晶体简介及倒易点阵(优.选)
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倒易点阵晶体学中最关心通常是晶体取向,即晶面的法线方向。
倒易点阵是在晶体点阵的基础上按一定对应关系建立起来的空间几何图形(倒易空间),是晶体点阵的另一种表达形式。
将晶体点阵空间称为正空间。
倒易空间中的结点称为倒易点。
部分。
a a * = b把正点阵基矢与倒易点阵基矢的关系代入,得正点阵与倒易点阵的关系•O 点到(hkl)晶面的垂直距离就是晶面间距d hkl 。
倒数关系(大小)●d hkl =h a H H H1=•确定倒易矢量H ,就确定了正点阵晶面。
S hkl P 及Q ⊥•倒易矢量[hkl]的大小(模)就是其正点阵中相邻平行(hkl)晶面间距的倒数。
(倒—Reciprocal)进行矢量相乘并且展开。
a H hkl •在倒易点阵中,从原点指向阵点[坐标hkl ]的倒易矢量H hkl = ha* +kb* +lc*•H hkl 必和正点阵的(hkl )面垂直,•即倒易点阵的阵点方向[hkl ]*和正点阵的(hkl )面垂直:[hkl ]*⊥(hkl )。
CBAx y z(010)(100)(001)a例:由单斜点阵导出其倒易点阵•单斜点阵:b轴垂直于a和c轴。
左图图面为(010)面。
•从作图可以看出,正点阵和其对应的倒易点阵同属一种晶系。
把上面三个式子写成矩阵形式:•同理,可按下式求出与方向指数为[uvw]的方向相垂直的面的面指数(hkl):•例如,对立方系而言,a*●a* = b* ●b* = c*●c *=1/a2;a*●b* = b* ●c* = c*●a *=0;•u:v:w=h:k:l。
所以(hkl)面的法线指数和面指数同名,即为[hkl]。
倒易点阵名
倒易点阵是由被称为倒易点的点所构成的一种点阵,它也是描述晶体结构的一种几何方法,它和空间点阵具有倒易关系。
倒易点阵中的一倒易点对应着空间点阵中一组晶面间距相等的点格平面。
倒易点阵的概念在晶体结构和固体物理学中都有十分重要的作用。
到目前为止,大多数教程都是在密勒指数或晶面指数无关的情况下来定义倒易点阵概念的。
由于晶面指数的概念出现得很早,有一些老的晶体学和固体物理学教程中甚至没有提到倒易点阵这个概念。
在目前流行的固体物理学教科书中,对倒易点阵均有叙述,而且处处应用。
但是,倒易点阵概念的引入比较生硬,对倒易点阵与晶面指数的关系交待得不够清楚。
倒易点阵倒易点阵:晶体点阵结构与其电⼦衍射斑点之间可以通过另外⼀个假想的点阵很好地联系起来,这就是~零层倒易截⾯:电⼦束沿晶带轴的反向⼊射时,通过原点的倒易平⾯只有⼀个,我们把这个⼆维平⾯叫做~消光距离:透射束或衍射束在动⼒学相互作⽤的结果,在晶体深度⽅向上发⽣周期性的振荡,这种振荡的深度周期叫做~明场像:通过衍射成像原理成像时,让透射束通过物镜光阑⽽把衍射束挡掉形成的图像称为明场像。
暗场像:通过衍射成像原理成像时,让衍射束通过物镜光阑⽽把透射束挡掉形成的图像称为暗场像。
衍射衬度:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同⽽造成的衬度差别叫~质厚衬度:是建⽴在⾮晶体样品中原⼦对⼊射电⼦的散射和透射电⼦显微镜⼩孔径⾓成像基础上的成像原理,是解释⾮晶态样品电⼦显微图像衬度的理论依据。
⼆次电⼦:在⼊射电⼦束作⽤下被轰击出来并离开样品表⾯的样品的核外电⼦叫~吸收电⼦:⼊射电⼦进⼊样品后,经多次⾮弹性散射能量损失殆尽,然后被样品吸收的电⼦。
透射电⼦:如果被分析的样品很薄,那么就会有⼀部分⼊射电⼦穿过薄样品⽽成为透射电⼦。
