掺杂纳米硅薄膜微结构的研究

微结构材料的研究与应用随着科技的不断发展，材料科学和工程技术的研究成为了人类社会发展的重要组成部分。

在材料科学研究中，微结构材料研究是非常重要的一个领域。

微结构材料是指由两种或两种以上的原子或分子单元组成的多相材料，晶粒、相和界面的尺寸通常在纳米和微米级别。

微结构材料具有一些独特的力学、热学和电学性质，因此得到了广泛的研究和应用。

一、微结构材料的研究1.微结构材料制备技术微结构材料制备技术繁多，包括化学气相沉积、化学溶液沉积、熔融法、电化学法、机械法等等。

其中，磁控溅射法、离子束沉积和化学气相沉积等纳米薄膜制备技术已经成熟并获得了广泛应用。

2.微结构材料的表征技术要研究微结构材料的性质和特点，需要使用一些表征技术，如电子显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射等。

通过这些技术，研究者可以观察到微结构材料的晶体结构、晶界、纳米颗粒和表面形貌等。

3.微结构材料性质研究方法微结构材料具有许多特殊的性质，如可控脆性、强度和硬度等。

由于其特殊性质，需要使用特殊的研究方法进行研究，如压痕试验、拉伸试验、扭曲试验、电化学测试和热流计等。

二、微结构材料的应用1.微结构材料在光电领域的应用微结构材料在光电领域有着广泛的应用，如太阳能电池、LED、光电器件和化学传感器等。

例如，研究者们通过吸纳光的能力来将纳米颗粒集成到太阳能电池中，以提高其转换效率。

2.微结构材料在计算机领域的应用微结构材料在计算机领域也有广泛的应用，如新型存储材料、透明导电膜和传感器等。

例如，研究者们通过表面修饰和改性技术来制备氧化铝、氮化硅和钛酸钡等材料，以提高其存储性能和电路性能。

3.微结构材料在生物医学领域的应用微结构材料在生物医学领域也有着广泛的应用，如药物递送材料、药物载体、仿生材料和组织工程材料等。

例如，研究者们将纳米粒子集成到药物递送材料中，可以提高药物的生物利用度，并且降低副作用。

结语微结构材料的研究和应用是一个非常有前途的领域。

表面技术第52卷第10期掺杂Bi的β-Cu2Se薄膜的微观结构与热电性能周政旭，陈雨，宋贵宏*，胡方，吴玉胜*，尤俊华（沈阳工业大学 材料科学与工程学院，沈阳 110870）摘要：目的探究在β-Cu2Se薄膜中掺杂元素Bi对其组织结构及其热电性能的影响，探求Bi元素对载流子传输过程和热电性能的影响规律，为将来该类热电薄膜的研究和应用提供宝贵的经验。

方法使用粉末烧结制得Cu-Bi-Se合金靶材，使用磁控溅射的方法在含有SiO2层的单晶Si衬底上制备了不同Bi含量的β-Cu2‒x Bi x Se热电薄膜。

利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪分别研究了沉积薄膜的XRD谱、表面与截面形貌以及元素含量与分布。

利用LSR-3电阻率/塞贝克系统测量了沉积薄膜的Seebeck系数与电导率。

利用霍尔试验测量了沉积薄膜的室温载流子浓度和迁移率。

结果沉积薄膜主要由单一的β-Cu2Se相构成，在Bi掺杂量最大为1.07%（原子数分数）的薄膜还含有非常少量的α-Cu2Se相；在β-Cu2Se相薄膜中Bi的掺杂没有生成单质相而是替换点阵中的Cu而形成替位式固溶体。

在沉积的β-Cu2‒x Bi x Se薄膜中，([Bi]+[Cu])/[Se]＞2.0且具有p型导电特征。

随着温度的增加，电导率降低而Seebeck系数增加，彰显沉积薄膜的简并或半简并半导体的导电特性。

当温度低于225 ℃时，沉积薄膜功率因子随Bi掺杂量的增加而增大；当温度高于225 ℃时，掺杂量为0.29%（原子数分数）的薄膜具有最大的功率因子，进一步增加Bi掺杂量，沉积薄膜的功率因子却逐渐减小。

