能 S-8254ABBFT-TB-x 4.200 ± 0.025 V 4.200 ± 0.025 V 2.50 ± 0.080 V 3.20 ± 0.100 V 0.30 ± 0.025 V 可能 S-8254ABCFT-TB-x 4.175 ± 0.025 V 3.975 ± 0.050 V 2.75 ± 0.080 V 3.05 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V S-8254ABDFT-TB-y 4.300 ± 0.025 V 4.100 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.00 ± 0.080 V 0.13 ± 0.025 V 可能 S-8254ABEFT-TB-y 4.200 ± 0.025 V 4.150 ± 0.050 V 2.50 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.15 ± 0.025 V 可能 S-8254ABFFT-TB-x 4.150 ± 0.025 V 4.050 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.13 ± 0.025 V 可能 S-8254ABGFT-TB-x 4.180 ± 0.025 V 4.080 ± 0.050 V 2.00 ± 0.080 V 2.70 ± 0.100 V 0.13 ± 0.025 V 可能 S-8254ABHFT-TB-y 4.150 ± 0.025 V 4.050 ± 0.050 V 2.50 ± 0.080 V 2.80 ± 0.100 V 0.10 ± 0.025 V 可能 禁止 S-8254ABIFT-TB-x 4.215 ± 0.025 V 4.115 ± 0.050 V 2.40 ± 0.080 V 3.00 ± 0.100 V 0.20 ± 0.025 V 备注 1. 需要上述检测电压值以外的产品时，请与本公司的营业部门咨询。 2. x: G 或 U y: S 或 U 3. 用户需要Sn 100%、无卤素产品时，请选择环保标记为“U”的产品。 产品名／项目

锂离子电池保护板方案介绍

PDVD锂离子电池保护板方案介绍一. 保护板的组成PDVD保护板一般由两大部分组成:保护线路和充电线路A. 保护线路一般由专用两节锂电保护芯片组成,比较流行的品牌为日本精工(SEIKO)和美之美(MITSUMI)B. 充电线路一般由充电控制和充电指示两部分组成,一般由专用芯片(如TI公司BQ2000、BQ2057),DC/DC芯片或MCU芯片等组成.二.电芯保护原理在锂离子电池使用过程中,为避免使用者的错误使用而造成电池升温,电池内电解液的分解而产生气体使其内压上升,金属锂等的释出而造成有起火及破裂的危险,以及过放电电池使电池特性劣化等各种原因,在锂离子电池回路中匀要采用保护电路。

对锂离子充电电池的保护，必须有以下3个保护功能,以保证电池的安全性和可靠性。

1.过充保护防止电池的特性劣化、起火及破裂，确保安全性。

2.过放保护防止电池的特性劣化，确保电池的使用寿命。

3.过电流保护防止MOSFET的破坏，短路保护及确保搬运时的安全性。

基本控制原理如下图所示:FET1 FET2注:U1为保护板保护IC(DO为放电保护控制端,CO为充电保护控制端)，U2为MOSFET管保护回路主要由保护IC和两个MOSFET管构成,保护IC同时检测电池B1、B2两端电压并控制两个MOSFET管的通断。

