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《模拟电路》练习测试题库
一、填空题
1、电感滤波
2、有害，小
3、AF=1，
4、共模信号（零点漂移）
5、A R = 5 互阻
6、串联负反馈
7、甲乙类
8、I O/V I
9、电压串联负反馈型电路.
10、虚断
11、电流增益
12、下降，不变
13、直流电阻小而交流电阻大
14、共模抑制比
15、电流并联
16、共模, 差模
17、偏压
18、电感
19、变压器震荡器、电容三点式振荡器、电感三点式振荡器。
20、相同
21、较大
22、回路的差模放大倍数与共模放大倍数子比
23、有选频；无选频
24、有用，无用，大
25、电子，空穴
26、单向导电性
27、正向 ，反向
28、共基极 ， 共集电极
29、甲乙类
30、串联,电压
31、虚短 ， 虚断
32、逆， 顺
33、共集电极，共基极
34、共射极，共基极，共集电极
35、输出回路的电学量馈送到输入回路
36、输入级间的电压为零,输入级间的电流为零
37、合适的正向偏置、甲乙
38、有用、无用、大
39、1=•
•F A πϕϕϕn f a 2=+= （n=0、1、2、3、、、、）
40、高 ，低
二、单项选择题
1、A
2、B
3、B
4、B
5、C
6、B
7、C
8、B
9、C 10、A 11、A 12、C 13、A 14、C 15、C
16、B 17、A 18、C 19、A 20、C 21、B 22、B
23、A 24、A 25、A 26、A 27、B 28、C 29、A
30、B 31、C 32、B 33、D 34、C 35、C 36、C
37、B 38、A 39、B 40、B
三、问答题
1、uo=uD ；在ui 正半周时，uD≈0；在ui 负半周时，uD=ui 。波形图如图所示。
2、
3、不能正常放大
4、电路(a)不能振荡. 电路(b)可能振荡,电容三点式电路(c)可能振荡,电容三点式
5、uo=ui－uR=uD+E ui≥E，二极管导通，uo=E； ui＜E，二极管截止，uo=ui。
6、电压串联负反馈
7、当P型半导体和N型半导体结合在一起的时侯，由于交界面处存在载流子浓度的差异→多子扩散→产生空间电荷区和内电场→内电场阻碍多子扩散，有利少子漂移。当扩散和漂移达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即PN结。
8、电压跟随器的电压增益等于1，输入电阻趋于无穷大，输出电阻趋于无穷小的特点。一般用作阻抗变换器或缓冲器。
9、1 电压负反馈减小输出电阻;
2电流负反馈增大输出电阻;
3串联负反馈增大输入电阻;
4并联负反馈减小输入电阻.
10、当P型半导体和N型半导体结合在一起的时侯，由于交界面处存在载流子浓度的差异→多子扩散→产生空间电荷区和内电场→内电场阻碍多子扩散，有利少子漂移。当扩散和漂移达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即PN结。
11、电压放大电路：主要任务是使负载得到不失真的电压信号，输出的功率并不一定大。在小信号状态下工作。功率放大电路：使负载得到不失真（或失真较小）的输出功率，在大信号状态下工作。但无论哪种放大电路，在负载上都同时存在输出电压、电流和功率，从能量控制的观点来看，放大电路实质上都是能量转换电路。因此，两者没有本质的区别，称呼上的区别只不过是强调的输出量不同而已。
12、1. 零点漂移信号相当于一对共模信号；
2. 差动放大电路双端输出时利用电路的对称性克服零点漂移信号，因为，差动放大电路对共模信号的放大倍数为零，即差动放大电路对共模信号有很强的抑制作用；
3．当差动放大电路单端输出时利用两管发射极接的公共电阻r0克服零点漂移信号。
四、分析计算题
1、fl=10Hz,fH=1000000Hz 2. 3. 输入输出同相，所以相位差是0
2、对Rf可以用戴维南-诺顿定理等效到输入回路和输出回路中去，这样既保留Rf对基本放大器的负载作用，又去除了反馈。由于是电压反馈，令V0 = 0；有由于是并联反馈。令Vi = 0。
等效电路图如下：其中反馈系数
FG = = -
基本放大增益A =
= = AV0 由AV0 得 A=
AR0 = ，根据求极值的方法，得：AR0 = -RF = 50GΩ
Rf = 当A 时， Rf = 0
3、由于 得
4、电阻R1中电流为 电阻R2中电流为
，稳压管中电流为 ，如
果IZ 超过IZM ，应加大电阻R1；也可减小电阻R2。但R2一般是负载电阻，不能随意改变，若R1不能变，就应限制R2的最大值，或另选稳压管。
5、这是典型的甲类功率放大电路，由输出特性曲线得
6、解：(1) ()()V V k 3310k 8.21210BQ -≈-⨯Ω
+Ω=V ()
()()mA 73.13.12.02.08.2e BEQ BQ e EQ
EQ ≈Ω++--=--=-=k V R V V R V I V CE =V CC -I C （R C +R E1+R E2）=12V-8.3V=3.7V
()Ω=Ω≈++Ω=k A V
97.0970m 73.1m 26501200be r
（2）9.82
.0)501(97.0)
1.53.3/()1.53.3(50)1(1'
-≈⨯+++⨯⨯-=++-=e be L V R r R A ββ
R i =R b1‖R b2‖[r be +(1+β)R e1]=33k Ω‖10 k Ω‖[0.97+51⨯0.2] k Ω≈4.6k Ω
R o ≈R c =3.3k Ω
（3）89.09.86
.06.46
.49.800
-≈⨯-≈+⨯-=+⋅=⋅==S i i V S i
i S vs R R R A V V V V V V A
mA mA V A V i VS 1201580-=⨯-=⋅=
7、解：
（1）电路引入的是电流串联负反馈，使输入电阻增加，输出电阻增加
（2）反馈电压为： 13133
e e f
e e e
f R I R R R R V ⋅++=
∵ 30e I I -=
∴ f
e e e e f
r R R R R R I V F ++⋅-==131
30
故深度负反馈条件下的互导增益为：
1
3131e e f
e e r GF R R R R R F A ⋅++-=≈
电压增益
331003333131
31()
C e e f C C VF e e e i f e e e e f
R R R R V V I R A R I R V V R R R R R ++-⋅=≈==-⋅⋅⋅++
8、解：（1）033
V R R R V V F
f N +==
21
21
1122s s P V R R R
V R R R V +++=
