CMOS图像传感器的特点
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CMOS图像传感器的特点
1.3.1 有源像素传感器
CMOS图像传感器与它的前一代技术CCD图像传感器相比,最重要的特点就是在像素阵列中采用了有源像素传感器(Active Pixel Sensor,APS)。虽然这两种技术都采用硅光电二极管PD作为基本的光电转换单元,而在CCD像素中只有一个简单的光电二极管,所以被称为无源像素传感器(Passive Pixel
Sensor,PPS)。其像素直接输出在二极管PN结上由光子能量激发的载流子电荷,经过特殊的电荷耦合器件CCD传输结构,把电荷信号的模拟量精确地转移输出到像素阵列外面,然后经过电荷-电压转换电路变成可以用常规模拟电路方法放大处理的电压信号。而在CMOS器件的APS像素上集成了光电二极管(PD)、有源的晶体管开关和放大电路,通过这些有源电路在每个像素上已经完成了电荷-电压的转换,并放大成有驱动能力的信号电压。然后用常规的电子电路方法把像素信号切换到传感器外面,实现图像信号的扫描输出。
图1.7所示为一个CMOS图像传感器阵列的一部分,每个APS像素中都包含光电二极管、有源放大器和模拟开关。像素中光电二极管PN结上光子激发的电荷信号,经过像素上的放大器转换成电压信号,通过每个像素上的选择模拟开关驱动,与垂直方向的一列像素共享一个列输出信号总线,然后每一列的信号通过一个水平模拟开关选择,连接到图像信号总线上输出。
图1.7 CMOS图像传感器APS像素阵列
1.3.2 CMOS图像传感器的集成
CMOS图像传感器的第二个重要的特点,就是用CMOS集成半导体工艺构成和制造。APS像素中的光电二极管、有源放大器和模拟开关,像素阵列周边的信号转换、选择、传输和放大,以及时序控制电路都使用共同的CMOS结构和工艺。不但这些与像素阵列相关的结构都能被轻易地集成在单一硅片上,而且可以集成其他CMOS模拟和数字电路,一般最基本的CMOS图像传感器芯片还都包含了信号的宽带放大和模数转换器电路,使芯片可以从引脚上直接输出数字图像数据。高度集成不但能减少整机上的芯片数量,降低整机功耗和封装成本,而且芯片内部的直接信号连接有利于提高信号传输的质量和速度,从而提高了转换图像的质量。
1.3.3 CMOS系统集成和数字图像革命
图像传感器的像素和像素阵列概念,实现了图像信息在平面位置上的离散化。进一步将图像信息的模拟电压值,量化成数字数据,就完整地实现了图像信息数字化。如前所述,CMOS图像传感器集成电路芯片,可以在单一硅片上实现这全部过程,从接受光学图像到直接输出数字图像数据。不但如此,在CMOS传感器和模拟数字混合的超大规模集成电路单一芯片上,还可以集成数字信号处理(DSP)、数字图像增强、数字图像识别和数据格式转换等相关功能。 CMOS超大规模集成电路技术从20世纪70年代末开始,遵循著名的摩尔定律(Moore's Law)迅猛发展。从20世纪80年代的10μm级精细工艺进步到当今的10nm水平,30多年来提高了1000倍。CMOS半导体在模拟电路和数字电路领域,在低噪声、低漏电、宽带、高速和低功耗等参数性能上,也取得了相应的长足进步。CMOS图像传感器的工艺技术水平,以及图像信号获取和处理的质量,也借助这些进步取得很大的发展,如图像信号的信噪比、精细结构的像素、高速图像数据传输等,使CMOS图像传感器获取的图像在光电转换的灵敏度、图像信号的清晰度、超高的刷新速度等方面达到空前的水平。数字图像借助这些技术进步,正在形成引领图像信息科学技术的一场新的革命,而CMOS图像传感器的发展和进步,也正处于高速发展的阶段。