晶体的电光效应及其应用

晶体的电光效应实验报告晶体的电光效应实验报告引言：晶体是一种具有有序排列的原子、离子或分子的固体物质。

它们在光学、电子学和通信等领域中具有重要的应用。

本实验旨在探究晶体的电光效应，通过实验观察和数据分析，深入了解晶体在电场作用下的光学行为。

实验装置和步骤：实验装置包括：晶体样品、光源、电源、电极、偏振片等。

实验步骤如下：首先，将晶体样品放置在实验台上，并连接电源和电极；然后，使用光源照射晶体样品，并通过偏振片调节光的偏振方向；最后，记录观察到的光学现象，并根据实验数据进行分析和解释。

实验结果：在实验过程中，我们观察到了晶体的电光效应。

当电场施加到晶体上时，晶体的折射率发生了变化，导致光线的传播速度发生改变。

这种现象称为克尔效应。

通过调节电场的强度，我们发现晶体的折射率随电场的变化而变化，进一步验证了克尔效应。

此外，我们还观察到了晶体的双折射现象。

在无电场作用下，晶体的折射率相同，光线以相同的速度传播。

然而，在电场的作用下，晶体的折射率变化，光线被分成了两束，分别沿着不同的方向传播。

这种现象称为晶体的双折射现象，也是晶体的电光效应的重要表现形式之一。

数据分析：通过实验测量和数据分析，我们可以得出晶体的电光效应与电场强度之间存在一定的关系。

随着电场强度的增加，晶体的折射率也随之增加。

这种关系可以通过线性拟合得到一条直线，从而可以预测在不同电场强度下晶体的折射率。

此外，我们还可以通过实验数据计算晶体的电光系数。

电光系数是衡量晶体电光效应强弱的指标，它描述了晶体折射率随电场变化的程度。

通过实验测量晶体在不同电场下的折射率，并将其与电场强度进行对比，我们可以计算出晶体的电光系数。

讨论和结论：通过本实验，我们深入了解了晶体的电光效应。

晶体在电场作用下表现出的克尔效应和双折射现象，为我们理解晶体在光学领域的应用提供了重要的实验基础。

此外，我们还发现晶体的电光效应与电场强度之间存在一定的关系，并通过实验数据计算出晶体的电光系数。

研究性实验报告——晶体的电光效应1.
实验目的：
通过实验，学习晶体的电光效应原理，掌握利用光学仪器测量晶体的电光性质的方法，并了解晶体的电光效应在光电技术中的应用。

实验原理：
当晶体被加上一个外部的电场时，它的介电常数会发生变化，从而会改变晶体的折射率。

这种现象被称为晶体的电光效应。

晶体的电光效应可以分为两种类型：平移效应和旋
转效应。

平移效应：当一个光束穿过一个加有电场的单轴晶体时，光束的振动方向会发生平移。

平移角度与电场的强度成正比。

旋转效应：当一个光束穿过一个加有电场的双轴晶体时，光束会因为双折射现象而沿
着不同的路径传播。

这种现象被称为旋转效应。

实验步骤：
1. 实验室管理员指导下，打开光路并将实验装置调整到最佳状态。

2. 将一块单轴晶体放在两根金属极板之间，接上稳压直流电源以施加电场。

3. 在透过晶体的光路中加入一束偏振光，并将光路调整到最佳状态。

使用光度计测
量被散射的光束的光密度与偏振角度之间的关系。

4. 按照同样的方法，使用双轴晶体来研究旋转效应。

5. 根据实验得到的数据，绘制光密度和电场强度之间的关系图，并分析它的形状和
趋势。

实验结果和分析：
从实验数据得到的图形中，我们可以看到光密度和电场强度之间的关系是非线性的，
并且在电场强度为一定值时，光密度会发生一个明显的跳跃现象。

这是因为在这个电场强
度下，晶体的介电常数发生了变化，导致光线发生了反射或折射。

这种现象可以应用于光
电调制器和光电开关等光学器件的设计和制造中。

结论：。

晶体的电光效应与光电调制实验目的：1) 研究铌酸锂晶体的横向电光效应，观察锥光干涉图样，测量半波电压； 2) 学习电光调制的原理和试验方法，掌握调试技能； 3) 了解利用电光调制模拟音频通信的一种实验方法。

