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第五章 CMOS 反相器 第一节 对逻辑门的基本要求（1）鲁棒性（用静态或稳态行为来表示）静态特性常常用电压传输特性（VTC）来表示（即输出与输入的关系）， 传输特性上具有一些重要的特征点。
逻辑门的功能会因制造过程的差异而偏离设计的期望值。
V(y) 电压传输特性（直流工作特性）VOH fV(y)=V(x)VM开关阈值VOL VOL VOHVOH = f(VOL) VOL = f(VOH) VM = f(VM)V(x)额定电平2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第1页（2）噪声容限：芯片内外的噪声会使电路的响应偏离设计的期望值 （电感、电容耦合，电源与地线的噪声）。
一个门对于噪声的敏感程度由噪声容限表示。
可靠性―数字集成电路中的噪声v(t) i(t)V DD电感耦合电容耦合电源线与地线噪声噪声来源： （1）串扰 （2）电源与地线噪声 （3）干扰 （4）失调 应当区分： （1）固定噪声源 （2）比例噪声源 浮空节点比由低阻抗电压源驱动的节点更易受干扰 设计时总的噪声容限分配给所预见的噪声源2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第2页噪声容限（Noise Margin）V“1” V OH V IHout OH 斜率 = -1V不确定区 斜率 = -1ILV “0” VVOLOL V IL V IH V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第3页噪声容限定义"1"噪声容限（Noise Margin） 容许噪声的限度V IH高电平 噪声容限VOHNM H未定义区 低电平 噪声容限V OL "0" NM L V IL抗噪声能力（Noise Immunity） 抑止噪声的能力门输出门输入2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第4页理想逻辑门V outg=∞Ri = ∞ Ro = 0 Fanout = ∞ NMH = NML = VDD/2V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第5页早期的逻辑门5.0 4.0 3.0 2.0 VM 1.0 NM H NM L0.01.02.03.0 V in (V)4.05.02004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第6页（3） “再生”特性：逻辑门的“再生”特性使被干扰的信号能恢复到名义 的逻辑电平。
基于改进支持向量机的微震初至波到时自动拾取方法李铁牛1， 胡宾鑫1， 李化坤2， 耿文成2， 郝鹏程3， 纪旭波4， 孙增荣3， 朱峰1， 张华1， 阳铖权1（1. 齐鲁工业大学（山东省科学院） 激光研究所，山东 济南 250300；2. 赤峰吉隆矿业有限责任公司,内蒙古 赤峰 024328；3. 山东盛隆安全技术有限公司，山东 济南 250032；4. 山东恒邦矿业发展有限公司，山东 烟台 264199）摘要：微震初至波到时拾取是实现微震震源高精度定位的重要前提。
传统的人工拾取方法效率低，而自动拾取方法在低信噪比条件下难以准确拾取初至波到时。
针对上述问题，提出了一种基于改进支持向量机（SVM ）的微震初至波到时自动拾取方法。
首先，对原始微震数据进行归一化处理、线性校正和适当裁剪，将微震数据的振幅、能量和相邻时刻的能量比作为特征对数据标记不同类别；然后采用粒子群优化（PSO ）算法和网格搜索法优化SVM 的惩罚参数和核函数参数，即先利用PSO 算法对参数进行大范围的快速定位，得到初步最优解，再以该解为初始位置重新构建参数搜索区间，设置小步长的网格搜索法对参数进行精细搜寻，得到最优参数，并将该最优参数代入SVM 模型进行训练，得到改进SVM 模型；最后根据改进的SVM 模型对微震数据进行分类识别，定义微震波第1个采样点对应的时刻为初至波到时。
采用某矿井下微震监测数据进行实验，结果表明：该方法对微震初至波到时的拾取准确率达96.5%，平均拾取误差为3.8 ms ，在低信噪比情况下仍可对微震初至波到时进行准确拾取，拾取精度高于自动拾取方法中常用的长短时窗能量比（STA/LTA ）法。
