电磁兼容培训(屏蔽).pptx
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电磁兼容实用知识培训教材52页PPT
电磁兼容实用知识培训教材
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐的誓言，没有不变的承 诺，踏 上旅途 ，义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人， 决不会 坚韧勤 勉。
16、业余生活要有意义，不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人，而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着，就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书，莫被书掌握；要为生而读，莫为读而生。——布尔沃
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐的誓言，没有不变的承 诺，踏 上旅途 ，义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人， 决不会 坚韧勤 勉。
16、业余生活要有意义，不要越轨。——华盛顿 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。——罗素·贝克 18、最大的挑战和突破在于用人，而用人最大的突破在于信任人。——马云 19、自己活着，就是为了使别人过得更美好。——雷锋 20、要掌握书，莫被书掌握；要为生而读，莫为读而生。——布尔沃
电磁兼容课件_第6节_icefire屏蔽技术
电磁波每经一次反射到达B面 时就会再将一部分能量穿透出屏 蔽体。因此，在考虑屏蔽效能时 除了吸收损耗A及反射损耗R外， 还有多次反射修正项B。
无论是远场还是近场情况，入 射电磁波中电场分量的大部分已 在第一界面被反射掉了，因而， 进入屏蔽层内的电场分量已经很 弱了，再加上在第二界面的反射 损耗又很小，所以，在考虑多次 反射损耗时，电场在屏蔽层内部 的多次反射完全可以忽略不计。
这些高强导率的材料具有很低的 磁阻，这样，磁力线将“封闭”在 屏蔽体内，起了磁屏蔽的作用。
对于低频交变磁场，磁屏蔽 的原理同静磁屏蔽一样，利用 高磁导率材料作屏蔽体将磁场 约束在屏蔽体材料内。
磁场的屏蔽不同于电场的屏 蔽，屏蔽体接地与否不影响磁 屏蔽的效果，但磁屏蔽体对电 场也起一定的屏蔽作用，因此 一般也接地。
输系数为： T反射 （ 1Pa） m(1Pm)a
或反射损耗为：
带入R 以2上l0 o 各T 反 1 g 式 射 可2得l0 o ：1 R g P a 2()m 0 l1 o(1 g (1P m q)) a 21((d dB))B
4q
因q》l，则R20 loqg20 logZW(dB )
4
4Zm
现在再回过来Zm及ZW。所有的 均匀介质的特征阻抗均可表示为：
式中T吸收、T反射、 T多次反射分别代 表由于屏蔽体的吸收、反射及多次
反射所引起的传输系数，故
SE 2l0g1 2l0g1 2l0g 1 （ dB)
T吸收
T反射
T多次反射
或 SE ARB(dB)
电磁波的吸收损耗A
当电磁波进入一种吸收介质时， 会感生涡流，涡流通过介质电阻发 热产生损耗；电磁场强度会随着深 入的距离按指数规律衰减。
磁场泄漏主要与下列因素
电磁兼容培训课件(2024)
屏蔽措施
采用金属屏蔽体、吸波材料等，实现对电磁波的 有效屏蔽。
滤波技术
运用滤波器等手段，滤除设备间不必要的电磁干 扰信号。
2024/1/28
17
系统整体性能优化策略
2024/1/28
兼容性设计
01
在系统设计阶段考虑电磁兼容性要求，从源头减少潜在干扰。
协同优化
02
综合考虑系统各组成部分的电磁特性，实现系统整体性能的最
2024/1/28
26
THANKS
感谢观看
2024/1/28
27
航空航天器在复杂电磁环境中运行，对电 磁兼容性能要求极高，以确保通信和导航 系统的可靠性。
轨道交通
智能家居
轨道交通系统涉及大量电气设备和信号传 输，电磁兼容性能对于保障列车运行安全 和乘客舒适度至关重要。
2024/1/28
智能家居设备种类繁多，电磁兼容问题直接 影响家居环境的舒适度和设备间的互联互通 。
2024/1/28
25
未来发展趋势预测和挑战应对
发展趋势
随着科技的不断进步，未来电磁兼容技术将更加注重智能化、自适应等方面的发展，同时还将面临更 高的性能要求和更复杂的电磁环境挑战。
挑战应对
为应对未来发展趋势带来的挑战，需要加强电磁兼容技术的基础研究，推动技术创新和成果转化；同 时，还需要加强行业合作和标准制定，共同推动电磁兼容技术的进步和发展。
指任何可能引起装置、设备或系统性能降低或者对有生命或无生命物质产生损害 作用的电磁现象。
Hale Waihona Puke 电磁干扰与电磁兼容性的关系电磁干扰是导致电磁兼容问题的主要原因，而电磁兼容性则是解决电磁干扰问题 的关键。提高设备的电磁兼容性可以减少电磁干扰对设备性能的影响，确保设备 在复杂电磁环境中的正常工作。
电磁兼容培训-杨继深 ppt
0 -10
频率
杨继深 2002年4月
选择滤波器的保险方法