实验仪器：1) 晶体电光调制电源 2) 调制器 3) 接收放大器实验原理简述：某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将随着外加电场的变化而变化，这种现象称为光电效应。

晶体外加电场后，如果折射率变化与外加电场的一次方成正比，则称为一次电光效应，如果折射率变化与外加电场的二次方成正比，则称为二次电光效应。

晶体的一次光电效应分为纵向电光效应和横向电光效应 1、 电光调制原理 1) 横向光电调制如图入射光经过起偏器后变为振动方向平行于x 轴的线偏振光，他在晶体感应轴x ’,y’上的投影的振幅和相位均相等，分别设为wt A e x cos 0'= wt A e y cos 0'=用复振幅表示，将位于晶体表面（z=0）的光波表示为A E x =)0(' A E y =)0(' 所以入射光的强度为 22'2'2)0()0(A E E E E I y x i =+=•∝ 当光通过长为l 的电光晶体后，x’,y’两分量之间产生相位差 A l E x =)(' δi y Ae l E -=)('通过检偏器出射的光，是这两个分量在y 轴上的投影之和()1245cos )()('0-=︒=-δδi i y y eA e l E E其对应的输出光强I t 可写为 ()()[]2sin 2*2200δA E E I y y t =•∝由以上可知光强透过率为2sin 2δ==i t I I T 相位差的表达式 ()dlVr n l n ny x 2230''22λπλπδ=-=当相位差为π时 ⎪⎭⎫ ⎝⎛=l d r n V n 22302λ由以上各式可将透过率改写为 ()wt V V V V VT m sin 2sin 2sin 022+==ππππ可以看出改变V0或Vm ，输出特性将相应变化。

晶体的电光效应介质因电场作用而引起折射率变化的现象称为电光效应，介质折射率和电场的关系可表示为：+++=20bE aE n n (1)式中n 0是没有外加电场（E =0）时的折射率，a 和b 是常数，其中电场一次项引起的变化称为线性电光效应，由Pokels 于1893年发现，故也称为Pokels 效应；由电场的二次项引起的变化称为二次电光效应，由Kerr 在1875年发现，也称Kerr 效应，在无对称中心晶体中，一次效应比二次效应显著得多，所以通常讨论线性效应。

尽管电场引起折射率的变化很小，但可用干涉等方法精确地显示和测定，而且它有很短的响应时间，所以利用电光效应制成的电光器件在激光通信、激光测距、激光显示、高速摄影、信息处理等许多方面具有广泛的应用。

[实验目的]研究铌酸锂晶体的横向电光效应，观察锥光干涉图样，测量半波电压；学习电光调制的原理和实验方法，掌握调试技能；了解利用电光调制模拟音频光通信的一种实验方法；[实验原理]1． 晶体的电光效应 按光的电磁理论，光在介质中传播的速度为210)(−==µεn c c ，ε为介电系数，是对称的二阶张量，即ji ij εε=，由此建立的D 和E 的关系为：j j i i E D ε= （3,2,1,=j i ) (2)即： 333232131332322212323132121111E E E D E E E D E E E D εεεεεεεεε++=++=++=在各向同性的介质中，εεεε===332211，D 和E 成简单的线性关系，光在这类介质中以某一确定速度传播；但在各向异性的介质中，一般情况下各方向的折射率却不再相同，所以各偏振态的光传播速度也不同，将呈现双折射现象。