关键词：微震监测；微震初至波；初至波到时；支持向量机；网格搜索法；粒子群优化算法中图分类号：TD324 文献标志码：AAutomatic picking method of microseismic first arrival time based on improved support vector machineLI Tieniu 1, HU Binxin 1, LI Huakun 2, GENG Wencheng 2, HAO Pengcheng 3, JI Xubo 4, SUN Zengrong 3, ZHU Feng 1, ZHANG Hua 1, YANG Chengquan 1(1. Laser Research Institute, Qilu University of Technology(Shandong Academy of Sciences), Jinan 250300, China ；2. Chifeng Jilong Mining Co., Ltd., Chifeng 024328, China ； 3. Shandong Shenglong Safety Technology Co., Ltd.,Jinan 250032, China ； 4. Shandong Hengbang Mining Development Co., Ltd., Yantai 264199, China)Abstract : The microseismic first arrival time picking is an important prerequisite for the high-precision positioning of the microseismic source. The traditional manual picking method is inefficient. The automatic picking method is difficult to pick the arrival time of the first wave accurately under the condition of low signal-to-noise ratio. In order to solve the above problems, an automatic picking method of microseismic first arrival time based on improved support vector machine (SVM) is proposed. Firstly, the method carries out normalization processing, linear correction and proper clipping on original microseismic data. The method marks different categories of the data by taking the amplitude, the energy and the energy ratio of adjacent moments of the microseismic data as features. Secondly, the method adopts a particle swarm optimization (PSO) algorithm and a收稿日期：2022-05-30；修回日期：2023-03-09；责任编辑：盛男。
现代电子技术Modern Electronics TechniqueDec. 2023Vol. 46 No. 242023年12月15日第46卷第24期0 引 言GaN 器件具有开关速度快、导通电阻小、功率密度大等优势，已应用于消费电子、新能源汽车和航空航天等领域[1‐2]。
目前实现增强型GaN 器件的主要方式有凹槽栅技术、氟离子注入技术、Cascode 技术和p‐GaN 栅技术[3]。
其中采用p‐GaN 栅技术的器件具有较大的阈值电压V TH 和饱和电流[4]，且导通电阻小，较好地实现了器件性能、可靠性和生产成本之间的平衡，已成为实现商用增强型GaN 器件的主要形式[5]。
但p‐GaN 层的电势易受电荷运动影响，导致器件V TH 的漂移，带来了栅极可靠性问题。
V TH 的负漂移易引起器件误导通，正漂移则会增大导通电阻和开通时间，引起开关损耗增加，给设备的安全高效运行带来潜在威胁[6]。
因此，研究V TH 漂移现象对深入了解GaN 器件的特性和提高栅极可靠性具有重要指导意义。
DOI ：10.16652/j.issn.1004‐373x.2023.24.004引用格式：鲁金科，赵浩，杜伟兮.GaN 器件阈值电压漂移特性的研究[J].现代电子技术，2023，46（24）：19‐23.GaN 器件阈值电压漂移特性的研究鲁金科， 赵 浩， 杜伟兮（三峡大学 电气与新能源学院， 湖北 宜昌 443000）摘 要： 氮化镓（GaN ）器件的阈值电压V TH 漂移是栅极可靠性问题之一，但常用的栅极电压扫描测试方法复杂，应力长期作用下的V TH 漂移特性尚不明确。
文中基于恒流注入法测量V TH ，设计测量所需的mA 级恒流源，使用微处理器采集数据，设计输出幅值可调的驱动电路用于GaN 器件栅极加速老化；研究温度和不同类型的栅极电压应力长时间作用时V TH 的漂移特性。
