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《电子工艺》期末试卷

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第 1 页 共 5 页 《电子工艺》期末试卷

专业：电子专业 命题人：XXX 时间：90分钟

班级 学号 姓名 得分

一、填空题（14分，每小题2分）

1、电阻器是组成电路的基本元件之一，在电路中起限流、__分流_______、降压、___分压______、负载、匹配等作用。

2、1MΩ=____103 ____kΩ=____106____Ω；

3、小电容的容量通常用数字表示，224表示__220000____ PF ,103表示__10000_____PF。

4、3DG18表示___ NPN___型___硅_____材料高频三极管

5、某同学用交流500V的量程测量电压，选用满刻度为250的刻度线，读出指针的指示数值数为110，则实际测量电压为___220_______V 。

6、下图是用示波器测量某一交流信号显示的波形图，如果Y轴垂直衰减器为0.5V/div，扫描速率为2ms/div，水平扩展×1，则振幅值Um、周期T分别：

Um= ___1.5______V T= ___8____ ms

7、用万用表测量电压时，应将两表笔___并___联在被测电路中，而测量电流时，应将两表笔__串____联在被测电路中。

二、单项选择题（24分，每小题2分）

1．在电路中通常用来隔直流、级间耦合、滤波及旁路的元器件是（A ）

A．电容器 B．电阻器 C．电感器 D．二极管

2．具有“通直流、阻交流”特性的元器件是（A ）

A．电感器 B．电阻器 C．电容器 D．变压器 第 2 页 共 5 页 3.万用表是常用的（ B ）

A. 电源 B. 测量仪表 C. 信号源 D. 电表

4．指针式万用表不能测量的电参数是（D ）

A. 交直流电源 B. 交直流电压 C. 电阻值 D. 信号频率

5．在使用示波器测量信号时时，发现显示的信号跳动不稳定，需调节（ B ）旋钮。

A. 水平移位 B. 触发控制 C. 输入方式选择 D. 聚焦

6．三极管的（C ）作用是三极管最基本和最重要的特性。

A. 功率放大 B. 电压放大 C. 电流放大 D. 开关

7、常用电阻器的允许偏差有±5%、±10%、±20%，分别用字母 (B ) 标志它们的精度等级；

A. J、N、M B. J、K、M C. K、J、M D. J、M、K

8.元器件的安装固定方式由立式安装和（ A ）两种；

A. 卧式安装 B. 并排式安装 C. 跨式安装 D. 躺式安装

9. 我们所说的工艺图主要是（B ）、印制板图、印制板装配图、布线图、机壳图和面板图等；

A. 实物接线图 B. 实物装配图 C. 整机接线图 D. 整机工程图

10. 一个电阻器上标有2R2K的字样，它代表的意思是（ A ）

A. 2.2Ω，允许误差为10% B. 2.2Ω，允许误差为5%

C. 22Ω，允许误差为10% D. 22Ω，允许误差为5%

11. 电阻器的色环依次为：黄、紫、红、金，该电阻器的阻值和误差为（ C ）

A. 4.7KΩ，允许误差为10% B. 47KΩ，允许误差为10%

C. 4.7KΩ，允许误差为5% D. 47KΩ，允许误差为5%

12. 硅二极管的导通电压约为（ D ）

A. 0.2～0.3V B. 2～3V

C. 1～2V D. 0.6～0.7V

三、识图题（20分，每空2分） 第 3 页 共 5 页 根据给出的电子元器件的电路图形符号写出它的中文名称

光电耦合器 单项晶闸管 NPN型三极管 变压器 光敏电阻 ——————、——————、——————、——————、—————

继电器 电解电容 电位器 发光二极管 送话器

——————、——————、——————、——————、—————

四、简答题（15分，每小题5分）

1．在电子器件装配中，一般需要经过那几个流程？

答：在电子器件装配中，一般需要经过元器件检测、元器件和导线的焊前加工、元器件成形、元器件的插装和排列、焊接和产品调试等。

2．如何用指针式万用表判断二极管的好坏和极性？

答：正常的二极管正向导通时导通电阻小，反向截止时截止电阻大，根据这一特点，可用万用表来判别其好坏和极性。

将万用表拨到欧姆档（用R×100或R×1K档），用万用表的表笔分别接二极管的两个电极，测出一个电阻，然后将两表笔对换，再测出一个阻值，则阻值小的那一次黑表笔所接一端为二极管的正极，另一端即为负极。若两次测得阻值都很小，则说明管子内部短路，若两次测得的阻值都很大，则说明管子内部断路。

3．助焊剂有哪些作用？

答：助焊剂有如下几个的作用：

（1）在焊接过程中清除氧化物和杂质。

（2）在焊接结束后保护刚形成的温度较高的焊点，使其不被氧化。

（3）由于焊料和助焊剂是相溶的，使用助焊剂将会加快液态焊料的流动性。

（4）能加快热量从烙铁头向焊料和被焊物表面传递。

第 4 页 共 5 页 五．综合实践题（27分，第1题12分，第2题15分）

1．小明新做了一座两层楼的房子，想在两楼梯的中间安装一盏电灯，在一楼和二楼都能通过开关控制电灯的亮灭。根据下列提供的器材，请你帮他设计一下线路图（开关控制火线）。

实验器材：白炽电灯1个，单刀双掷开关2个，导线若干。

零线

火线

S1 S2

2．在期末的闪光灯电子产品制作中，有一位同学根据下列的原理图来制作，结果接通电源后，两个二极管都不会发光。

（1）请你指出原理图中有几处错误？并给予改正。

答：C2电容极性接反，D1和D2极性接反

（2）简述闪光灯的工作原理（根据已经改正后的原理图回答）。

答：假设电源接通后，Q1先导通，这时D1上有电流通过而发光，同时Q1集电极上的电压开始下降。这个电压的变化量通过C1传送到Q2基极。因而使Q2开始转向截至。那么它的集电极电压上升，经过C2耦合到Q1的基极，使Q1432Q29013Q19013D1LEDD2LEDC116V100uC216V100uR1430R210KR310KR4430E3V-6V图5.1 闪光灯电路图....S 第 5 页 共 5 页 进一步导通。这个过程很快使Q1饱和，Q2截止。

这种Q1饱和，Q2截止的状态并不就此停下来。这时通过R2的电流开始向C1充电，使Q2基极电压上升。接着Q2开始导通，于是他的集电极电压下降，经过C2迫使Q1截止；Q1集电极电压上升，通过C1使Q2进入饱和状态；这时D2亮，D1暗。

过了一会儿，D1亮，D2暗；D1暗，D2亮…如此反复。

（3）如何改变两个发光二极管交替闪光的节奏（快慢）？

答：两个发光二极管亮暗交替转换的速度取决于由C1和R2以及C2和R1所确定的两个时间常数。改变R1、R2或C1、C2的大小可以改变发光二极管交替闪光的节奏。

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电子产品工艺试题

电子产品工艺试题

《电子工艺管理》期中试卷答案

共2页 第1页

--------------------------装------------------------------------------订------------------------------------------线---------------------------------------

一、填空题（1分/空 共30分）

1、衡量电阻器的两个最基本的参数是 阻值 和功率。

2、功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W， 1/8W 、 1/4 W ，1/2W，1W，2W等多种。

3、按色环递升次序写出0~9的对应的颜色： 黑棕红橙黄绿蓝紫灰白 。

4、电阻阻值表示方法有：色标法、 文字符号法 、 数码法 、直标法。

5、电感的国标单位是： H ；电容的国标单位是： F 。

6、J、K、M分别代表误差为： ±5% 、±10% 、 ±20% 。

7、1F= 106 Uf= 1012 Pf。1H= 103 mH= 106 uH。

8：标出以下元件值：

（1）电阻1R2= 1.2 。（2）电阻1G2= 1.2 ×109 。

（3）电容102J= 1.0×103 ±5% 。（4）电容3R3= 3.3 。

9、电感的主要故障有短路、 开路 现象。

10、三极管按材料分为硅三极管、 锗三极管 两类。按结构分为NPN、 PNP 。

11、电子元器件的参数包括 电气性能 、 环境性能 、 机械结构和焊接性能、 寿命 等。

2011级微电子工艺学试卷(A卷)参考答案

2011级微电子工艺学试卷(A卷)参考答案

华中科技大学光学与电子信息学院

2013—2014学年第二学期《微电子工艺学》试卷A(开卷)