如果光在晶体中沿某方向传播时，各个方向的偏振光折射率都相等，则该方向称为晶体的光轴。

若晶体只含有一个这样的方向，则称为单轴晶体。

通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。

晶体电光效应实验报告晶体电光效应实验报告引言：晶体电光效应是指在外加电场作用下，晶体表面发生光学现象的现象。

这一现象在光电子学和光通信领域有着重要的应用，因此对其进行深入研究和实验探究是非常有意义的。

本实验旨在通过实际操作，观察晶体在电场下的光学变化，进一步了解晶体的电光性质。

实验材料和方法：实验所用材料为一块具有晶体结构的透明晶体样品，实验仪器包括电源、电压表、光源和光强测量仪。

实验步骤如下：1. 将晶体样品放置在实验台上，并确保其表面光洁无划痕。

2. 将电源与电压表连接，调节电源输出电压，并记录下不同电压下的数值。

3. 将光源对准晶体样品，调节光源亮度，并记录下不同亮度下的数值。

4. 使用光强测量仪测量不同电压和亮度下的光强，并记录下相应的数值。

实验结果和分析：根据实验数据，我们可以得到晶体在不同电场下的光学变化。

随着电场的增加，晶体的透光性会发生变化，即光强会有所改变。

通过观察实验数据，我们可以发现晶体的光强与电压呈现一定的关联性。

当电压较小时，光强基本保持不变；但当电压达到一定数值后，光强会出现明显的变化。

这说明晶体在电场作用下，会发生电光效应。

进一步分析实验结果，我们可以得出晶体电光效应的几个特点。

首先，晶体的电光效应是非线性的，即光强与电压之间的关系不是简单的比例关系。

其次，晶体的电光效应是可逆的，即当电压减小时，光强会恢复到初始状态。

这说明晶体的电光效应是与电场的存在和强度密切相关的。

晶体电光效应的机理可以通过晶体的结构来解释。

晶体是由离子或分子组成的有序排列的固体，其内部存在着电荷分布的不均匀性。

当外加电场作用于晶体时，电场会使晶体内部的电荷分布发生变化，从而导致晶体的光学性质发生变化。

具体来说，电场会引起晶体内部的电荷重新排列，导致晶体的折射率发生变化，从而影响光的传播和透射。

这就是晶体电光效应的基本机理。

结论：通过本次实验，我们观察到了晶体在电场作用下的光学变化，进一步了解了晶体的电光性质。

电光效应及其应用摘要：电光晶体在外加电场中，随电场强度变化改变折射率的现象称为电光效应。

利用电光效应进行的调制称为电光调制。

关键词：电光效应、电光调制、电致折射率变化1.电光效应某些晶体（固体或液体）在外加电场中，随着电场强度E 的改变，晶体的折射率会发生改变，这种现象称为电光效应。

通常将电场引起的折射率的变化用下式表示:+++=2000bE aE n n （1）式中a 和b 为常数，0n 为00=E 时的折射率。

由一次项0aE 引起折射率变化的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔电光效应（pokells ）；由二次项引起折射率变化的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应（kerr ）。

一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。

光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。

通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系，在主轴坐标中，折射率椭球方程为1232222212=++n z n y n x （2） 式中1n ，2n ,3n 为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。

如图一所示，从折射率椭球的坐标原点O 出发，向任意方向作一直线OP ，令其代表光波的传播方向k 。

然后，通过O 垂直OP 作椭圆球的中心截面，该截面是一个椭圆，其长短半轴的长度OA 和OB 分别等于波法线沿OP ，电位移矢量振动方向分别与OA 和OB 平行的两个线偏振光的折射率n ′和n ′′。

显然k ，OA ，OB 三者互相垂直，如果光波的传播方向k 平行于x 轴，则两个线偏光波的折射率等于2n 和3n 。

同样当k 平行于y 轴和z 轴时，相应的光波折射率亦可知。

当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为1222212213223233222222112=+++++n xy n xz n yz n z n y n x （3） 只考虑一次电光效应，上式与式（2）相应项的系数之差和电场强度的一次方成正比。

1 晶体的电光效应因为晶体折射率的各向异性与组成晶体的原子或分子的排列方式及相互作用的特点有关，因此，外界作用可以改变他们的排列方式（例如压力下的形变）或相互作用的状况（例如电场使原子极化），导致晶体光学性质产生相应的变化。

人工双折射就是指光学介质受到人为施加的外力或外场作用而产生的偏振和双折射现象。

人工双折射可以根据人们的意愿加以控制。

例如将一块受到电场作用的晶体放在两块偏振器之间，人们就可以通过改变电场的大小或方向而有效的控制出射光束的强度、方向和偏振态等，达到电光调制、偏转、调Q 等目的。

1.1 电光效应基本原理在各向异性晶体中，介电常数是随作用在介质上的电场强度而变化的，尤其在强场作用下这种变化就更加明显，光波在其中的传播规律也要改变。

对于无对称中心的晶体，外加电场沿一个主轴方向作用于晶体上，感生电位移矢量D 和外加电场E 的方向一致，大小关系可表示为：以D(E)曲线的切线斜率定义介电常数，上式可写为：显然，折射率随外加电场而变化（如下图）。