对电池进行充电，当电池B1或B2电压充至过放保护电压以上时，经适当延时后将发生过充保护，保护IC通过CO端控制FET2的栅极使其断开，截断回路电流起到保护作用。

对电池进行放电，当电池B1或B2电压放至过放保护电压值以下时，经适当延时将发生过放保护，保护IC通过DO端控制FET1的栅极使其断开，截断回路电流起到保护作用。

当P+和P-端发生短路时,保护IC通过DO端控制FET2的栅极使其断开, 截断回路电流起到保护作用。

其中R1为保护IC提供电源并为过充检测提供回路，R2为过流和短路检测提供检测端。

二. 充电控制原理锂电池充电采用恒流转恒压(CC/CV)方式,充电特性曲线如下图示.充电过程主要由恒流和恒压两阶段构成,线路中采用的芯片主要是对充电电流和充电电压及转灯指示进行控制,以完成整个充电过程.充电开始时,线路提供恒定电流对电芯进行充电,当电芯电压接近8.4V时,充电转为恒压充电,充电电流逐渐减小至充电结束电流并转灯指示充电结束.三. 方案介绍1. 方案一A. 组成芯片充电控制IC:BQ2000保护IC:S8232或MM1292B. 方案特点优点:※过充,过放,过流,短路保护功能可靠齐全※充电控制含预充电(脉冲充电),恒流充电,恒压充电※监控充电时电芯表面温度,温度异常时切断充电电流※可设充电时间限制,在规定时间内切断充电电流※最小电流终止充电※转灯指示, 预充电时LED红绿闪烁,快充时亮红色,充满时亮绿色※恒压电压准确,精度高于1%※高低边电流检测※开关频率高达500KHz,提高充电效率缺点:※外围元件较多,成本较高※充电电流控制精度±20%略高C. 线路图保护部分:充电部分:A. 组成芯片充电控制IC:BQ2057保护IC:S8232或MM1292B. 方案特点优点:※过充,过放,过流,短路保护功能可靠齐全※充电控制含预充电(脉冲充电),恒流充电,恒压充电※监控充电时电芯表面温度,温度异常时切断充电电流※最小电流终止充电※转灯指示, 预充电时LED红绿闪烁,快充时亮红色,充满时亮绿色※恒压精度高于1%※动态内阻补偿,减小充电时间※高低边电流检测※外围元件少,体积空间小,成本较低※充电电流控制精度±10%缺点:※线性控制方式,充电效率不及开关控制方式C. 线路图保护部分:同方案一充电部分:A. 组成芯片充电控制IC:DC/DC MC36063A 运放:LM358 保护IC:S8232或MM1292B.方案特点优点:※开关频率达100KHZ,效率较高※元件较少,成本低※充电LED指示,充电红色,充满绿色※有限流功能※ CC/CV充电※输入电压范围大缺点:※充电保护功能少※转灯时继续充电,不切断充电电流※恒压电压精度2%较低※限流精度16%较高C.线路图4. 方案四A. 组成芯片充电控制IC:MCU JTI301C保护IC:VG202B.方案特点优点:※智慧型电池容量及效能管理※独立分容控制※电池容量预估及显示※充电控制含预充电,恒流充电,恒压充电※充电过程中,自动评估电池实际容量,达到自学习及容量估计功能※控制电池充电电压上限,关断充电电流(软件控制)※控制电池放电电压下限,关断放电回路(软件控制)※电池无放电或充电时自动进入省电模式※硬件软件双重保护※ LCD/LED显示充电状态缺点:※元件较多,成本较高C.线路图四. 常见问题及解决措施1. 电芯不匹配,导致电池性能变差,寿命缩短2. 恒压控制精度不够,导致电池过充或充不满3. 最终电流检测方式不同,导致充不满或过充4. 保护失效,发生安全问题E-MAIL: zqrqin@Nov 12 2002。