0.1Ω
滤 波 器
100Ω
100Ω
滤 波 器
0.1Ω
~
~
50Ω 0.1/100Ω
的 的
0
2002
4
器件距离对高频性能的影响
杨继深 2002年4月
滤波器安装在线路板的问题
机箱内干扰
电源线泄漏严重
杨继深 2002年4月
线路板上滤波的改进方法
杨继深 2002年4月
三端电容器的不足
寄生电容造成输入 端、输出端耦合
接地电感造成旁 路效果下降
杨继深 2002年4月
穿心电容更胜一筹
金属板隔离 输入输出端
一周接地 电感很小
杨继深 2002年4月
穿心电容的插入损耗
插入损耗
普通电容
理想电容 穿心电容
c 穿心电容的插入损耗
杨继深 2002年4月
1GHz
C ~
ZL
Zs
L
Fco = 1/(2π Rp C) π Fco = Rs/(2π L） π ）
Zs、ZL串联 、
杨继深 2002年4月
~
ZL
Zs、ZL并联 、
器件参数的确定
L
RCຫໍສະໝຸດ RL = R / 2πFC
C = 1 / 2πRFC
对于T形（多级T）和 π 形（多级π）电路，最外 边的电感或电容取 L/2 和 C/2，中间的不变。
PCB
电源
滤 波 器
PCB
滤波电路
杨继深 2002年4月
这样试一试
机箱内
机箱外 屏蔽箱
杨继深 2002年4月
《电磁兼容培训讲义》课件
测试场地要求：电磁屏蔽、温度 控制、湿度控制等
测试场地设备：电磁屏蔽室、天 线、信号源、接收机等
添加标题
添加标题
添加标题
添加标题
测试场地布局：测试区域、控制 区域、观察区域等
测试场地操作：测试前准备、测 试中操作、测试后处理等
测试目的：验证产品是否符合电磁兼容标准
测试项目：辐射发射、传导发射、辐射抗扰度、传导抗扰度等
国际标准：IEC 61000-4-3
国家标准：GB/T 17626.3
军用标准：GJB 151A
汽车行业标准：ISO 11452-2
A级：电磁兼容要求最高，适 用于军事、航天等高可靠性领 域
C级：电磁兼容要求一般，适 用于普通民用领域
B级：电磁兼容要求较高，适 用于工业、医疗等重要领域
D级：电磁兼容要求较低，适 用于低可靠性领域
屏蔽效果：降低电磁干扰，提 高电磁兼容性
布局原则：遵循电磁兼容设计原则，避免电磁干扰 布线方式：采用屏蔽线、双绞线等抗干扰布线方式 接地处理：合理接地，降低电磁干扰 屏蔽措施：采用屏蔽罩、屏蔽层等屏蔽措施，减少电磁干扰
电磁干扰：汽车电子设备之间 的电磁干扰问题
电磁辐射：汽车电子设备产生 的电磁辐射问题
电磁兼容设计：汽车电子设备 电磁兼容设计的重要性
电磁兼容测试：汽车电子设备 电磁兼容测试的方法和标准
电磁干扰：家用电器之间的电磁干扰问题 电磁辐射：家用电器的电磁辐射问题 电磁兼容标准：家用电器的电磁兼容标准 电磁兼容解决方案：如何解决家用电器的电磁兼容问题
电磁干扰：通信 设备之间的电磁 干扰问题
电磁兼容标准： 通信设备需要满 足的电磁兼容标 准
电磁兼容测试： 通信设备需要进 行的电磁兼容测 试
电磁兼容第六章屏蔽PPT课件
fr ZS
将导体的波阻抗公式带入，可得：
σr Re = 322 + 10 lg μrf 3r 2
dB dB
对于实际的电场源，除了产生电场之外，还会产生一小部 分磁场分量，所以屏蔽体对这种场源的反射损耗就介于电场 损耗曲线和平面波损耗曲线之间。
六、磁场的反射损耗
点电场源的波阻抗在r</λ2π的条件下，可以表示为：
七、反射损耗通用计算公式
通过上面分析，我们可以归纳出一个通用的反射损耗计算公 式：
ZW m = 2πrfμ
式中：r为屏蔽体到源的距离，单位：m；μ为导磁率。
将它带入反射损耗公式，可得：
2πrfμ
Rm = 20 lg
dB
4 ZS
自由空间中：
1.97 ×10 6 rf
Rm = 20 lg
dB
ZS
将导体的波阻抗公式带入，可得：
fr 2σr
Rm = 14.6 + 10 lg
dB
μr
如果使用这个公式计算反射损耗R，如果得出负值，应当使 用0来代替。产生错误的原因是我们在推导这个公式时，假设 Z1>>Z2，但是实际上这个条件已经不成立了。当R=0时，上面 公式的误差为3.8dB。
0.1kHz
1MHz 100MHz
五、电场的反射损耗
点电场源的波阻抗在r</λ2π的条件下，可以表示为：
1 ZW e =
2πrfε
式中：r为屏蔽体到源的距离，单位：m；ε为介电常数。
将它带入前面的反射损耗公式，可得：
1
Re = 20 lg
dB
8πrfε ZS
自由空间中：
4.5 ×109
Re = 20 lg
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第三章 电磁屏蔽技术
• 屏蔽材料的选择 • 实际屏蔽体的设计
杨继深 2002年4月
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
SE = 20 lg ( E1/ E2 )
dB
杨继深 2002年4月
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
R1
通风口
键盘 指示灯
远场区孔洞的屏蔽效能
H
L
L
SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L / 2
杨继深 2002年4月
孔洞在近场区的屏蔽效能
