CT势垒电容
Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容
Co零偏压电容
Cjo零偏压结电容
Cjo/Cjn结电容变化
Cs管壳电容或封装电容
Ct总电容
CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数
Cvn标称电容
IF 正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）正向平均电流
IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH恒定电流、维持电流。
Ii发光二极管起辉电流
IFRM正向重复峰值电流
IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流
IL光电流或稳流二极管极限电流
ID暗电流
IB2单结晶体管中的基极调制电流
IEM发射极峰值电流
IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM最大输出平均电流
IFMP正向脉冲电流
IP峰点电流
IV谷点电流
IGT晶闸管控制极触发电流
IGD晶闸管控制极不触发电流
IGFM控制极正向峰值电流
IR（AV）反向平均电流
IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM反向峰值电流
IRR晶闸管反向重复平均电流
IDR晶闸管断态平均重复电流
IRRM反向重复峰值电流
IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp反向恢复电流
Iz稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk稳压管膝点电流
IOM 最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM稳压二极管浪涌电流
IZM最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF正向总瞬时电流
iR反向总瞬时电流
ir反向恢复电流
Iop工作电流
Is稳流二极管稳定电流
f频率
n电容变化指数；电容比
Q优值（品质因素）
δvz稳压管电压漂移
di/dt通态电流临界上升率
dv/dt通态电压临界上升率
PB承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）正向导通平均耗散功率
PFTM正向峰值耗散功率
PFT正向导通总瞬时耗散功率
Pd耗散功率
PG门极平均功率
PGM门极峰值功率
PC控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi输入功率
PK最大开关功率
PM额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP最大漏过脉冲功率
PMS最大承受脉冲功率
Po输出功率
PR反向浪涌功率
Ptot总耗散功率
Pomax最大输出功率
Psc连续输出功率
PSM不重复浪涌功率
PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻
RE射频电阻
RL负载电阻
Rs(rs)#NAME?
Rth#NAME?
R(th)ja#NAME?
Rz(ru)动态电阻
R(th)jc结到壳的热阻
rδ衰减电阻
r(th)瞬态电阻
Ta环境温度
Tc壳温
td延迟时间
tf下降时间
tfr正向恢复时间
tg电路换向关断时间
tgt门极控制极开通时间
Tj结温
Tjm最高结温
ton开通时间
toff关断时间
tr上升时间
trr反向恢复时间
ts存储时间
tstg温度补偿二极管的贮成温度
a温度系数
λp发光峰值波长
△λ光谱半宽度
η单结晶体管分压比或效率
VB反向峰值击穿电压
Vc整流输入电压
VB2B1基极间电压
VBE10发射极与第一基极反向电压
VEB饱和压降
VFM最大正向压降（正向峰值电压）
VF正向压降（正向直流电压）
△VF正向压降差
VDRM断态重复峰值电压
VGT门极触发电压
VGD门极不触发电压
VGFM门极正向峰值电压
VGRM门极反向峰值电压
VF（AV）正向平均电压
Vo交流输入电压
VOM最大输出平均电压
Vop工作电压
Vn中心电压
Vp峰点电压
VR反向工作电压（反向直流电压）
VRM反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）击穿电压
Vth阀电压（门限电压）
VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM反向工作峰值电压
V v谷点电压
Vz稳定电压
△Vz稳压范围电压增量
Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av电压温度系数
Vk膝点电压（稳流二极管）
VL极限电压
Cc集电极电容
Ccb集电极与基极间电容
Cce发射极接地输出电容
Ci输入电容
Cib共基极输入电容
Cie共发射极输入电容
Cies共发射极短路输入电容
Cieo共发射极开路输入电容
Cn中和电容（外电路参数）
Co输出电容
Cob共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe共发射极输出电容
Coeo共发射极开路输出电容
Cre共发射极反馈电容
Cic集电结势垒电容
CL负载电容（外电路参数）
Cp并联电容（外电路参数）
BVcbo发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo基极开路，CE结击穿电压
BVebo集电极开路EB结击穿电压
BVces基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D占空比
fT特征频率
fmax最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE共发射极静态电流放大系数
hIE共发射极静态输入阻抗
hOE共发射极静态输出电导
h RE共发射极静态电压反馈系数
hie共发射极小信号短路输入阻抗
hre共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe共发射极小信号短路电压放大系数
hoe共发射极小信号开路输出导纳
IB基极直流电流或交流电流的平均值
Ic集电极直流电流或交流电流的平均值
IE发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo 基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo 发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo 基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer 基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices 发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex 发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM 在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP集电极最大允许脉冲电流
ISB二次击穿电流
IAGC正向自动控制电流
Pc集电极耗散功率
PCM集电极最大允许耗散功率
Pi输入功率
Po输出功率
Posc振荡功率
Pn噪声功率
Ptot总耗散功率
ESB二次击穿能量
rbb'基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'Cc基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE外接发射极电阻（外电路参数）
RB外接基极电阻（外电路参数）
Rc外接集电极电阻（外电路参数）
RBE外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL负载电阻（外电路参数）
RG信号源内阻
Rth热阻
Ta环境温度
Tc管壳温度
Ts结温
Tjm最大允许结温
Tstg贮存温度
td#NAME?
