2017年国防科技大学 半导体物理 硕士研究生招复试科目考试大纲

一、引言国防科大（National Defense University）作为我国人民武装力量的高等军事院校，一直以来都承担着培养高级军事人才、推动军事科研、服务国防建设的重要使命。

为了适应国家国防和军队建设的需要，国防科大制定了2023年研究生培养大纲，以进一步完善研究生教育体系，提高研究生培养质量，培养更多的适应国防需要的高级专门人才。

二、培养目标1. 培养面向国防科研、装备研发、国防建设和军事管理等领域的高级专门人才，具有国际先进水平的创新能力和较强的综合素质。

2. 培养具有系统性和前瞻性的科学研究能力，能在国家重大战略需求和前沿科技领域取得重大科研成果。

3. 培养具有较高的国防战略思维和国际视野，具备国际化的科研与管理能力，能胜任重大国防科研及装备研发任务的高级科研技术和管理人才。

三、培养模式1. 以学术导向为基础，突出军事应用导向和实践能力培养。

2. 采取导师制培养模式，加强学术指导和实践指导，促进学生科研创新和工程实践。

3. 开设专业课程和研究生创新实践课程，注重学术研究与实际应用相结合。

四、培养课程1. 开设军事科学、军事技术、军事管理等核心课程，注重学生的理论素养和专业知识培养。

2. 加强国防科研前沿领域课程的设置，鼓励学生在国防相关科技领域进行创新研究。

3. 提高研究生实践能力课程设置，培养学生实际操作与应用能力。

五、培养评价1. 制定完善的研究生培养评价体系，突出学术成果和科研创新的评价。

2. 设立导师和学术委员会对研究生进行定期评估，促进学生的科研能力和学术水平的提升。

3. 加强对研究生创新成果的评价与推广，鼓励学生在国防科研领域取得实质性成果。

六、总结国防科大2023年研究生培养大纲的制定，为高级军事人才培养提供了更加明确的目标和更加科学的体系。

这将有利于培养更多适应国防需求的高级专门人才，推动国防科研和装备研发的发展，为国防建设和军队现代化提供更多强大的人才支撑。

以上就是对国防科大2023年研究生培养大纲的概括和分析，相信这份培养大纲会成功地推动国防科大研究生培养工作的深入发展和提高。

西安电子科技大学2020年硕士研究生招生考试初试试题考试科目代码及名称801半导体物理考试时间2019年12月22日下午(3小时)答题要求：所有答案(填空题按照标号写)必须写在答题纸上，写在试题上一律作废，准考证号写在指定位置!一、填空题(30分，每空1分)1、根据晶体对称性， Si的导带底在(1) 晶向上共有(2)个等价的能谷， Si的导带极小值位于(3) , Si 的导带电子有效质量是(4) 的。

2、有效质量各向异性时电导有效质量(me)l=(5) ,半导体Si的mi=0.98ma,m,=0.19ma 它的电导有效质量是(6) 。

3、半导体的导电能力会受到外界的(7) 、(8) 、(9) 和电场强度、磁场强度的影响而发生显著变化，半导体的电阻率通常在(10) 2 cm 范围内，4、室温下Si 的Nc=2.8×10/⁹cm³,如果Ep=Ec 为简并化条件，则发生简并时Si的导带电子浓度为. (11)c m³ (费米积分Fiz(O)=0.6); 室温下Ge 中掺P(4Ep=0.012eV), 若选取Ep=EckoT 为简并化条件，发生简并时电离杂质浓度占总杂质浓度的比例为(12) %。

5、根据杂质在半导体中所处位置，可将杂质分为. (13) 式杂质和(14) 式杂质；根据杂质在半导体中得失电子或空穴情况，可将杂质分为. (15) 和(16) 杂质；若将Au 掺入Ge 中可以引入(17) 个杂质能级，存在着(18) 种荷电状态；若将Au掺入Si中可以引入(19) 个杂质能级，这些能级都是有效的(20)6、一维情况下的空穴连续性方程是(21) ,其中方程等号左边项表示(22) ,方程等号右边第一项表示(23) ,等号右边第二和第三项表示(24), 等号右边第四项表示 (25) ,等号右边第五项表示(26) 。

