铒镱共掺钆镓石榴石激光晶体生长及荧光光谱分析

第41卷2024 年 3 月应用化学CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY第3期328⁃339Cr 3+掺杂的宽带近红外荧光粉研究进展卢紫微1，2刘永福1* 罗朝华1 孙鹏1 蒋俊1*1（中国科学院宁波材料技术与工程研究所， 宁波 315201）2（宁波大学材料科学与化学工程学院， 宁波 315211）摘要 荧光转换型近红外发光二极管（NIR pc -LED ）具有体积小、谱带宽和峰位易调谐等优点，是新一代NIR 光源发展的前沿，其关键在于研发可被蓝光有效激发的高效率宽带近红外荧光粉。

面向广泛研究的Cr 3+激活近红外发光材料，本文综述了发射峰在800~900 nm 波段材料发展现状。

基于磷酸盐、硼酸盐和硅锗酸盐等体系，阐述了其结构特征与近红外发光峰位、谱带宽度的关系，以及采用工艺优化、组分调节和共掺杂等方法调控近红外发光效率、热稳定性能的效果。

关键词 近红外荧光粉；800~900 nm ；Cr 3+；Yb 3+；磷酸盐；硼酸盐；硅锗酸盐中图分类号：O644 文献标识码：A 文章编号：1000-0518（2024）03-0328-12近红外光谱技术具有无损伤、穿透性好等优点，在无损检测、食品安全、夜视与医疗成像等领域具有广泛应用［1-5］。

近红外光谱技术与便携式智能设备的快速发展对近红外光源提出了器件小型化、光谱宽带化的要求。

传统近红外光源，如白炽灯、卤素灯和近红外激光器，谱带宽、体积大和能耗高。

近红外发光二极管（Near -infrared light -emitting diode ， NIR LED ）体积小、能耗低，但其发光范围窄（＜50 nm ）［6-7］。

为此，研究者们提出荧光转换型（Phosphor -converted ， PC ）近红外发光二极管（NIR pc -LED ）技术方案：在蓝光芯片上涂覆近红外荧光粉实现近红外光发射，其具有体积小、节能环保、谱带宽和寿命长等优点［8-9］。

稀土产业链就像铁、铜、铝一样，稀土也是一种原料。

需要应用时，通常先将各种稀土加工成材料，如稀土永磁材料NdFeB（钕铁硼）、SmCo（钐钴），稀土贮氢材料MM—Ni（混合稀土金属—镍），稀土荧光材料Y2O3：Eu（氧化钇：铕）等等。

然后将稀土材料应用于原器件的制作。

如NdFeB材料作成磁盘驱动器、光盘驱动器、核磁共振仪等，MM—Ni材料制成镍氢电池，荧光材料制成彩电、电脑的荧光屏和显示屏、节能荧光灯等。

最后将原器件用于计算机、彩电、手机、汽车、灯具，等等。

因此，这里就形成了以稀土为原料的产业链：“稀土——新材料——元器件——终端应用”“钕——钕铁硼——硬盘驱动器——PC”“MM——贮氢材料——镍氢电池——电动汽车”“氧化钇、氧化铕——荧光粉——阴极射线管（CTR）——彩电、显示器”…………。

稀土可制成很多种新材料，而这些新材料又广泛应用于各行各业，尤其是电子、信息、通讯、能源、汽车、航空航天等先导型的支柱产业。

为了更方便地了解稀土与各产业之间的关系，以下按产业链的方式叙述。

为了适应各种类型的投资者，拟将产业链分成三个层面来描述：（一）以稀土产品为线索；（二）以各种材料为线索；（三）以终端应用为线索。

（一）产业链之一——以稀土产品为线索1、混合稀土（1）混合稀土氧化物→显示屏幕→各种电视机、计算机、手机、显示仪表等→光掩膜→集成电路（2）混合氯化稀土→石油裂化催化剂→汽油、柴油→汽车、飞机；→熔盐电解→混合稀土金属（MM）→（参见MM部分）；→染色→羊毛（增白、促染）、晴纶（提高上染率）、棉纤（提高皂洗牢度）；→鞣制→皮革（提高得革率）；→原料→分离单一稀土化合物。