结论使用磁控溅射的方法可制备β-Cu2Se薄膜，掺杂适量的Bi可显著提高薄膜的功率因子。

关键词：热电薄膜；β-Cu2Se薄膜；Bi掺杂；Seebeck系数；载流子浓度中图分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：1001-3660(2023)10-0278-09DOI：10.16490/ki.issn.1001-3660.2023.10.023Microstructure and Thermoelectric Properties of Bi-doped β-Cu2Se Film ZHOU Zheng-xu, CHEN Yu, SONG Gui-hong*, HU Fang, WU Yu-sheng*, YOU Jun-hua(School of Materials Science and Technology, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China)ABSTRACT: The Cu2Se material has attracted more attentions in the field of thermoelectric materials due to its high figure of merit, "electronic crystal phonon liquid" structure, rich constituent elements in the crust, low price and other advantages.Compared with bulk material, the film with a nearly two-dimensional structure can effectively improve the Seebeck coefficient and reduce the thermal conductivity, showing excellent thermoelectric properties. At present, the main methods to improve the thermoelectric properties include element doping, composites containing nano-sized second phase, low dimensionalization, nano structure, etc. Element doping can modulate the carrier concentration and change the energy band structure, further modulating收稿日期：2022-09-05；修订日期：2023-02-22Received：2022-09-05；Revised：2023-02-22基金项目：国家自然科学基金项目（51772193）；辽宁省“兴辽英才计划”项目（XLYC2008014）Fund：Supported by the National Natural Science Foundation of China (51772193); Supported by Liaoning Province "Xingliao Talents Program" (XLYC2008014)引文格式：周政旭, 陈雨, 宋贵宏, 等. 掺杂Bi的β-Cu2Se薄膜的微观结构与热电性能[J]. 表面技术, 2023, 52(10): 278-286.ZHOU Zheng-xu, CHEN Yu, SONG Gui-hong, et al. Microstructure and Thermoelectric Properties of Bi-doped β-Cu2Se Film[J]. Surface Technology, 2023, 52(10): 278-286.*通信作者（Corresponding author）第52卷第10期周政旭，等：掺杂Bi的β-Cu2Se薄膜的微观结构与热电性能·279·the Seebeck coefficient and electrical conductivity. Therefore, element doping has been proved to be one of the most effective methods to improve the thermoelectric properties of materials. Bi has a larger atomic radius compared with Cu. This means that doping Bi may cause lattice distortion and more point defects in Cu2Se lattice. At the same time, phonons are scattered in transmission due to mass fluctuation and periodic stress field destruction due to Bi doping, thus reducing the thermal conductivity. Thus, Bi doping helps to improve the thermoelectric performance of materials. In this work, The β-Cu2‒x Bi x Se thermoelectric films with different Bi contents were prepared by magnetron sputtering on single crystal Si substrate containing SiO2 layer with high vacuum powder sintered Cu-Bi-Se alloy target. The phase composition of deposited films was determined by XRD patterns and the surface and cross-sectional morphology of deposited films was observed by SEM. The content and distribution of the constituent elements were measured and analyzed by EDS. The Seebeck coefficient and electrical conductivity of deposited films were measured by LSR-3 resistivity and Seebeck system. The carrier concentration and mobility of deposited films at room temperature were measured by Hall experiments. The results showed that deposited films were mainly composed of single β-Cu2Se phase at room temperature. The films with the maximum Bi doping amount of 1.07at.% also contained very small amount of α-Cu2Se phase and β-Cu2Se phase. Cu atom in β-Cu2Se lattice was substituted by Bi atom and (Cu,Bi)2Se solid solution formed in the deposited films. The deposited β-Cu2‒x Bi x Se films with ([Bi]+[Cu])/[Se]>2.0 possessed p-typed conductive characteristics. In the range of measured temperature from 25 to 395 ℃, the electrical conductivity decreased and the Seebeck coefficient increased with increasing measured temperature, showing the conductive properties of degenerate or semi-degenerate semiconductors. The carrier concentration and electrical conductivity decreased, but the mobility and Seebeck coefficient increased with increasing Bi content in deposited films at room temperature. The power factor of the Bi-doped films was higher than that of the films without Bi. The power factor of the deposited film increased with Bi content increasing to 225 ℃. Above 225 ℃, the film with doping amount of 0.29at.% Bi had the highest power factor and the power factor of deposited film decreased gradually with further increasing Bi content. The power factor of β-Cu2Se film can be significantly enhanced by doping a proper amount of Bi in films.KEY WORDS: thermoelectric material; β-Cu2Se film; doping Bi; Seebeck coefficient; carrier concentration热电材料可以实现热能与电能的互相转换，在作为发电与制冷设备领域中受到了越来越多的关注。