稳态扩散方程只是连续性方程的一个特例，当连续性方程中的(27)= 0、(28)= 0、(29)= 0、(30)= 0时，就由连续性方程得到了稳态扩散方程。

部分考试科目参考书目01０船舶海洋与建筑工程学院２201流体力学《水动力学基础》，刘岳元等，交大２202声学理论《声学基础理论》,何祚庸,国防22０３高等工程力学(理力、材力、流力、数学物理方法)（四部分任选二部分做）《理论力学》,刘延柱等，高等教育；《材料力学》，单祖辉，航空航天大学;《流体力学》,吴望一,大学；《数学物理方法》，梁昆淼，高等教育２204结构力学《结构力学教程》,龙驭球，高等教育３3０１船舶原理《船舶静力学》，盛振邦,交大;《船舶推进》,王国强等,交大；《船舶耐波性》，陶尧森,交大;《船舶阻力》,邵世明，交大3３0２振动理论(I)《机械振动与噪声学》，赵玫等，科技２0０４3303海洋、河口、海岸动力学《河口海岸动力学》,赵公声等,人民2０0０３304高等流体力学《流体力学》,吴望一，大学330５弹性力学《弹性力学》上、下册（第二版），徐芝纶，高等教育3３06振动理论（Ⅱ)《振动理论》,刘延柱等，高等教育２0023３０７钢筋混凝土结构《高等钢筋混凝土结构学》，赵国藩编，电力3308地基基础《土工原理与计算》（第二版），钱家欢、殷宗泽,水利电力02０机械与动力工程学院2２0５计算方法《计算方法》,李信真,西北大学2206核反应堆工程《核反应堆工程设计》，邬国伟33０9工程热力学《工程热力学》（第三版)，沈维道；《工程热力学学习辅导及习题解答》，童钧耕3310传热学《传热学》（第三版）,杨世铭３3１１机械控制工程《现代控制理论》，刘豹；《现代控制理论》,于长３３12机械振动《机械振动》，季文美３313生产计划与控制《生产计划与控制》，潘尔顺,大学3314机械制造技术基础《机械制造技术基础》，翁世修等，大学199９;《现代制造技术导论》,蔡建国等,大学2000３3１5现代机械设计《高等机械原理》，高等教育１９９０030电子信息与电气工程学院２２0７信号与系统《信号与系统》，胡光锐,交大2２08电子科学与技术概论《电子科学与技术导论》，李哲英，20062２0９信息处理与控制系统设计《线性系统理论》，郑大钟，清华大学2002；或《数字图像处理》（第二版）《》 (英文版），R。

2017年硕士研究生入学复试科目考试大纲课程编号：50101 课程名称：力学综合力学学科按一级学科进行复试，其中主要包括一般力学，固体力学，流体力学等三个专业的内容。

考生可以按自己的需求进行选择一、考试的总体要求·一般力学：考察学生对理论力学基本概念、基本理论和基本方法的掌握程度。

要求运用力学的基本理论和基本方法熟练进行研究对象的受力分析、静力学合成与平衡问题求解;运动分析、各运动量的求解;动力学分析及动力学综合问题的求解。

·固体力学：能运用材料力学知识分析解决工程结构模型简单的强度、刚度问题。

·流体力学：对流体力学的基本物理现象、基本概念和基本定律有正确的理解。

对具体的流体问题能正确判断流体及运动的基本类型。

二、考试的内容：·一般力学：1)静力学：受力分析、物系的平衡问题。

2)运动学：点的合成运动、刚体的平面运动及运动学综合应用问题。

3)动力学：应用普遍定理求解动力学问题中的力和运动综合问题。

·固体力学：1)了解常用材料拉、压、扭下的基本力学性能和测试方法；2)能熟练地作出杆件在各种变形下的内力图，计算其应力及变形，并进行强度和刚度分析。

3)能利用材料力学的基本知识计算基本组合变形问题的应力及变形，并应用第三或第四强度理论进行校核·流体力学：1）流体的基本方程：连续性方程、运动方程、能量方程。

2）Navier-Stokes方程组精确解：平行平板间的定常流动等。

3）层流边界层：边界层微分方程、边界层厚度、边界层动量积分关系式。

三、试卷题型及比例计算、理论分析题为主，有少量选择、填空题四、考试形式及时间考试形式：笔试。

考试时间：1.5小时。

课程编号：50105 课程名称：机械工程综合考试课程名称：机制、机电、机设专业综合考试一、考试的总体要求掌握《机械制造技术基础》、《机械控制工程》、《现代设计方法》、《CAD/CAM》等专业课程的基础知识、基本理论和基本方法；初步具备分析、解决机械工程实际问题的能力；了解有关领域的最新发展。

801半导体物理考试大纲一、总体要求“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。

重点掌握半导体的晶体结构、半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律的计算等。

“801半导体物理”研究生招生考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。

二、知识要点（一）半导体晶体结构和缺陷1.主要内容半导体的分类及其特点，半导体的性质及导电能力对外界因素的依赖性，半导体化学键的性质和半导体的晶体结构，金刚石与闪锌矿结构的特点及其各向异性。

2.具体要求固体的分类半导体性质化学键类型和晶体结构的规律性半导体晶体结构与半导体键的性质晶格、晶向与晶面半导体中常用的晶向与晶面金刚石结构和闪锌矿结构的特点及其各向异性砷化镓晶体的极性（二）半导体中的电子状态1.主要内容半导体中电子状态与能带，半导体中的电子运动与有效质量，空穴，回旋共振原理与作用，Si的回旋共振实验结果，常用元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。