tr上升时间
ts存贮时间
tf下降时间
ton开通时间
toff关断时间
VCB集电极-基极（直流）电压
VCE集电极-发射极（直流）电压
VBE基极发射极（直流）电压
VCBO基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER
发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX 发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp穿通电压。
VSB二次击穿电压
VBB基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC正向自动增益控制电压
Vn(p-p)输入端等效噪声电压峰值
V n噪声电压
Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容
Co零偏压电容
Cjo零偏压结电容
Cjo/Cjn结电容变化
Cs管壳电容或封装电容
Ct总电容
CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数
Cvn标称电容
IF 正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）正向平均电流
IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH恒定电流、维持电流。
Ii发光二极管起辉电流
IFRM正向重复峰值电流
IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流
IL光电流或稳流二极管极限电流
ID暗电流
IB2单结晶体管中的基极调制电流
IEM发射极峰值电流
IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM最大输出平均电流
IFMP正向脉冲电流
IP峰点电流
IV谷点电流
IGT晶闸管控制极触发电流
IGD晶闸管控制极不触发电流
IGFM控制极正向峰值电流
IR（AV）反向平均电流
IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM反向峰值电流
IRR晶闸管反向重复平均电流
IDR晶闸管断态平均重复电流
IRRM反向重复峰值电流
IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp反向恢复电流
Iz稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk稳压管膝点电流
IOM 最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM稳压二极管浪涌电流
IZM最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF正向总瞬时电流
iR反向总瞬时电流
ir反向恢复电流
Iop工作电流
Is稳流二极管稳定电流
f频率
n电容变化指数；电容比
Q优值（品质因素）
δvz稳压管电压漂移
di/dt通态电流临界上升率
dv/dt通态电压临界上升率
PB承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）正向导通平均耗散功率
PFTM正向峰值耗散功率
PFT正向导通总瞬时耗散功率
Pd耗散功率
PG门极平均功率
PGM门极峰值功率
PC控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi输入功率
PK最大开关功率
PM额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP最大漏过脉冲功率
PMS最大承受脉冲功率
Po输出功率
PR反向浪涌功率
Ptot总耗散功率
Pomax最大输出功率
Psc连续输出功率
PSM不重复浪涌功率
PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB双基极晶体管的基极间电阻
RE射频电阻
RL负载电阻
Rs(rs)#NAME?
Rth#NAME?
R(th)ja#NAME?
Rz(ru)动态电阻
R(th)jc结到壳的热阻
rδ衰减电阻
r(th)瞬态电阻
Ta环境温度
Tc壳温
td延迟时间
tf下降时间
tfr正向恢复时间
tg电路换向关断时间
tgt门极控制极开通时间
Tj结温
Tjm最高结温
ton开通时间
toff关断时间
tr上升时间
trr反向恢复时间
ts存储时间
tstg温度补偿二极管的贮成温度
a温度系数
λp发光峰值波长
△λ光谱半宽度
η单结晶体管分压比或效率
VB反向峰值击穿电压
Vc整流输入电压
VB2B1基极间电压
VBE10发射极与第一基极反向电压
VEB饱和压降
VFM最大正向压降（正向峰值电压）VF正向压降（正向直流电压）
△VF正向压降差
VDRM断态重复峰值电压
VGT门极触发电压
VGD门极不触发电压
VGFM门极正向峰值电压
VGRM门极反向峰值电压
VF（AV）正向平均电压
Vo交流输入电压
VOM最大输出平均电压
Vop工作电压
Vn中心电压
Vp峰点电压
VR反向工作电压（反向直流电压）
VRM反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）击穿电压
Vth阀电压（门限电压）
VRRM反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM反向工作峰值电压
V v谷点电压
Vz稳定电压
△Vz稳压范围电压增量
Vs通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av电压温度系数
Vk膝点电压（稳流二极管）
VL极限电压
Cds漏-源电容
Cdu漏-衬底电容
Cgd栅-源电容
Cgs漏-源电容
Ciss栅短路共源输入电容
Coss栅短路共源输出电容
Crss栅短路共源反向传输电容
D占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt电流上升率（外电路参数）
dv/dt电压上升率（外电路参数）
ID漏极电流（直流）
IDM漏极脉冲电流
ID(on)通态漏极电流
IDQ静态漏极电流（射频功率管）
IDS漏源电流
IDSM最大漏源电流
IDSS栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG栅极电流（直流）
IGF正向栅电流
IGR反向栅电流
IGDO源极开路时，截止栅电流
IGSO漏极开路时，截止栅电流
IGM栅极脉冲电流
IGP栅极峰值电流
IF二极管正向电流
IGSS漏极短路时截止栅电流