摘要随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世，具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。

纳米硅薄膜材料不仅光敏性好，光暗电导比高，而且跟非晶硅相比，其光电导在长时间光照下的衰减要小得多。

更为重要的是由于薄膜中纳米晶粒的量子尺寸效应，使得我们能够通过改变工艺参数调节晶粒大小和晶化度来控制其光学带隙，从而实现薄膜渐变带隙的能带工程设计。

本论文主要采用射频磁控溅射的方法研究了纳米硅薄膜的制备工艺，在玻璃和单晶硅衬底上分别制备出高质量的纳米硅薄膜，并且对纳米硅薄膜的量子特性，光电特性以及电导机制进行了一定的理论分析。

同时，利用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微技术（SEM）、傅立叶红外吸收光谱、紫外吸收光谱等现代微观分析手段测试分析了样品的微观结构形貌、纳米晶粒尺寸大小、硅氢键合情况以及薄膜的光学带隙，并从中总结出各种工艺参数（衬底温度，气体压强，H2比例等）对薄膜各项性能的影响，从而摸索出一套比较理想的射频磁控溅射制备纳米硅薄膜的工艺条件，为进一步纳米硅薄膜太阳电池的制备研究打下了坚实的基础。

射频磁控溅射工艺同传统的PECVD纳米硅薄膜制作工艺相比，避免了后期的退火或诱导晶化等工序，简化了工艺流程；同时其较低的沉积温度使得纳米硅薄膜能在各种玻璃、塑料、有机柔性衬底上沉积，更适合薄膜电池的发展及利用。

关键词：太阳电池纳米硅薄膜射频磁控溅射光暗电导量子尺寸效应AbstractFor its good optical-electronic properties,nano-crystalline silicon film has become the research hit of today’s P-V solar technology since the third generation of nano-crystalline film solar cell comes out. Nano-crystalline silicon material have not only a good photosensitive properties but also a high ratio of photo/dark conductance. Compared with amorphous silicon, the photoconduction of nc-Si:H has a less attenuation under long-time illumination. Further more, we could control the optical band gap through changing the grain size and crystalline volume fraction for the quanta dimension effect.This Paper studied the process for nano-crystalline silicon film preparation by RF sputtering method. First, high quality nc-Si:H film was deposited respectively on glass and silicon substrate, and then the quantum characteristic, optical-electronic properties and the conductive mechanism of nc-Si:H were analyzed theoretically. Meanwhile, we used XRD, SEM, Fourier infrared absorption spectrum and ultraviolet absorption spectrum methods to observe and analyze the micro-appearance, the Si-H bond, and the optical band-gap of samples; finally, we summarized the influence of the experiment parameters ( such as the substrate temperature, gas pressure, hydrogen proportion) on the properties of the thin film. Through those above works, we got an optimized Parameters for the RF sputtering process for nano-crystalline silicon film preparation.This will be a good foundation for the following fabrication and research of nano-crystalline silicon film solar cell.Compared with other traditional processes (such as PECVD), the RF sputtering method successfully avoids the annealing and inducement crystallization process, and also largely simplified the process. Furthermore, its low deposition temperature makes the nano-crystalline silicon thin film adaptable to be deposited on glass, plastic and other flexible substrates, which will certainly promote the development of nano-crystalline silicon thin film cells.Keywords: Solar cell Nano-crystalline silicon film RF magnetron sputtering Photo/dark conductance Quanta dimension effect独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

