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第1章 半导体的基本知识1.1 半导体及PN 结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的，具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点，因而在现代电子技术中得到广泛的应用。
半导体器件是构成电子电路的基础。
半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来，可以组成各种电子电路。
顾名思义，半导体器件都是由半导体材料制成的，就必须对半导体材料的特点有一定的了解。
1.1.1 半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。
通常将很容易导电、电阻率小于410-Ω•cm 的物质，称为导体，例如铜、铝、银等金属材料；将很难导电、电阻率大于1010Ω•cm 的物质，称为绝缘体，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料；将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在410-Ω•cm ～1010Ω•cm 范围内的物质，称为半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
用半导体材料制作电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化，这就是半导体不同于导体的特殊性质。
1、热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。
例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1／2。
而一般的金属导体的电阻率则变化较小，比如铜，当温度同样升高10℃时，它的电阻率几乎不变。
2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。
一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的1%。
自动控制中用的光电二极管和光敏电阻，就是利用光敏特性制成的。
而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。
3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。
在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之—。
【半导沙雕】pn结基础知识
【原创版】
目录
1.PN 结的定义和组成
2.PN 结的特性
3.PN 结的应用
正文
1.PN 结的定义和组成
PN 结（P 型半导体和 N 型半导体结）是半导体材料中一种特殊的结构，由 P 型半导体和 N 型半导体相互接触而形成。
P 型半导体中含有较多的空穴（电子空位），而 N 型半导体中含有较多的自由电子。
当P 型半导体与 N 型半导体接触时，空穴和自由电子会发生复合，形成一个电中性的区域，这就是 PN 结。
2.PN 结的特性
PN 结具有单向导通性，即只有在正向电压作用下（P 型半导体接触正极，N 型半导体接触负极），才能导通电流。
而在反向电压作用下（P 型半导体接触负极，N 型半导体接触正极），则不能导通电流。
这种单向导通性使得 PN 结被广泛应用于半导体器件中，如二极管、晶体管等。
3.PN 结的应用
PN 结作为半导体材料的基本结构，在电子领域有着广泛的应用。
其中最常见的应用是制作二极管，二极管是由 PN 结构成的，具有单向导通性，可用于整流、限幅、信号调制等功能。
此外，PN 结还是晶体管、场效应管等半导体器件的基础组成部分，这些器件在现代电子技术中起着举足轻重的作用。
总之，PN 结作为半导体材料的基础知识，对于了解半导体器件的工
作原理和应用具有重要意义。
半导体器件基础半导体器件是由半导体材料制成的电子元件，用于控制和放大电流和电压。
常见的半导体器件有二极管、晶体管、场效应管、双极型晶体管、光电二极管等。
半导体器件的基础知识包括以下几个方面：1. 半导体材料：半导体器件主要使用硅（Si）和砷化镓（GaAs）等半导体材料。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导特性，可以通过控制材料的掺杂来调节其导电性。
2. PN结：PN结是半导体器件中最基本的结构，由P型和N型半导体材料直接接触而成。