若ZC （7.9/Df）：（说明是电场源） SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f
杨继深 2002年4月
SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B
B
吸收损耗A R2
距离
波阻抗的概念
波 阻 抗
E/H
电场为主 E 1/ r3 H 1 / r2 平面波 E 1/ r H 1/ r
377
磁场为主 H 1/ r3 E 1/ r2
杨继深 2002年4月
/ 2
到观测点距离 r
+ 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC （7.9/Df）：（说明是磁场源） SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) )
（注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）
杨继深 2002年4月
缝隙的泄漏
杨继深 2002年4月
低频起主要作用
高频起主要作用
f
杨继深 2002年4月
3 108 / 2r
综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
屏蔽效能 （dB）
250
150 平面波
高频时 电磁波种类 的影响很小
0
0.1k 1k
杨继深 2002年4月
10k 100k 1M 10M 频率
多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电 磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。
显示窗/器件的处理
屏蔽窗
滤波器
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫的主要参数
➢ 屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能) ➢ 回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距） ➢ 最小密封压力（关系到最小压缩量） ➢最大形变量（关系到最大压缩量） ➢ 压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数） ➢ 电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫的安装方法
反射损耗
R ＝ 20 lg ZW 4 Zs
远场：377 近场：取决于源的阻抗
ZS = 3.68 10-7 f r/r
同一种材料的阻 抗随频率变
反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗 越大。
杨继深 2002年4月
不同电磁波的反射损耗
远场:
R ＝ 20 lg
377 4 Zs
电场:
R ＝ 20 lg
4500 D f Zs
dB
磁场:
R ＝ 20 lg
2Df Zs
Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m）
f = 电磁波的频率（MHz）
杨继深 2002年4月
影响反射损耗的因素
R(dB)
靠近辐射源
150
平面波
r = 30 m
靠近辐射源
0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M
高导磁率材料的磁旁路效果
H0
R0 Rs
H1
H0
杨继深 2002年4月
Rs
R0
H1
SE = 1 + R0/RS
低频磁场屏蔽产品
杨继深 2002年4月
磁屏蔽材料的频率特性
r 103
15
坡莫合金
10
5 1
0.01
镍钢 冷轧钢
0.1
金属
1.0
10
100 kHz
杨继深 2002年4月
磁导率随场强的变化
屏蔽体 导电连续
没有穿过屏 蔽体的导体
不要忘记： 选择适当的屏蔽材料
你知道吗： 与屏蔽体接地与否无关
屏蔽效能高的屏蔽体
杨继深 2002年4月
实际屏蔽体的问题
实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风 口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等
缝隙
电源线
显示窗
调节旋钮
杨继深 2002年4月
电缆插座
缝隙的处理
缝隙
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫
电磁密封衬垫的种类
• 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) •导电橡胶(不同导电填充物的) •指形簧片(不同表面涂覆层的) •螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的) •导电布
杨继深 2002年4月
指形簧片
杨继深 2002年4月
螺旋管电磁密封衬垫
杨继深 2002年4月
绝缘漆
环境密封
杨继深 2002年4月
截止波导管
损 耗
截止区
截止频率
