(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910173011.2
(22)申请日 2019.03.07
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
(72)发明人 浦珺慧
(74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务
所(普通合伙) 31237
代理人 郑星
(51)Int.Cl.
H02H 9/04(2006.01)
(54)发明名称一种电源保护钳位电路模块及钳位电路(57)摘要本发明公开了一种电源保护钳位电路模块及钳位电路，钳位电路模块中，电阻的自由端连接NET1，电阻与电容通过NET7与反相器的输入端相连，反相器的第一NMOS管的源极和衬底与电容的自由端通过NET4连接，反相器的输出端通过NET5连接第二NMOS管的栅极和衬底，反相器的PMOS管的源极和衬底连接NET2，第二NMOS管的源极、漏极一一对应对接NET3和NET6；钳位电路包括N个钳位电路模块，第1个钳位电路模块的NET1、NET2和NET3连接电源，前一钳位电路模块的NET4、NET5和NET6一一对应连接后一钳位电路模块的NET1、NET2和NET3，第N个钳位电路模块的NET4和NET6接地。
本发明对大于器件正常工作电压的电源进行保护，保证具有高压电源的芯片的抗ESD能力，
且对芯片正常工作不产生任何影响。
权利要求书1页 说明书4页 附图3页CN 109672163 A 2019.04.23
C N 109672163
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109672163 A
1.一种电源保护钳位电路模块，其特征在于，包括：由电阻和电容串接构成的RC延时电路、由PMOS管和第一NMOS管构成的反相器、以及由第二NMOS管构成的电流泄放电路，所述电阻的自由端连接有第一连接线，所述电阻与所述电容的公共交点通过第七连接线与所述反相器的输入端相连，所述反相器的第一NMOS管的源极和衬底与电容的自由端通过第四连接线连接，所述反相器的输出端通过第五连接线连接所述第二NMOS管的栅极和衬底，所述反相器的PMOS管的源极和衬底连接第二连接线，所述第二NMOS管的源极、漏极一一对应对接第三连接线和第六连接线。
2.根据权利要求1所述的电源保护钳位电路模块，其特征在于，所述电容为第三NMOS 管，所述第三NMOS管的栅极为电容的一端，所述第三NMOS管的源极和漏极短接后构成电容的自由端。
3.根据权利要求1所述的电源保护钳位电路模块，其特征在于，所述反相器的第一NMOS 管和PMOS管的栅极短接在一起作为所述反相器的输入端。
4.根据权利要求1所述的电源保护钳位电路模块，其特征在于，所述反相器的第一NMOS 管和PMOS管的漏极短接在一起作为所述反相器的输出端。
5.根据权利要求1所述的电源保护钳位电路模块，其特征在于，所述反相器的PMOS管和第一NMOS管均为增强型晶体管。
6.一种电源保护钳位电路，其特征在于，包括N个级联的根据权利要求1-5任意一项所述的钳位电路模块，第1个钳位电路模块的第一连接线、第二连接线和第三连接线连接电源，前1个钳位电路模块的第四连接线、第五连接线和第六连接线一一对应连接后1个钳位电路模块的第一连接线、第二连接线和第三连接线，第N个钳位电路模块的第四连接线和第六连接线接地，第N个钳位电路模块的第五连接线浮空，N大于等于2。
7.根据权利要求6所述的电源保护钳位电路，其特征在于，(N-1)·Vn<Vpwr<N·Vn，Vn 为所述钳位电路模块中的器件正常工作电压，Vpwr为电源电压。
8.根据权利要求7所述的电源保护钳位电路，其特征在于，Vpwr小于栅氧层击穿电压。
2。