我们把介质由于外加电场作用而引起的折射率变化的现象称为电光效应。

为了定量的描述电场引起的折射率变化，上式写为:利用公式())0x (11→+≈+当mx x m，上式可简化为： 令：,2/3,/00n b n a βα== 则有电场引起折射率变化为：此外，不仅电场能够引起介质折射率变化，而且外力也能引起介质的折射率变化。

沿晶体主轴方向作用单向压力，参照上述分析方法，折射率因应力而产生的变化，可表示为：其中σ表示应力。

由于应力产生的折射率变化成为弹光效应。

当介质上作用一外电场时，除了由于介电常数的变化引起折射率的变化外，电场还通过反压电效应作用，使介质产生应变，这种应变通过弹光效应引起折射率变化。

为了区别这两种折射率变化，我们把由外加电场通过介电常数引起的折射率变化称为初级电光效应，而把由外加电场通过反压电效应引起的折射率变化称为次级电光效应。

因此，外加电场对介质所产生的折射率变化为两种效应之和：任意方向外加电场对于晶体折射率的影响，可以用折射率椭球的改变来描述。

3-6 晶体的电光效应及其应用实验目的和要求：了解熟悉晶体的电光效应；理解晶体光学和物理光学中的相关知识；学会激光实验中光路的调节和光学现象的观察；学会调节晶体的光轴；学会电光晶体半波电压的多种测量方法。

教学内容：1．KD*P晶体一次电光效应的观察和测量；测出KD*P晶体的半波电压和电光系数。

2．将电光晶体作为相位补偿器，测出云母片双折射样品的微小相位差和折射率差。

实验过程中可能涉及的问题(有的问题可用于检查学生的预习情况，有的可放在实验室说明牌上作提示，有的可在实验过程中予以引导，有的可安排为报告中要回答的问题，有的可作为进一步探索的问题。

不同的学生可有不同的要求。

)什么是电光效应？晶体的光学性质如何受晶体对称性的影响？电光晶体各主轴的定义，性质和调节意义是什么？一次电光效应为什么只存在于没有对称中心的晶体中？电光调制器的构成和作用是什么? 用补偿法测样品相位差的原理是什么，如何实现?在KD*P晶体的纵向电光效应中，外加电场如何改变晶体的折射率？半波电压如何定义？实验中采用三种方法测量晶体的半波电压，各有什么特点？半波电压测量中零点漂移产生的原因是什么？此实验中晶体的半波电压受温度影响，测量中应记录温度的变化，有什么方法可以减小温度的影响，制造出稳定的电光调制器？你可以想到利用电光效应于哪些方面？实验装置：He-Ne 激光器的工作和输出光特性，电光调制器的构成，高压电源和电压调节器的使用，电光调值器输出光强的几种探测方式。

强调使用高压和激光要注意安全！实验的主要内容和问题1．调节KD*P晶体的光轴z轴与激光的传播方向一致。

（为什么要作此调节？如何判断？此光学现象的物理内容是什么？）2．判断并调节电光调制器中两个偏振片的通光方向分别与电光晶体的主轴x, y 平行，同时估测晶体的半波电压。