结构消光:当Fhkl=0时,即使满⾜布拉格定律,也没有衍射束产⽣,因为每个晶胞内原⼦散射波的合成振幅为零。
这叫做~分辨率:是指成像物体(试样)上能分辨出来的两个物点间的最⼩距离。
焦点:⼀束平⾏于主轴的⼊射电⼦束通过电磁透镜时将被聚焦在轴线上⼀点。
焦长:透镜像平⾯允许的轴向偏差.景深:透镜物平⾯允许的轴向偏差.磁转⾓:电⼦束在镜筒中是按螺旋线轨迹前进的,衍射斑点到物镜的⽽⼀次像之间有⼀段距离,电⼦通过这段距离时会转过⼀定的⾓度.电磁透镜:透射电⼦显微镜中⽤磁场来使电⼦波聚焦成像的装置。
透射电⼦显微镜:是以波长极短的电⼦束作为照明源,⽤电磁透镜聚焦成像的⼀种⾼分辨率,⾼放⼤倍数的电⼦光学仪器。
弹性散射:当⼀个电⼦穿透⾮晶体薄样品时,将与样品发⽣相互作⽤,或与原⼦核相互作⽤,或与核外电⼦相互作⽤,由于电⼦的质量⽐原⼦核⼩得多,所以原⼦核⼊射电⼦的散射作⽤,⼀般只引来电⼦改变运动⽅向,⽽能量没有变化,这种散射叫做弹性散射。
倒易点阵晶体结构倒易点阵晶体结构倒易点阵晶体结构是一种特殊的晶体结构,它具有许多独特的性质和应用。
本文将介绍倒易点阵晶体结构的基本概念、性质和应用。
一、基本概念倒易点阵是指在晶体中原子或分子排列的方式。
晶体是由周期性排列的原子或分子组成的固体,而倒易点阵则是晶体中原子或分子排列的镜像。
倒易点阵具有高度的对称性和周期性,其结构可以用倒易点群来描述。
二、性质1. 高度的对称性:倒易点阵具有高度的对称性,这是由于晶体中原子或分子的周期性排列所决定的。
倒易点阵的对称性可以通过倒易点群来描述,倒易点群是一组对称操作,包括旋转、镜像和反演等操作。
2. 布拉格定律:倒易点阵的周期性排列使得它们能够散射入射的电磁波。
布拉格定律描述了散射波与倒易点阵的相互作用。
根据布拉格定律,散射波的波矢量与倒易点阵的倒格矢量之间满足关系式:2π/λ = |G|,其中λ是散射波的波长,G是倒格矢量的模长。
3. 能带结构:倒易点阵的周期性排列使得它们具有能带结构。
能带结构是描述固体中电子能量与动量关系的理论。
倒易点阵的能带结构对于材料的电子输运和光学性质具有重要影响。
三、应用倒易点阵晶体结构在许多领域都有重要的应用,以下列举几个典型的应用:1. 光学器件:倒易点阵晶体结构具有特殊的光学性质,可用于制造光学器件。
例如,倒易点阵光纤具有高度的光学导引性能,可用于制造光纤通信设备。
2. 光子晶体:倒易点阵晶体结构可以形成光子禁带,即在某一频率范围内禁止光的传播。
光子晶体具有重要的光学性质,可用于制造光学滤波器、光学调制器等光学器件。
3. 电子器件:倒易点阵晶体结构对于电子输运具有重要的影响,可用于制造电子器件。
例如,倒易点阵晶体管具有优良的电子输运性能,可用于制造高频放大器和微波器件。
4. 气体吸附:倒易点阵晶体结构具有大的表面积和孔隙度,可用于吸附气体。
倒易点阵材料可以用作气体传感器、催化剂和分离膜等。
四、总结倒易点阵晶体结构是一种特殊的晶体结构,具有高度的对称性和周期性。
倒易点阵:晶体点阵结构与其电子衍射斑点之间可以通过另外一个假想的点阵很好地联系起来,这就是~零层倒易截面:电子束沿晶带轴的反向入射时,通过原点的倒易平面只有一个,我们把这个二维平面叫做~消光距离:透射束或衍射束在动力学相互作用的结果,在晶体深度方向上发生周期性的振荡,这种振荡的深度周期叫做~明场像:通过衍射成像原理成像时,让透射束通过物镜光阑而把衍射束挡掉形成的图像称为明场像。
暗场像:通过衍射成像原理成像时,让衍射束通过物镜光阑而把透射束挡掉形成的图像称为暗场像。