IDSS1对管第一管漏源饱和电流IDSS2对管第二管漏源饱和电流
Iu衬底电流
Ipr电流脉冲峰值（外电路参数）gfs正向跨导
Gp功率增益
Gps共源极中和高频功率增益GpG共栅极中和高频功率增益GPD共漏极中和高频功率增益
ggd栅漏电导
gds漏源电导
K失调电压温度系数
Ku传输系数
L负载电感（外电路参数）
LD漏极电感
Ls源极电感
rDS漏源电阻
rDS(on)漏源通态电阻
rDS(of)漏源断态电阻
rGD栅漏电阻
rGS栅源电阻
Rg栅极外接电阻（外电路参数）RL负载电阻（外电路参数）
R(th)jc结壳热阻
R(th)ja结环热阻
PD漏极耗散功率
PDM漏极最大允许耗散功率
PIN输入功率
POUT输出功率
PPK脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)开通延迟时间
td(off)关断延迟时间
ti上升时间
ton开通时间
toff关断时间
tf下降时间
trr反向恢复时间
Tj结温
Tjm最大允许结温
Ta环境温度
Tc管壳温度
Tstg贮成温度
VDS漏源电压（直流）
VGS栅源电压（直流）
VGSF正向栅源电压（直流）
VGSR反向栅源电压（直流）
VDD漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)开启电压或阀电压
V（BR）D漏源击穿电压
V（BR）G漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)漏源通态电压
VDS(sat)漏源饱和电压
VGD栅漏电压（直流）
Vsu源衬底电压（直流）
VDu漏衬底电压（直流）
VGu栅衬底电压（直流）
Zo驱动源内阻
η漏极效率（射频功率管）
Vn噪声电压
aID漏极电流温度系数
ards漏源电阻温度系数
深圳大学实验报告 课程名称：电路分析 实验项目名称：交流电路元件参数的测定学院： 专业： 指导教师： 报告人：学号：班级： 实验时间： 实验报告提交时间： 教务部制
实验目的与要求： 1．正确掌握交流电流表、电压表、功率相位组合表的用法。 2．加深对交流电路元件特性的了解。 3．掌握交流电路元件参数的实验测定方法。 方法、步骤： 电阻器、电容器和电感线圈是工程上经常使用的基本元件。在工作频率不高的条件下，电阻器、电容器可视为理想电阻和理想电容。一般电感线圈存在较大电阻，不可忽略，故可用一理想电感和理想电阻的串联作为其电路模型。 电阻的阻抗为： 电容的阻抗为： 电感线圈的阻抗为： 电阻器、电容器、电感线圈的参数可用交流电桥等仪器测出，若手头没有这些设备，可搭建一个简单的交流电路，通过测阻抗算出元件参数值。 1．三表法 利用交流电流表、交流电压表、相位表（或功率表）测量元件参数称为三表法。这种方法最直接，计算简便。元件阻抗为 对于电阻 对于电容 对于电感，， 由已知的电源角频率ω，可进一步确定元件参数。 2．二表法 若手头上没有相位表或功率表，也可只用电流表和电压表测元件参数，这种方法称为二表法。由于电阻器和电容器可看作理想元件，已知其阻抗角为0或90度，故用二表法测其参数不会有什么困难。 二表法测电感线圈参数的电路如图2所示。图中的电阻R是一个辅助测量元件。由 图2可见，根据基尔霍夫电压定律有，而，其中和为假想电压，分别代表线圈中等效电阻r和电感L的端电压。各电压相量关系如图3所示，由于电压U、U1、U2可由电路中测得，故图中小三角形Δaob的各边长已知，再利用三角 形的有关公式求出bc边和ac边的长度，即电压U r和U L可求。最后，由式、 及已知的电源角频率ω可求得线圈的参数。 3．一表法 只用一个交流电压表测量元件参数的方法称为一表法，其原理与二表法相同，不同 的是辅助测量电阻R的阻值应预先已知，这样电路中电流可求，可省去一个电流表。此法有更强的实用性。
常用电子元器件检测方法与技巧
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1固定 1固定电容器的检测 A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2电解电容器的检测 A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是
实验二：常用电力电子器件特性测试 （一）实验目的 （1）掌握几种常用电力电子器件（SCR、GTO、MOSFET、IGBT）的工作特性；（2）掌握各器件的参数设置方法，以及对触发信号的要求。 （二）实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型，只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性，并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度，模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路，在参数表中设置，名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管，在使用中要注意，需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用，也就是要有电流的回路，
但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无，没有电压型和电流型驱动的区别，也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异，但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感，因此具有电流源的性质，所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上，一般都带有一个测量输出端口，通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端，给器件提供触发信号，使器件触发导通。 （三）实验内容 （1）在MATLAB/Simulink中构建仿真电路，设置相关参数。 （2）改变器件和触发脉冲的参数设置，观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 （四）实验过程与结果分析 1．仿真系统 Matlab平台 2．仿真参数 （1）Thyristor参数设置： 直流源和电阻参数：
（电子行业企业管理）实验一、常用元器件的识别与测量及常规电子仪器使 用