（晶体上加半波电压，起偏片和检偏片互相成什么角度时，电光调制器的输出光强最弱？）3．测量电光调制器的输出光强随晶体外加直流电压的变化曲线。

电光效应的原理及应用概述电光效应是指在某些物质中由于电场的作用而引发的光学现象。

这种现象最早是由法国物理学家亨利·贝克勒尔于1888年发现的，他观察到在一些晶体中，当施加电场时，晶体会发出光线。

电光效应在科学和工程领域中有着广泛的应用，特别是在光电信息技术和光电器件中。

原理电光效应的原理基于晶体的电光效应，晶体是一类特殊的材料，具有非线性光学特性。

当施加电场时，晶体中的正负电荷分布会发生变化，从而使晶体的光学性质也发生改变。

具体来说，电光效应的原理可以通过以下几个方面来解释：1.库仑效应：库仑效应是电光效应的基础，它描述了电场对晶体中电子和离子的相互作用。

根据库仑效应，电场会使晶体中的正负电荷发生位移，从而产生极化效应。

2.变折射率效应：电场的作用会影响晶体的折射率，即光线在晶体中传播时的方向和速度。

当施加电场时，晶体的折射率会发生变化，从而使光线的传播方向产生偏转。

3.双折射效应：某些晶体在电场作用下会表现出双折射现象，即光线在晶体中会分裂成两束，并且传播方向发生变化。

这种双折射效应可以用来制造波片和光电器件。

应用电光效应在光电信息技术和光电器件中有着广泛的应用，以下列举一些常见的应用：1.电光调制器：电光调制器是一种利用电光效应来调制光信号的器件。

它可以根据施加的电场强弱来调节光的强度和相位，从而实现光信号的调制和控制。

2.晶体光学器件：电光效应可以用来制造各种各样的晶体光学器件，如波片、光栅、光纤光开关等。

这些器件在光通信、光谱分析等领域中有重要的应用。

3.光学传感器：利用电光效应可以制作各种光学传感器，用于检测和测量光信号的强度、相位和频率等。

光学传感器广泛应用于环境监测、生物医学、工业检测等领域。

4.光电调制器：电光效应可以用来制造光电调制器，用于将电信号转换成光信号，或将光信号转换成电信号。

光电调制器在光通信和光电信号处理中发挥着重要的作用。

5.光存储器件：电光效应可以用来制造光存储器件，用于存储和读取光信息。

实验七晶体的电光效应及其应用——用相位补偿法测量双折射晶体的微小相位差物理学院物理系00004037 贾宏博1 实验目的1.1 研究KD*P晶体的一次电光效应，用光强极小、光强极大和调制法三种方法测定一组KD*P晶体的半波电压。

1.2 用相位补偿法测量双折射云母样品的相位差和折射率差。

2 实验原理2.1 磷酸二氘钾（KD*P）类型晶体的纵向电光效应。

KD*P晶体为负单轴晶体，如图7-1。

它的折射率椭球为旋转椭球，如（7-1）式图7-1 图7-2122222=++eonznyx（7-1）在KD*P晶体的光轴z方向加上电场后，（7-1）式变为126322222=+++xyErnznyxzeo（7-2）经过坐标变换⎪⎩⎪⎨⎧=+=-='45cos'45sin'45sin'45cos'zzyxyyxx（7-2）式转化为1'''2'22'22'2=++z y x n z n y n x ，其中⎪⎩⎪⎨⎧=-=+=--ez z o o y z o o x n n E r n n n E r n n n '2/1632'2/1632')1()1( （7-3）通常1632<<z o E r n ，则（7-3）式化为⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎨⎧=+=-=e z zo oy z o ox n n E r n n n E r n n n '633'633'22 （7-4）从图7-2中可以看出在加了电场后折射率椭球的变化。

折射率椭球的x-y 截面变成了椭圆，且长、短轴变成了'x 、'y 轴，并且与x 、y 轴夹角45。

'x 、'y 轴称为感应轴。

当线偏光在KD*P 晶体中沿着z 轴方向传播时，'x 、'y 方向的偏振光的折射率不一样，经过长度为L 的晶体后，产生的相位差为D o z o x y V r n LE r n L n n 633633''22)(2λπλπλπφ==-=（7-5）其中L E V z D =，即加在晶体两端的电压。