（3）混合硝酸稀土→添加剂→稀土微肥等→农、牧、林业→提高作物种子发芽率、促进根系发育、增加叶绿素、提高酶的活性、提高抗逆性等。

（4）混合碳酸稀土→熔盐电解→混合稀土金属；→原料→分离提取→单一稀土化合物。

（5）混合氟化稀土→电弧碳棒芯子→发强光器件→探照灯、电影放映灯。

Ce,Pr∶YLuAG原料合成、晶体生长及LED应用牛雪姣;徐家跃;周鼎;王树贤;张怀金【摘要】采用共沉淀法合成了Ce,Pr∶YLuAG粉末,在1450℃下煅烧可获得石榴石结构纯相.经过压制成型、固相烧结等工艺制备了多晶料棒,TEM显示二次烧结获得的料棒具有良好的结晶性.采用光学浮区法生长了Ce,Pr∶YLuAG晶体.晶体通体透明,呈浅黄色,肩部有少量裂纹.透过率达到81.8％,接近于理论值84.2％.晶体在460 nm波长激发下呈现530 nm发射带和610 nm发射峰,分别对应Ce3+和pr3+的特征发射,表明Ce3+可以向Pr3+进行能量转移;在487 nm激发下晶体仅出现pr3+离子的特征发射峰.Ce,Pr∶YLuAG晶体色坐标为(0.474,0.495),比商用Ce∶YAG荧光粉更靠近红光区域,可以弥补现有荧光粉不足,更适合制造白光LED.【期刊名称】《无机材料学报》【年(卷),期】2015(030)011【总页数】6页(P1183-1188)【关键词】光学浮区法;晶体生长;掺杂;YLuAG晶体【作者】牛雪姣;徐家跃;周鼎;王树贤;张怀金【作者单位】上海应用技术学院材料科学与工程学院,晶体生长研究所,上海201418;上海应用技术学院材料科学与工程学院,晶体生长研究所,上海201418;上海应用技术学院材料科学与工程学院,晶体生长研究所,上海201418;山东大学晶体材料研究所,济南250100;山东大学晶体材料研究所,济南250100【正文语种】中文【中图分类】O799白光发光二极管(LED)以其体积小、固态化、无污染、节能环保等优势正逐步取代节能灯进入照明领域[1-2]。

市场上最常用的白光 LED大多是采用黄色荧光粉Ce:YAG与蓝光芯片耦合制成的,但是存在三个突出问题: 第一,荧光粉涂抹不均匀会造成白光 LED的光色一致性差[3]; 第二,封装胶长时间或在大功率条件下工作容易老化,进而降低LED的使用寿命[4]; 第三,在现有 Ce:YAG黄色荧光粉+蓝光芯片耦合制得的 LED中,由于缺少红光而使LED色温偏低[5]。

17种稀土元素的应用领域稀土的分类1）轻稀土（又称铈组）：镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆。