2.具体要求半导体中的电子状态、表征和能带半导体中电子的运动和有效质量，有效质量的意义本征半导体的导电机构，空穴的概念，空穴等效概念的作用与意义回旋共振原理、作用及其Si晶体的回旋共振实验结果Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构（三）半导体中杂志和缺陷能级1.主要内容半导体中的杂质和缺陷，元素半导体中的杂质和缺陷能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。

2.具体要求Si和Ge晶体中的杂质和杂质能级杂质的补偿作用与应用深能级杂质Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级（四）半导体中载流子的统计分布1.主要内容状态密度，分布函数、Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体2.具体要求状态密度的定义与计算分布函数费米能级、费米能级意义非简并半导体载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度杂质补偿半导体的载流子浓度简并半导体及载流子浓度、简并化判据、简并半导体的特点与杂质带导电载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素（五）半导体的导电性1.主要内容载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子2.具体要求漂移的概念与规律载流子漂移运动迁移率定义及物理意义载流子散射概念半导体中的主要散射机制、特点及其影响因素半导体中其它因素引起的散射迁移率与杂质浓度和温度的关系电阻率及其与杂质浓度和温度的关系载流子在强电场下的效应高场畴区与Gunn效应；（六）非平衡载流子1.主要内容非平衡状态，非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程2.具体要求非平衡状态及其特点非平衡载流子的注入与复合准费米能级概念与意义非平衡载流子的寿命及其影响因素直接复合与间接复合理论表面复合陷阱效应扩散概念与规律半导体中载流子的扩散运动Einstein关系半导体中的电流构成连续性方程的建立及意义连续性方程的典型应用三、考试形式1、考试时间：180分钟。

《半导体物理》教学大纲课程名称：半导体物理学英文名称：Semiconductor Physics课程编号：课程类别：专业选修课使用对象：应用物理、电信专业本科生总学时： 48 学分： 3先修课程：热力学与统计物理学；量子力学；固体物理学使用教材：《半导体物理学》刘恩科等主编，电子工业出版社出版一、课程性质、目的和任务本课程是高等学校应用物理专业、电子与信息专业本科生的专业选修课。

本课程的目的和任务是：通过本课程的学习使学生获得半导体物理方面的基本理论、基本知识和方法。

通过本课程的学习要为应用物理与电信专业本科生的半导体集成电路、激光原理与器件、功能材料等后续课程的学习奠定必要的理论基础二、教学内容及要求本课程所使用的教材，共13章，概括可分为四大部分。

第1～5章，晶体半导体的基本知识和性质的阐述；第6～9章归结为半导体的接触现象；第10～12章，半导体的各种特殊效应；第13章，非晶态半导体。

全部课堂教学为48学时，对上述内容作了必要的精简。

10～13章全部不在课堂讲授，留给学生自学或参考，其他各章的内容也作了部分栅减。

具体内容和要求如下：第1章半导体中的电子状态1.半导体的晶格结构和结合性质2.半导体中的电子状态和能带3.半导体中电子的运动有效质量4.本征半导体的导电机构空穴5.回旋共振6.硅和锗的能带结构7.III-V族化合物半导体的能带结构8.II-VI族化合物半导体的能带结构9.Si1-xGex合金的能带10.宽禁带半导体材料基本要求：将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。

（限于学时，本章的第7-10节可不讲授，留学生参阅，不作具体要求）。

重点：半导体中的电子运动；有效质量；空穴概念。

难点：能带论的定性描述和理解；锗、硅、砷化镓能带结构第2章半导体中杂质和缺陷能级1.硅、锗晶体中的杂质能级2.III-V族化合物中的杂质能级3.氮化镓、氮化铝、氮化硅中的杂质能级4.缺陷、位错能级基本要求：根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用；了解缺陷、位错能级的特点和作用。

考研试题国防科学技术大学参考数据：电子的电荷为：e ＝1.60219×10－19C ；普朗克常量h ＝6.63×10－34J ·s ；光速：c ＝3.0×108m/s ；斯蒂芬－玻尔兹曼常量为12245.6710(W cm K )σ---=。

