(6)再分别将内偏调到5V, 10V重复测量。
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9Leabharlann 〈五〉数据处理1. 由测量数据,进行转换:C→ε'; 2. 用origin软件绘图,绘出 ε'~ f和 tg δ ~ f关系曲线; 3. 对所得曲线进行分析:分析,tan与频率变化的
原因,并分析产生误差的可能性; 4. 比较不同偏压下的ε , tg δ与频率关系曲线的异同,
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〈二〉实验仪器
TH2816型宽频LCR数字电桥、样品
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〈三〉实验原理
介电常数,又称电容率,是电位移D与电场强度E之比 = D/E ,其单位为F/m ,真空的介电常数 F/m ,而相对介电 常数为同一尺寸的电容器中充入电介质时的电容和不充入电 介质时真空下的电容之比。介电常数小的电介质,其分子为 非极性或弱极性结构,介电常数大的电介质,其分子为极性 或强极性结构。在交变电场作用下,电介质的介电常数为复 数,复介电常数的实部与上述介电常数的意义是一致的,而 虚部表示损耗。介质的介电损耗是指由于导电或交变电场中 极化弛豫过程在电介质中引起的功率损耗。这一功率损耗是 通过热耗散把电场的电能消耗掉的结果。
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〈四〉操作步骤
(1)接通电源,电桥开始自检。自检结束后,面板显示: 显示A:C(电容) 显示B:D(即损耗tan) 显示C: F(显示:1.00kHz) 速度:慢(40ms A/D积分时间) 读数:直读 等效: 串联 偏置:OFF 方式:连续 量程:自动 打印:OFF
(2)使用按键[显示A]、[显示B]在LCR上选择测试参数;如 果需要测量的是电容C和损耗tan,则不需要另外选择。 等待仪器稳定20 分钟后,对仪器进行清 “0”;
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