2）重稀土（又称钇组）：铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钇。

镧（La）【lán】：镧的应用超级普遍，如应用于压电材料、电热材料、热电材料、磁阻材料、发光材料（兰粉）、贮氢材料、光学玻璃、激光材料、各类合金材料等。

她也应用到制备许多有机化工产品的催化剂中，光转换农用薄膜也用到镧，在国外，科学家把镧对作物的作用赋与"超级钙"的美称。

铈（Ce）【shì】：1，铈作为玻璃添加剂，能吸收紫外线与红外线，现已被大量应用于汽车玻璃。

不仅能防紫外线，还可降低车内温度，从而节约空挪用电。

从1997年起，日本汽车玻璃全加入氧化铈，1996年用于汽车玻璃的氧化铈至少有2000吨，美国约1000多吨。

2，目前正将铈应用到汽车尾气净化催化剂中，可有效避免大量汽车废气排到空气中美国在这方面的消费量占稀土总消费量的三分之一强。

3，硫化铈能够取代铅、镉等对环境和人类有害的金属应用到颜料中，可对塑料着色，也可用于涂料、油墨和纸张等行业。

目前领先的是法国罗纳普朗克公司。

4，Ce:LiSAF激光系统是美国研制出来的固体激光器，通过监测色氨酸浓度可用于探查生物武器，还可用于医学。

铈应用领域超级普遍，几乎所有的稀土应用领域中都含有铈。

如抛光粉、储氢材料、热电材料、铈钨电极、陶瓷电容器、压电陶瓷、铈碳化硅磨料、燃料电池原料、汽油催化剂、某些永磁材料、各类合金钢及有色金属等。

镨（Pr）【pǔ】：1，镨被普遍应用于建筑陶瓷和日用陶瓷中，其与陶瓷釉混合制成色釉，也可单独作釉下颜料，制成的颜料呈淡黄色，色调纯正、淡雅。

2，用于制造永磁体。

选用廉价的镨钕金属代替纯钕金属制造永磁材料，其抗氧性能和机械性能明显提高，可加工成各类形状的磁体。

普遍应用于各类电子器件和马达上。

3，用于石油催化裂化。

以镨钕富集物的形式加入Y型沸石分子筛中制备石油裂化催化剂，可提高催化剂的活性、选择性和稳固性。

第52卷第8期2023年8月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.52㊀No.8August,2023Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的光、电特性研究陈绍华1,穆文祥1,张㊀晋1,董旭阳1,李㊀阳1,贾志泰1,2,陶绪堂1(1.山东大学,新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南㊀250100;2.山东工业技术研究院,济南㊀250100)摘要:本文使用导模(EFG)法生长了Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶,并通过粉末X 射线衍射(PXRD)和劳厄衍射(Laue diffraction)分别验证了其晶体结构和晶体质量㊂进一步通过紫外-可见-近红外透过光谱及红外透过光谱研究了Ni 2+掺杂对β-Ga 2O 3光学特性的影响,发现其(100)面的紫外截止边为252.9nm,对应的光学带隙为4.74eV㊂此外,阴极荧光(CL)光谱测试结果显示,Ni 2+掺杂β-Ga 2O 3单晶在600~800nm 具有宽带近红外发光特性,有望拓宽β-Ga 2O 3单晶材料在宽带近红外方面的应用㊂关键词:氧化镓;宽禁带半导体;光电性能;宽带近红外发光;导模法;Ni 掺杂中图分类号:O734;TQ133.5+1㊀㊀文献标志码:A ㊀㊀文章编号:1000-985X (2023)08-1373-05Optical and Electrical Properties of Ni-Doped β-Ga 2O 3Single CrystalCHEN Shaohua 1,MU Wenxiang 1,ZHANG Jin 1,DONG Xuyang 1,LI Yang 1,JIA Zhitai 1,2,TAO Xutang 1(1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Institute of Novel Semiconductors,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Shandong Research Institute of Industrial Technology,Jinan 250100,China)Abstract :Ni-doped β-Ga 2O 3single crystals were grown by edge-defined film-fed growth (EFG)method,and the crystal structure and quality were verified by powder X-ray diffraction (PXRD)and Laue diffraction.The effect of Ni 2+doping on optical properties of β-Ga 2O 3was investigated by UV-Vis-NIR transmission spectra and infrared transmission spectra.It is found that the ultraviolet cut-off edge of (100)plane is 252.9nm and corresponding optical bandgap is 4.74eV.Furthermore,the broadband near-infrared luminescent property of Ni-doped β-Ga 2O 3was discovered by cathodoluminescence (CL)spectroscopy in the range from 600nm to 800nm,which is expected to broaden the application of β-Ga 2O 3crystal in broadband near-infrared.Key words :Ga 2O 3;wide-bandgap semiconductor;optical and electrical property;broadband near-infrared luminescent;EFG method;Ni doping ㊀㊀收稿日期:2023-03-01㊀㊀基金项目:国家自然科学基金(52002219,51932004,61975098);广东省重点领域研发计划(2020B010174002);深圳市基础研究计划(JCYJ20210324132014038);111工程2.0(BP2018013)㊀㊀作者简介:陈绍华(1998 ),男,山东省人,硕士研究生㊂E-mail:1072114408@ ㊀㊀通信作者:穆文祥,博士,副教授㊂E-mail:mwx@ 贾志泰,博士,教授㊂E-mail:z.jia@ 0㊀引㊀㊀言作为超宽禁带半导体材料之一,β-Ga 2O 3具有高达4.8eV 的禁带宽度,且具有优秀的击穿场强和电子传导特性,其巴利加优值可达GaN 的4倍㊁SiC 的6倍,受到了广泛的关注㊂优秀的材料特性使其在深紫外光电器件[1]和大功率㊁高耐压㊁低损耗器件[2]等方面具有广阔的应用前景㊂目前,氧化镓的衬底尺寸不断增大,晶体质量不断提高,基于氧化镓制备的功率器件及光电器件的种类越来越丰富,器件性能越来越好㊂β-Ga 2O 3是氧化镓的几种晶相结构中唯一的热力学稳定相,属于单斜晶系中的C 2/m 空间群,其晶格常数a =1.2214nm,b =0.30371nm,c =0.57981nm,a ㊁c 之间的夹角约为103.83ʎ,每个晶胞包含4个Ga 2O 3,氧离子围成四面体和八面体,镓离子位于其中㊂目前,较为主流的生长方式有焰熔法(Verneuil method)㊁光1374㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第52卷学浮区(optical floating zone,OFZ)法㊁导模(edge-defined film-fed growth,EFG)法㊁垂直布里奇曼(verticalBridgman,VB)法㊁提拉(Czochralski,CZ)法,每个方法都具有自己独特的生长优势㊂导模法可以生长大尺寸㊁高质量的掺杂晶体,目前最大尺寸已经达到6英寸(1英寸=2.54cm)㊂Cr㊁Mn㊁Fe㊁Ni等过渡族金属离子具有丰富的光学性质,被科研工作者大量研究㊂Galazka等[3]发现Cr3+的掺入使β-Ga2O3在290㊁428㊁600nm处出现了3个吸收带,而且其吸收强度随Cr3+掺量的增多而增大;Mu 等[4]发现Ti4+掺杂的β-Ga2O3单晶具有很长的室温荧光寿命;Li等[5]通过对β-Ga2O3单晶掺杂V5+并退火,发现其在2.5eV附近出现超宽的绿光发射波段㊂Ni2+位于卤化物及氧化物的八面体晶格中时,会表现出多激发态参与跃迁过程,并且伴随着上转换发光过程㊂目前已有大量的材料因为Ni2+的掺杂出现了明显的发光带,如Ni2+ʒSLN㊁Ni2+ʒMgGa2O4㊁Ni2+ʒZnSiO3等[6-8]㊂但关于β-Ga2O3的Ni2+掺杂研究工作较少,且主要集中在第一性原理和电学研究[9-10]㊂Ni2+掺杂β-Ga2O3单晶可能具备丰富的光电磁特性,值得深入研究㊂本文使用EFG法生长了Ni掺杂β-Ga2O3单晶,并通过粉末X射线衍射图谱和劳厄衍射图样证明了其良好的晶体结构和结晶质量㊂重点研究了Ni2+的掺入对β-Ga2O3单晶的光学㊁电学特性的影响,通过阴极荧光(CL)光谱首次发现了其宽带近红外发光特性㊂1㊀实㊀㊀验1.1㊀单晶生长本实验使用自主设计的导模炉,加热方式为感应加热,由贵金属铱金构成的坩埚作为感应加热的加热体,并将保温材料放置于加热体及线圈中间㊂坩埚尺寸为ϕ60mmˑ60mm,模具截面尺寸为25mmˑ4mm㊂晶体主面为(100)面,生长方向为<010>㊂本实验的气氛为1%O2㊁70%CO2和29%N2(体积分数),压强为1atm㊂晶体生长使用的原料为5N(99.999%)级Ga2O3及4N(99.99%)级的NiO,通过混料机混合60h,待混料均匀后通过模具压制成型㊂将Ga2O3原料放入铱金坩埚中,以300ħ/h的升温速度使原料升温熔化,其熔体由于毛细作用而上升并在模具表面铺开㊂将功率调整合适后稳定2~3h,将<010>方向的高质量β-Ga2O3籽晶缓慢下降至接触模具表面㊂稳定10~15min后,开始提拉,晶体生长进入收颈阶段㊂收颈5~7mm后,调整拉速和功率,进入放肩阶段㊂待晶体铺满整个模具表面时,此时放肩完成,进入等径生长阶段㊂待等径生长到预期的长度后,调高拉速,提脱晶体,并以100ħ/h的速度缓慢降温,直至整个晶体生长过程结束㊂1.2㊀样品测试使用XᶄPert3Powder&XRK-90原位X射线衍射仪对晶体结构进行粉末X射线衍射(PXRD)测试㊂紫外-可见-近红外(ultraviolet-visible-near-infrared,UV-Vis-NIR)透过光谱使用PermkinElmer公司生产的Lambda950型紫外-可见-近红外分光光度计进行测试㊂测试的波长范围为200~1000nm㊂红外透过光谱使用英国PerkinElmer公司生产的Spectrum100FT-IR光谱仪进行测试㊂测试的波长范围为1250~25000nm㊂使用LC-06劳厄衍射仪进行劳厄衍射测试㊂使用FEI Talos C350光谱仪进行CL光谱测试㊂测试的波长范围为200~800nm㊂使用X SERIES2型电感耦合等离子体质谱仪及710型电感耦合等离子体发射光谱仪进行电感耦合等离子体(inductive coupled plasma,ICP)测试,获得了杂质浓度㊂2㊀结果与讨论2.1㊀物相分析与晶体质量测试通过EFG法生长所获得的Ni掺杂β-Ga2O3晶体样品如图1(a)所示,晶体整体呈黄褐色㊂由表1的ICP测试结果可知,Ni2+实际掺入浓度为0.00645%(质量分数),在β-Ga2O3晶体中的元素浓度为3.04ˑ1018cm-3,掺杂颜色较为均匀㊂对β-Ga2O3晶体进行了PXRD测试,并根据图谱进行晶型鉴定,将所有尖锐的衍射峰的位置与标准β-Ga2O3晶体JCPDS卡(编号41-1103)进行对比㊂测试结果表明,所生长晶体均为β相,无其他杂相存在㊂㊀第8期陈绍华等:Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的光㊁电特性研究1375㊀对晶体进行了劳厄衍射测试,结果如图2所示㊂β-Ga 2O 3单晶(100)面的劳厄图样斑点具有较高的清晰度,且沿着测试中心呈现较好的对称性,图2(a)㊁(b)不同位置的劳厄衍射结果具有很高的相似度,证明所生长的晶体具备较高的晶体质量㊂而且劳厄衍射斑点无重影现象出现,证明晶体的单晶性较好,内部无多晶存在㊂表1㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的ICP 测试结果Table 1㊀ICP test result of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystalElement In Cu Fe Al Pb Sn Zn Ni Cd Mg Ti Mass fraction /(10-4%)0.50.12.76.40.10.10.764.50.10.10.1Element Sb Ca Si Zr Co Cr K Mn B Bi Mass fraction /(10-4%)0.1 3.711.1 4.80.10.10.50.10.50.1图1㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶生长状态㊂(a)晶体图片;(b)PXRD 图谱Fig.1㊀Growth state of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystal.(a)Picture of crystal;(b)PXRD pattern 图2㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶(100)面不同位置的劳厄衍射图样Fig.2㊀Laue diffraction patterns of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystal (100)plane at different locations 2.2㊀光电性能室温下0.5mm 厚度的Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的紫外-可见-近红外透过光谱如图3(a)所示,其紫外截止边为252.9nm㊂如图3(b)所示,由公式(αhν)1/m =A (hν-E g )可以求得Ni 掺杂晶体的光学带隙为4.74eV,其中:α是由光谱学测得的吸收系数,m 的值是1/2,h 是普朗克常数,ν是入射光子的频率,hν是光子能量,A 是常数,E g 是光学带隙㊂本征Ga 2O 3光学带隙约为4.76eV [11],Ni 掺杂后带隙变化较小,超宽禁带特性没有发生改变,且紫外截止边仍处于200~280nm 的日盲波段㊂如图4所示,Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶在红外及近红外波段都保持较高的透过率㊂当Ga 2O 3因为掺杂等原因具有较高的载流子浓度时,其近红外波段会产生强烈的光吸收,表现为该波段透过率明显下降[12]㊂非故意掺杂及半绝缘β-Ga 2O 3单晶红外及近红外波段透过率均在80%左右,而在载流子浓度为1ˑ1019cm -3时,近红外波段的透过率最高点仅约60%[13]㊂通过该现象可以推测Ni 2+的引入并没有赋予β-Ga 2O 3导电特性,晶体为半绝缘,而且载流子浓度的提高使得红外截止边有明显的下降㊂在非故意掺杂晶体中,红外截止边约1376㊀研究论文人工晶体学报㊀㊀㊀㊀㊀㊀第52卷为11μm,而在载流子浓度为2.25ˑ1018cm -3时,红外截止边会降低至4μm 左右[11]㊂Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的红外截止边大于11μm,推测Ni 2+为深能级受主,捕获了部分自由电子[10]㊂图3㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的紫外-可见光谱结果㊂(a)透过光谱;(b)(αhν)2和hν的Tauc 图Fig.3㊀Results of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystal UV-Vis spectrum.(a)Transmission spectrum;(b)Tauc plot of (αhν)2versusuhν图4㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的红外透过光谱Fig.4㊀Infrared transmission spectrum of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystal 对Ni 掺杂β-Ga 2O 3晶体进行CL 光谱测试,结果如图5所示㊂从图5(a)中可以看出,晶体在240~600nm 的最大峰强位于367.9nm 处,该峰在未掺杂β-Ga 2O 3单晶中同样可以测得[14]㊂从图5(b)中可以看出,在560~800nm 出现了明显的峰,最大峰强出现在695.1nm 处㊂此峰的出现可能是因为Ni 2+具有3d 8的电子构型,作为发光材料的激活剂,进入了β-Ga 2O 3的八面体晶格位点中,取代Ga 3+㊂而Ni 2+一般具有700~800nm 的近红外波段发光是由1T 2g (1S)ң3T 2g (3F)跃迁引起[15]㊂Ni 2+掺杂使得β-Ga 2O 3晶体出现了695.1nm 处的发射峰,使其具有了一定宽带近红外发光特性,为β-Ga 2O 3晶体提供了用于宽带近红外发光器件领域的可能性㊂而且当晶格场不同时,3T 2g ㊁3T 1g ㊁1E g 等能级都会产生一定的蓝移,会明显影响到宽带发射的发射峰峰位,因此Ni 2+还具有红绿光波段范围内波长可调的优点[15]㊂图5㊀Ni 掺杂β-Ga 2O 3单晶的CL 光谱测试结果㊂(a)紫外-可见波段;(b)可见-近红外波段Fig.5㊀CL spectroscopy results of Ni-doped β-Ga 2O 3single crystal.(a)UV-Vis band;(b)Vis-NIR band㊀第8期陈绍华等:Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光㊁电特性研究1377㊀3㊀结㊀㊀论本文使用导模法生长了高质量Ni掺杂β-Ga2O3单晶㊂XRD图谱及劳厄衍射图样显示,晶体的结晶质量较高,晶体结构未因为掺杂发生改变㊂晶体的近红外波段未见明显的光吸收,具有半绝缘的电学性能,其光学带隙约为4.74eV,紫外截止边仍在日盲波段内,作为半绝缘衬底可用于制备高温㊁高压㊁大功率器件㊂本研究通过CL光谱发现了Ni掺杂β-Ga2O3单晶在600~800nm波段的宽带近红外发光特性,表明其在宽带近红外领域具有较高的应用前景,为β-Ga2O3器件的丰富化和快速发展提供了参考㊂参考文献[1]㊀NAKAGOMI S,MOMO 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作者：天马行空一个常用的比喻是，如果说石油是工业的血液，那稀土就是工业的维生素。