一、选择（每题2分，共10题，共20分；每题只有唯一正确答案，多选计0分！）1. 波长为0.78μm 的光子能量为（）A 3.2eVB 1.59eVC 1.24eVD 2. 4eV2. 下列表述中哪一个基本单位是辐射度量的单位（）A 教室照度75 lxB 红外辐射功率12mWC 投影仪输出光通量3000 lmD 大气外层太阳亮度1.9×109cd/m 23. 下列哪一种应用系统为典型的相干探测应用实例（）A 照相机自动曝光B 飞行目标红外辐射探测C 激光陀螺测量转动角速度D 子弹射击钢板闪光测量4. 对于P 型半导体来说，以下说法不正确的是（）A 空穴为多子，电子为少子B 能带图中费米能级靠近价带顶C 光照时内部不可能产生本征吸收D 弱光照时载流子寿命与热平衡时空穴浓度成反比5. 给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是（）A 可以扩大探测器光谱响应范围B 可以提高探测器灵敏度C 可以降低探测器噪声D 可以提高探测器响应速度6. 分布式光纤测温系统中，下列说法正确的是（）A 光学时域反射定位技术测量距离B 前向散射光的光通量确定散射点温度C 光学时域反射定位技术测量温度D 后向散射光的光通量确定散射点位置7. 锁定放大器是基于（）A 自相关检测理论B 互相关检测理论C 直接探测量子限理论D 相干探测量子限理论8. 设热电堆由n 个性能一致的热电偶串联构成。

下列说法不正确的是（）A 热电堆的内阻是所有串联热电偶的内阻之和B 与单个热电偶相比，热电堆的光电灵敏度提高了n 倍C 与单个热电偶相比，热电堆的测量准确度要高n 1/2倍D 相同的温差时，热电堆的开路输出电压是所有串联热电偶的温差电动势之和9. 为了探测宽度为20ns 、重复频率为20kHz 的激光脉冲信号，要保证信号不失真，下列光电探测器选择哪个最为合适（）A Si-PDB 3DU 型光电三极管C PIN-PD D 2CR11硅光电池10. 在飞轮转速和方向的光电测量系统中，若光源采用激光二极管，激光波长632nm ，输出光调制频率为1kHz ，探测器为CdSe 光敏电阻，后接的检测电路为带通滤波放大器，其中心频率为1kHz ，带宽为100Hz 。

2017年硕士研究生入学考试初试考试大纲科目代码：813科目名称：软件工程适用专业：计算机科学与技术，软件工程参考书目：[1]张海藩,软件工程导论（第六版），清华大学出版社，2013年[2]齐治昌、谭庆平、宁洪，软件工程(第三版)，高等教育出版社，2012年[3]（美）沙赫著邓迎春等译，软件工程：面向对象和传统的方法（第八版），机械工业出版社，2012年考试时间：3小时考试方式：笔试总分：150分考试范围：一、软件工程学概述：软件工程概念、软件危机、软件工程基本原理、软件生存周期，各种软件开发模型以及其优缺点。

二、可行性研究：可行性研究的任务和步骤，系统流程图和数据流图，数据字典。

三、需求分析：需求分析的任务，需求分析的方法，E-R图、状态转换图，层次方框图、Warnier图和IPO图的应用，验证软件需求的方法。

五、总体设计：总体设计的过程，软件设计原则，启发式规则，层次图、HIPO图和结构图的应用，面向数据流的设计方法。

六、详细设计：结构程序设计、人机界面设计的方法，程序流程图、盒图、PAD图、判定表、判定树的应用，Jackson图，程序复杂程度的定量度量。

七、实现：常见的程序设计语言的选择，编码风格。

软件测试定义和目的，黑盒测试和白盒测试，软件测试的步骤，单元测试、集成测试和验收测试的方法，测试用例的设计，调试技术和策略，软件可靠性的概念。

八、维护：软件维护的概念和特点，软件维护的过程，软件维护过程中所需采用的主要技术，软件可维护的属性，软件再工程。

九、面向对象的方法学概要面向对象方法的基本概念和特征，面向对象建模的方法。

对象建模、动态建模、功能建模。

十、面向对象分析、设计和实现面向对象分析的方法，面向对象设计的基本概念与基本方法，软件重用，基于UML的需求分析、设计。

面向对象的测试方法。

十一、软件项目管理软件项目管理的主要任务，软件度量的基本概念，项目估算、软件质量度量、软件可靠性度量的意义。

《半导体物理》课程考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目：1．刘恩科朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社三、考试内容与基本要求：第一章绪论[考试要求]本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。

[考试内容]①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念②晶体中的缺陷、晶格振动③晶体中的电子运动第二章半导体中的电子状态[考试要求]本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。

[考试内容]①电子、空穴和有效质量的概念②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象③常用半导体的能带结构④半导体中的杂质和缺陷第三章热平衡状态下载流子的统计分布[考试要求]本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念，掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。

[考试内容]①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化④简并半导体第四章载流子的漂移和扩散[考试要求]本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。

[考试内容]①半导体中载流子的各种散射机制②电导率和迁移率③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系⑤强电场效应，热载流子第五章非平衡载流子[考试要求]本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。

[考试内容]①非平衡载流子的注入与复合②各种复合理论③连续性方程第六章p-n结[考试要求]本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n 结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。