在PN结中，P型半导体中的空穴与N型半导体中的电子发生复合，形成一个电子云区，这称为耗尽区。
耗尽区的存在使得PN结具有正向导通和反向截止的特性。
3. 二极管：二极管是一种最简单的半导体器件，由PN结构成。
在正向偏置（即P端连接正电压）时，二极管导通，允许电流通过；在反向偏置（即N端连接正电压）时，二极管截止，电流无法通过。
二极管广泛用于整流和保护电路中。
4. 晶体管：晶体管是一种三层构造的半导体器件，通常分为NPN和PNP两种类型。
晶体管可以作为开关或放大器使用，可以控制一个输入电流或电压来控制另一个输出电流或电压。
晶体管的放大性能使得它在电子设备中有广泛的应用。
5. 场效应管：场效应管是一种基于电场效应的半导体器件，包括MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）和JFET （结型场效应管）两种。
场效应管具有高输入电阻、低输入电流、低噪声等特点，常用于放大和开关电路中。
6. 光电器件：光电器件包括光电二极管和光电三极管，它们能够将光信号转换为电信号。
光电器件广泛应用于光通信、光电传感、光能转换等领域。
以上是半导体器件基础的概述，深入了解半导体器件还需要学习更多的电子物理和电路理论知识。
半导体工作原理半导体是一种具有特殊导电性质的物质，它在现代电子技术中起着重要的作用。
本文将深入探讨半导体的工作原理及其在电子设备中的应用。
一、半导体基础知识半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料，其导电性介于金属和非金属之间。
半导体中的载流子可以是电子或空穴，它们的行为受到原子晶格结构及掺杂材料的影响。
二、杂质掺杂为了改变半导体的导电性能，可以通过掺杂来引入少量杂质原子。
掺杂分为两种类型：n 型掺杂和 p 型掺杂。
n 型半导体是通过在原有半导体中加入能够提供自由电子的掺杂原子，如磷或砷。
p 型半导体是通过在原有半导体中加入能够提供空穴的掺杂原子，如硼或铝。
三、PN结PN 结是由一个p 型半导体与一个n 型半导体直接接触形成的结构。
在 PN 结中，由于电子从 n 区域向 p 区域迁移，形成了一个电子富集区。
同时，由于空穴从 p 区域向 n 区域迁移，形成了一个空穴富集区。
这两个富集区之间形成了一个电势差，称为内建电压。
PN 结的工作原理基于这一内建电势差。
四、正向偏置和反向偏置在实际应用中，PN 结可以通过外加电压来改变其导电性能。
当外加正向电压时，即 p 区域连接正极，n 区域连接负极，这种情况下，电子从 n 区域向 p 区域迁移，空穴从 p 区域向 n 区域迁移，PN 结导通。
这被称为正向偏置。
当外加反向电压时，即 p 区域连接负极，n 区域连接正极，这种情况下，电子和空穴被引向迁移到 PN 结两端，PN 结不导电。
这被称为反向偏置。
五、二极管二极管是由一个 P 型半导体和一个 N 型半导体组成的器件。
在二极管中，当施加正向电压时，电流通过，而在施加反向电压时，电流被阻止通过。
二极管可用于整流、保护电路及信号调制等应用。
六、晶体管晶体管是一种三层结构的半导体器件，由一个 p 型半导体和两个 n型半导体组成。
晶体管分为 NPN 型和 PNP 型两种。
晶体管的工作原理基于外加电压的控制，当外加电压超过一定阈值时，电流得以通过，否则电流被阻断。
半导体器件重要知识点总结一、半导体基础知识1. 半导体的概念及特性：半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的一类材料。
由于半导体材料的导电性能受温度、光照等外部条件的影响比较大，它可以在不同的条件下表现出不同的导电特性。
半导体材料常见的有硅、锗等。
2. P型半导体和N型半导体：P型半导体是指在半导体材料中掺入了3价元素，如硼、铝等，使其成为带正电荷的空穴主导的半导体材料。
N型半导体是指在半导体材料中掺入了5价元素，如磷、砷等，使其成为自由电子主导的半导体材料。
3. 掺杂：半导体器件在制造过程中一般都要进行掺杂，以改变其导电性能。
掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，通过掺杂可以使半导体材料的导电性能得到调控，从而获得所需要的电子特性。
4. pn结：pn结是指将P型半导体和N型半导体直接连接而成的结构，它是构成各类半导体器件的基础之一。
pn结具有整流、发光、光电转换等特性，在各类器件中得到了广泛的应用。
二、半导体器件的基本知识1. 二极管（Diode）：二极管是一种基本的半导体器件，它采用pn结的结构，在正向偏置时可以导通，而在反向偏置时则将电流阻断。