题号 一 二 三 四 总分

得分

一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”(每小题2分，共20分)

1、历史上著名的“八叛逆(Traitorous Eight)” 是指1955年因“仙童半导体公司(Fairchild

Semiconductor)”决定不再继续硅半导体研究的时候，八位年轻人忍无可忍，在诺依斯(N. Noyce)带领下，向公司递交辞职书，集体辞职来到“晶体管之父”威廉〃肖克利创建的肖克利半导体实验室的事件。(×)

2、一般金属的导电能力随温度上升稍有上升，变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而下降，且变化非常明显。(×)

3、砷化镓高温氧化一般会导致薄膜不能按合理的化学计量比生成，电绝缘作用和对半导体表面的保护作用较差。因此与硅工艺不同，在砷化镓工艺中很少用其氧化物。 (√)

4、在半导体的热扩散掺杂中，杂质掺杂主要由高温扩散方式完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调上升，杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。(×)

5、离子注入仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一，其中每种物理过程发生的几率取决于入射离子的能量。利用不同能量的离子与固体表面的不同作用过程，不仅可以实现对材料的离子注入掺杂，还可以实现对于物质原子的溅射及离子的卢瑟福背射等过程。 (×)

6、在硅外延淀积中，硅的淀积往往是在高温下进行，以确保所有硅原子淀积时排列整齐，形成单晶层，该过程为质量输运控制过程。此时对温度控制要求高，但是对气流要求不高。而多晶硅薄膜生长是大多在低温进行，是表面反应控制，对温度要求控制精度不是很高。(×)

7、对比度是光刻胶区分掩模版亮区与暗区能力的度量。特定光刻胶的对比度是一个常数，在很大程度上决定了曝光后图形的倾角和线宽。 (×)

《电子产品制作技术》测试题(含答案)

《电子产品制作技术》测试题(含答案)

《电子产品制作技术》测试题（含答案）

班级 姓名 成绩

项目5数字钟的制作与调试

一、安全生产与文明生产（100分）

一、填空题：（每题1分，共10分）

1、安全生产是指在生产过程中确保

、使用的用具、

和

的安全。（生产的产品、仪器设备、人身）

2、对于电子产品装配工来说，经常遇到的是 安全问题。（用电）

3、文明生产就是创造一个布局合理、

的生产和工作环境，人人养成

和严格执行工艺操作规程的习惯。（整洁优美 遵守纪律）

4、 是保证产品质量和安全生产的重要条件。（文明生产）

5、安全用电包括 安全、 安全及 安全三个方面，它们是密切相关的。（供电系统、用电设备 人身）

6、电气事故习惯上按被危害的对象分为 和 （包括线路事故）两大类。（人身事故、设备事故）

7、在日常生活中，任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的最普通方式，就是 和 起电。（感应 磨擦）

8、静电的危害是由于静电放电和静电场力而引起的。因此静电的基本物理特

为： 的相互吸引；与大地间有 ；会产生 。（异

种电荷；电位差；放电电流）

9、在防静电工作中，防静电的三大基本方法是： 、 、 。（接地、静电屏蔽、离子中和）

10、人体触电的方式主要有 、 、 。

集成电路工艺原理期末试题

集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期

集成电路工艺原理 课程考试题A卷（120分钟） 一张A4纸开卷 教师：邓小川

一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师

1、 名词解释： (7分)

答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。

SOI：绝缘体上硅。

RTA：快速热退火。

微电子：微型电子电路。

IDM：集成器件制造商。

Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。LOCOS：局部氧化工艺。

STI：浅槽隔离工艺。

2、 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？ (7分)

答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。

在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

3、 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分)

答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。

主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无侵蚀；与CMP兼容。

4、 在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分)

答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场，电子在从源区向漏区移动的过程中，将受此电场加速成高能电子，它碰撞产生电子空穴对，热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱俘获，影响器件阈值电压控制。LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场，把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，从而防止热载流子产生。