因为该电路引入了电压串联负反馈，因此可以用虚短的概念 ∴ 有 )(21
21
1122330s s F
V R R R V R R R R R R V ++++=
（2） 当R 1 = R 2 = R 3 = R F 时
210s s V V V +=
《模拟电路》复习纲要A 一、单项选择题 1．温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B、空穴增多，自由电子数目不变 C、自由电子增多，空穴不变 D、自由电子和空穴数目都不变 2．场效应管的主要优点是（）。 A、输出电阻小 B、输入电阻大 C、是电流控制 D、组成放大电路时电压放大倍数大 3．在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大，输出阻抗小时，应选用的反馈类型为（）。 A、串联电压负反馈 B、串联电流负反馈 C、并联电压负反馈 D、并联电流负反馈 4．二极管的正向电流在202mA的基础上增加一倍，它两端的压降（）。 A、也增加一倍 B、增加一倍以上 C、略有增加 D、不变 5．在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）。 A、集电极电位一定最高 B、集电极电位一定最低 C、发射极电位一定最高 D、基极电位一定最低 6．差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。 A、增加一倍 B、减小一半 C、不变 D、按指数规律变化 7．电流负反馈在电路中的主要作用是（）。 A、提高输入电阻 B、降低输出电阻 C、增大电路增益 D、稳定静态工作点 8．为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。 A、电流串联 B、电流并联 C、电压串联 D、电压并联 9．欲将正弦波电压移相＋90度，应选用（）。 A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、积分运算电路 D、微分运算电路 10．放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。 A、耦合电容和旁路电容的存在 B、半导体管极间电容和分布电容的存在 C、半导体管的非线性特性 D、放大电路的静态工作点不合适 二、填空题 1. 差分放大器的基本特点是放大______、抑制______。 2. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结______、集电结______。 第 1 页共4 页
模拟电路课后习题答案 Final approval draft on November 22, 2020
第七章 习题与思考题 ◆◆ 习题 7-1 在图P7-1所示的放大电路中，已知R 1=R 2=R 5=R 7=R 8=10k Ω，R 6=R 9=R 10=20k Ω： ① 试问R 3和R 4分别应选用多大的电阻； ② 列出u o1、u o2和u o 的表达式； ③ 设u I1=3V ，u I2=1V ，则输出电压u o ＝ 解： ① Ω=Ω==k k R R R 5)10//10(//213，Ω≈Ω==k k R R R 67.6)20//10(//654 ② 1111211010I I I o u u u R R u -=-=- =，2226525.1)20 10 1()1(I I I o u u u R R u =+=+=， ③ V V u u u I I o 9)1332(3221=?+?=+= 本题的意图是掌握反相输入、同相输入、差分输入比例运算电路的工作原理，估算三种比例电路的输入 输出关系。 ◆◆ 习题 7-2 在图P7-2所示电路中，写出其 输出电压u O 的表达式。 解： 本题的意图是掌握反相输入和同相输入比例 电路的输入、输出关系。 ◆◆ 习题 7-3 试证明图P7-3中，)(1122 1 I I o u u R R u -= ）＋（ 解： ◆◆ 解： ◆◆ 解：
◆◆ 习题 7-6 试设计一个比例运算放大器，实现以下运算关系：u O =。请要求画出电路原理图，并估算各电阻的阻值。希望所用电阻的阻抗在20k Ω至200k Ω的范围内。 解： 上图为实现本题目要求的一种设计方案，使5.0)1()5.0(21=-?-=?=uf uf uf A A A ，即 I O u u 5.0=。 本题的意图是在深入掌握各种比例运算电路性能的基础上，采用适当电路实现给定的运算关系。以上只是设计方案之一。 ◆◆ 习题 7-71为阻值在1k Ω~10k Ω之间可调的电位器，R 2=R 3=20k Ω，R 4=R 5=33k Ω，R 6=R 7=100k Ω，试估算电路的输出电压与输入电压之间的比例系数的可调范围。 解： 当R1 当R1 ◆◆ 解： u o -=2 o u =， A uf = 本题的意图是了解T 型反馈网络比例电路的特点，学习估算电压放大倍数和输入电 阻。 ◆◆ 习题 7-9 写出图P7-9(a)和(b)所示运算电路的输入输出关系。 解： （a ） 11110110 I I O u u u -=-= （b ） 321321444 14 )141(411)141(14I I I I I I O u u u u u u u ++-=+?+++? ++-= 本题的意图是对比例电路及求和电路进行综合训练。 ◆◆ 习题 7-10 试用集成运放组成一个运算电路，要求实现以下运算关系： 解：
电路模拟考试题及答案1 一、填空题（30分，每空2分） 1. 在电路分析计算中，必须先指定电流与电压的__ 参考方向 __。 2 线性电阻上电压u 与电流i 关系满足__欧姆 __定律，当两者取关联参考方向时其表达 式为_R=U 3 电感是一种记忆元件，因为i ＝? ∞ -t t d u L 1 4． 电容是一种储能元件，因为其储存的能量W =) t (Cu 2 21。 5．线性电感的韦安特性是一条__ 过原点 __的直线。 6．电阻串联电路中，阻值较大的电阻上分压较_ 多 __，功率较_ 大 。_ 7．当n 个电压源__串联 __联时，可以用一个电压源等效，且该电压源的电压值 ∑==n k k S S u u 1。 8 使用叠加定理来求解电路时，不作用的独立电压源用 短路 代替，不作用的独立电流源用 断路 代替。 9．当电路中含动态元件（电容或电感）时，根据基尔霍夫电压、电流定律及VCR 建立的电路方程，是以电压、电流为变量的微分方程或微积分方程。如果电路中只含一个动态元件，电路方程是 一阶微分 方程，这种电路称为 一阶 电路。 10．为了分析问题的方便，我们认为换路是在t =0时刻进行的，并把换路前的最终时刻记为 t = 0- ，把换路后的最初时刻记为t = 0+ 。 