实验一、常用元器件的识别与测量及常规电子仪器使用 一、目的 掌握常用电子元件的识别知识与检测技术。 二、实验仪器 万用表、示波器、信号发生器、直流稳压电源、毫伏表 三、任务 电子、电容的测量；二极管、三极管管脚识别与测量，常规电子仪器使用 四、实验内容 1．电阻器的检测 用万用表（指针式或数字式）测量电阻器是测量阻值和判别其质量好坏的最简易方法。测量方法如下（以MF-47为例）： ⑴检查电池 ⑵机械调零 ⑶选择倍率挡 ⑷电阻挡调零 ⑸测量电阻 2．电容器的检测 ⑴电容器的充放电检测 ⑵电容器漏电电阻的检测 3．二极管的简易测量 ⑴用指针式万用表测试二极管 ①二极管的好坏及电极的判别。用万用表的R×1K挡，用红、黑两表笔分别接触二极管的两个电极，测出其正、反向电阻值，一般二极管的正向电阻为几十欧到几千欧，反向电阻为几百千欧以上。正、反向电阻差值约大约好，至少应相差百倍为宜。若正、反向电阻都为零，则管子内部短路；若正、反向电阻都为∞，则管子内部开路；若正、反向电阻接近，则管子性能差。用上述测法测得阻值较小的那次，黑表笔所接触的电极为二极管的正极，另一端为负极。这是因为在磁电式万用表的欧姆挡，黑表笔接表内电池的正端，红表笔接表内电池的负端。 ②二极管类型的判别。经验证明，用500型万用表的R×1K挡测二极管的正向电阻时，硅管为6～20kΩ，锗管为1～5kΩ。用2.5V或10V电压挡测二极管
的正向导通电压时，一般锗管的正向电压为0.1V～0.3V，硅管的正向电压为0.5V～0.7V。 注意：用不同类型的万用表或同一类型的万用表的不同量程去测二极管的正向电阻时，所得结果是不同的。 ⑵用数字式万用表测试二极管 ①极性判别。将数字式万用表置于二极管挡，红表笔插入“V?Ω”插孔，黑表笔插入“COM”插孔，这时红表笔接表内电源正极，黑表笔接表内电源负极。将两只笔分别接触二极管的两个电极，如果显示溢出符号“1”，说明二极管处于截止状态；如果显示在1V以下，说明二极管处于正向导通状态，此时与红表笔相接的是管子的正极，与黑表笔相接的是负极。 ②好坏的测量。将数字式万用表置于二极管挡，红表笔插入“V?Ω”插孔，黑表笔插入“COM”插孔。当红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极时，显示值在1V以下；当黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极时，显示溢出符号“1”，说明被测二极管正常。若两次测量均显示溢出，则表示二极管内部断路。若两次测量均显示“000”，则表示二极管已击穿短路。 ③硅管与锗管的测量。量程开关位置及表笔插法同上，红表笔接被测二极管的正极，黑表笔接负极，若显示电压在0.5V∽0.7V，说明被测管是硅管；若显示电压在0.1V∽0.3V，说明被测管是锗管。用数字式万用表判断二极管类型是，不宜用电阻挡进行测量，因为数字式万用表电阻挡所提供的测量电流太大，而二极管是非线性元件，其正、反向电阻与测试电流的大小有关，所以，用数字式万用表测出来的电阻值与正常值相差极大。 4．晶体三极管的简易测试 利用万用表来简易测试晶体三极管 ①判断基极和管子类型 由于三极管的基极对集电极和发射极的正向电阻都较小，据此，可先找出基极。将万用表拨在R×100或R×1K挡上，当红表笔接触某一电极时，将黑表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几十至上百千欧的高电阻时，则表明该管为NPN型管，且这时红表笔所接触的电极为基极b。同理，如用黑表笔接触某一电极时，将红表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几百欧姆的低电阻，则表明该管仍然为NPN型管，且这时黑表笔所接触的电极为基极b。 反之，当红表笔接触某一电极时，将黑表笔分别与另外两个电极接触，如果两次测得的电阻值均为几百欧姆的低电阻时，则表明该管为PNP型管，且这时
（电子行业企业管理）电子元件测试方法
常用电子元器件检测方法与技巧 作者：本站来源：发布时间：2010-9-19 17:52:51 [收藏] [评 论] 常用电子元器件检测方法与经验 元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一
段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±2 0％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。B 注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万 用表测试一下其实际阻值。 2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固 定电阻完全相同。 3熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注
实验5-1交流电路元件参数的测定实验 实验目的： 1. 学习正确选用交流仪器和设备； 2．学习用三表法(伏安瓦计法)测定交流电路器件参数的方法； 3．掌握功率表、调压器的使用； 4．了解如何校正由仪表内阻引起的测量误差 实验假设：假设三表法能够准确的通过Ｕ、I和P的测量求出电容器的电阻，电感器的感抗，电容器的容抗。三压法能够准确的测量电感器的相关参数。 实验原理：（1）低频电路元件的的参数。 交流电路中的实际无源元件有电阻器、电感器和电容器。严格讲，这些实验元件都不能用单一的电阻参数、电感参数和电容参数来表示各自的特征。 在低频（如工频）情况下，电阻器周围的磁场和电场可以忽略不计，可以不考虑其电感和分布电容，将其看成纯电阻，可用电阻参数来表征电阻启动的特征。 点赶的物理原型是导线绕制的线圈，导线电阻不可忽视。在低频情况下电匝间的分布电容可以忽略，因此电感线圈用电阻和电感两个参数来表征。 在低频时，电容器可以略去引导电感，忽略其电解质损耗和漏电，可用电容参数来表示特征。 综上所述，在低频情况下，交流电路元件参数主要有电阻器的电阻参数R、电容器的电容参数C、电感线圈的电感参数L和电阻参数R。 （2）元件参数的测量方法很多，如三表法、电桥法、谐振法以及Q表法等，以及实验采用三表法和三压法测量电阻器、电感器和电容器的参数。 ！：三表法。图1所示的电路中，Z为被测元件。有电路理论可知，元件的电压U、电流I 及有功功率P有一下关系。 阻抗的模： |Z|=U/I； 等效电阻： R=P/I2= |Z|cos； 等效电抗： X=±（|Z|2-R2）?= |Z|sin； 等效电感： L=X/ω（当X＞0时）； 等效电容： C=1/（Xω）（当X<0时）； 这是测量交流参数的一种方法，由于采用三块仪表，所以简称三表法。 ！！：三压法。在图2 a所示的电路中，已知电阻r与被测阻抗Z串联，设Z为电感线圈，则总电流、电阻电压和电感电压间的相量关系如图2 b所示。