晶体电光效应知乎晶体电光效应是指当光线通过晶体时，晶体会发生光的偏振转换或光的折射现象。

这是因为晶体具有非线性光学特性，即光的电场强度和光的偏振态之间存在着非线性关系。

晶体电光效应在光通信、激光技术、光电子学等领域有着重要的应用。

通过控制光的偏振态和光的传播方向，可以实现光信号的调制、光的放大、光的传输等功能。

晶体电光效应的基本原理是晶体中的光子与晶格中的电子相互作用，导致光的偏振转换或光的折射现象。

晶体的晶格结构决定了光子与晶格中的电子之间的相互作用方式，从而影响光的传播特性。

晶体的晶格结构可以分为立方晶系、四方晶系、六方晶系等多种类型。

不同类型的晶体具有不同的光学性质和电光效应。

例如，某些晶体在外加电场的作用下会发生光的偏振转换，这种现象被称为电光效应。

晶体电光效应的具体机制可以通过非线性光学理论来解释。

非线性光学理论指的是光与物质相互作用时，光的电场强度和物质的响应之间存在非线性关系。

通过非线性光学效应，可以实现光的调制、光的放大和光的传输等功能。

晶体电光效应的应用非常广泛。

在光通信中，晶体电光效应可以用于光的调制，实现光信号的传输和接收。

在激光技术中，晶体电光效应可以用于激光器的调谐和频率转换。

在光电子学中，晶体电光效应可以用于光电探测器的增益和灵敏度的提高。

除了晶体电光效应，还有其他光学效应也具有重要的应用价值。

例如，光电效应、拉曼散射等都是光学中的重要现象。

通过研究和应用这些光学效应，可以实现光的调控和信息的传输。

晶体电光效应是指当光线通过晶体时，晶体会发生光的偏振转换或光的折射现象。

这是由于晶体具有非线性光学特性所致。

晶体电光效应在光通信、激光技术和光电子学等领域有着重要的应用。

通过控制光的偏振态和光的传播方向，可以实现光信号的调制、光的放大和光的传输等功能。

晶体电光效应知乎晶体电光效应是指晶体在电场的作用下发生的光学现象。

它是一种重要的光电效应，可以通过调控晶体的电场来改变光的传播状态和光学性质。

晶体电光效应在光通信、光学传感、光学调制等领域具有广泛应用。

晶体电光效应的基本原理是晶体中的正负电荷在电场的作用下发生位移，导致晶体内部发生畸变。

这种畸变会改变晶体的光学性质，使光的传播速度和方向发生变化。

晶体电光效应的大小与晶体的结构、光波长、电场强度等因素有关。

晶体电光效应的机制可以分为直接和间接两种。

直接电光效应是指电场直接改变晶体的介电常数，从而改变光的传播速度。

间接电光效应是指电场改变晶体的折射率，从而改变光的传播路径。

这两种机制常常同时存在，共同影响晶体的光学性质。

晶体电光效应的应用非常广泛。

在光通信领域，晶体电光效应可以用于光调制器，实现光信号的调制和解调。

光调制器是光纤通信系统中的重要组件，它可以将电信号转换为光信号，实现光纤之间的高速传输。

晶体电光效应的调制速度快、带宽宽，非常适合用于光调制器。

在光学传感领域，晶体电光效应可以用于制造光电调制器，实现对光信号的调制和控制。

光电调制器可以将光信号转换为电信号，并对其进行调制和控制。

晶体电光效应的灵敏度高、响应速度快，非常适合用于光电调制器的制造。

晶体电光效应还可以用于制造光学开关和光学存储器。

光学开关是一种可以控制光信号开关状态的器件，可以实现光信号的路由和切换。

晶体电光效应的快速响应和高灵敏度使得光学开关具有很高的性能。

光学存储器是一种可以存储和读取光信号的器件，可以实现光信号的存储和检索。

晶体电光效应可以用来控制光信号的写入和读取过程，实现光学存储器的功能。

晶体电光效应还可以用于制造光学干涉仪和光学调制器。

光学干涉仪是一种利用光的干涉现象来测量物体形状和表面质量的仪器。

晶体电光效应可以用来控制光的相位和幅度，从而实现对光学干涉仪的精确控制。

光学调制器是一种可以调制光信号的器件，可以实现光信号的调制和控制。

光电子学中的电光效应及其应用随着科技的不断发展，光电子学的研究也越来越深入。