稀土是一组金属的简称，稀土元素（Rare Earth Elements，REE）从18世纪末叶开始陆续被发现，共有17种，包括化学元素周期表中的15种镧系元素——镧（La）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钷（Pm）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、铽（Tb）、镝（Dy）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）、镱（Yb）、镥（Lu），以及与镧系元素密切相关的两个元素钪（Sc）和钇（Y），目前已被广泛应用于电子、石化、冶金等众多领域。

几乎每隔3-5年，科学家们就能够发现稀土的新用途，每六项发明中，就有一项离不开稀土。

中国稀土矿藏丰富，雄踞着三个世界第一：资源储量第一，占23%左右；产量第一，占世界稀土商品量的80%至90%；销售量第一，60%至70%的稀土产品出口到国外。

同时，中国还是唯一一个能够提供全部17种稀土金属的国家，特别是军事用途极其突出的中重稀土，中国占有的份额让人艳羡。

稀土是宝贵的战略资源，有“工业味精”“新材料之母”之称，广泛应用于尖端科技领域和军工领域。

据工业和信息化部介绍，目前稀土永磁、发光、储氢、催化等功能材料已是先进装备制造业、新能源、新兴产业等高新技术产业不可缺少的原材料，还广泛应用于电子、石油化工、冶金、机械、新能源、轻工、环境保护、农业等。

早在1983年，日本就出台了稀有矿产战略储备制度，其国内83%的稀土来自中国。

再看美国，它的稀土储量仅次于中国，但是他的稀土都是轻稀土，稀土分为重稀土和轻稀土，重稀土是很贵重的，轻稀土开采起来很不合算，被业内人士成为假稀土，美国稀土进口量的80%来自中国。

邓小平同志曾说：“中东有石油，中国有稀土。

”其话语的弦外之音不言而喻。

稀土不但是世界上1/5高科技产品必备的“味精”，更是未来中国在世界谈判桌上的一张强有力的底牌筹码。

保护并科学利用好稀土资源，不让宝贵的稀土资源盲目贱卖出口西方国家，成为近年来诸多仁人志士呼吁的一项国家战略。

文章编号：2096-3424（2021）01-0008-08DOI：10.3969/j.issn.2096-3424.21017掺镱钨酸锶晶体的生长及其性能表征朱孟辉， 路大治， 梁　飞， 张怀金（山东大学 晶体材料国家重点实验室，济南 250100）摘　要：镱离子掺杂晶体材料是一类优秀的固体激光增益介质，已获得广泛应用。

使用提拉法生长了不同镱离子掺杂浓度的钨酸锶（Yb∶SrWO4）晶体，通过X射线粉末衍射仪测定了其单晶结构，对粉末衍射数据精修得到了其晶胞参数。

使用X射线荧光光谱法测定了晶体中镱离子的实际掺杂浓度，结果表明Yb∶SrWO4晶体中Yb3+离子存在掺杂上限，随着Yb3+离子掺杂浓度增加，晶体中主要的电荷补偿机制变为基质阳离子空位。