【最新】锂电池保护电路

【最新】锂电池保护电路锂电池是怎么保护电路和功能离子电池保护电路包括过度充电保护、过电流/短路保护和过放电保护,要求过充电保护高精度、保护IC功耗低、高耐压以及零伏可充电等特性.详细介绍了这三种保护电路的原理、新功能和特性要求.锂电池具有体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池和自放电率低等优点,与镍镉、镍氢电池不太一样,锂电池必须考虑充电、放电时的安全性,以防止特性劣化.针对锂电池的过充、过度放电、过电流及短路保护很重要,所以通常都会在电池包内设计保护线路用以保护锂电池.由于锂离子电池能量密度高,因此难以确保电池的安全性.在过度充电状态下,电池温度上升后能量将过剩,于是电解液分解而产生气体,因内压上升而发生自燃或破裂的危险;反之,在过度放电状态下,电解液因分解导致电池特性及耐久性劣化,从而降低可充电次数.锂离子电池的保护电路就是要确保这样的过度充电及放电状态时的安全性,并防止特性劣化.锂离子电池的保护电路是由保护IC及两颗功率 MOSFET所构成,其中保护IC监视电池电压,当有过度充电及放电状态时切换到以外挂的功率MOSFET来保护电池,保护IC的功能有过度充电保护、过度放电保护和过电流/短路保护.过度充电保护过度充电保护IC的原理为:当外部充电器对锂电池充电时,为防止因温度上升所导致的内压上升,需终止充电状态.此时,保护IC需检测电池电压,当到达4.25V时(假设电池过充点为4.25V)即激活过度充电保护,将功率MOS由开转为关断,进而截止充电.另外, 还必须注意因噪声所产生的过度充电检出误动作,以免判定为过充保护.因此,需要设定延迟时间,并且延迟时间不能短于噪声的持续时间.过度放电保护在过度放电的情况下,电解液因分解而导致电池特性劣化,并造成充电次数的降低.采用锂电池保护IC可以避免过度放电现象发生,实现电池保护功能.过度放电保护IC原理:为了防止锂电池的过度放电状态,假设锂电池接上负载,当锂电池电压低于其过度放电电压检测点(假定为 2.3V)时将激活过度放电保护,使功率MOSFET由开转变为关断而截止放电,以避免电池过度放电现象发生,并将电池保持在低静态电流的待机模式,此时的电流仅 0.1uA.当锂电池接上充电器,且此时锂电池电压高于过度放电电压时,过度放电保护功能方可解除.另外,考虑到脉冲放电的情况,过放电检测电路设有延迟时间以避免发生误动作.过电流及短路电流因为不明原因(放电时或正负极遭金属物误触)造成过电流或短路,为确保安全,必须使其立即停止放电.过电流保护IC原理为,当放电电流过大或短路情况发生时,保护IC将激活过(短路)电流保护,此时过电流的检测是将功率MOSFET的 Rds(on)当成感应阻抗用以监测其电压的下降情形,如果比所定的过电流检测电压还高则停止放电,计算公式为: V-=I_Rds(on)_2(V-为过电流检测电压,I为放电电流).假设V-=0.2V,Rds(on)=25mΩ,则保护电流的大小为I=4A.同样地,过电流检测也必须设有延迟时间以防有突发电流流入时发生误动作.通常在过电流发生后,若能去除过电流因素(例如马上与负载脱离),将会恢复其正常状态,可以再进行正常的充放电动作.锂电池保护IC的新功能除了上述的锂电池保护IC功能之外,下面这些新的功能同样值得关注:1. 充电时的过电流保护当连接充电器进行充电时突然发生过电流(如充电器损坏),电路立即进行过电流检测,此时Cout将由高转为低,功率MOSFET由开转为关断,实现保护功能.V-(Vdet4过电流检测电压,Vdet4为-0.1V)=I(充电电流)_Rds(on)_22. 