实验一常用电子元器件的识别和测量 一、实验目的 1.认识常用的电子元器件 2.掌握万用表的使用方法 二、实验设备及仪器 1.电阻、电容、二极管、三极管：若干 2.万用表：一块 三、实验内容及实验步骤 1.电阻阻值的判定 色环标志法：是用不同颜色的色环在电阻器表面表示标称阻值和允许误差。（1）两位有效数字的色环标志法 普通电阻器用四条色环表示标称阻值和允许偏差，其中三条表示阻值，一条表示偏差，如下图1所示： 如：色环A－红色；B－黄色如：色环A－蓝色；B－灰色；C－黑色C－棕色；D－金色 D－橙色；E－紫色 则该电阻标称值及精度为：则该电阻标称值及精度为： 24×101=240Ω精度：±5% 680×103=680KΩ精度：±0.1%
图2 三位有效数字的阻值色环标志法 图1 两位有效数字的阻值色环标志法 （2）三位有效数字的阻值色环标志法
精密电阻器用五条色环表示标称阻值和允许偏差，如图2所示： 测量给定的电阻，并把结果填入列表1 电容的测量，一般应借助于专门的测试仪器。通常用电桥。而用万用表仅能粗略地检查一下电解电容是否失效或漏电情况。 测量电路如图3所示 图3 电容的测量 测量前应先将电解电容的两个引出线短接一下，使其上所充的电荷释放。然后将万用表置于1K档，并将电解电容的正、负极分别与万用表的黑表笔、红表笔接触。在正常情况下，可以看到表头指针先是产生较大偏转（向零欧姆处），以后逐渐向起始位（高阻值处）返回。这反映了电容器的充电过程，指针的偏转反映电容器充电电流的变化情况。 一般说来，表头指针偏转愈大，返回速度愈慢，则说明电容器的容量愈大，若指针返回越接近起始位（高阻值），说明电容器漏电阻很大，指针所指示电阻值，即为该电容器的漏电阻。在测漏电阻的整个过程中，指针始终停在∞位置，表明电容器内部开路；若指针始终停在0位置，表明电容器内部短路将读取值与测量值填入下表2。 3 一个二极管的正、反向电阻值差别越大，其性能就越好；如果双向电阻值相差较小，说明二极管质量差，不能使用；如果双向电阻值都为无穷大，则说明该二极管已经断路；如双向电阻值均为零，说明二极管已被击穿。 利用数字万用表的二极管档也可判别正、负极，此时红表笔（插在“V·Ω”插孔）带正电，黑表笔（插在“COM”插孔）带负电。用两支表笔分别接触二极管两个电极，若显示值在1V以下，说明管子处于正向导通状态，红表笔接的是正极，黑表笔接的是负极。若显示溢出符号“1”，表明管子处于反向截止状态，黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极，如图3（ a）、（b）。
Cds 漏-源电容 Cdu 漏-衬底电容 Cgd 栅-源电容 Cgs 漏-源电容 Ciss 栅短路共源输入电容 Coss 栅短路共源输出电容 Crss 栅短路共源反向传输电容 D 占空比（占空系数，外电路参数）di/dt 电流上升率（外电路参数） dv/dt 电压上升率（外电路参数） ID 漏极电流（直流） IDM 漏极脉冲电流 ID(on) 通态漏极电流 IDQ 静态漏极电流（射频功率管） IDS 漏源电流 IDSM 最大漏源电流 IDSS 栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat) 沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG 栅极电流（直流） IGF 正向栅电流 IGR 反向栅电流 IGDO 源极开路时，截止栅电流 IGSO 漏极开路时，截止栅电流 IGM 栅极脉冲电流 IGP 栅极峰值电流 IF 二极管正向电流 IGSS 漏极短路时截止栅电流 IDSS1 对管第一管漏源饱和电流 IDSS2 对管第二管漏源饱和电流 Iu 衬底电流 Ipr 电流脉冲峰值（外电路参数） gfs 正向跨导 Gp 功率增益 Gps 共源极中和高频功率增益 GpG 共栅极中和高频功率增益 GPD 共漏极中和高频功率增益 ggd 栅漏电导 gds 漏源电导 K 失调电压温度系数 Ku 传输系数 L 负载电感（外电路参数） LD 漏极电感 Ls 源极电感 rDS 漏源电阻
rDS(on) 漏源通态电阻 rDS(of) 漏源断态电阻 rGD 栅漏电阻 rGS 栅源电阻 Rg 栅极外接电阻（外电路参数） RL 负载电阻（外电路参数） R(th)jc 结壳热阻 R(th)ja 结环热阻 PD 漏极耗散功率 PDM 漏极最大允许耗散功率 PIN 输入功率 POUT 输出功率 PPK 脉冲功率峰值（外电路参数） to(on) 开通延迟时间 td(off) 关断延迟时间 ti 上升时间 ton 开通时间 toff 关断时间 tf 下降时间 trr 反向恢复时间 Tj 结温 Tjm 最大允许结温 Ta 环境温度 Tc 管壳温度 Tstg 贮成温度 VDS 漏源电压（直流） VGS 栅源电压（直流） VGSF 正向栅源电压（直流） VGSR 反向栅源电压（直流） VDD 漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG 栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss 源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th) 开启电压或阀电压 V（BR）DSS 漏源击穿电压 V（BR）GSS 漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on) 漏源通态电压 VDS(sat) 漏源饱和电压 VGD 栅漏电压（直流） Vsu 源衬底电压（直流） VDu 漏衬底电压（直流） VGu 栅衬底电压（直流） Zo 驱动源内阻 η漏极效率（射频功率管） Vn 噪声电压
实验二常用电子元器件的测量 一．实验目的 1．掌握用万用表测量电阻、电容、二极管、三极管及检测元件性能的好坏 2．进一步熟悉低频信号发生器、交流毫伏表、直流稳压电源、双踪示波器的使用，并通过测试一个实验电路理解电阻、电容、电感、二极管等元器件在电路中的 作用。 二．实验原理 ㈠固定电阻 1．固定电阻器的主要参数 固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。 （1）标称阻值和允许误差 电阻器上标志的阻值叫标称值，而实际值与标称值的偏差，除以标称值所得的百分数叫 电阻的误差，它反映了电阻器的精度。不同的精度有一个相应的误差，表2-1列出了常用电 阻器的允许误差等级（精度等级）。 目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻，而III级很少，都能满足一般应用的要 求，02、01、005级的精密电阻器，一般用于测量仪器，仪表及特殊设备电路中。 国家有关部门规定了阻值系列作为产品的标准，表2-2是普通电阻器系列表。表中的标 称值可以乘以10n，例如，4．7这个标称值，就有0．47Ω、4．7Ω、47Ω、470Ω、4．7K Ω……。选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。 表 2–2 电阻器系列及允许误差 （2）电阻器的额定功率 电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。电阻器的额定功率，通常有1/8、 1／4、1／2、1、2、3、5、10瓦等。表示电阻器额定功率的通用符号见图2-1。大于1W的 则用阿拉伯数字表示。 125 .0W W 1 5.0W .0W 25
