01集成电路制造工艺概述

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集成电路制造工艺

Here we can see the loading of 300mm wafers onto the Paddle.
12 英寸氧化扩散炉装片工序
12英寸氧化扩散炉取片工序（已生长 Si3N4）
Process Specialties has developed the world's first production 300mm Nitride system! We began processing 300mm LPCVD Silicon Nitride in May of 1997.
非线性集成电路：如振荡器、定时器等电路。
数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ：例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。
按应用领域分类
标准通用集成电路
通用集成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大
的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会需求量大，通用性强。专用集成电路根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC（Application Specific Integrated Circuit)，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封装形式多样。
• 现已进入到：
– VLSI – ULSI – GSI
小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） VLSI使用最频繁，其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中把VLSI译为超大规模集成，更是包含了ULSI和GSI的意义。

集成电路集成制造工艺

集成电路集成制造工艺
首先呢，得把基础的原材料准备好。

这就像是做菜之前得把菜啊、调料啥的都备齐一样。

这一步看起来好像没什么难度，不过可别小瞧它要是缺了个啥，后面可能就会有点麻烦呢！我自己就有过这样的经历，当时急急忙忙的，感觉少点东西应该没事，结果后来还是得重新弄，浪费了不少时间。

所以这一步，一定要仔细检查！
然后呢，就是对原材料进行初步处理。

这个环节根据不同的材料可能会有不同的做法。

在这一环节，你可以根据自己的设备选择不同的操作方式。

我通常会在这个环节花多一些时间，确保做得更仔细。

因为这个初步处理要是没做好，后面的工序可能就会受影响。

你是不是也觉得这一点很关键呢？
再之后就是蚀刻的步骤了。

蚀刻这个环节，感觉有点像雕刻呢。

在做这一步的时候，我有时候会不小心把不该蚀刻的地方给弄了一点点，这时候就需要重新审视前面的步骤有没有做错。

这一点真的很重要，我通常会再检查一次，真的，确认无误是关键。

最后就是封装啦。

封装就像是给集成电路穿上一件保护衣，让它能够在各种环境下正常工作。

这个步骤可以根据个人的经验稍作调整，不必完全照搬我的方法。

只要能把集成电路保护好就行啦。

集成电路的工艺分类

疾病诊断和治疗等。
市场前景
持续增长
随着技术进步和应用领域的拓展，集成电路市场将继续保持增长态势。
竞争格局
市场竞争将更加激烈，将促使企业加大技术创新和产品研发的投入。
产业链协同
集成电路产业链上下游企业将加强合作，共同推动产业的发展和进步。
感谢您的观看
THANKS
集成电路开始批量生产。
集成电路的发展历程
1965年
1970年
随着半导体工艺的发展，集成电路的规模越来越大，出现了大规模集成电路和超大规模集成电路。
微处理器问世，标志着集成电路的发展进入了一个新的阶段。
1980年
2000年
随着VLSI和ULSI技术的发展，集成电路的集成度越来越高，出现了特大规模集成电路和极大规模集成电路。
制作工艺
薄膜集成电路的制作工艺包括薄膜沉积、光刻、刻蚀、掺杂等，其中薄膜沉积是关键工艺之一，常用的材料包括硅、锗、化合物
半导体等。
单片集成电路
定义
单片集成电路是将多个电子器件和电路集成在一个芯片上，整个芯片形成一个完整的电路系统。
特点
单片集成电路具有高集成度、高性能、低成本等优点，适用于大规模生产和高性能要求的领域，如计算机、通信、军事等。
用于检测集成电路的质量和性能。
制造工艺
薄膜工艺
在半导体材料上沉积或生长薄膜，形成电路元件。
光刻工艺
将设计好的电路图形转移到半导体材料上，形成电路元件的轮廓。
刻蚀工艺
将半导体材料上不需要的部分刻蚀掉，形成电路元件。
掺杂工艺
通过掺入其他元素改变半导体材料的导电性能，形成电路元
件。
04