同时，Yb∶SrWO4晶体的比热、热膨胀系数、热导率与纯钨酸锶（SrWO4）晶体相比无明显变化，在钨酸盐系列晶体中热学性能优良。

上述结果表明Yb∶SrWO4晶体是一种具有一定应用潜力的固体激光增益介质。

关键词：掺镱钨酸锶晶体；晶体生长；电荷补偿；热学性质中图分类号：O782+.6 文献标志码：AGrowth and Properties of Yb3+-Doped Strontium Tungstate CrystalZHU Menghui， LU Dazhi， LIANG Fei， ZHANG Huaijin（State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China）Abstract：Ytterbium doped crystal is a kind of excellent solid-state laser gain medium, which has been widely used. In this work, Yb∶SrWO4 crystals with different doping concentrations were grown by Czochralski method. The crystal structure was characterized by X-ray powder diffraction, and the cell parameters were obtained by analyzing the powder diffraction data. The actual doping concentration of Yb3+ in Yb∶SrWO4 crystal was investigated by X-ray fluorescence spectrometry, whose results show that there is an upper doping limit for the Yb3+ ions and the main charge compensation mechanism in the crystal changes with the increase of Yb3+ doping concentration. The thermal properties of Yb∶SrWO4 crystal with different doping concentrations were measured, whose results show that the specific heat, thermal expansion coefficient and thermal conductivity changed slightly compared with the undoped SrWO4 crystals, exhibiting excellent thermal properties. These results indicate that Yb∶SrWO4 crystal is a potential solid laser gain medium.Key words：ytterbium doped strontium tungstate crystal；crystal growth；charge compensation；thermal properties收稿日期：2021-03-09基金项目：国家自然科学基金重点项目（51632004）资助作者简介：朱孟辉（1995-），男，硕士研究生。

《Cr3+激活石榴石结构近红外荧光粉的发光性能研究》篇一一、引言近年来，随着光电技术的快速发展，近红外荧光粉在众多领域如光电子显示、生物成像、光电传感等展现出重要的应用价值。

其中，石榴石结构近红外荧光粉因其优异的物理化学性质和丰富的色彩再现能力，备受科研工作者的关注。

本文旨在研究Cr3+激活石榴石结构近红外荧光粉的发光性能，以期为相关领域的应用提供理论支持。

二、材料与方法1. 材料制备本实验采用高温固相法合成Cr3+激活石榴石结构近红外荧光粉。

主要原料包括氧化铝、氧化钆、氧化硅等。

将原料按照一定比例混合，经过球磨、干燥、预烧等工序后，在高温下烧结成所需的荧光粉。

2. 实验方法本实验采用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对合成样品的物相结构、微观形貌等进行表征。

此外，采用紫外-可见-近红外分光光度计测试样品的发光性能，分析Cr3+的掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。