二极管在各类电子电路中具有整流、电压稳定、信号检测等重要作用。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种由半导体材料制成的三电极器件，它采用多个pn结的结构，其主要功能是放大信号、开关电路和稳定电路等。
晶体管在各类电子器件中扮演着至关重要的作用，是现代电子技术的重要组成部分。
3. 集成电路（IC）：集成电路是将大量的半导体器件集成在一块半导体芯片上的器件，它可以实现各种功能，如存储、计算、通信等。
集成电路在现代电子技术中已成为了各类电子产品不可或缺的一部分，是现代电子产品的核心之一。
4. MOS场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体的结构的场效应晶体管，它在功率控制、开关电路、放大器等方面有着重要的应用。
MOSFET在各类电源、电动机控制等领域得到了广泛的应用。
PN接面及半导体基础知识pn结pn结（pn junction）採用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交介面就形成空间电荷区称pn 结。
pn结具有单向导电性。
p是positive的缩写，n是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。
一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是p型半导体，另一部分掺有施主杂质是n型半导体时，p 型半导体和n型半导体的交介面附近的过渡区称为pn结。
pn结有同质结和异质结两种。
用同一种半导体材料製成的 pn 结叫同质结，由禁频宽度不同的两种半导体材料製成的pn结叫异质结。
製造pn结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。
製造异质结通常採用外延生长法。
p型半导体（p指positive，带正电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴； n型半导体（n指negative，带负电的）：由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在 p 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。
在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。
n 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。
当p型和n型半导体接触时，在介面附近空穴从p型半导体向n型半导体扩散，电子从n型半导体向p型半导体扩散。
空穴和电子相遇而複合，载流子消失。
因此在介面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。
p 型半导体一边的空间电荷是负离子，n 型半导体一边的空间电荷是正离子。
正负离子在介面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。
在pn结上外加一电压，如果p型一边接正极，n型一边接负极，电流便从p 型一边流向n型一边，空穴和电子都向介面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。
如果n型一边接外加电压的正极，p型一边接负极，则空穴和电子都向远离介面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。
半导体中pn结的形成及工作原理下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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半导体基础知识及PN结-------中国遥控网遥控技术的门户网有关遥控有关射频有关无线通讯的专业文档资料站首页| 遥控制作（无线红外载波DTMF等）| 相关元器件| 基础知识| 标准、法规| │传感器单片机自控CAD等综合版│ 基础知识>名词术语>半导体基础知识及PN结日期:2004-11-14 20作者:来源:半导体基础知识及PN结在我们的日常生活中，经常看到或用到各种各样的物体，它们的性质是各不相同的。
有些物体，如钢、银、铝、铁等，具有良好的导电性能，我们称它们为导体。
相反，有些物体如玻璃、橡皮和塑料等不易导电，我们称它们为绝缘休(或非导体)。
还有一些物体，如锗、硅、砷化稼及大多数的金属氧化物和金属硫化物，它们既不象导体那样容易导屯，也不象绝缘体那样不易导电，而是介于导体和绝缘体之间，我们把它们叫做半导体。
绝大多数半导体都是晶体，它们内部的原子都按照一定的规律排列着。