结果表明：随着器件温度的升高，V TH 仅表现出正向漂移，温度由25 ℃增加至125 ℃，增量为100 ℃引起的漂移量可达0.22 V ；恒压应力下，V TH 的漂移方向与应力幅值V G_Stress 有关，3 V≤V G_Stress <5 V 时，V TH 正漂移，5 V≤V G_Stress ≤7 V 时，V TH 负漂移，V G_Stress =7 V 时漂移量达到-0.39 V ；动态应力下，V TH 仅表现出负漂移，较低频率f 的应力引起的漂移更为显著，f =100 kHz 时的漂移量达到-0.4 V 。
![一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计[实用新型专利]](https://img.taocdn.com/s1/m/69612b6ad4d8d15abf234e4b.png)
专利名称：一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计
专利类型：实用新型专利
发明人：胡晓慧,杭国强,周选昌,杨旸,章丹艳
申请号：CN201320855593.0
申请日：20131220
公开号：CN203645649U
公开日：
20140611
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND 和GND；本实用新型的有益效果是：电路具有高集成度、高速、大驱动能力的特点，多值动态多输入浮栅技术又使得电路极大的降低了功耗，且电路工作状态可控。
申请人：浙江大学城市学院
地址：310015 浙江省杭州市湖州街50号
国籍：CN
代理机构：杭州九洲专利事务所有限公司
代理人：张羽振
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![一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s1/m/9fb0522605087632311212ea.png)
专利名称：一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王宗巍,蔡一茂,方亦陈,凌尧天,肖韩,黄如
申请号：CN201811492161.1
申请日：20181207
公开号：CN109994604A
公开日：
20190709
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提出了一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法，属于基于采用传统CMOS后端工艺实现的大规模忆阻器及其阵列集成的制备方法，通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上，同时实现高性能、高可靠存储和电子突触特性的忆阻器阵列芯片。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
国籍：CN
代理机构：北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：俞达成
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宽动态范围的nmos光电二极管阵列是当今光电子领域中备受关注的重要技术之一。
本文将从其基本原理、工作特性、应用领域等方面进行详细介绍。
一、基本原理宽动态范围的nmos光电二极管阵列是一种集成了大量光电二极管的器件。
其工作原理主要基于光电效应和nmos电子器件的特性。
当光线照射到光电二极管上时，光子的能量被转化为电子能量，从而产生电流。
而nmos电子器件可以实现对电流的高灵敏度和快速响应。
宽动态范围的nmos光电二极管阵列可以实现对极弱光信号的高灵敏度检测。
二、工作特性1. 宽动态范围宽动态范围是指器件在处理强光和弱光信号时都能够保持良好的性能。
宽动态范围的nmos光电二极管阵列通过优化器件结构和工艺，有效地抑制了强光条件下的饱和效应和弱光条件下的噪声，从而实现了宽动态范围的特性。
2. 低噪声在弱光条件下，噪声会严重影响信号的检测和采集。
宽动态范围的nmos光电二极管阵列通过降低器件的热噪声和电路的电荷噪声，实现了对弱光信号的高灵敏度检测，并且具有较低的噪声水平。
3. 高响应速度nmos电子器件具有快速的响应速度和较高的切换速度，结合光电效应的高灵敏度，宽动态范围的nmos光电二极管阵列可以实现对光信号的快速捕获和处理，适用于高频率的光学检测和成像应用。
三、应用领域1. 图像传感器宽动态范围的nmos光电二极管阵列可以实现对大范围光照条件下的高质量图像采集。
其宽动态范围和低噪声特性使其在摄像机、相机等图像传感器领域具有广阔的应用前景。
2. 光通信在光通信系统中，光电二极管的灵敏度和响应速度直接影响系统的传输性能。