光电子学是关于光与电子的相互作用的研究，而电光效应就是其中一项关键内容。

一、什么是电光效应电光效应是指在某些晶体物质中，当电场作用在其表面或内部时，会使一些电子受激发而跃迁到更高的能级，从而产生偏极化现象，使该物质的折射率发生变化。

这个现象也叫作“电光 Kerr 效应”。

电光 Kerr 效应可以分为线性和非线性两种：线性 Kerr 效应是指电场之间的响应是线性的，而非线性 Kerr 效应则发生在高强度电场下，其响应是非线性的。

二、电光效应的应用1. 激光通信激光通信中，光脉冲需要在通信线路中传输，因此需要解决光速度受到介质折射率影响的问题。

利用电光 Kerr 效应可实现光速控制和光相位调制，从而减轻传输过程中光速的影响。

2. 光存储电光 Kerr 效应也可用于光存储器件中。

制造一种高负度的Kerr 晶体，可用于制造快速、高分辨率的光存储器件。

光子在Kerr 晶体中的传输速度约为真空中的光速的 0.5 倍，可以极大地加快数据传输速度。

3. 光开关利用电光 Kerr 效应，可以制造光开关，即将电信号转换成光信号的器件。

光开关可以用在光纤通信系统中，有效降低光信号的噪声。

同时，其快速、稳定、精确的开合速度使其可以被应用在分子电路中。

4. 高分辨率显微镜电光 Kerr 效应可用于实现高分辨率显微镜。

在传统显微镜中，焦点仅能在轴向上调整，而沿侧向偏移时需要重新聚焦。

利用Kerr 玻璃可制造具有光学性能的非线性透镜，使焦点可以在轴向和侧向上进行控制。

5. 光学计算机电光 Kerr 效应也可用于光学计算机的实现。

传统的计算机需要耗费大量电力进行数据处理，但光学计算机可以在使用光传输信号时避免耗费力量。

利用 Kerr 效应，可以实现光学计算器件，加速数据处理速度。

三、总结电光 Kerr 效应具有广泛的应用前景，在光通信、光存储、光开关、显微镜等领域都有重要的应用。

晶体的电光效应及光波在电光晶体中的传播晶体的电光效应晶体的电光效应是一种人工双折射现象 由于人为施加外力场或电场引起改变晶体内原子的排列方式和分布本质上是改变电子云的分布引起介电系数的改变－进而改变晶体的折射率椭球参数可以人工控制－用于电光调制、电光偏转、调Q等应用领域晶体的电光效应电光效应－晶体在外电场作用下，其光学性质（折射率）的变化。

电磁场在介质中应满足物质关联方程，对光波来说在各向同性晶体中传播时，其电位移矢量D和电场强度E 之间的关联方程为D=ε·E其中ε为晶体的介电常数张量。

晶体的电光效应1、晶体的介电系数随电场强度的变化而变化，是电场强度的函数•我们在波动光学中利用的公式是弱电场近似公式•在外加强电场条件下，介电系数（折射率）随电场强度发生变化•由于折射率变化，光波传输规律也发生变化，我们可以通过研究电场对晶体介电系数的影响，研究电场对光波传输的影响2、介电系数与电场强度之间不是简单的线性关系外加电场与介电系数之间的关系晶体的介电系数可以用二阶张量描述；利用晶体电光系数表征晶体介电系数同电场之间的关联； 晶体电光系数可以表征为－三阶张量三阶张量只存在于没有对称中心的晶体中， 所以只有无对称中心的晶体才有电光效应(,,1,2,3)ij ijk k C D A i j k ==(,,1,2,3)ij ijk k B E i j k γ==外加电场与介电系数之间的关系取无对称中心晶体作为研究对象为了研究方便，我们取外加电场沿晶体的主轴方向，这时电位移矢量同电场强度方向一致。

通过测量表明电位移矢量同电场强度之间满足下列线性关系023...D E aE E εβ=+++0ε为线性介电系数任意方向的外加电场引起的折射率变化 上面给出了沿晶体主轴施加外加电场引起折射率变化的情况；对于任意方向电场我们可以通过下面方式处理：1、研究电场对晶体主轴折射率的影响进而获得新的折射率椭球方程（很复杂）2、直接考虑电场对折射率椭球的影响线性电光系数与外加频率之间关系晶体在外加电场作用下发生受迫振动； 当外加电场频率与晶体自身固有频率相同时，振动幅度最大发生共振。