《集成电路》课件

《集成电路》ppt课件
xx年xx月xx日
• 集成电路概述 • 集成电路的制造工艺 • 集成电路的种类与特点 • 集成电路的发展趋势与挑战 • 集成电路的实际应用案例
目录
01
集成电路概述
集成电路的定义
集成电路是将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能的微型电子部件。
它采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
超大规模集成电路（VLSI）
包含10万-100万个逻辑门或元件。
按结构分类的集成电路
单片集成电路
所有元件都在一个芯片上。
多片集成电路
由多个芯片集成在一个封装内。
模块化集成电路
由多个独立芯片通过线路板连接而成。
按应用领域分类的集成电路
01
通信集成电路
用于通信设备中的信号处理和传输。
消费电子集成电路
射频识别（RFID）技术的集成电路应用
总结词
射频识别技术是利用无线电波进行通信的一种非接触式识别技术，其集成电路应用主要涉及标签芯片和读写器芯片。
详细描述
RFID标签芯片通常包含存储器、无线通信电路和天线等部分，用于存储和传输信息。而RFID读写器芯片则负责与标签芯片进行通信，实现信息的读取和写入。RFID技术广泛应用于物流、供应链管理、身份识别等领域。
用于家电、数码产品等消费电子产品中。
03
02
计算机集成电路
用于计算机硬件中的逻辑运算和数据处理。
汽车电子集成电路
用于汽车控制系统和安全系统中。
04

微电子09集成电路制造工艺

促进技术发展
集成电路制造技术的发展推动了电子技术的进步，促进了信息产业的发展。
集成电路制造的流程
材料准备
选择合适的衬底材料，并进行清洗和加工。
图形制备
将电路设计转换为实际的生产图形，并进行光刻和刻蚀。
薄膜制备
在衬底上沉积所需的薄膜材料，如金属、介质等。
互连
将电路元件和互连线连接起来，形成完整的电路系统。
集成电路制造是将电子元器件和电路设计转变为实际可用的集成电路的过程，包括材料准备、图形制备、薄膜制备、掺杂、刻蚀、互连等多个环节。
集成电路制造的重要性
提高性能
集成电路制造技术能够将更多的电子元器件集成到更小的空间内，从而提高电子产品的性能。
降低成本
集成电路制造技术能够实现大规模生产，降低单个元器件的成本，从而降低整个电子产品的成本。
80%
导体材料
如金、银、铜等，用于制造集成电路中的导线和连接器。
微电子设备
刻蚀设备
用于在半导体材料上刻蚀出电路和元件的轮廓。
镀膜设备
用于在半导体材料上沉积金属或化合物，形成电路和元件的导线和介质层。
检测设备
用于检测集成电路的质量和性能，如电子显微镜、X射线检测仪等。
微电子材料与设备的发展趋势
新材料的研发和应用
随着集成电路技术的发展，对材料的要求越来越高，需要不断研发新的材料来满足集成电路的性能和可靠性要求。
高精度设备的研发和应用
智能制造技术的应用
将人工智能、大数据等技术与微电子制造相结合，实现智能化制造，提高生产效率和产品质量。
为了制造更小、更复杂的集成电路，需要研发更高精度的设备来提高制造效率和产品质量。

集成电路的基本制造工艺

涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗 —去膜--清洗—N+扩散(P)
外延层淀积
VPE（Vaporous phase epitaxy) 气相外延生长硅 SiCl4+H2→Si+HCl 外延层淀积时考虑的设计主要参数是外延层电阻率和外延层厚度 Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-ox
第四次光刻—N+发射区扩散孔
集电极和N型电阻的接触孔；Al-Si 欧姆接触：ND≥10e19cm-3
SiO2
N+-BL
N+-BL
P
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—扩散
第五次光刻—引线接触孔
SiO2
N+-BL
P-SUB
SiO2
N+-BL
P-SUB
N+-BL
第二次光刻—P+隔离扩散孔
N+-BL P+ P+ 在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离
P+
N-epi
N-epi
第三次光刻—P型基区扩散孔
决定NPN管的基区扩散位置范围
SiO2
N+-BL
P-SUB
N+-BL
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)
横向PNP晶体管刨面图
PNP P+ P P
P+
N
P
PNP
P
N
p+
C
B
E
纵向PNP晶体管刨面图