宽动态范围的nmos光电二极管阵列可以实现对光信号的高速捕获和处理，适用于高速、高带宽的光通信系统。
3. 医学成像在医学成像领域，对于弱光条件下的组织、细胞等微观结构的成像具有重要意义。
宽动态范围的nmos光电二极管阵列可以实现对微弱光信号的高灵敏度检测，适用于医学光学成像设备的应用。
结语宽动态范围的nmos光电二极管阵列作为一种新型的光电器件，在光电子领域已经展现出了巨大的潜力和广阔的应用前景。
专利名称：CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法
专利类型：发明专利
发明人：李勇
申请号：CN201610414190.0
申请日：20160613
公开号：CN107492522A
公开日：
20171219
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法，CMOS器件的形成方法包括：对PMOS区域的不同区域进行第一阈值电压掺杂处理和第二阈值电压掺杂处理，第一阈值电压掺杂处理浓度小于第二阈值电压掺杂处理浓度；且在PMOS区域不同区域的栅介质层上形成的P型功函数层厚度不同；对NMOS区域的不同区域进行第三阈值电压掺杂处理和第四阈值电压掺杂处理，第三阈值电压掺杂处理浓度大于第四阈值电压掺杂处理浓度；且在NMOS区域不同区域的栅介质层上形成的N型功函数层的厚度不同。
本发明形成的器件具有不同阈值电压，且不同器件之间的阈值电压差值较大，满足器件性能的需求。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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一种基于动态阈值NMOS管的1.2V模拟乘法器
程卫东;朱樟明
【期刊名称】《微电子学与计算机》
【年(卷),期】2011(28)11
【摘要】基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺进行设计,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻实现了一种1.2V低功耗模拟乘法器电路,既节省了输入晶体管数目,又节省了偏置晶体管和偏置电路.1.2V模拟乘法器的输入信号VinA的频率为5MHz,信号峰峰值为1.0V,输入信号VinB的频率为100MHz,信号峰峰值为0.5V时,输出信号Vout的峰峰值为0.35V,一次谐波和三次谐波的差值为
40dB.1.2V模拟乘法器输出信号的频带宽度为375MHz,平均电源电流约为30μA,即动态功耗约为36μW,适合于便携式电子产品和带宽要求不太高(400MHz以下)的场合.
【总页数】4页(P178-181)
【关键词】模拟乘法器;动态阈值NMOS晶体管;低压;低功耗
【作者】程卫东;朱樟明
【作者单位】西安微电子技术研究所;西安电子科技大学微电子学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN402
【相关文献】
1.应用模拟乘法器的动态测量机床功率的一种实用电路 [J], 余兴波
2.一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器 [J], 程卫东;朱樟明;王雷
3.一种基于NMOS差分对四象限模拟乘法器 [J], 王中文;宫在君;马芳;石广源
4.一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器 [J], 管慧;汤玉生
5.一种新型的基于pMOS和nMOS阈值电压差的CMOS电压基准源(英文) [J], 孔明;郭健民;张科;李文宏
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一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器1程卫东2朱樟明（1西安微电子技术研究所，西安710054）（2西安电子科技大学微电子学院，西安710071）摘要：本文分析了动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管，利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2V低功耗CMOS模拟乘法器电路。
该电路具有节省输入晶体管数目，节省偏置晶体管和偏置电路，以及性能指标优良的特点。
其主要参数指标达到：一、三次谐波差值40dB，输出信号频带宽度375MHz，平均电源电流约30μA，动态功耗约36μW。
可直接应用于低功耗通信集成电路设计。
关键词：模拟乘法器；动态阈值晶体管；低压；低功耗；金属氧化物半导体中图分类号：TN402 文献标识码：AA 1.2V CMOS Analog Multiplier Based on the DynamicThreshold Voltage NMOS TransistorCheng Weidong Zhu Zhangming Wang Lei(1 X i’an Microelectronics Technology Institute, X i’an 710054, China)(2School of Microelectronics, Xidian University, X i’an 710071, China)Abstract：This paper analysis an analog multiplier based on dynamic threshold voltage NMOS transistor for two input transistor。
With four dynamic threshold voltage NMOS transistor and two active resisitor design and achieve a novel 1.2V low power CMOS analog multiplier. The number of input transistor has been decreased and the biased transistor and circuits have been saved, while the performance is appropriate. The main characteristics is the margin between the first order harmonious wave and the third order harmonious wave of the output wave is about 40dB, the output frequency bandwidth is 375MHz, and the average power supply current is 30μA. The novel analog multiplier can be applied for the design of low power communication integrated circuits. Keywords: Analog multiplier, Dynamic threshold voltage, Low voltage, Low power, CMOS1． 引言随着便携式电子产品的不断发展，以及各国对节能的严格要求，低功耗集成电路及电子系统已经成为技术发展的方向之一，而低电源电压是实现低功耗的最直接有效的方法，其中CMOS 模拟集成电路的低压低功耗设计是实现低压低功耗集成电路的难点。
模拟乘法器作为模拟电路中最基本的电路之一，在自适应滤波器、频率倍增器、各种调制解调器等电子系统中具有广泛的应用[1-5]。
传统的模拟乘法器一般采用Gilbert 结构实现[4,5]，由于电源到地的通路上至少有3～4个晶体管，没有办法实现低压低功耗，必须采用新的电路结构实现。
本文采用动态阈值NMOS 晶体管作为两路输入信号的输入晶体管，节省了输入晶体管和偏置晶体管的数目，实现了低压低功耗的目的。
论文首先对动态阈值NMOS 晶体管的特性进行了系统分析，包括跨导、频率特性等，再提出了一种基于动态阈值NMOS 晶体管的1.2V CMOS 模拟乘法器，并进行了性能分析，采用Hspice 进行了各种参数的仿真，对仿真结果进行了比较分析和讨论。
2 动态阈值NMOS 晶体管本文所提出的动态阈值NMOS 晶体管的工艺基础是传统标准双阱CMOS 工艺或P 阱CMOS 工艺，其特点是两个输入信号同时加到NMOS 的栅极（G ）和衬底（B ）端，即输入电压为V GS 和V BS ，不需要引入特殊的工艺步骤。
当NMOS 的V BS =0时，就是常用的准恒定阈值电压增强型NMOS 晶体管，如果V GS 和V BS 同时在变化，而V BS 的变化直接会影响V TH （N ）变化。
式（1）是当V GS 一定时，NMOS 阈值电压V TH （N ）与V BS 的关系，表明当V BS 增大时，V TH （N ）会随之减小，所以动态阈值是实现CMOS 模拟电路低压化的理想技术之一。
F BS F N TH N TH V V V φγφγ22)(0)(--+= （1）其中V TH0(N)是V BS =0时的NMOS 阈值电压，ФF 为表面电动势，γ为体效应因子。
当动态阈值NMOS 晶体管满足V DS ≥V GS -V TH （N ）时，即晶体管工作在饱和区，I DS 与V GS 、V BS 之间的关系如式（2）所示。
()[]()DS F BS F N TH GS ox n DS V V V V L W C I λφγφγμ++---⋅⋅=12222)(0 （2）基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS 工艺的BSIM3V3 Spice 模型，采用Hspice 进行仿真，以验证动态阈值NMOS 晶体管的V-I 特性。