fc 频率 频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗 很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。
杨继深 2002年4月
截止波导管的屏效
截止波导管 屏蔽效能
反射损耗：
= + 远场区计算公式 近场区计算公式
吸收损耗 圆形截止波导：
32 t / d
B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )
说明： • B为负值，其作用是减小屏蔽效能 • 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 • 对于电场波，可以忽略
杨继深 2002年4月
怎样屏蔽低频磁场？
低频磁场
低频 磁场
吸收损耗小 反射损耗小
高导电材料
高导电材料
高导磁材料
杨继深 2002年4月
吸收损耗的计算
入射电磁波E0
t
0.37E0
剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/
A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB
A ＝ 8.69 ( t / )
dB
A = 3.34 t f rr
dB
杨继深 2002年4月
趋肤深度举例
杨继深 2002年4月
磁通密度 B
= B / H
饱和 最大磁导率
起始磁导率
杨继深 2002年4月
磁场强度 H
强磁场的屏蔽
高导磁率材料：饱和
低导磁率材料：屏效不够
低导磁率材料
杨继深 2002年4月
高导磁率材料
加工的影响
100 80 60
40
20 10
跌落前 跌落后
100Βιβλιοθήκη 1k10k杨继深 2002年4月
良好电磁屏蔽的关键因素
矩形截止波导：
27.2 t / l
孔洞计算屏蔽效能公式
杨继深 2002年4月
截止波导管的损耗
杨继深 2002年4月
截止波导管的设计步骤 5f
杨继深 2002年4月
由SE 确定截止波导管的长度 计算截止波导管的截面尺寸 确定波导管的截止频率 fc 确定要屏蔽的最高的频率 f 确定截止波导管的截面形状 孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE
• 屏蔽材料的选择 • 实际屏蔽体的设计
杨继深 2002年4月
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽, 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:
SE = 20 lg ( E1/ E2 )
dB
杨继深 2002年4月
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
R1
通风口
键盘 指示灯
远场区孔洞的屏蔽效能
H
L
L
SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L / 2
杨继深 2002年4月
孔洞在近场区的屏蔽效能
若ZC （7.9/Df）：（说明是电场源） SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f
杨继深 2002年4月
SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B
B
吸收损耗A R2
距离
波阻抗的概念
波 阻 抗
E/H
电场为主 E 1/ r3 H 1 / r2 平面波 E 1/ r H 1/ r
377
磁场为主 H 1/ r3 E 1/ r2
杨继深 2002年4月
/ 2
到观测点距离 r
+ 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC （7.9/Df）：（说明是磁场源） SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) )
（注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）
杨继深 2002年4月
缝隙的泄漏
杨继深 2002年4月
低频起主要作用
高频起主要作用
f
杨继深 2002年4月
3 108 / 2r
综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
屏蔽效能 （dB）
250
150 平面波
高频时 电磁波种类 的影响很小
0
0.1k 1k
杨继深 2002年4月
10k 100k 1M 10M 频率
多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电 磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。
显示窗/器件的处理
屏蔽窗
滤波器
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫的主要参数