集成电路制造工艺流程图

工艺流程现状
在集成电路制造过程中，该公司面临生产效率低下、产品质量不稳定等问题，需要进行工艺流程优化。
优化动机
为了提高生产效率、降低成本、提升产品质量，该公司决定开展集成电路制造工艺流程优化实践。
工艺流程优化措施与实践
措施一
引入自动化设备与智能检测系统
具体实践
引入先进的自动化生产线和智能检测设备，实现生产过程的自动化和智能化。
集成电路制造的定义
集成电路制造是指将多个电子元件集成在一块衬底上，通过微细加工技术实现电路功能的过程。
集成电路制造涉及多个工艺步骤，包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜淀积等，以实现电路的设计要求。
集成电路制造的重要性
集成电路制造是现代电子工业的基础，广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
集成电路制造技术的发展对于提高电子产品的性能、降低成本、促进产业升级具有重要意义。
Hale Waihona Puke 详细描述新型封装技术如倒装焊、晶圆级封装等不断涌现，能够实现更小体积、更高集成度的封装形式。同时，测试技术也在向自动化、高精度方向发展，以提高测试效率和准确性。这些技术的发展为集成电路的性能提升和应用拓展提供了有力支持。
04
集成电路制造的设备与材料
集成电路制造的设备
晶圆制备设备
用于制造集成电路的晶圆制备设备，包括切割机、研磨机、清洗机等
。
光刻设备
用于将电路图形转移到晶圆表面的光刻设备，包括曝光机和掩膜对准
器等。
刻蚀设备
用于在晶圆表面刻蚀出电路图形的刻蚀设备，包括等离子刻蚀机和湿
法刻蚀机等。
集成电路制造的材料
半导体材料
用于制造集成电路的半导体材料，如硅和锗等。

01-IC制程简介

CMP(化学机械研磨)
为什么需要CMP?
要实现薄膜表面平坦
CMP平坦化
Film
29/43
CMP(化学机械研磨)
CMP
30/43
Litho(图形转移)
31/43
Litho
光照
光阻PR
黄光就像在面包上面印花纹
32/43
制程-Litho
33/43
Etch 图形（蚀刻区）
Etch 是什么？就是“吃”掉没有被挡住的物质 Etch 是做什么用的？为了去除显影后裸露出来的物质，实现图形的转移。 Etch是怎么实现的？可以分为使用化学溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。
IC设计服务
光罩制作
芯片生产
芯片测试
芯片切割及打线
封装及最终测试
5/43
2006年中国十大集成电路制造企业
序号
企业名称
销售额（亿元）
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 其他累计
中芯国际集成电路制造有限公司上海华虹NEC电子有限公司和舰科技（苏州）有限公司首钢日电电子有限公司上海先进半导体制造有限公司台积电（上海）有限公司上海宏力半导体制造有限公司无锡华润上华半导体有限公司上海贝岭股份有限公司上海新进半导体制造有限公司 —— ——
（化学机械研磨及表面处理) （炉管区）（薄膜生成）（光刻区）（蚀刻区） (中心区） (生产控制）（培训发展中心）（计算机集成制造）
18/43
Diffusion
19/43
Diffusion - AP Furnace
炉管就像烘烤面包
Diff(炉管区)
Boat T/C Injector
Inner Tube Outer Tube