过度充电时的锁定模式通常保护IC在过度充电保护时将经过一段延迟时间,然后就会将功率MOSFET关断以达到保护的目的,当锂电池电压一直下降到解除点(过度充电滞后电压)时就会恢复,此时又会继续充电-保护-放电-充电-放电.这种状态的安全性问题将无法获得有效解决,锂电池将一直重复着充电-放电-充电-放电的动作,功率MOSFET的栅极将反复地处于高低电压交替状态,这样可能会使MOSFET变热,还会降低电池寿命,因此锁定模式很重要.假如锂电保护电路在检测到过度充电保护时有锁定模式,MOSFET将不会变热,且安全性相对提高很多.在过度充电保护之后,只要充电器连接在电池包上,此时将进入过充锁定模式.此时,即使锂电池电压下降也不会发生再充电的情形,将充电器移除并连接负载即可恢复充放电的状态.3. 减小保护电路组件尺寸将过度充电和短路保护用的延迟电容集成到到保护IC里面,以减小保护电路组件尺寸.对保护IC性能的要求1. 过度充电保护的高精度化当锂离子电池有过度充电状态时,为防止因温度上升所导致的内压上升,须截止充电状态.保护IC将检测电池电压,当检测到过度充电时,则过度充电检测的功率MOSFET使之关断而截止充电.此时应注意的是过度充电的检测电压的高精度化,在电池充电时,使电池充电到饱满的状态是使用者很关心的问题, 同时兼顾到安全性问题,因此需要在达到容许电压时截止充电状态.要同时符合这两个条件,必须有高精度的检测器,目前检测器的精度为25mV,该精度将有待于进一步提高.2. 降低保护IC的耗电随着使用时间的增加,已充过电的锂离子电池电压会逐渐降低,最后低到规格标准值以下,此时就需要再度充电.若未充电而继续使用,可能造成由于过度放电而使电池不能继续使用.为防止过度放电,保护IC必须检测电池电压,一旦达到过度放电检测电压以下,就得使放电一方的功率MOSFET 关断而截止放电.但此时电池本身仍有自然放电及保护IC的消耗电流存在,因此需要使保护IC消耗的电流降到最低程度.3. 过电流/短路保护需有低检测电压及高精度的要求因不明原因导致短路时必须立即停止放电.过电流的检测是以功率MOSFET 的Rds(on)为感应阻抗,以监视其电压的下降,此时的电压若比过电流检测电压还高时即停止放电.为了使功率MOSFET的Rds(on)在充电电流与放电电流时有效应用,需使该阻抗值尽量低,目前该阻抗约为 20mΩ_30mΩ,这样过电流检测电压就可较低.4. 耐高电压电池包与充电器连接时瞬间会有高压产生,因此保护IC应满足耐高压的要求.5. 低电池功耗在保护状态时,其静态耗电流必须要小0.1uA.6. 零伏可充电有些电池在存放的过程中可能因为放太久或不正常的原因导致电压低到0V,故保护IC需要在0V时也可以实现充电.保护IC发展展望如前所述,未来保护IC将进一步提高检测电压的精度、降低保护IC的耗电流和提高误动作防止功能等,同时充电器连接端子的高耐压也是研发的重点.在封装方面,目前已由SOT23-6逐渐转向SON6封装,将来还有CSP封装,甚至出现COB产品用以满足现在所强调的轻薄短小要求.在功能方面,保护IC不需要集成所有的功能,可根据不同的锂电池材料开发出单一保护IC,如只有过充保护或过放保护功能,这样可以大大减少成本及尺寸.当然,功能组件单晶体化是不变的目标,如目前手机制造商都朝向将保护IC、充电电路以及电源管理IC等外围电路与逻辑IC构成双芯片的芯片组, 但目前要使功率MOSFET的开路阻抗降低,难以与其它IC集成,即使以特殊技术制成单芯片,恐怕成本将会过高.因此,保护IC的单晶体化将需一段时间来解决.锂电池保护板的电路图与工作原理关于锂离子电池的保护板电路,原理介绍,以及管理的书籍推荐.或者聚合物锂电池方面经典书籍。