因此，人们往往又把半导体材料称为晶体，这也就是晶体管名称的由来(意思是用晶体材料做的管子)。
物体的导电性能常用电阻率来表示。
所谓电阻率，就是某种物体单位长度及单位截面积的体积内的电阻值。
电阻率越小，越容易导电；反之，电阻率越大，越难导电。
导体、绝缘体的电阻率值随温度的影响而变化很小。
但温度变化时，半导体的电阻率变化却很激烈；每升高1℃，它的电阻率下降达百分之几到百分之几十。
不仅如此，当温度较高时，整体电阻甚至下降到很小，以致变成和导体一样。
在金属或绝缘体中，如果杂质含量不超过干分之一，它的电阻率变化是微不足道的。
但半导体中含有杂质时对它的影响却很大。
以锗为例，只要含杂质一千万分之一，电阻率就下降到原来的十六分之一。
锗是典型的半导体元素，是制造晶体管的一种常用材料（注：当前的半导体元器件生产以硅Silicon材料为主）。
现以锗为例来说明如何会在半导体内产生电流、整流性能和放大性能。
我们知道，世界上的任何物质都是由原了构成的。
原子中间都有一个原子核和者围绕原子核不停地旋转酌电子。
不同元素的原子所包含的电子数目是不同的。
蔗原子的原子核周围有32个电子，围绕着原子核运动。
原子核带有正电荷．电子带有负电荷；正电荷的数量刚好和全部电子的负电荷数量相等，所以在平时锗原子是中性的。
电子围绕原子核运动，和地球围绕太阳远行相似。
在核的引力作用下，电子分成几层按完全确定的轨道运行，而且各层所能容纳的电子数日也有一定规律。
如图所示：在锗原子核周围的32个电子组成四层环，围绕原子核运动。
从里往外数，第一层环上有2个电子，其余依次为8、18、4个电子。
凡是环上的电子数为2、8、18时．这些环上的电子总是比较稳定的。
若环上的电子数不等于以上各数时，这些环上的电子总是不太稳定。
因此，锗原子结构中，第一、二、三层的电于是稳定的，只有第四层(即最外一“层)的4个电于是不稳定的。
因最外一层的电子没有填满到规定的数目。
我们把最外一层的电子叫做价电子。
一般来说，最外层有几个价电子，其原子价就为几。
锗的最外层有4个价电子，所以锗的原子价为4。
受外界作用，环上的电子可以克服原子核的吸引力而脱离原子，自由活动成为自由电子。
这些自由电子在电场力的作用下，产生空间运动，就形成了电流。
可以想像，由于最外层的价电子离核比较远，所受引力最小，所以最容易受外界影响而形成自由电子。
因此，从导电性能看，价电子是很重要的。
我们所说的锗元素就是依靠它最外层的4个价电子进行导电的。
锗晶体内的原子很整齐的排列着。
各个原子间有相互排斥的力量，而每个原子除了吸引自己的价电子外，还吸引相邻原子的价电子。
因此，两个相邻原子的价电子便成对地存在。
这一对电子同时受这两个原子核的吸引，为它们所“共有”。
这两个相邻原子也通过这个电子对被联系在一起。
这样，电子对就好像起了键(联结)的作用，我们叫它共价键。
每一个锗原子以其4个价电子与其他4个锗原子的价电子组成4个共价键而达到稳定状态。
在理想情况下，锗晶体中所有的价电子都织成了电子对，因此没有自由电子，这时锗晶体是不易导电的。
但在外力作用下，如受温度变化，其中可能会有一个价电子脱离键的束缚，挣脱共价键而跳出来，成为自由电子。
这时共价键中出现了一个空位，我们把这个空位叫做空穴。
由于原子本身正电荷和负电荷相等，故原子失去了电子后，整个原子就带正电荷，称为正离子。
正离子容易吸引相邻原子的价电子来填补，电子离开后所留下的空位，使相邻原子中又出现空穴，而这个新出现的空穴，又可能为别的电子去填充。
电子这样不断地填充空穴，就使空穴的位置不断地在原子问转移。
空穴的转移，实际上也是电子(电荷)的运动，所以也就形成电流，这叫做空穴流。
而原来失去的屯子，在晶体中运动，形成了电子流。
为了便于叙述，今后就认为空穴在运动，而且把它当作一个正电荷来看(实际上是空穴所在的原子呈现一个单位正电荷的电量)。
由于空穴和电子都带有电荷，它们的运动都形成电流，所以就统称它们为载流子。
一块不含有杂质的、品格完整的半导体叫做本征半导体。
因为它品格完整，如果有一个电子从共价键中释放出来，必定留下一个空众。
所以本征半导体中电子和空众总是成对地出现，它们的数日相等，称为电子一空穴对。
在常温下，由于热运动的结果，在本征半导体中会产生一定数量的电子一空穴对，形成电子流和空穴流，总的电流是两者之和。
如没有外界电场作用，电子和空穴的这种运动是杂乱无章的，电子流和空穴流方向也是不定的，结果互相抵消，没有净电流出现。
但在电场作用下，这种半导体两端就出现电压，电子向正端方向运动，空穴向负端方向运动，形成了定向电流，半导体内就产生电流了。
本征半导体因电场作用而产生的导电现象就叫本征导电。
通常，我们很少见到本征半导体，大多遇到的都是P型半导体或N型半导体。
前面说过，半导体中加进了杂质，电阻率就大大降低。
这是因为加进杂质后，空穴和电子的数目会大大增加。