《稀土掺杂TiN薄膜的制备及性能调控》篇一一、引言稀土掺杂TiN薄膜因其独特的物理和化学性质，近年来在微电子、光电子及磁学等众多领域受到了广泛的关注。

这种材料具备优良的导电性、热稳定性和光吸收特性，因此对于稀土掺杂TiN薄膜的制备工艺及性能调控方法的研究具有重大的理论和实际应用价值。

本文旨在研究稀土掺杂TiN薄膜的制备过程以及性能调控技术，并深入分析其相关特性。

二、实验原理TiN是一种稳定的陶瓷材料，具备较高的硬度和优良的导电性。

稀土元素（如镧、铈、钇等）具有特殊的电子结构和磁学性质，其掺杂可以有效改变TiN薄膜的物理和化学性质。

在制备过程中，我们主要利用磁控溅射、溶胶-凝胶或脉冲激光沉积等工艺制备出稀土掺杂的TiN薄膜。

三、实验材料及方法（一）材料准备实验所需的主要材料包括钛靶材、稀土氧化物以及基底材料（如硅片或玻璃）。

所有材料均需进行严格的清洗和预处理，以确保薄膜的质量和性能。

（二）制备工艺我们采用磁控溅射法进行薄膜的制备。

首先，将钛靶材放置在溅射设备中，并在真空中对钛靶材进行预溅射，以清洁表面。

然后，通过调节气氛中的氮气和氩气的比例，利用等离子体将氮离子和氩离子一起溅射到基底上，形成TiN薄膜。

在溅射过程中，通过控制稀土氧化物的掺杂量，可以制备出不同稀土含量的TiN 薄膜。

四、性能调控（一）稀土掺杂量的调控通过改变稀土氧化物的掺杂量，可以有效地调控TiN薄膜的导电性、光学性质和磁学性质。

适量的稀土掺杂可以显著提高薄膜的导电性和光学吸收性能，而过度掺杂则可能导致薄膜的性能下降。

因此，在制备过程中需要精确控制稀土掺杂量。

（二）热处理工艺的优化热处理是提高TiN薄膜性能的重要手段。

通过在适当的温度下对薄膜进行热处理，可以改善其结晶性、减少内部应力并提高薄膜与基底的附着力。

此外，热处理还可以改变稀土元素在薄膜中的分布和价态，从而进一步影响薄膜的性能。

五、性能分析（一）结构分析通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对TiN薄膜的结构进行分析，可以了解其晶体结构、晶粒大小和表面形貌等信息。

一、P层掺杂对薄膜性能的影响1.1CH4掺杂对薄膜性能的影响1.1.1CH4/SiH4流量比对薄膜沉积速率的影响（a）报道来源：汪沁等.p-i-n型非晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究[J].大连理工大学学报，2011，54（1）：S1-S4.结论：随着掺杂比（CH4/SiH4）的不断增大，薄膜的沉积速率不断的降低。

原因由于键能值较低(299 kJ/mol)且易于分解的硅烷流量下降,相比而言,甲烷的键能值则较高(413 kJ/mol),较难分解;其二,由于碳氢基团在薄膜生长表面相比于硅氢基团而言具有较低的吸附系数。

1.1.2 CH4/SiH4流量比对薄膜电学性能（电导率）的影响（a）报道来源：武汉理工大学，沈峰硕士论文《PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，电导率逐渐降低，说明掺碳对电导率有预制的作用。

1.1.3 CH4/SiH4流量比对薄膜光学性能（光学带隙、透过率）的影响1.1.3.1 CH4/SiH4流量比对薄膜光学带隙的影响（a）报道来源：武汉理工大学，沈峰说硕士论文《PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着甲烷掺杂浓度的增大，薄膜的光学带隙逐渐增大。