集成电路制造工艺流程

单击此处添加标题
*
磷穿透扩散：减小串联电阻离子注入：精确控制参杂浓度和结深
B
P-Sub
N+埋层
SiO2
光刻胶
P+
P+
P+
P
P
N+
P-Sub
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 2. 氧化、光刻N-阱(nwell)
*
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面
P-Sub
N阱
*
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版)
N阱
P-Sub
*
集成电路（Integrated Circuit）制造工艺是集成电路实现的手段，也是集成电路设计的基础。
单击添加副标题
第一章集成电路制造工艺流程
*
无生产线集成电路设计技术
引言
随着集成电路发展的过程，其发展的总趋势是革新工艺、提高集成度和速度。设计工作由有生产线集成电路设计到无生产线集成电路设计的发展过程。无生产线（Fabless）集成电路设计公司。如美国有200多家、台湾有100多家这样的设计公司。
*
P-Sub
1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad)
*
N阱
有源区
多晶
Pplus
Nplus
接触孔
金属1
通孔
金属2
PAD
1.2.3 N阱硅栅CMOS工艺光刻掩膜版汇总简图
*
2. 减缓表面台阶
3. 减小表面漏电流
P-Sub
N-阱

集成电路工艺制程

未来集成电路工艺制程将继续朝着更精细、更高效、更可靠的方向发展，为人类社会的科技进步做出更大的贡献。
02
集成电路工艺制程技术
光刻技术
总结词
光刻技术是集成电路制造中的关键技术，用于将设计好的电路图案转移到硅片上。
详细描述
光刻技术利用光线透过掩模版，在硅片表面进行曝光，使光敏材料发生反应，形成电路图案。光刻技术对精度要求极高，需要精确控制曝光时间和角度，以确保电路线条的宽度和间距。
制程效率挑战与解决方案
制程效率挑战
随着制程复杂性的增加，生产效率逐渐降低，如何提高制程效率、降低生产成本成为亟待解决的问题。
制程效率解决方案
研发先进的制程技术和设备，提高生产效率和良品率；同时，优化生产流程和工艺调度，实现快速转产和灵活生产；此外，采用智能制造和自动化技术，减少人工干预和错误率。
设备。
掺杂的目的是为了形成不同类型和性质的半导体材料，如N型
和P型半导体。
掺杂的方法有多种，包括离子注入、扩散等。
掺杂设备的发展趋势是实现更精确的杂质控制和分布，以提高电路性能和稳定性。
刻蚀设备
刻蚀设备是将不需要的材料或部分从硅片上去除的设备。
刻蚀设备的作用是实现电路图形的转移和材料的去除，是集成电路制造中的重要环节。
制程稳定性挑战与解决方案
制程稳定性挑战
制程过程中，各种因素如温度、湿度、压力等都可能影响工艺的稳定性和重复性，导致集成电路性能的不一致。
制程稳定性解决方案
通过建立严格的制程控制体系，对工艺参数进行实时监控和反馈调节，确保工艺条件的一致性和稳定性；同时，加强设备维护和校准，提高设备的可靠性和稳定性。
详细描述
掺杂技术是实现半导体材料导电性能的关键步骤，通过向硅片中掺入磷、硼等元素，可以控制半导体的导电类型和浓度，从而影响集成电路的性能。