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S-1009シリーズ 超低消費電流 遅延回路内蔵(遅延時間外部設定)超高精度電圧検出器© Seiko Instruments Inc., 2009-2012 Rev.5.1_00S-1009シリーズは、CMOS技術を使用して開発した、超高精度電圧検出ICです。

検出電圧は内部で固定され、精度は±0.5%です。

消費電流は270 nA typ.と超低消費電流で動作します。

また、コンデンサを外付けすることで解除信号を遅延させることができます。

遅延時間の精度は±15%です。

出力形態はNch オープンドレイン出力とCMOS出力が揃っています。

従来のCMOSボルテージディテクタに比べ、超高精度、超低消費電流であり、小型パッケージにも対応しているため、携帯機器に最適です。

特長・検出電圧: 0.8 V ~ 4.6 V (0.1 Vステップ)・検出電圧精度 :±0.5% (2.4 V≦−V DET≦4.6 V): ±12 mV (0.8 V≦−V DET＜2.4 V)・消費電流: 270 nA typ. (1.2 V≦−V DET＜2.3 V)・動作電圧範囲: 0.6 V ~ 10.0 V (CMOS出力品)・ヒステリシス幅 :5%±1%・遅延時間精度 :±15% (C D = 4.7 nF)・出力形態 :Nchオープンドレイン出力(アクティブ "L"): CMOS出力(アクティブ "L")・動作温度範囲 :Ta=−40°C ~ +85°C・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー用途・マイコン用電源の監視およびCPUのリセット・テレビ、DVDレコーダ、白物家電等の定電圧電源の監視・ノートパソコン、デジタルスチルカメラ、携帯電話等の携帯機器用電源の監視パッケージ・ SOT-23-5・ SC-82AB・ SNT-4A超低消費電流 遅延回路内蔵(遅延時間外部設定)超高精度電圧検出器S-1009シリーズRev.5.1_00 ブロック図1.Nchオープンドレイン出力品VSSVDDCD *1.寄生ダイオード図12.CMOS出力品VSSVDDCD *1.寄生ダイオード図2超低消費電流 遅延回路内蔵(遅延時間外部設定) 超高精度電圧検出器Rev.5.1_00S-1009シリーズ品目コードの構成S-1009シリーズは、出力形態、検出電圧値、パッケージ種別を用途により選択指定することができます。