二、选择题（30分，每空3分） 1．图示电路中，u 、i 关系为（ B ）。 A. dt di L u = B. dt di L u -= C. Li u = D. Li u -= 2．当流过理想直流电压源的电流增加时，其端电压将（ D ）。 A. 增加 B. 减少 C. 不变 D. 不确定 3．KCL 、KVL 不适用于（ C ）。 A. 时变电路 B. 非线性电路 C. 分布参数电路 D. 集总参数电路 4．设两个二端网络对外是等效的，则下列说法哪个是正确的？（ A ） A. 它们的外特性相同 B. 它们的内部特性相同 C. 它们的内部结构相同 D. 它们的内部电源相同 5．理想电流源的源电流为 S I ，端口电路为U ，则其内导为（ A ）。 A. 0 B. ∞ C. S I U D. U I S 6．图示电路中，已知Ω=101R ，Ω=52R ，a 、b 两端的等效电阻=R （ B ）。 A. Ω5 B. Ω6 C. Ω320 D. Ω340 7． 已知两个同频率的相量分别为 V U 03050∠= ，V U 02150100-∠-= ，求其对应的
《模拟电路》课程试题 一、电路如图1所示,已知u i =3sinωt,二极管导通压降U D =0.6V ,画出u i 对应的u O 波形.(u i 波形自绘,简要写明解题过程)(8分). + _+_u i u O D 1D 22V 2V 图1 R 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所示,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) +4V 0V +12V ?6V +4V +3.5V ?6V ?18V ?12V ?12.3V 图2Re (a)(b) (c) 三、电路如图3所示，T 1～T 5的电流放大系数分别为β1～β5，b-e 间动态电阻分别为r b e1～r b e5，解答下列问题(15分). 1.画出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出u A 、R i 和R o 的表达式。
四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻R f,并使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 2.若R f=190KΩ,计算合理连线后电路的增益A u. 3.简述D1,D2在电路中的作用.如果V CC=12V,R L=8Ω,T1,T2 管子饱和压降可以忽略不计,估算负载RL所能获得的最大功率P Lmax=? 五、如图5为一运算放大器应用电路A1、A2、A3为理想运放。电路参数如图。1.写出v o1~v i之间函数关系式和v o~v o2之间函数关系式。2.图中v i(t)波形已图6中试在坐标平面中画出与v i(t)所对应v o2 与v o信号波形。(20分)
0000R 2 +? A 3+?A 1R 6 R 5 100K ΩR 4R 1 5K ΩR 2+?A 2C 10.01μF ±4V u o (t)u o1u o2 30K Ω 图5 u i (t)(V)1 -1 1 2 u o2u o (V)(V) 六、电路如图6所示， 稳压管D Z 起稳幅作用，其稳定电压±U Z ＝±6V 。试估算：(15分) （1）输出电压不失真情况下的有效值； （2）振荡频率。
华中师范大学网络教育学院 《模拟电路》练习测试题库 一、填空题 1、电感滤波 2、有害，小 3、AF=1， 4、共模信号（零点漂移） 5、A R = 5 互阻 6、串联负反馈 7、甲乙类 8、I O/V I 9、电压串联负反馈型电路. 10、虚断 11、电流增益 12、下降，不变 13、直流电阻小而交流电阻大 14、共模抑制比 15、电流并联 16、共模, 差模 17、偏压 18、电感 19、变压器震荡器、电容三点式振荡器、电感三点式振荡器。 20、相同 21、较大 22、回路的差模放大倍数与共模放大倍数子比 23、有选频；无选频 24、有用，无用，大 25、电子，空穴 26、单向导电性
27、正向 ，反向 28、共基极 ， 共集电极 29、甲乙类 30、串联,电压 31、虚短 ， 虚断 32、逆， 顺 33、共集电极，共基极 34、共射极，共基极，共集电极 35、输出回路的电学量馈送到输入回路 36、输入级间的电压为零,输入级间的电流为零 37、合适的正向偏置、甲乙 38、有用、无用、大 39、1=• •F A πϕϕϕn f a 2=+= （n=0、1、2、3、、、、） 40、高 ，低 二、单项选择题 1、A 2、B 3、B 4、B 5、C 6、B 7、C 8、B 9、C 10、A 11、A 12、C 13、A 14、C 15、C 16、B 17、A 18、C 19、A 20、C 21、B 22、B 23、A 24、A 25、A 26、A 27、B 28、C 29、A 30、B 31、C 32、B 33、D 34、C 35、C 36、C 37、B 38、A 39、B 40、B 三、问答题 1、uo=uD ；在ui 正半周时，uD≈0；在ui 负半周时，uD=ui 。波形图如图所示。 2、 3、不能正常放大
自测题一 一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。
习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A，试问 它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升 高 10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在 20℃时的反向电流约为： 2 310A 1.25 A 在 80℃时的反向电流约为：2 310A80 A N7 习题 1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示： ①如在二极管两端通过1k?的电阻加上 1.5V的电压，如图 (b) ，此时二极管的电流I 和电压 U各为多少？ ②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V，则二极管的电流和电 压各为多少？ 3I/mA 解：根据图解法求解+ U -①电源电压为 1.5V 时2 I 1.5UI1 I0.8A,U0.7V 0.5 1 1.5 2 U/V 1.5V 1k? ② 电源电压为3V 时(a)(b) 3U I I 2.2A,U0.8V 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中，u I = 10sinω t (V) ， R L=1k?，试 对应地画出二极管的电流i D、电压 u D以及输出电压 u O的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 u I/V + u D-10 ++t i D/mA u I i D u - -R L D10 (a)t u I /V t - 10 u o/V10 t 习题 1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电 流I Z、动态电阻 r Z以及温度系数αU，是大一些好还是小一 些好？ 答：动态电阻 r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的 电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 I Z愈大，则其动 态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过 其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU的绝对值愈小，表示当温度变化时， 稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
模拟电路部分习题答案 第二章晶体二极管及应用电路 2-1．填空 （1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。 （3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。 （4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（） （2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。（） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（） （6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） （8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。 （7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？ 答：可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻，正向时电阻很小，反向时电阻很大。 2-4．二极管电路如题2-4图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止？输出电压为多少？
《模拟电子电路》练习册（答案） 第一讲练习题 填空 1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。 2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。 3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。 4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。 5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。 7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。 8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。 9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。 10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。 11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。 12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。 13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。 14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。 15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。 16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。 17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。 18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。 选择 ( 黑体字为答案 ) 21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。 22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。 23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。 24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。 25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。 26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。 27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。 28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。 29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。 30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。 31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。 32.二极管的反向电阻比正向电阻( 大得多) 。
第五章 习题与思考题 ◆◆ 习题 5-1 图P5－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R=1M Ω(需外接)。设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。 解：V T4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流IREF 为： A A R U V V I BE EE CC REF μμ3.291 7 .01515=-+=-+= A I I I I REF C REF C μβ β3.292 1133=≈−−−→−+ =足够大 VT1、VT2为差分对管，则有： A A I I I C C C μμ7.142 3 .2921321≈≈= = 本题的意图是理解镜像电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-2 图P5－2是集成比较器BG307偏置电路的示意图。已知V EE =6V ，R 5=85Ω，R 6=68Ω，R 7Ω。设三极管的β足够大，试问V T1、V T2的静态电流I C1、I C2为多大？ 解： VT5、VT6为核心组成比例电流源，其基准电流IR7为： mA A R R V U I EE BE R 6.21700686 7.020)(20767≈++⨯-=+---= mA mA I R R I R R I R C C 08.2)6.285 68 (7566565=⨯=≈= VT1、VT2为差分对管，则有： mA mA I I I C C C 04.108.22 1 21521=⨯== = 本题的意图是理解比例电流源的工作原理和估算方法。 ◆◆ 习题 5-3 图P5-3是集成运放BG305偏置电路的示意图。假设V CC =V EE =15V ，外接电阻R ＝100k Ω，其他的阻值为R 1=R 2=R 3=1k Ω，R 4=2k Ω。设三极管β足够大，试估算基准电流I REF 以及各路偏置电流I C13、I C15和I C16。
第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC 为6V ，R L 为8Ω，假设三极管的饱和管压降U CES ＝1V ， ① 试估算电路的最大输出功率P om ； ② 估算电路中直流电源消耗的功率P V 和效率η。 解：① W W R U V P L cem CC om 563.182)16(2)(2 2≈⨯-=-= 如忽略U CES ，则 W W R V P L CC om 25.28 2622 2=⨯=≈ ② W W R V P L CC V 865.28 6222 2≈⨯⨯=≈ππ %55.54865 .2563.1≈==V om P P η 如忽略U CES ，则%53.78865.225.2≈== V om P P η 此题的意图是理解OCL 互补对称放大电路的P om 和P V 的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率P om ，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① W W P P om CM 45.025.22.02.0=⨯=> ② A A R V I L CC CM 75.08 6==> ③ V V V U CC CEO BR 12622)(=⨯=> ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1≈u A ，而略小于1，故V V V U U CC cem i 24.426 22≈=≈≈。 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
第 1 页 自测题一 一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A ．外电场 B ．内电场 C ．掺杂 D ．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。 A ．增大 B ．减少 C ．不变 D ．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A ．电流放大系数 B ．最大整流电流 C ．集电极最大允许电流 D ．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61 =，V U 4.52=，V U 123 =， 则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A ．e, b, c B ．b, e, c C ．b, c, e D ．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A ．多数载流子 B ．少数载流子 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 及源极s 之间电压为零时（ B ）。 A ．能够形成导电沟道 B ．不能形成导电沟道 C ．漏极电流不为零 D ．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10．GS 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11．开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。 12．开启电压0) (
模拟电路试题及答案 一、判断题（每题1分，共50分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（V） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电 压无关。（X） 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏 时，结电阻为无穷大，等效成断开；（V） 4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（X） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（X） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加，发射结压降减小。（V） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。 （V） 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流输出 电流采用直流负反馈。（X） 9、负反馈放大电路和放大倍数A F=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大倍 数A F= 1/F 。（V） 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW=1+AFBV y其中BW=H-L , 1+AF称为反 馈深度。（V） 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。而 加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（V） 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放 大器。（V） 13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（X） 14、OTL电路是双电源互补功率放大电路。（X） 15 、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（V） 16 、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。（X） 17 、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成电 路中。（V） 18 、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为载波信号。（V） 19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy。（V） 20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（X） 21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（X ） 22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V；锗二极管的门槛电压约为_0.1 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2 _V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联， 稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号 下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、 PN结反向偏置时， PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压 V th约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、 P 型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子 为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电 流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、 N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
模拟综合试卷 一. 填充题 1集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a , b 。2•通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。 3. 在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大 电路的输入电阻。 4. 一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5. 工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工 作于甲乙类时，导通角为。 6. 甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般 功率输出级应工作于状态。 7. 若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压U ii =U2,则输出电压为—匚; 若山=1500皿U i2=500N,则差模输入电压u id为N,共模输入信号u ic为V 8 .由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻 较。 9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。 频带最宽的是组态。 二. 选择题 1 .晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的B，I CBO U BE的变化情况为（ ）。
) A.B 增加，I CBO 和u BE 减小 B. B 和I CBC 增加，U BE 减小 C.B 和U BE 减小，I CBO 增加 D. B 、I CBC 和U BE 都增加 2. 反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ） A.输入电阻 B. 输出电阻 C.击穿电压 D. 跨导 3. 双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。 A.通过增加一级放大 B. 利用两个