例如，在锗晶休中掺入很少一点三价元素铟，由于铟的价电子只有三个，渗入锗晶体后，它的三个价电子分别和相邻的三个锗原子的价电子组成共价键，而对相邻的第四个锗原子，它没有电于拿出来和这个锗原子“共有”了，这就留下了一个空穴(见图1一3(c))。
因为掺入了少量的杂质铟，就会出现很多空穴；这是因为即使是少量的，里面含有的原子数目却不少。
杂质半导体中空穴和电子数目不相等，在电场作用下，空穴导电是主要的，所以叫空穴型半导体或者说是P型半导体。
换句话说，P型或空穴型半导体内是有剩余空穴的，掺入的杂质提供了剩余空穴。
在P型半导体中，空穴是多数，所以称空穴为多数载流子；电子数目少，就叫少数裁流子。
渗入的杂质能产生空穴接受电子，我们叫这种杂质为受主杂质。
如果把五价元素砷掺入锗晶体中，砷原子中有5个价电于，它和四个锗原子的价电子组成共价键后，留下一个剩余电子，这个剩余电子就在晶体中到处游荡，在外电场作用下形成定向电子流。
掺入少量的砷杂质就会产生大量的剩余电子，所以称这种半导体为电子型半导体或N型半导体。
在这种半导体中有剩余电子，这时电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。
因为砷是施给剩余电子的杂质，所以叫做施主杂质。
如果没有外电场的作用，不论N型或P型半导体，它们的载流子运动是无规则的，因此，不会形成电流。
把一块P型半导休和N型半导体紧密联接在一起时(实际上只能用化学方法将两个原来独立的锗片合在一起)．就会发现一个奇怪的现象，即在它们的两端加上适当的电压时，会产生单向导电观象。
因为这时在它们的交界面上形成了一个所谓P—N结的结构，单向导电现象就发生在这一薄薄的P—N结中。
P—N结是晶体管的基础，它是由扩散形成的。
我们知道，P型半导体内空穴是多数载流子，即空穴的浓度大；而N型半导体内电子是多数载流予，电子的浓度大。
二者接触之后，由于在P型区和N型区内电子浓度不同，N 型区的电子多，就向P型区扩散，扩散的结果如图1—4(b)所示。
N型区薄层I中部分电子扩散到P型区去，薄层I便因失去电于而带正电。
另一方面，P型区的空穴多，也会向空穴浓度小的N型区扩散，结果一部分空穴从薄层I向P(型区扩散，使薄层Ⅱ带负电。
电于和空穴的扩散是同时进行的，总的结果，P型区薄层Ⅱ流走了空灾，流进了电子，所以带负电，而N型区的薄层I流走了电子，流进了空穴，因而带正电，而且随着扩散现象的继续进行，薄层逐渐变厚，所带的电量也逐渐增加。
不过，这种扩散现象不会无休止的进行下去；当扩散进行到一定程度后，薄层Ⅱ带了很多负电，从N型区向P型区扩散的电子总数因电子受到它的排斥不再继续增加；同样道理，从P型区向N型区扩散的空灾总数也不再增加。
于是扩散似乎不再继续，而达到所谓“动态平衡状态”。
这时P—N结也就形成了。
所谓P—N结，就是指薄层I和Ⅱ所构成的带电结构。
因为它能阻止电子和空穴的继续扩散，所以也叫阻挡层。
它们之间的电位差一般称势垒或位垒。
我们用图来阐明P—N结的单向导电性能。
依照图示方法，将P型区接电池正极，N型区接负极。
向右调动电位器，使加到P—N结构端的电压逐颓增高，就会发现：当电压表读数增高时，电流表的读数也随之增大。
此时，P—N结的电阻很小，这种接法叫正向联结。
若反过来，把P型区接电池负极，而N型区接正极，这时我们会发现：把电压增高到几十伏，电流的指示只有几个或几十个微安，此时P—N结的电阻很大，反向电流很快就达到饱和不再增加了。
这说明电流只能沿着一个方向流过P—N结，这个现象就叫做单向导电。
单向导电现象可以这样来解释；因为在P型区接电池正极而N型区接负极时，外加电压的方向刚好和P—N结势垒电压的方向相反，使薄层Ⅱ带的负电量和薄层I带的正电量减少，因此削弱了P—N结的势垒，于是在正电压的作用下，电子和空穴的扩散又可进行，N型区的电子不断跑到P型区，P型区的空穴也不断跑到N型区，正向电流也就产生了。
而且，正向电压加得越高，P—N结势垒削弱得越厉害，扩散也就越容易进行，正向电流也就越大。
当P—N结和电池反向连接时，外加电压起着增强P—N 结势垒的作用，使薄层Ⅱ带的负电荷和薄层I带的正电荷增加，扩散更无法进行。
这时只有P型区的少数教流子一电子和N 型区的少数我流子一空穴，受外加电压作用形成微弱的反向电流。
而少数栽流子的数目不多，所以在反向电压只有零点几伏时，反向电流就达到饱和了。
P—N结还有一个十分重耍的特性，即所谓反向击穿电压。
当所加反向电压大到一定数值时，P—N结电阻会突然变得很小，反向电流会骤然增大，而且是无限地增大。
这种现象叫P—N结的反向击穿。
开始击穿时的电压数值叫反向击穿电压。
它直接限制了P—N结用做整流和检波时的工作电压。
总之，一个简单的P—N结具有单向导电的特性，半导体收音机正是利用这一特性来进行整流和检波的。
半导体二极管就是根据这一原理制成的。