原因是随着碳掺杂的增大，C-H键和C-Si键逐渐增多，C-H键和C-Si键的键能相比于Si-Si 键键能都要高，因此随着C掺量的增加高能键密度也增加，导致光学带隙增大。

1.1.3.2 CH4/SiH4流量比对薄膜透过率的影响（a）报道来源：武汉理工大学，沈峰说硕士论文《PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着C掺杂含量的增加，薄膜的透过率也逐渐增大。

原因是C掺量的增加，导致光学带隙的增大，使薄膜吸收边向短波长方向移动，透射率也就增大。

1.2B2H6掺杂对薄膜性能的影响1.2.1B2H6掺杂对薄膜沉积速率的影响（a）报道来源：潘圆圆等.硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响[J].真空科学与技术学报,2012,32(6):509-513.结论：随着硼烷掺杂浓度增加，薄膜的沉积速率逐渐降低。

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文)陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞
【期刊名称】《人工晶体学报》
【年(卷),期】2005(34)4
【摘要】本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。

表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。

沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm。

通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感。

【总页数】7页(P753-759)
【关键词】微晶硅薄膜;晶化率;等离子体增强化学气相沉积
【作者】陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞
【作者单位】郑州大学物理系
【正文语种】中文
【中图分类】O484.1
【相关文献】
1.沉积速率对甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜生长标度行为的影响 [J], 丁艳丽;朱志立;谷锦华;史新伟;杨仕娥;郜小勇;陈永生;卢景霄
2.HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究 [J], 刘国汉;丁毅;朱秀红;陈光华;贺德衍
3.微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究 [J], 叶超;宁兆元;程珊华;康健
4.热丝辅助MW ECR CVD技术高速沉积高质量氢化非晶硅薄膜(英文) [J], 周怀恩;陈光华;朱秀红;阴生毅;胡跃辉
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微晶硅薄膜材料的制备及其光电特性的研究近几十年来，微晶硅薄膜在光电子领域的发展已经表现出了它的重要作用。

微晶硅薄膜的制备及其光电特性的研究一直是光电子领域的热门研究课题。

本文将介绍微晶硅薄膜的制备原理、特性分析以及其在光电子领域的应用。

一、晶硅薄膜材料的制备微晶硅薄膜是一种具有优异微结构和光学性能的重要材料。

它是由硅原子构成的结构小到几纳米的超微粉末组成的，所以它具有优异的光学性质和物理特性。

其制备方法主要有化学气相沉积（CVD）法、溅射法和浸渍法，其中CVD法是最常用的方法。

CVD法可以在合适的温度和压力条件下，将硅原子沉积于基体表面，形成平整的微晶硅层，从而形成微晶硅薄膜材料。

二、晶硅薄膜材料的特性分析微晶硅薄膜具有优异的光学性能，可反射率可达90％，透射率可达70％以上，且抗反射率远高于玻璃。

同时具有优异的韧性性能和耐腐蚀性，可以抵抗多种腐蚀性气体的侵蚀。

此外，微晶硅薄膜还具有超高的热稳定性，可以承受500℃以上的温度环境，对高温环境非常耐久。

三、晶硅薄膜在光电子领域的应用由于具有优异的光学性能，微晶硅薄膜广泛应用于光电子相关领域，如激光器件、显示器件、太阳能电池等。

此外，微晶硅薄膜还可以用于气体传感器、光学光纤和微结构阵列镜片等。

四、结本文从微晶硅薄膜材料的制备原理和特性分析出发，分析了其在光电子领域的应用。

微晶硅薄膜具有高可反射率、高透射率、高抗腐蚀性和高热稳定性等优点，在光电子领域有着极大的发展潜力。

未来，微晶硅薄膜的研究和应用肯定将更加深入，将为光电子领域带来更多的技术发展和潜力。

以上就是本文关于《微晶硅薄膜材料的制备及其光电特性的研究》的全部内容，本文从微晶硅薄膜材料的制备原理、特性分析及其在光电子领域的应用出发，深入研究了微晶硅薄膜的光电特性，指出了其在光电子领域的广泛应用，提出了未来对微晶硅薄膜的研究和应用可以带来的技术发展和潜力。