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光刻的本质是把（临时）电路图形复制到覆盖于硅片表面的光刻胶上。
黄色荧光管照明
主要设备
步进光刻机（steper）涂胶/显影设备（coater/developer track）清洗装置和光刻胶剥离机？
40
光刻工艺模块示意图
刻蚀区
2020/12/7
刻蚀是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
网络
考核方法
20%平时成绩（考勤、作业、平时表现） 20%实验成绩 60%考试成绩（开卷）
课程作业
作业一
1描述CZ拉单晶炉的工作原理。
作业二
2描述集成电路的制膜工艺原理。
作业三
3描述集成电路的图形转移工艺原理。
作业四
4描述集成电路的掺杂工艺原理。
作业五
5以反相器为例描述CMOS工艺流程。
每块芯片上的元件数
摩尔定律
功耗
提高芯片可靠性
浴盆曲线
降低芯片成本
26
集成电路的5个制造阶段
集成电路的5个制造阶段
第1阶段：硅片制备
第2阶段：硅片制造
2020/12/7
裸露的硅片到达硅片制造厂，然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。
2晶圆制备
时间内容安排 3氧化
4物理气相淀积
5化学气相淀积 9刻蚀 13封装
6化学机械抛光作业一、二、三 10扩散作业四、五 14期末复习
7期中复习
8光刻
11离子注入
12工艺集成
15仿真实验一、二 16仿真实验三、四
制膜氧化4 CVD4 PVD4 外延4 平坦化4
基本工艺图形转移光刻4 刻蚀4
掺杂扩散4 离子注入4
筛选切片封测Fra bibliotek封装4老化
测试
工序集成
•CMOS工艺2 •双极工序2 •新技术
实验
• 软件环境2 • 氧化2 • 掺杂2 • 综合2
参考教材
序号
书名
1 半导体制造技术
2 芯片制造——半导体工艺制程实用教程
3 硅集成电路工艺基础 4 超大规模集成电路—基础、设计、制造工
艺 5 集成电路工艺和器件的计算机模拟——IC
主要设备：
抛光机刷片机（wafer scrubber）、清洗装置、测量装置
48
典故
威廉·肖克利（WILLIAM SHOCKELY）
“晶体管之父”（1910-1989） 1947，点接触晶体管；1950，面结型晶体管肖克利实验室（1955-1968），圣克拉拉谷(硅谷) 1956，诺贝尔物理奖 1957，八判逆 1958，斯坦福大学 1963，斯坦福大学 70年代，人种学和优生学？？
10医学
11管理学
电子科学与技术
专门研究电子科学理论及其应用技术的学科，其研究的主要内容是
➢ 电子技术的核心理论 ➢ 制造电子元器件的材料、方法与工艺 ➢ 电路设计理论与应用技术
设计制造测试
电子科学与技术的基本内容
➢ 1.电子元器件
• 分立器件和集成器件 • 如何设计出满足应用系统要求的电子元器件
罗伯特·诺伊思（Robert Noyce）
仙童半导体公司——Fairchild Semiconductor 硅,1959,7,30,“提出了适合于工业生产的集成电路理论”
23
集成电路是怎么诞生的？
2020/12/7
早期的许多先驱者开始在北加利福尼亚州，现在以硅谷著称的地区。1957年，在加利福尼亚州的帕罗阿托市（Palo Alto）的仙童半导体公司（Fairchild Semiconductor）制造出第一个商用平面晶体管。
20
一个工业的诞生
1906年，真空三极管，Lee Deforest （电信号处理工业） 1947年，ENIAC
1947年12月23日，晶体管，John Bardeen， Walter Brattin，William Shockley（1956年诺贝尔物理奖），固态，分立器件
（半导体工业）
集成电路工艺概述
课程介绍
普通高校专业学科目录（1998版）
分设十一个学科门类（无军事学），下设二级类71个，专业249种。
01哲学
02经济学 03法学 04教育学 05文学 06历史学 07理学 08工学 09农学
0806 电气信息类
➢ 080601 电气工程及其自动化 ➢ 080602 自动化 ➢ 080603 电子信息工程 ➢ 080604 通信工程 ➢ 080605 计算机科学与技术 ➢ 080606 电子科学与技术 ➢ 080607
肖克利博士非凡的商业眼光，成就了硅谷；肖克利博士拙劣的企业才能，创造了硅谷。“天才与废物”硅谷的第一公民，硅谷第一弃儿。
“八叛逆”（THE TRAITOROUS EIGHT）