➢ 屏蔽效能 (关系到总体屏蔽效能) ➢ 回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距） ➢ 最小密封压力（关系到最小压缩量） ➢最大形变量（关系到最大压缩量） ➢ 压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数） ➢ 电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫的安装方法
反射损耗
R ＝ 20 lg ZW 4 Zs
远场：377 近场：取决于源的阻抗
ZS = 3.68 10-7 f r/r
同一种材料的阻 抗随频率变
反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗 越大。
杨继深 2002年4月
不同电磁波的反射损耗
远场:
R ＝ 20 lg
377 4 Zs
电场:
R ＝ 20 lg
4500 D f Zs
dB
磁场:
R ＝ 20 lg
2Df Zs
Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m）
f = 电磁波的频率（MHz）
杨继深 2002年4月
影响反射损耗的因素
R(dB)
靠近辐射源
150
平面波
r = 30 m
靠近辐射源
0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M
高导磁率材料的磁旁路效果
H0
R0 Rs
H1
H0
杨继深 2002年4月
Rs
R0
H1
SE = 1 + R0/RS
低频磁场屏蔽产品
杨继深 2002年4月
磁屏蔽材料的频率特性
r 103
15
坡莫合金
10
5 1
0.01
镍钢 冷轧钢
0.1
金属
1.0
10
100 kHz
杨继深 2002年4月
磁导率随场强的变化
屏蔽体 导电连续
没有穿过屏 蔽体的导体
不要忘记： 选择适当的屏蔽材料
你知道吗： 与屏蔽体接地与否无关
屏蔽效能高的屏蔽体
杨继深 2002年4月
实际屏蔽体的问题
实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风 口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等
缝隙
电源线
显示窗
调节旋钮
杨继深 2002年4月
电缆插座
缝隙的处理
缝隙
杨继深 2002年4月
电磁密封衬垫
电磁密封衬垫的种类
• 金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的) •导电橡胶(不同导电填充物的) •指形簧片(不同表面涂覆层的) •螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的) •导电布
杨继深 2002年4月
指形簧片
杨继深 2002年4月
螺旋管电磁密封衬垫
杨继深 2002年4月
绝缘漆
环境密封
杨继深 2002年4月
截止波导管
损 耗
截止区
截止频率
fc 频率 频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗 很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。
杨继深 2002年4月
截止波导管的屏效
截止波导管 屏蔽效能
反射损耗：
= + 远场区计算公式 近场区计算公式
吸收损耗 圆形截止波导：
32 t / d
B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )
说明： • B为负值，其作用是减小屏蔽效能 • 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 • 对于电场波，可以忽略
杨继深 2002年4月
怎样屏蔽低频磁场？
低频磁场
低频 磁场
吸收损耗小 反射损耗小
高导电材料
高导电材料
高导磁材料
杨继深 2002年4月
吸收损耗的计算
入射电磁波E0
t
0.37E0
剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/
A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB
A ＝ 8.69 ( t / )
dB
A = 3.34 t f rr
dB
杨继深 2002年4月
趋肤深度举例
杨继深 2002年4月
磁通密度 B
= B / H
饱和 最大磁导率
起始磁导率
杨继深 2002年4月
磁场强度 H
强磁场的屏蔽
高导磁率材料：饱和
低导磁率材料：屏效不够
低导磁率材料
杨继深 2002年4月
高导磁率材料
加工的影响
100 80 60
40
20 10
跌落前 跌落后
100Βιβλιοθήκη 1k10k杨继深 2002年4月
良好电磁屏蔽的关键因素
矩形截止波导：
27.2 t / l
孔洞计算屏蔽效能公式
杨继深 2002年4月
截止波导管的损耗
杨继深 2002年4月
截止波导管的设计步骤 5f
杨继深 2002年4月
由SE 确定截止波导管的长度 计算截止波导管的截面尺寸 确定波导管的截止频率 fc 确定要屏蔽的最高的频率 f 确定截止波导管的截面形状 孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE