Nand Flash与Nor Flash 芯片区别

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了他的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND 的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以6?～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

NAND flash、AND Flash 和NOR flash 的区别Flash的架构大致上可分为具程序执行能力的NOR架构以及储存数据的NAND和AND 架构，Flash与其它新兴非挥发性技术相较，最大的优势在于其可以用一般的半导体制程生产、成本低，但是其读写速度较DRAM慢，可擦写次数也有极限，加上在进入纳米制程之后，预期将会碰到物理极限，据业界人士表示Flash在45nm以下几乎不可能再有发展，所以尽管在短期内Flash依然会是非挥发性存储器主流，但地位可能不见得稳固。

NOR Flash存储器NOR Flash市场目前由Intel和AMD公司主导，其主要功能是程序的储存，如PC中的BIOS，便携式产品像手机、PDA的快速成长是带动近年来NOR Flash快速成长的主要原因，除了量的提升之外，也包括了高容量产品的需求。

NOR Flash尽管近两年成长不如NAND Flash，但是两者原本的市场应用要求就不同，NOR Flash因为新兴应用所带来的成长还是相当可观。

在技术上，Intel不久前才发表1Gb的NOR Flash产品，为增加资料储存密度，Intel利用MLC(多重单元)技术，在一个储存单元存放两位数字(2bits in 1cell)。

日前AMD也表示要发展密度更高的(每单元存放四位数字)技术，不过技术难度就困难许多，目前还未看到实际成绩。

NAND和AND Flash存储器以储存数据为主要功能的NAND和AND Flash，是目前市场上最当红的存储器，近两年来的新兴应用都以此技术为主，包括小型存储卡、随身电子盘等都是。

根据IDC公司的调查报告指出，快闪存储卡的全球市场规模随着便携式产品的成长而出现爆发性的需求，2001年整体市场出货量为4500万片，2002年提升到5300万片，2003年再成长到7000万片左右，2004年将突破1亿片的市场规模。

不过由于NAND Flash相对上属于封闭的市场，专利权掌握在少数厂商手中，以Toshiba 和Samsung公司为主，SanDisk和M-System公司也取得部分专利和技术授权，包括拥有AND Flash专利的Renesas公司，目前数据型的Flash产能缺口大约在30％~50％之间，此情况预计在2004年中期之间才有可能缓解。

NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。

这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。

他们在读取速度、写入速度、容量、坏快、擦写次数、适用性都有明显的区别NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。

这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。

但它们之间也存在着巨大的差异，具体表现在以下几个方面。

1、读取速度NOR FLASH的读取速度比NAND FLASH稍快一些。

读取数据时，NAND FLASH 首先需要进行多次地址寻址，然后才能访问数据；而 NOR FLASH是直接进行数据读取访问。

2、写入速度NAND FLASH 由于支持整块擦写操作，所以其擦除和写入速度比NOR FLASH要快很多。

3、容量NAND FLASH 采用大量的地址线和数据线复用，而NOR FLASH直接通过地址线引脚来寻址。

因此，NAND FLASH在面积和工艺相同的情况下，可以提供更高的容量，能够相应地降低生产成本。

4、坏块NAND FLASH器件由于其大容量的特点，是允许存在坏块的（存在失效地址单元），NAND FLASH 生产厂商如果在生产过程中消除坏块会导致成品率太低、性价比很差，所以在出厂前要在高温、高压条件下检测生产过程中产生的坏块，对产生的坏块写入坏块标记，防止用户使用时向坏块写入数据；而NOR FLASH是不允许出现失效地址单元。

5、擦写次数FLASH由于写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，而NOR FLASH 擦写次数寿命只有NAND FLASH 的十分之一，故NOR FLASH 并不适合频繁地擦写。

6、适用性NOR FLASH较容易与其它芯片进行连接，可以直接使用，而NAND FLASH在使用前必须先写入驱动程序，而且为了防止向坏块写入内容，必须建立块地址的虚拟映射。

NAND flash和NOR flash的区别详解ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDRRAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

Nand Flash与Nor Flash 芯片区别Nand Flash与Nor Flash经常在一些地方被提到,一直没认真去理解它们的区别,因此,今天花了一段时间仔细理解了一下,下面把我的笔记放在这里:1、NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵,NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

优点:大存储容量,而且便宜。

缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。

另外NAND FLASH 非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行(1NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。

(2擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s, NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR 擦除时间为60ms,而有的需要最大6S。

与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms(3当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