、填空（本题共20分，每空1分）： 1. _________________________________________________ 整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电 __________________ ;滤波电路的任务是—滤除脉动直流电中的交流成分 ______________________ 。 2. 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ____________ _载流子的浓度差 而产生的，漂移运动是 ______ 内电场的电场力 — 作用下产生的。 3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _____ _线性 失真和非线性 失真。 4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是 _耦合电容__和旁路电容 _________ 的影响；使高频区电压增益下 降的主要原因是__三极管的级间电容 __________ 的影响。 5. _________________________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _稳定静态工作点 _______________________________________________________________________ ;引入交流负反馈的作用是 —稳定增益、抑制非线性失 真、—改变输入输岀电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声 __。 6. _______________________________________ 正弦波振荡电路一般由 选频网络 ________________ 、__放大电路 __________ 、正反馈网络 ______________________________________________ 、__稳幅电路 _________ 这四个部分组 成。 7. ______________________________________________________________________________________________________ 某多级放大器中各级电压增益为：第一级 25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 _100 ________________________________ ，总的放大倍 数为 __________ 。 8. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻 R e 对__差模输入 __________ 信号的放大无影响，对_共模输入 ____________ 信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比 K CMR 为_差模增益与共模增益 ____________ 之比。 9. 某放大电路的对数幅频特性如图 1 （在第三页上）所示， 当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为 _37 ________ dB 。 数基本相同，则实用中应选（ B ） 试卷编号 01 1、 2、 3、 4 、 5 、 、判断 （y （y （ （n （ （ （ （ （ （本题共10分，每小题1分，正确的打"，错误的打X ） ） ） ） ） 构成各种半导体器件的基础是 PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。 稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有 n ） 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 yn ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 y ）要使放大电路的输岀电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 y ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 y n ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于 1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 10、（ 三、选择（本题共20分，每个选择2 分）: 在放大电路中，测得 某三极管的三个电极的静态电位分别为 A. NPN 型硅管； B. NPN 型锗管； C. PNP 型硅管； 为了使放大电路 Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻 A.增大 B.不变 典型的差分放大电路中 Re （ B ）° A.对差模信号起抑制作用 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. C.减小 B.对共模信号起抑制作用 0V ，- 10V ，—，则此三极管是（ A ） D. PNP 型锗管； R b 的值（C 在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为 20V ，则其共模输入电压为（ A. 40V B. 20V 电流源的特点是（ A ）° A .交流电阻大，直流电阻小； C.交流电阻大，直流电阻大； 影响放大电路 高频特性的主要因素是 A.耦合电容和旁路电容的存在； C.半导体管的非线性特性； 关于理想运算放大器的错误叙述是（ A •输入阻抗为零，输出阻抗也为零； C .频带宽度从零到无穷大； 有T1、T2和T3三只晶体管，T1的B C. 10V C.对差模信号和共模信号均无作用 C D. 5V B .交流电阻小，直流电阻大; D.交流电阻小，直流电阻小。 D ） ° B.放大电路的静态工作点不合适； D.半导体管极间电容和分布电容的存在； A ） ° B .输入信号为零时，输岀处于零电位； D •开环电压放大倍数无穷大 200，I CEO = 200 卩 A ； T2 的^= 100，I CEO = 10 卩 A ； T3 的^= 10，|CEO = 100 卩 A ，其它参
第二章 2.4.1电路如图题2.4.1所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(23 3 =⨯=Ω ⨯⨯-=-= - V V V V D O 4.17.022=⨯== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω ⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2 更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。