图2-1 电阻器通用符号 2．固定电阻器主要参数的标志方法 （1）电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。额定功率较大的电阻器，一般都将额定功率直接印在电阻器上。额定功率较小的电阻器，可以从它的几何尺寸和表面面积上看出来，一般1/8w、1/4w电阻器的直径约2．5毫米，长约7-8毫米；1/2W电阻器的直径约4．5毫米，长约10-12毫米。 （2）电阻值及允许误差有三种表示法，即直标法、文字符号法和色标法。直标法是阻值和允许误差直接标明，如2KΩ±5％；文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示，组合规律如下：文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值，文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。允许误差用符号J＝±5％、K＝±10％、M＝±20％。例如5Ω1J表示5．1Ω±5％。这种表示法可避免因小数点脱掉而误识标记。目前小型化的电阻器都采用色标法，用标在电阻体上不同颜色的色环作为标称值和允许误差的标记。色标法具有颜色醒目、标志清晰、无方向性的优点，它给生产过程中的安装、调试与检修带来方便。误差为±5％、±10％的普通色环电阻用四色环表示，左端部为第一色环（比较靠近引脚），顺次向右为第二、第三、第四色环。各色环所代表的意义为：第一、第二色环相应代表阻值的第一、第二位有效数字，第三色环表示后面加“0’’的个数，第四环代表允许误差，各色环颜色一数值对照表2-3。精密电阻用五色环（或六色环）表示阻值和允许误差，见表2-4。 表2-3 四色环电阻读数表 2-4 五色环电阻读数
实验七 用三表法测量电路等效参数 一、实验目的 1. 学会用交流电压表、 交流电流表和功率表测量元件的交流等效参数的方法。 2. 学会功率表的接法和使用。 二、原理说明 1. 正弦交流信号激励下的元件的阻抗值，可以用交流电压表、 交流电流表及功率表分别测量出元件两端的电压U 、流过该元件的电流I 和它所消耗的功率P ，然后通过计算得到元件的参数值，这种方法称为三表法。 计算的基本公式为： 阻抗的模I U Z = ， 电路的功率因数UI P =?cos 等效电阻 R ＝ 2I P ＝│Z │cos φ， 等效电抗 X ＝│Z │sin φ 2. 阻抗性质的判别方法 可用在被测元件两端并联电容的方法来判别, 若串接在电路中电流表的读数增大，则被测阻抗为容性，电流减小则为感性。其原理可通过电压、电流的相量图来表示： 图7-1 并联电容测量法 图7-2 相量图 3. 本实验所用的功率表为智能交流功率表，其电压接线端应与负载并联，电流接线端应与负载串联。 三、实验设备 DGJ-1型电工实验装置：交流电压表、交流电流表、功率表、自耦调压器、白炽灯、镇流器、电容器。 四、实验内容 测试线路如图7-3所示，根据以下步骤完成表格7-1。 1. 按图7-3接线，将调压器调到表1中的规定值。 2. 分别测量15W 白炽灯(R)、镇流器(L) 和4.7μF 电容器( C)的电流和功率以及功率因数。 3. 测量L 、C 串联与并联后的电流和功率以及功率因数。 4. 如图7-4，用并联电容法判断以上负载的性质。
图7-3 图7-4 五、实验数据的计算和分析 根据表格7-1的测量结果，分别计算每个负载的等效参数。 白炽灯：I U Z ==2386.6， UI P =?cos =1 镇流器L ：I U Z ==551.7，UI P =?cos =0.172 电容器C ：I U Z ==647.2，UI P =?cos =0，C Z f ωπω1 ||,2==，f=50Hz ，因此C=4.9μF L 和C 串联：I U Z ==180.9，UI P =?cos =0.35；并联1μF 电容后，电流增大，所以是容 性负载 L 和C 并联：I U Z ==2515.7，UI P =?cos =0.47；并联1μF 电容后，电流减小，所以是感性负载 由以上数据计算等效电阻 R ＝│Z│cosφ，等效电抗 X ＝│Z│sinφ，填入表7-1中。 六、实验小结 掌握了交流电路的基本实验方法，学会使用调压器，交流电压表、交流电流表，用功率表测量元件的功率。通过三表法可以通过实验方法测量并计算出负载元件的阻抗。实验中，线路接错会出现报警，也可能烧坏功率表的保险丝，需按照例图仔细检查线路。通过测量发现，被测负载有些不是线性元件。 Z
常用电子元件的检测方法 元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1固定电阻器的检测。 A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。 B?注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 3熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
常用电子元件器的测 量
常用电子元器件的测量 1、普通二极管的测量 ①用万用表的R×100档或R×1K档，分别与二极管的两极相连，测出两次阻 值， 阻值较小的这一次，与黑表笔相接的一端即为二极管的正极，另一极则为二极管的负极。②如图所示的二极管带有银环的一端是负极，另一端是正极。 2、发光二极管的测量 ①用万用表的R×10K档,测其正向电阻一般小于50K,反向电阻大于200K以上为正常，测正向电阻时有微光。②从两只管脚的长度判别：稍长一点的为正极，稍短一点的为负极。③从发光二极管的内部看，内部面积较小的一端为正极，内部面积较大的一端为负极。 3、稳压二极管的测量 ①用MF47型万用表的R×10K档，测其反向电阻，若实测为R1,则稳压二极管的稳压值Vz=(9×R1)/(R1+150000)伏。如果实测电阻接近∞，表示被测管的稳压值大于9伏，如果实测电阻值很小，可能接反了，将表笔互换再进行测量。4、三极管的测量 （一）NPN型或PNP型、以及b极的判断： ①用黑表笔接触一管脚，红表笔分别接触另外两个脚，如电阻较小，则此管为NPN型，与黑表笔接触的管脚是基极。②用红表笔接触一管脚，黑表笔分别接触另外两个脚，如电阻较小，则此管为PNP型，与红表笔接触的管脚是基极。 （二）c极和e极的判断： NPN管发射极与集电极的判断： 方法一：确定了三极管的基极后，用万用表的R×10K档，交换测量三极管的另两个极，阻值较大的这一次，黑表笔接的是三极管的集电极，红表笔接的是三极管的发射极。如果两次测得的阻值都接近∞，则用方法二。 方法二：确定了三极管的基极后，用手指把三个电极捏起来（但电极间不能相碰），用万用表的R×10K档或R×1K档，交换表笔测量三极管的CE两个极，记