●NOR的读速度比NAND稍快一些。

●NAND的写入速度比NOR快很多。

●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

●大多数写入操作需要先进行擦除操作。

●NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

(4接口差别NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

emmc、Nandflash、Norflash之间的区别一、定义及区别emmc：全称为embeded MultiMedia Card，是一种嵌入式非易失性存储器系统，由Nand flash和Nand flash控制器组成，以BGA方式封装在一款chip上。

Nand flash：一种存储数据介质；若要读取其中的数据，需要外接的主控电路。

Nor flash：也是一种存储介质；它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码；这里主要重点讲的是emmc 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：(1)、在组成结构上：emmc存储芯片简化了存储器的设计，将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。

而NAND Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作，两者的结构图如下：(2)、在功能上：eMMC则在其内部集成了Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。

相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。

同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比NAND Flash要好很多。

而NAND Flash 是直接接入Host 端的，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。

另一方面，emmc的读写速度也比NAND Flash的读写速度快，emmc 的读写可高达每秒50MB到100MB以上；二、emmc的初始化和数据通信emmc与主机之间通信的结构图：其中包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接口控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。

NAND flash 与NOR flash的比较一、简介FLASH是一种存储芯片，全名Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。

Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。

大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。

NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。

用户不能直接运行 NAND Flash上的代码，因此好多使用 NAND Flash的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。

NOR 的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。

其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

二、NAND flash和NOR flash原理【1】存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极小，不同的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。

FLASH芯片种类与区别1. NOR FlashNOR Flash是一种并行存储器，其结构类似于传统的ROM。

它具有快速读取速度和高可靠性，适合于存储大量的程序代码和数据。

NOR Flash可以被直接访问，支持随机读取和编程操作。

但是，NOR Flash的写入速度较慢且价格较高，逐渐被NAND Flash所替代。

2. NAND FlashNAND Flash是一种序列存储器，其结构是按行（Page）和块（Block）组织的。

NAND Flash拥有高密度、低成本和快速写入速度的特点，广泛应用于存储容量较大的数据。

它主要用于存储媒体文件、大型应用程序和操作系统。

然而，相比NOR Flash，NAND Flash的读取速度较慢且对于随机读取操作性能较差。

3. SLC FlashSLC（Single Level Cell）Flash是一种基于单元内只存储一个数据位的闪存技术。

它具有较长的寿命、较高的耐用性和较低的读取和写入延迟。

SLC Flash的价格相对较高，但在一些对可靠性和性能要求较高的应用中得到广泛使用，如军事设备、嵌入式系统等。

4. MLC FlashMLC（Multi Level Cell）Flash是一种基于单元内存储多个数据位的闪存技术。

它将SLC Flash的寿命和性能进行了牺牲，以更高的存储密度为代价获得更低的操作成本。

MLC Flash相对于SLC Flash来说容易出现位翻转和写入耗损等问题，但在普通电子设备中广泛应用，如智能手机、平板电脑等。

5. TLC FlashTLC（Triple Level Cell）Flash是一种比MLC Flash更高密度的闪存技术，它能够存储更多的数据位于单个存储单元内。

TLC Flash的存储密度非常高，价格更低，但在性能和寿命方面受到更大的限制。

由于TLC Flash存储单元内的电荷水平更复杂，因此更容易发生数据的位移和错误。

6. 3D V-NAND Flash3D V-NAND Flash是一种新型闪存技术，它采用垂直堆积的结构，通过将存储单元堆叠在一起来提高存储密度。

NOR和NAND的比较NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：● NOR的读速度比NAND稍快一些。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM 相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM 后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

详细剖析NorFlash和NandFlash的区别Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1。

所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF。

因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反。

(1)闪存芯片读写的基本单位不同应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位。

为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区。

读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。

应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节。

要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块。

(2)NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

(3)由于NorFlash地址线和数据线分开，所以NorFlash芯片可以像SDRAM一样连在数据线上。

NOR芯片的使用类似于通常内存芯片，传输效率高，可执行程序可以在芯片内执行(XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中.由于NorFlash的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。

NandFlash共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND 芯片做启动芯片比较难。

(4)NandFlash闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；NorFlash芯片可以对字进行操作。

所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NorFlash的速度。

比如一块NorFlash芯片通常写一个字需要10us，在32位总线上写512字节需要1280us；NandFlash 闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50ns+10us的寻页时间+200us的片擦写时间＝234us。

NAND flash和NOR flash的区别详解ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM 就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

另一种称为动态RAM （Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM 慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM 要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDRRAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D 加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。

NANDflash和NORflash的区别两种并行FLASHFlash存储器又称闪存，是一种可以在线多次擦除的非易失性存储器，即掉电后数据不会丢失，具体积小、功耗低、抗振性强等优点，为嵌入式系统中典型的两种存储设备。