製品名における文字列が示す内容は "1. 製品名" を、パッケージ図面は "2. パッケージ" を、詳しい製品名は "3. 製品名リスト" を参照してください。

1. 製品名N : Nch オープンドレイン出力 (アクティブ "L") C : CMOS 出力 (アクティブ "L")IC の梱包仕様*1 : SOT-23-5、テープ品 : SC-82AB 、テープ品 SNT-4A 、テープ品 08 ~ 46(例: 検出電圧が1.5 V の場合は、15と表されます。

) : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー : Ta = −40°C ~ +85°C*1. テープ図面を参照してください。

2. パッケージ表1 パッケージ図面コードパッケージ名外形寸法図面テープ図面リール図面ランド図面SOT-23-5 MP005-A-P-SD MP005-A-C-SD MP005-A-R-SD −SC-82AB NP004-A-P-SD NP004-A-C-SDNP004-A-C-S1NP004-A-R-SD −SNT-4A PF004-A-P-SD PF004-A-C-SD PF004-A-R-SD PF004-A-L-SD超低消費電流 遅延回路内蔵(遅延時間外部設定)超高精度電圧検出器S-1009シリーズRev.5.1_003.製品名リスト3. 1Nchオープンドレイン出力品表2検出電圧SOT-23-5 SC-82AB SNT-4A0.8 V ± 12 mV S-1009N08I-M5T1U S-1009N08I-N4T1U S-1009N08I-I4T1U0.9 V ± 12 mV S-1009N09I-M5T1U S-1009N09I-N4T1U S-1009N09I-I4T1U1.0 V ± 12 mV S-1009N10I-M5T1U S-1009N10I-N4T1U S-1009N10I-I4T1U1.1 V ± 12 mV S-1009N11I-M5T1U S-1009N11I-N4T1U S-1009N11I-I4T1U1.2 V ± 12 mV S-1009N12I-M5T1U S-1009N12I-N4T1U S-1009N12I-I4T1U1.3 V ± 12 mV S-1009N13I-M5T1U S-1009N13I-N4T1U S-1009N13I-I4T1U1.4 V ± 12 mV S-1009N14I-M5T1U S-1009N14I-N4T1U S-1009N14I-I4T1U1.5 V ± 12 mV S-1009N15I-M5T1U S-1009N15I-N4T1U S-1009N15I-I4T1U1.6 V ± 12 mV S-1009N16I-M5T1U S-1009N16I-N4T1U S-1009N16I-I4T1U1.7 V ± 12 mV S-1009N17I-M5T1U S-1009N17I-N4T1U S-1009N17I-I4T1U1.8 V ± 12 mV S-1009N18I-M5T1U S-1009N18I-N4T1U S-1009N18I-I4T1U1.9 V ± 12 mV S-1009N19I-M5T1U S-1009N19I-N4T1U S-1009N19I-I4T1U2.0 V ± 12 mV S-1009N20I-M5T1U S-1009N20I-N4T1U S-1009N20I-I4T1U2.1 V ± 12 mV S-1009N21I-M5T1U S-1009N21I-N4T1U S-1009N21I-I4T1U2.2 V ± 12 mV S-1009N22I-M5T1U S-1009N22I-N4T1U S-1009N22I-I4T1U2.3 V ± 12 mV S-1009N23I-M5T1U S-1009N23I-N4T1U S-1009N23I-I4T1U2.4 V ± 0.5% S-1009N24I-M5T1U S-1009N24I-N4T1U S-1009N24I-I4T1U2.5 V ± 0.5% S-1009N25I-M5T1U S-1009N25I-N4T1U S-1009N25I-I4T1U2.6 V ± 0.5% S-1009N26I-M5T1U S-1009N26I-N4T1U S-1009N26I-I4T1U2.7 V ± 0.5% S-1009N27I-M5T1U S-1009N27I-N4T1U S-1009N27I-I4T1U2.8 V ± 0.5% S-1009N28I-M5T1U S-1009N28I-N4T1U S-1009N28I-I4T1U2.9 V ± 0.5% S-1009N29I-M5T1U S-1009N29I-N4T1U S-1009N29I-I4T1U3.0 V ± 0.5% S-1009N30I-M5T1U S-1009N30I-N4T1U S-1009N30I-I4T1U3.1 V ± 0.5% S-1009N31I-M5T1U S-1009N31I-N4T1U S-1009N31I-I4T1U3.2 V ± 0.5% S-1009N32I-M5T1U S-1009N32I-N4T1U S-1009N32I-I4T1U3.3 V ± 0.5% S-1009N33I-M5T1U S-1009N33I-N4T1U S-1009N33I-I4T1U3.4 V ± 0.5% S-1009N34I-M5T1U S-1009N34I-N4T1U S-1009N34I-I4T1U3.5 V ± 0.5% S-1009N35I-M5T1U S-1009N35I-N4T1U S-1009N35I-I4T1U3.6 V ± 0.5% S-1009N36I-M5T1U S-1009N36I-N4T1U S-1009N36I-I4T1U3.7 V ± 0.5% S-1009N37I-M5T1U S-1009N37I-N4T1U S-1009N37I-I4T1U3.8 V ± 0.5% S-1009N38I-M5T1U S-1009N38I-N4T1U S-1009N38I-I4T1U3.9 V ± 0.5% S-1009N39I-M5T1U S-1009N39I-N4T1U S-1009N39I-I4T1U4.0 V ± 0.5% S-1009N40I-M5T1U S-1009N40I-N4T1U S-1009N40I-I4T1U4.1 V ± 0.5% S-1009N41I-M5T1U S-1009N41I-N4T1U S-1009N41I-I4T1U4.2 V ± 0.5% S-1009N42I-M5T1U S-1009N42I-N4T1U S-1009N42I-I4T1U4.3 V ± 0.5% S-1009N43I-M5T1U S-1009N43I-N4T1U S-1009N43I-I4T1U4.4 V ± 0.5% S-1009N44I-M5T1U S-1009N44I-N4T1U S-1009N44I-I4T1U4.5 V ± 0.5% S-1009N45I-M5T1U S-1009N45I-N4T1U S-1009N45I-I4T1U4.6 V ± 0.5% S-1009N46I-M5T1U S-1009N46I-N4T1U S-1009N46I-I4T1U超低消費電流 遅延回路内蔵(遅延時間外部設定)超高精度電圧検出器Rev.5.1_00S-1009シリーズ3. 