常用电子元器件检测方法与经验总结 1
常见电子元器件检测方法与经验 摘要:常见电子元器件检测方法与经验 元器件的检测是家电维修的一项基本功,如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常,不是一件千篇一律的事,必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说,熟练掌握常见元器件的检测方法和经验很有必要,以下对常见电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验: 1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度,应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系,它的中间一段分度较为精细,因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置,即全刻度起始的20％～80％弧度范围内,以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符,超出误差范围,则说明该电阻值变值了。B注意:测试时,特别是在测几十kΩ以上阻值的
电阻时,手不要触及表笔和电阻的导电部分;被检测的电阻从电路中焊下来,至少要焊开一个头,以免电路中的其它元件对测试产生影响,造成测量误差;色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定,但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 3熔断电阻器的检测。在电路中,当熔断电阻器熔断开路后,可根据经验作出判断:若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦,可断定是其负荷过重,经过它的电流超过额定值很多倍所致;如果其表面无任何痕迹而开路,则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断,可借助万用表R×1挡来测量,为保证测量准确,应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大,则说明此熔断电阻器已失效开路,若测得的阻值与标称值相差甚远,表明电阻变值,也不宜再使用。在维修实践中发现,也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象,检测时也应予以注意。 4电位器的检测。检查电位器时,首先要转动旋柄,看看旋柄转动是否平滑,开关是否灵活,开关通、断时”喀哒”声是否清脆,并听 3
常用电子元件及其简易测量方法 一、固定电阻器 在电子产品中，固定电阻器是应用最多的电子元件之一。目前最常见的产品为：金属膜电阻器、碳膜电阻器、半导体保险电阻器以及线绕式电阻器等四种材料的产品。 固定电阻器的参数通常有两个，一是最大消耗功率、二是阻值大小。在一般电路中，最大消耗功率为1/8 W 的碳膜电阻和1/4 W 的金属膜电阻是应用最多的，少部分电路也有应用1/16 W 的。其它功率的：如1/2 W 、1W 、2W 以上的电阻，在实际电路中的应用要少一些。固定电阻器的功率大小在产品上一般不标出，只需通过观察其外观体积的大小即可方便地判断出来。 1、色环电阻的阻值表示方法 固定电阻器的阻值通常用画在首部的色环来表示阻值。 对碳膜电阻来说，第一环表示电阻值的第一位数字，第二环表示电阻值的第二位数字，第三环表示将前两环所表示的数字再乘以10的n 次方，而画在尾部的第四环则用来表示误差(图1a)。 金属膜电阻因精度较高而用五环表示，其中前面三环表示电阻值的数字，第四环用来表示倍率，而第五环则表示误差(图1b)。 图1 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 本(底)色 对应数值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ±5% ±10% ±20% 例：一金属膜电阻，其首环为黄色(即4)、二环为紫色(即7)、三环为红色(即2)，四环为红色(即乘以210)，五环为棕色，这样该电阻的阻值为Ω=Ω=?k 2.4747200104722 ，误差为%1±。 2、电阻器的质量好坏判断 用万用表的欧姆档直接测量其阻值，在误差范围内为合格品，否则为不合格品。 二、固定电容器 固定电容器的种类比较多，常用的有瓷片电容、丙纶电容、金属膜纸介电容、云母电容和独石电容等等。其中独石电容体积小容量大且价格适中，因而应用较多；瓷片电容价格最低，但容量不容易做大；丙纶电容性能很稳定，但体积较大而价格也要高一些；金属膜纸介电容的最大优点是被击穿后有自修复能力，但体积也是最大的，目前虽有小量应用，但已属淘汰产品；云母电容的特点是高频特性好，但容量很难做到0.01
07 电子元器件的识别与测试 一、目的 1．了解常用电子元器件（如：电阻、电容、电感、变压器、二极管、三极管、单结管、晶闸管、数码管、接插件、开关、集成电路、电声器件等）的种类、结构、参数、性能等。 2．学会识别、选用、测量、安装各类电子元器件。 二、器材 1．数字万用表。 2．各种常用电子元器件。 3．电子元器件展板。 4．多媒体设备等。 三、电子元器件的识别与测试 特殊的元器件检测需要多种通用或专用测试仪器，一般性的技术改造和电子制作，利用万用表等普通仪表对元器件检测，也可满足制作要求。 1．电阻器 （1）根据电阻器上的标志识别电阻器的阻值。 （2）用万用表准确测量电阻器的阻值。 2．电位器 （1）用万用表测量电位器固定端的阻值。 （2）用万用表检测电位器活动端的性能。 3．电容器 （1）根据电容器的标志识别电容器的容量。 （2）用万用表（具有电容测量档的数字万用表）测量电容器的容量。 （3）小电容（C≤0.1μF）可测短路、断路、漏电故障。常用测电阻的方法：正常情况下，电阻为无穷大，若电阻接近或等于零，则电容短路；若为某一数值，则电容漏电。 （4）电解电容正负极性的判断 ①引脚较长的一端为“+”极，引脚较短的一端为“?”极。 ②标有“?”标志的一端为“?”极。 ③用万用表判断：用红、黑表笔接触电容器的两引脚，记住漏电电流的大小。然后将电容器的正、负引脚短接一下，将红、黑表笔对调后，再测漏电电流，漏电电流小的一次，与黑表笔相接的引脚为“+”极。 （5）注意：由于电容器具有储存电荷的能力，因此，在测量或触摸大电解电容器时，要先将两个引脚短路一下（方法是：手拿带有塑料柄的螺丝刀，然后用金属部分将引脚短路），以将电容器中存储的电荷泻放，否则，可能会损坏测试仪表或出现电击伤人的意外情况。 4．电感器 （1）根据电感器的标志识别电感器的电感量。 （2）用万用表（具有电感测量档的数字万用表）测量电感器的电感量。 （3）电感线圈的测量：可用万用表的欧姆档测线圈的直流电阻，若电阻为零或接近零，则说明线圈短路或局部短路；若电阻为无穷大，则说明线圈断路。 （4）注意：在测电感器时，数字万用表的量程选择很重要，最好选择接近标称电感量的量程去测量；否则测试结果将会与实际值有很大的误差。