1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接读取芯片内存储器的数据，速度比较快，但价格较高；芯片内执行（XIP，eXecute In Place），应用程序可以直接在Flash上运行，不必再把代码读到系统RAM中；2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，内部数据以块为单位存储，地址线和数据线共用，使用控制信号选择；极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也快，应用NAND型的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。

3、细述二者的差别：（1）、接口差别：NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其片内的每一个字节；NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。

（2）、读写的基本单位：NOR型Flash操作是以“字”为基本单位，而NAND型Flash 以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。

（3）、性能比较：NOR型Flash的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内部执行，NOR型的读速度比NAND稍快一些；NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多，因为NAND读写以页为基本操作单位。

（4）、容量和成本：NAND型Flash具有较高的单元密度，容量可以做得比较大，加之其生产过程更为简单，价格较低；NOR型Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB 的产品中，这也说明NOR主要用在代码存储介质中，NAND适合数据存储在CompactFlash、PC Cards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。

到底什么是nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram最近被nandflash,norflash,sdram,emmc,rom,ram搞的有点头⼤，所以在这⾥总结⼀下，也为了更好的分清他们之间的关系，以⾄于别⼈问的时候不⾄于说不清。

我们不谈这些名次的由来，只说明他们是做什么的，能⽤来⼲什么，在哪⾥我们⽤到过三部分说明1、Nandflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚。

是⽤来存储数据的，类似于SD卡是⽤于我们⼿机内存等，但⼿机内存⼀般是flash和DDR合起来的芯⽚2、Norflash是flash⾮易失性闪存，即⼀种快速存储的芯⽚，与Nandflash相似是⽤来存储数据的玩过mini2440的同学都知道他有个nandflash启动和norflash启动，现在看来其实没什么差别，只是速度和操作⽅式的不同，当然存储的⼤⼩也不同，norflash⽐较贵，现在⼀般都⽤nandflash因为存储能⼒⽐较⼤嘛3、ram是随机存储内存，断电数据丢失，存储短时间使⽤程序。

是⽤来存储当前数据的，⽐如⼿机程序运⾏时需要占⽤内存是为机器运⾏软件提供内存的芯⽚sdram就是ram器件4、rom是只读内存，是⾮易失性固态半导体存储器⽐如flash就是rom器件对⽐ram和rom可以类⽐电脑的内存和硬盘，⼿机或者嵌⼊式产品使⽤的内存是sdram(DDR),⽽使⽤的存储设备⼤多是flash;电脑内存指的是内存条，其实也是DDR，⽽硬盘有的是机械的还有固态硬盘，机械的就是磁头和扇区组成的，固态硬盘其实就是flash和DRAM芯⽚组成的;ram的作⽤其实就是程序的运⾏以及数据的交换，⽽rom芯⽚负责存储各种⽂件，程序，软件等。

我们现在使⽤的ARM芯⽚其实是内置多少G，多少M的SDRAM，现在SDRAM已经打到DDR3，即速度已经⾮常之快。

那么emmc技术则是现在最先进的⼀项技术了，有时间的可以了解⼀下。

FLASH存储器主要用于存储固化的启动代码，文件系统，操作系统内核和初始化参数，它具有掉电保护功能。

较为常见的主流FLASH有NOR FLASH和NAND FLASH。

两种存储器最大的区别在于其数据读取和存储性能的差异。

目前较为常见的设计方式为较小容量的NOR FLASH 和较大容量的NAND FLASH搭配设计。

这是因为NOR FLASH支持内存随机访问，它和SDRAM一样，可以直接执行存储在FLASH中的程序，不同的是NAND FLASH它是整块内存访问方式，因此不能执行存储于其中的程序代码，必须将其拷贝到SDRAM中执行。

从存储性能上看，NAND FLASH具有得天独厚的优势，它的存储密度很高，价格比NOR FLASH系统便宜，并且写入擦写的速度比NOR系统高，一般NOR 系统FLASH存储小代码量的BOOTLOADER引导程序，在NAND系统FLASH 中存储代码量较大的内核和文件系统。

SDRAM存储器数据读取速度大大高于FLASH，但是其不具有掉电保护功能，这是因为SDRAM存储单元相当于一个电容，总是倾向于放电，为了避免数据丢失，总是不断刷新，对其充电，一旦掉电，数据全部丢失。

鉴于SDRAM高数据读写速度，通常用于程序运行突然间，数据区和堆栈区等临时数据读取和存放。

一般情况下，CPU启动时从复位地址开始读取启动代码，同时将系统和堆栈等都放入SDRAM。