图1为不同V BS 条件下的V DS ~I DS 关系曲线（V GS =1.2V ），自下而上5条曲线所对应的V BS 分别为0V 、0.3V 、0.6V 、0.9V 和1.2V ，表明在相同V DS 条件下I DS 随着V BS 的不断增大而增大。
图2为不同V GS 条件下的V BS ~I DS 关系曲线（V DS =1.2V ），自下而上7条曲线所对应的V GS 分别为0V 、0.2V 、0.4V 、0.6V 、0.8V 、1.0V 和1.2V ，其中V GS 为0V 、0.2V 、0.4V 的三条曲线由于I DS 数值太小，已与横坐标几乎重合，图2表明在相同V BS 条件下I DS 随着V GS 的不断增大而增大。
图1 不同V BS 条件下的V DS ~I DS 关系曲线（V GS =1.2V ）图2 不同V GS 条件下的V BS ~I DS 关系曲线（V DS =1.2V ）将式（2）分别对V BS 和V GS 求偏导，即可以得到BS F m mbs V g g -=φγ22 （3）由于体效应因子γ的值较小，所以g mbs 要小于g m ，但是V BS 的增加则可以增加g mbs 。
当V BS =V GS 时，也就是NMOS 晶体管的栅极和衬底端短接在一起，同时作为同一个信号的输入端，此时对V BS 求偏导，即可以得到mbs m gbs m g g g -=)( （4）所以动态阈值NMOS 晶体管的跨导是随着V BS 和V GS 的变化而变化的，数值要小于g m ，但是要大于g mbs 。
当动态阈值NMOS 的V GS 固定时，则可以看作衬底驱动NMOS ，其特征频率为 )()bsub bs m bsub bs mbs driven Bulk T C C g C C g f +=+≈πηπ22)_( （5） 其中m mbsg g =η，V BS =0时的典型值为0.2～0.4，C bs 是P 阱与源端间的电容，而C bsub 是P阱与N 衬底间的电容。
在3μm CMOS 工艺下，当衬底驱动MOSFET 工作于饱和区时，公式(5)可近似为[1])_()_(8.3driven Gate T driven Bulk T f f η≈ （6）随着CMOS 工艺的发展，如果C ox 增加S 倍，而C bsub 只增加了S 1/2倍，阱和衬底的掺杂浓度提高了S 倍，则式(6)变为)_()_(8.3d r i v e n G a t e T d r i v e n B u l k T f S f η≈ （7）在标准深亚微米CMOS 工艺中，衬底驱动NMOS 的截止频率也不会比栅驱动NMOS 的截止频率小很多，而动态阈值NMOS 的截止频率则在衬底驱动NMOS 的截止频率和栅驱动NMOS 的截止频率之间，所以动态阈值NMOS 不会牺牲太多的频率特性。
栅驱动NMOS 与动态阈值NMOS 的沟道噪声电流相似，如果把沟道噪声电流归因于输入，则动态阈值和栅驱动下的增益因子有所不同。
同时，动态阈值NMOS 的阱电阻也会造成额外的热噪声。
动态阈值NMOS 的均方根噪声电压为[1]222'22118(1)11(4()())32N N n ib u lk b i g i i i m o x k T K F v k T R R f g fC W L K N ηηηη==+=+++∆∑∑ (8)其中N 为交叉NMOS 结构中栅的个数，R bi 为第i 个栅沟道的有效串联阱电阻，R gi 为第i 个栅的栅与金属间电阻。
式(8)中前二项为动态阈值NMOS 由衬底端引起的白噪声和闪烁噪声，后两项描述了由阱与金属间、栅与金属间电阻所引起的白噪声。
由于后两项有N -2系数，因此可以利用交叉CMOS 结构即一个MOSFET 采用多个栅来降低栅电阻所产生的噪声影响。
为了将衬底端所引起的噪声最小化，动态阈值NMOS 的版图应该多用阱接触，而且接触应该尽量接近每个栅，以最小化衬底端电阻的噪声影响。
3 低压低功耗CMOS 模拟乘法器基于本文所提出的动态阈值NMOS 晶体管，对传统的Gilbert CMOS 模拟乘法器进行了改进，提出了图3所示的低压低功耗CMOS 模拟乘法器电路，其中负载电阻R eqA 和R eqB 是采用PMOS 有源电阻实现的，其电阻值约为200~100000Ω，主要考虑两个负载电阻的匹配性，本文的等效电阻值约为50K Ω。
四个动态阈值NMOS 晶体管M 1~M 4为模拟乘法器的核心部分，两路差分输入信号V inA 和V inB 的同相、反相信号分别从四个动态阈值NMOS 的栅极和衬底端输入，即M 1和M 4的栅极作为V inA+的输入端，M 1和M 2的衬底端则作为V inB+输入端，M 2和M 3的栅极作为V inA-的输入端，M 3和M 4的衬底端作为V inB-的输入端。