三、结果与讨论1. 物相结构与微观形貌通过X射线衍射分析，我们发现合成的样品具有典型的石榴石结构，与标准谱图吻合。

扫描电子显微镜图像显示样品呈现均匀的颗粒状，颗粒尺寸分布较为集中。

2. Cr3+掺杂浓度对发光性能的影响实验结果表明，Cr3+的掺杂浓度对荧光粉的发光性能具有显著影响。

随着Cr3+浓度的增加，样品的近红外发光强度先增大后减小，呈现出浓度猝灭现象。

这主要是由于随着Cr3+浓度的增加，离子之间的相互作用增强，导致能量传递效率降低。

当Cr3+浓度适中时，发光强度达到最大值。

3. 发光性能分析近红外荧光粉的发光性能主要表现在发光颜色、发光强度和半峰宽等方面。

本实验中，Cr3+激活石榴石结构近红外荧光粉具有较高的发光强度和较小的半峰宽，显示出优异的发光性能。

此外，样品的发光颜色可通过调整Cr3+的掺杂浓度进行调控，满足不同应用领域的需求。

四、结论本研究通过高温固相法成功合成了Cr3+激活石榴石结构近红外荧光粉，并对其发光性能进行了系统研究。

掺镱光纤发射光谱-概述说明以及解释1.引言1.1 概述掺镱光纤是一种掺杂了稀土元素镱的光纤，具有较高的发射效率和较宽的发射带宽。

随着光通信、激光器、光放大器等光学器件领域的发展，掺镱光纤在光学通信和光学传感等领域具有广泛的应用前景。

本文将对掺镱光纤的制备过程、性质特点以及应用领域进行深入探讨，以期为相关领域的研究和实践提供参考和借鉴。

1.2 文章结构本文主要分为三个部分，即引言、正文和结论。

在引言部分，将对掺镱光纤发射光谱进行概述，介绍文章的结构和目的，为读者提供一个整体的了解。

在正文部分，将详细介绍掺镱光纤的制备方法、性质特点以及应用领域，通过对相关研究成果和实践经验的介绍，深入探讨掺镱光纤在光学通信、激光加工等领域的重要作用。

在结论部分，对文章进行总结，展望掺镱光纤在未来的应用前景，并提出对相关研究方向的建议和展望，以期为进一步研究和实践提供参考。

1.3 目的本文旨在系统概述掺镱光纤的制备、性质和应用，并通过对相关研究和实践的总结和分析，探讨掺镱光纤的发展趋势和前景。

同时，通过本文的研究，可以更深入地了解掺镱光纤在光通信、激光器、传感器等领域的应用，并为相关领域的研究提供参考和借鉴。

希望通过本文的阐述，读者能够对掺镱光纤有一个更全面和深入的了解，促进该领域的研究和发展。

2.正文2.1 掺镱光纤的制备掺镱光纤是一种具有特殊性能的光纤，其制备过程需要经过多道工艺步骤。

首先，选择高纯度的二氧化硅作为基材，通过化学气相沉积（CVD）或者类似的方法，在基材表面形成一层掺镱的包覆层。

然后在高温环境下，将这些掺镱包覆层进行拉伸，形成细长的光纤。

接着，将拉制好的光纤进行退火处理，消除其中的应力，提高其抗弯曲性能。

在制备掺镱光纤的过程中，需要严格控制各个步骤的工艺参数，以确保最终光纤的质量和性能稳定性。

此外，掺镱光纤的制备还需要注意保护环境的洁净度，避免杂质等不良因素对光纤质量的影响。

通过以上工艺步骤的精确控制，可以制备出具有高光学性能和稳定性的掺镱光纤，为后续的研究和应用奠定良好的基础。

掺镱光纤发射光谱全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：掺镱光纤是一种特殊的光纤材料，可以发射出特定波长的光谱。

掺铥光纤是在普通光纤中掺入铥元素，可以实现波长选择性放大和激光发射，从而用于光通信和激光器等领域。

掺铥光纤发射光谱的研究对于提高激光器的性能和开发新型光学器件具有重要意义。

掺铥光纤发射光谱的特点之一是其发射波长范围较宽，可以覆盖红外到近红外的波段。

掺铥光纤可在1030nm到1620nm范围内发射激光，这一特性使其在医学、生物、通信和材料加工等领域有着广泛的应用。

掺铥光纤的激射过程主要通过铥元素的能级跃迁来实现。

铥元素的激发态和基态能级之间的跃迁决定了光纤的发射波长。

通过调控铥元素的能级结构和控制激发源的激发条件，可以实现不同波长范围内的激光发射。

除了发射波长范围宽广外，掺铥光纤还具有高效、稳定和可靠的特点。

由于铥元素本身就具有较高的荧光转换效率和较长的寿命，因此掺铥光纤的激光发射效率较高。

掺铥光纤在工作过程中具有较好的稳定性和可靠性，能够长时间保持较高的发射功率和光束质量。

掺铥光纤发射光谱的研究不仅可以帮助优化光纤激光器的设计和制备，还可以为新型激光器和光纤器件的开发提供重要的参考。

掺铥光纤激光器在医学领域可以用于激光手术、激光治疗和医学诊断等应用；在生物领域可以用于细胞成像、荧光标记和光学检测等领域；在通信领域可以用于光通信、高速数据传输和激光雷达等应用；在材料加工领域可以用于激光切割、激光焊接和激光打标等应用。

掺铥光纤发射光谱的研究具有重要的科学意义和应用价值。

通过深入研究掺铥光纤的发射特性和材料性质，可以进一步拓展其应用领域，推动光学器件和激光器的发展，为实现光纤通信、激光医学和材料加工等领域的应用需求提供新的解决方案。

【信息来源网络，如有雷同纯属巧合】。

第二篇示例：掺铒光纤是一种在通信领域广泛应用的特殊光纤，其具有优异的性能和广泛的应用前景。

掺铒光纤发射光谱是指掺铒光纤在激发后发射的光谱特性，通过对其光谱特性的研究可以深入了解其发光机理和性能特点，为其在光通信、激光器等领域的应用提供重要的理论依据。