非晶硅薄膜研究进展非晶硅薄膜及其制备方法研究进展摘要：氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、辐射探测和液晶显示等领域有着重要的应用，因而在世界范围内得到了广泛的关注和大量的研究。

本文主要介绍了a-Si:H薄膜的主要掺杂类型和a-Si:H薄膜的主要制备方法。

关键词：非晶硅薄膜；掺杂；制备方法；研究进展Research Progress on a-Si:H Thin Films and Related PreparationMethodAbstract:Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film has attracted considerable attention and been a subject of extensive studies worldwide on account of its important applications such as thin film solar cells, thin film transistors, radiation detectors, and liquid crystal displays based on its good electrical and optical properties. In this paper, the progress research on a-Si:H thin films and related preparation method are reviewed.Key words: a-Si:H thin films; doped; preparation method; research progress1 引言氢化非晶硅(a-Si:H)是硅和氢的一种合金，网络中Si-H键角和键长的各种分布打乱了晶体硅晶格的长程有序性，从而使非晶硅具有独特的光电性质。

掺杂对薄膜的影响资料⼀、P层掺杂对薄膜性能的影响1.1CH4掺杂对薄膜性能的影响1.1.1CH4/SiH4流量⽐对薄膜沉积速率的影响（a）报道来源：汪沁等.p-i-n型⾮晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究[J].⼤连理⼯⼤学学报，2011，54（1）：S1-S4.结论：随着掺杂⽐（CH4/SiH4）的不断增⼤，薄膜的沉积速率不断的降低。

原因由于键能值较低(299 kJ/mol)且易于分解的硅烷流量下降,相⽐⽽⾔,甲烷的键能值则较⾼(413 kJ/mol),较难分解;其⼆,由于碳氢基团在薄膜⽣长表⾯相⽐于硅氢基团⽽⾔具有较低的吸附系数。

1.1.2 CH4/SiH4流量⽐对薄膜电学性能（电导率）的影响（a）报道来源：武汉理⼯⼤学，沈峰硕⼠论⽂《PECVD法制备P型⾮晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着甲烷掺杂浓度的增⼤，电导率逐渐降低，说明掺碳对电导率有预制的作⽤。

1.1.3 CH4/SiH4流量⽐对薄膜光学性能（光学带隙、透过率）的影响1.1.3.1 CH4/SiH4流量⽐对薄膜光学带隙的影响（a）报道来源：武汉理⼯⼤学，沈峰说硕⼠论⽂《PECVD法制备P型⾮晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着甲烷掺杂浓度的增⼤，薄膜的光学带隙逐渐增⼤。

原因是随着碳掺杂的增⼤，C-H键和C-Si键逐渐增多，C-H键和C-Si键的键能相⽐于Si-Si 键键能都要⾼，因此随着C掺量的增加⾼能键密度也增加，导致光学带隙增⼤。

1.1.3.2 CH4/SiH4流量⽐对薄膜透过率的影响（a）报道来源：武汉理⼯⼤学，沈峰说硕⼠论⽂《PECVD法制备P型⾮晶硅薄膜及多晶硅薄膜》。

结论：随着C掺杂含量的增加，薄膜的透过率也逐渐增⼤。

原因是C掺量的增加，导致光学带隙的增⼤，使薄膜吸收边向短波长⽅向移动，透射率也就增⼤。

1.2B2H6掺杂对薄膜性能的影响1.2.1B2H6掺杂对薄膜沉积速率的影响（a）报道来源：潘圆圆等.硼掺杂对热丝CVD法制备纳⽶晶硅薄膜微结构与光电性能的影响[J].真空科学与技术学报,2012,32(6):509-513.结论：随着硼烷掺杂浓度增加，薄膜的沉积速率逐渐降低。