2CMOS出力品表3検出電圧SOT-23-5 SC-82AB SNT-4A0.8 V ± 12 mV S-1009C08I-M5T1U S-1009C08I-N4T1U S-1009C08I-I4T1U0.9 V ± 12 mV S-1009C09I-M5T1U S-1009C09I-N4T1U S-1009C09I-I4T1U1.0 V ± 12 mV S-1009C10I-M5T1U S-1009C10I-N4T1U S-1009C10I-I4T1U1.1 V ± 12 mV S-1009C11I-M5T1U S-1009C11I-N4T1U S-1009C11I-I4T1U1.2 V ± 12 mV S-1009C12I-M5T1U S-1009C12I-N4T1U S-1009C12I-I4T1U1.3 V ± 12 mV S-1009C13I-M5T1U S-1009C13I-N4T1U S-1009C13I-I4T1U1.4 V ± 12 mV S-1009C14I-M5T1U S-1009C14I-N4T1U S-1009C14I-I4T1U1.5 V ± 12 mV S-1009C15I-M5T1U S-1009C15I-N4T1U S-1009C15I-I4T1U1.6 V ± 12 mV S-1009C16I-M5T1U S-1009C16I-N4T1U S-1009C16I-I4T1U1.7 V ± 12 mV S-1009C17I-M5T1U S-1009C17I-N4T1U S-1009C17I-I4T1U1.8 V ± 12 mV S-1009C18I-M5T1U S-1009C18I-N4T1U S-1009C18I-I4T1U1.9 V ± 12 mV S-1009C19I-M5T1U S-1009C19I-N4T1U S-1009C19I-I4T1U2.0 V ± 12 mV S-1009C20I-M5T1U S-1009C20I-N4T1U S-1009C20I-I4T1U2.1 V ± 12 mV S-1009C21I-M5T1U S-1009C21I-N4T1U S-1009C21I-I4T1U2.2 V ± 12 mV S-1009C22I-M5T1U S-1009C22I-N4T1U S-1009C22I-I4T1U2.3 V ± 12 mV S-1009C23I-M5T1U S-1009C23I-N4T1U S-1009C23I-I4T1U2.4 V ± 0.5% S-1009C24I-M5T1U S-1009C24I-N4T1U S-1009C24I-I4T1U2.5 V ± 0.5% S-1009C25I-M5T1U S-1009C25I-N4T1U S-1009C25I-I4T1U2.6 V ± 0.5% S-1009C26I-M5T1U S-1009C26I-N4T1U S-1009C26I-I4T1U2.7 V ± 0.5% S-1009C27I-M5T1U S-1009C27I-N4T1U S-1009C27I-I4T1U2.8 V ± 0.5% S-1009C28I-M5T1U S-1009C28I-N4T1U S-1009C28I-I4T1U2.9 V ± 0.5% S-1009C29I-M5T1U S-1009C29I-N4T1U S-1009C29I-I4T1U3.0 V ± 0.5% S-1009C30I-M5T1U S-1009C30I-N4T1U S-1009C30I-I4T1U3.1 V ± 0.5% S-1009C31I-M5T1U S-1009C31I-N4T1U S-1009C31I-I4T1U3.2 V ± 0.5% S-1009C32I-M5T1U S-1009C32I-N4T1U S-1009C32I-I4T1U3.3 V ± 0.5% S-1009C33I-M5T1U S-1009C33I-N4T1U S-1009C33I-I4T1U3.4 V ± 0.5% S-1009C34I-M5T1U S-1009C34I-N4T1U S-1009C34I-I4T1U3.5 V ± 0.5% S-1009C35I-M5T1U S-1009C35I-N4T1U S-1009C35I-I4T1U3.6 V ± 0.5% S-1009C36I-M5T1U S-1009C36I-N4T1U S-1009C36I-I4T1U3.7 V ± 0.5% S-1009C37I-M5T1U S-1009C37I-N4T1U S-1009C37I-I4T1U3.8 V ± 0.5% S-1009C38I-M5T1U S-1009C38I-N4T1U S-1009C38I-I4T1U3.9 V ± 0.5% S-1009C39I-M5T1U S-1009C39I-N4T1U S-1009C39I-I4T1U4.0 V ± 0.5% S-1009C40I-M5T1U S-1009C40I-N4T1U S-1009C40I-I4T1U4.1 V ± 0.5% S-1009C41I-M5T1U S-1009C41I-N4T1U S-1009C41I-I4T1U4.2 V ± 0.5% S-1009C42I-M5T1U S-1009C42I-N4T1U S-1009C42I-I4T1U4.3 V ± 0.5% S-1009C43I-M5T1U S-1009C43I-N4T1U S-1009C43I-I4T1U4.4 V ± 0.5% S-1009C44I-M5T1U S-1009C44I-N4T1U S-1009C44I-I4T1U4.5 V ± 0.5% S-1009C45I-M5T1U S-1009C45I-N4T1U S-1009C45I-I4T1U4.6 V ± 0.5% S-1009C46I-M5T1U S-1009C46I-N4T1U S-1009C46I-I4T1U超低消費電流 遅延回路内蔵 (遅延時間外部設定) 超高精度電圧検出器 S-1009シリーズRev.5.1_00ピン配置図1. SOT-23-5表4端子番号 端子記号 端子内容 1 OUT電圧検出出力端子 2 VDD電圧入力端子 3 VSSGND 端子 4NC *1無接続 5 CD遅延用コンデンサ接続端子*1. NC は電気的にオープンを示します。