衍射衬度:由于样品中不同位向的晶体的衍射条件不同而造成的衬度差别叫~质厚衬度:是建立在非晶体样品中原子对入射电子的散射和透射电子显微镜小孔径角成像基础上的成像原理,是解释非晶态样品电子显微图像衬度的理论依据。
二次电子:在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外电子叫~吸收电子:入射电子进入样品后,经多次非弹性散射能量损失殆尽,然后被样品吸收的电子。
透射电子:如果被分析的样品很薄,那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。
结构消光:当Fhkl=0时,即使满足布拉格定律,也没有衍射束产生,因为每个晶胞内原子散射波的合成振幅为零。
这叫做~分辨率:是指成像物体(试样)上能分辨出来的两个物点间的最小距离。
焦点:一束平行于主轴的入射电子束通过电磁透镜时将被聚焦在轴线上一点。
焦长:透镜像平面允许的轴向偏差.景深:透镜物平面允许的轴向偏差.磁转角:电子束在镜筒中是按螺旋线轨迹前进的,衍射斑点到物镜的而一次像之间有一段距离,电子通过这段距离时会转过一定的角度.电磁透镜:透射电子显微镜中用磁场来使电子波聚焦成像的装置。
透射电子显微镜:是以波长极短的电子束作为照明源,用电磁透镜聚焦成像的一种高分辨率,高放大倍数的电子光学仪器。
弹性散射:当一个电子穿透非晶体薄样品时,将与样品发生相互作用,或与原子核相互作用,或与核外电子相互作用,由于电子的质量比原子核小得多,所以原子核入射电子的散射作用,一般只引来电子改变运动方向,而能量没有变化,这种散射叫做弹性散射。
倒易点阵晶体点阵:--实空间(用S表示) 由晶体的周期性直接抽象出的点阵(正点 阵); 倒易点阵:--倒易空间(用S*表示) 根据空间点阵虚构的一种点阵。
倒易点阵 (reciprocal lattice)倒易空间 倒易晶格c* c b b* a* auu r uur uur uu r r * = ha * + k b * + lc *uur uu uu r r 以 a *, b *, c * 为新的三个基矢,引入另一个点阵,显然该点阵中的点阵的方向uu r uur uu uu r r r * = ha * + kb * + lc *就是晶面 (hkl)的法线方向,该矢量指向的点阵点指数即为hkl。
倒易点阵的一个结点对应空间 点阵的一个晶面。
二维问题一维化处理倒易矢量的性质倒易点阵矢量垂直于正空间点阵平面。
正空间点阵平面间距等于倒易点阵矢量的 倒数。
dhkl=1/r*倒易矢量:由倒易点阵的原点O至任一倒易点 hkl的矢量为r* 。
r* = ha* + kb* + lc*倒易矢量的两个重要性质(1) r*的方向与实际点阵面(hkl)相垂直,或r* 的方向是实际点阵面(hkl)的法线方向。
(2) r*的大小等于实际点阵面(hkl)面间距的倒数, 即:rhkl1 = d hkl倒易基矢的方向:要求倒易基矢垂直于晶面001a* ⊥ (100) b* ⊥ (010) c* ⊥ (001)c*c*c b b*a* a 100010Z立方晶格的倒易变换 (简单点阵)0.25 Å-1 1Å b (220) (010) (110) b* 010 H110C*Y 220 X020120 H220 110 H210 100 a*(100)210c(210) a200000正晶格倒易晶格Z立方晶格的倒易变换 (面心点阵)0.25 Å-1 1Å b (220) (010) (110) b* 020 H220 220 X Y(100)c(210) aC*200 000 a*正晶格倒易晶格。