CT势垒电容 Cj结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv偏压结电容 Co零偏压电容 Cjo零偏压结电容 Cjo/Cjn结电容变化 Cs管壳电容或封装电容 Ct总电容 CTV电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC电容温度系数 Cvn标称电容 IF 正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）正向平均电流 IFM（IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH恒定电流、维持电流。 Ii发光二极管起辉电流 IFRM正向重复峰值电流 IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)正向过载电流 IL光电流或稳流二极管极限电流 ID暗电流 IB2单结晶体管中的基极调制电流 IEM发射极峰值电流 IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM最大输出平均电流 IFMP正向脉冲电流 IP峰点电流 IV谷点电流 IGT晶闸管控制极触发电流 IGD晶闸管控制极不触发电流 IGFM控制极正向峰值电流 IR（AV）反向平均电流 IR（In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM反向峰值电流
常用电子元器件的识别与检测 1.0前言：概述电子产品工艺与PCB技术 基本任务 了解电子产品开发与生产的全过程，从设计开发到售后服务，包括设计开发项目小组、PCB技术、smt工艺、产品测试、产品检验、例行试验、质量管理等过程所涉及的关键技术。 1.1 电阻(2 hours) 基本任务 1)掌握电阻的单位与符号，了解E24系列电阻； 2)熟悉色环电阻（金属膜电阻或者碳膜电阻）的外观，掌握通过色环 读取电阻标称值及误差； 3)会用指针式万用表与数字万用表测量并读取实际阻值； 4)计算色环电阻的实际可以流过的电流（1/4W）； 5)不同电压下串联不同电阻与LED，使得LED保持一定电流发光，理 解电阻的作用（RC充放电电路，555电路，分压电路等）； 6)熟悉可调电阻的外观及管脚； 7)熟悉典型贴片电阻的外观与标识，通过标识读取标称电阻值； 8)熟悉压敏电阻的外观与参数及在电路中起的保护作用； 9)理解接触电阻的产生，接触电阻大可能带来的严重后果；
10)理解绝缘电阻的概念及测量； 11)掌握四点法测量小电阻的方法； 12)理解其他电阻如线绕电阻、水泥电阻、导线电阻外形及功率； 13)理解热敏电阻、光敏电阻的主要参数及用途； 14)了解排阻、发热元件如电灯、加热丝等电阻； 15)了解取样电阻（采样电阻）及0欧姆电阻的作用 16)设备或者电路输入输出阻抗的概念及作用； 17)电阻在CAD中的封装，如AXIAL0.4、0603、0201
1.2电容器 基本任务 01.掌握电容的单位及电路符号，以及单位换算及电容值系列； 02.了解电容器的耐压系列，如6.3V，10V，16V，25V。。。1000V等； 03.掌握电解电容极性判断与参数读取（常见铝、钽电容，后者价高 性能好），如极性标记及长脚为正等，不能接反，否则容易损坏， （一般电解电容容值较大，1uF以上）； 04.掌握指针式万用表电阻档测试电解电容的表现； 05.了解无机介质电容器：包括大家熟悉的陶瓷电容以及云母电容， 涤纶电容、独石电容薄膜.电容等无极性小电容，他们的标识与 电容值读取方法（一般相对电解电容而言具有较小容值） 104=0.1uF 339=3.3pF 472=4700pF 4n7=4.7nF 06.掌握指针式万用表测量小容值电阻档表现，及与大电容的比较； 07.了解电容值的测试：电容表，电桥测试，Q表测试(有些数字万用表 带的电容测量档位是有限的，一般无专门测量电容的仪器准确) 08.掌握贴片电容外形，小电容一般是矩形无数字标记，贴片电解电 容有标识； 09.了解其他参数：损耗角正切（tg δ）/温度/漏电流/绝缘电阻/使用寿命/频率特性； 10.了解电容的用途主要有如下几种： 1..隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。2．旁路 （去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许 交流信号通过并传输到下一级电路4．滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作 用。5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。 6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。7．调谐：对与频率相关的电路进行系统 调谐，比如手机、收音机、电视机。8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。 9．储能： 储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1 固定 1 固定电容器的检测 A 检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B 检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C 对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的 R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2 电解电容器的检测 A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。 C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是