1955年，“晶体管之父”威廉·肖克利，离开贝尔实验室创建肖克利实验室。他吸引了很多富有才华的年轻科学家加盟。但是很快，肖克利的管理方法和怪异行为引起员工的不满。其中八人决定一同辞职，他们是罗伯特·诺依斯、戈登·摩尔、朱利亚斯·布兰克、尤金·克莱尔、金·赫尔尼、杰·拉斯特、谢尔顿·罗伯茨和维克多·格里尼克。被肖克利称为“八叛逆”。八人接受位于纽约的仙童摄影器材公司的资助，于1957年，创办了仙童半导体公司。
31
第4阶段：装配和封装
2020/12/7
把单个芯片包装在一个保护管壳内。
DIP
32
第5阶段：终测
2020/12/7
为确保芯片的功能，要对每一个封装的集成电路进行测试，以满足制造商的电学和环境的特性参数要求。
至此，集成电路制造完成。
33
晶圆制造厂
晶圆
在亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型
扩散区
2020/12/7
扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。
主要设备：
高温扩散炉：1200℃左右，能完成氧化、扩散、淀积、退火以及合金等多种工艺流程。
湿法清洗设备（辅助）
硅片在放入高温炉之前必须进行彻底的清洗，以去除硅片表面的沾污以及自然氧化层。
38
光刻区
2020/12/7
集成电路
什么是集成电路？
2020/12/7
英文全称Integrated Circuit，缩写IC
通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或硅衬底。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为微芯片或芯片。
1968，INTEL
杰里·桑德斯（J. Sanders）AMD 查尔斯·斯波克（C. Sporck）NSC
2011年，台湾成为全球最大半导体晶圆生产地
根据市调机构IC Insights调查统计，2011年全球半导体晶圆总月产能达13,617.8千片8寸约当晶圆。其中台湾晶圆月产能达2,858.3千片8寸约当晶圆，占全球半导体总产能达21%，跃居第1大生产国；原本是全球最大晶圆生产国的日本，月产能达 2,683.6千片8寸约当晶圆，市占率达19.7%，位居第2大生产国；韩国则以2,293.5千片8寸约当晶圆月产能，位居第3大生产国，市占率达16.8%；美国月产能达1,995.1千片8寸约当晶圆，市占率降至14.7%，是全球第4大生产国。
器件阶段——集成电路设计技术是支持技术
设计基础是器件系统实现技术是器件组成系统基本工具是器件分析系和系统仿真
SoC阶段——集成电路设计技术是基本应用技术
设计基础是系统和电路系统实现技术是系统集成技术基本工具是系统和电路模型的仿真分析
时间安排（每周4学时*16周=64学时）
1课程概述
【日】岩田穆
出版社电子工业
电子工业
北京大学科学
时间 2004
2010
2003 2007
阮刚
复旦大学 2007
李哲英李可为李惠军刘睿强潘桂忠王蔚邱碧秀【日】水野文
电子工业电子
山东大学电子工业上海科学技术电子工业电子工业
科学
2006 2007 2007 2011 2010 2010 2006 2007
2020/12/7
每个芯片元件数 1 2~50 20~5000 5000~100 000 100 000~1 000 000 大于1 000 000
25
半导体主要趋势
2020/12/7
提高芯片性能：
速度（按比例缩小器件和使用新材料）关键尺寸（CD）
芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。硅片上的最小特征尺寸被称为关键尺寸或CD。技术节点
IDM fabless foundry
半导体产业总是处于设备设计和制造技术的前沿。
30
2020/12/7
第3阶段：硅片的测试/拣选
硅片制造完成后，硅片被送到测试/拣选区，在那里进行单个芯片的探测和电学测试，然后拣选出可接受和不可接受的芯片，并为有缺陷的芯片做标记，通过测试的芯片将继续进行以后的工艺。
它有一层铝互连材料，这种材料被淀积在硅片的最顶层以连接晶体管的不同部分。从硅上热氧化生长的一层自然氧化层被用于隔离铝导线。这些层的使用在半导体领域是一个重要发展，也是称其为平面技术的原因。
24
半导体的集成时代
电路集成分立元件 SSI MSI LSI VLSI ULSI
半导体产业周期 1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到70年代后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期至今